| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Пропускная способность | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Сопротивление | Количество контактов | Интерфейс | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество позиций | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Количество функций | Номинальный ток питания | Толерантность | Код JESD-609 | Особенность | Температурный коэффициент | Терминальные отделки | Состав | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Тип конвертера | Тип | Максимальное двойное напряжение питания | Конфигурация | Минимальное двойное напряжение питания | Общее сопротивление | Максимальное напряжение на клемме резистора | Количество нажатий | Конус | Сопротивление стеклоочистителя (Ом) (тип.) | Температурный коэффициент (тип.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MCP4341-103E/МЛ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | WiperLock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/microchiptechnology-mcp4362103est-datasheets-2594.pdf | 20-VFQFN Открытая колодка | 4 мм | 950 мкм | 4 мм | 1 кГц | 20 | 15 недель | 10 кОм | 20 | СПИ | да | 128 | EAR99 | Нет | 4 | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | КВАД | 260 | 2,7 В | 0,5 мм | MCP4341 | 20 | 40 | 3/5 В | 4 | Энергонезависимый | Потенциометр | 10000Ом | 5,5 В | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||
| MCP45HV31T-103E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 45 мкА | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microchiptechnology-mcp45hv31t503emq-datasheets-6036.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | 0,024 кГц | 14 | 6 недель | 140,30179мг | 10 кОм | 14 | I2C | 128 | 1 | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 100 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,8–5,5 В 10–36 В ±5–18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 0,65 мм | MCP45HV31 | 40 | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 100000Ом | 128 | Линейный | 145 | 100 частей на миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP45HV31T-503E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 45 мкА | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microchiptechnology-mcp45hv31t503emq-datasheets-6036.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 4,4 мм | 0,024 кГц | 14 | 6 недель | 140,30179мг | 50кОм | 14 | I2C | 128 | 1 | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 100 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,8–5,5 В 10–36 В ±5–18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 0,65 мм | MCP45HV31 | 40 | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 100000Ом | 128 | Линейный | 145 | 100 частей на миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4351T-503E/МЛ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microchiptechnology-mcp4332503est-datasheets-5501.pdf | 20-VFQFN Открытая колодка | 4 мм | 950 мкм | 4 мм | 0,2 кГц | 20 | 15 недель | 50кОм | 20 | СПИ | да | 257 | EAR99 | 4 | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 2,7 В | 0,5 мм | МСР4351 | 20 | 40 | 3/5 В | 4 | Не квалифицирован | Неустойчивый | Потенциометр | 50000Ом | 5,5 В | 257 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||
| MCP41HV31T-503E/MQ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/microchiptechnology-mcp41hv51103est-datasheets-1512.pdf | 20-VQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 0,48 кГц | 20 | 23 недели | 50кОм | 20 | СПИ | 256 | EAR99 | 1 | ±20% | е3 | 100 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8–5,5 В 10–36 В ±5–18 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 0,65 мм | MCP41HV31 | 40 | 1 | Неустойчивый | 18В | Потенциометр | 5В | 100000Ом | 128 | Линейный | 145 | 100 частей на миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5118SDI-10GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cat5118tbi10gt3-datasheets-5900.pdf | 5-ЦСОП, СЦ-70-5, СОТ-353 | 2 мм | Без свинца | 5 | 14 недель | 10 кОм | 5 | Вверх/Вниз (U/D, CS) | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 32 | EAR99 | Нет | 1 | 25 мкА | ±20% | е4 | 200 частей по миллион/°С | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Потенциометр | Без галогенов | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | КАТ5118 | 5 | 1 | Неустойчивый | Реостат | 10000Ом | 32 | Линейный | 200 | |||||||||||||||||||||||||||||
| MCP45HV31-502E/MQ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 45 мкА | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microchiptechnology-mcp45hv31t503emq-datasheets-6036.pdf | 20-VQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 0,024 кГц | 20 | 14 недель | 123,008581мг | 5кОм | 20 | I2C | 128 | 1 | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 100 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,8–5,5 В 10–36 В ±5–18 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 0,65 мм | MCP45HV31 | 40 | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 100000Ом | 128 | Линейный | 145 | 100 частей на миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP41HV31-503E/MQ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/microchiptechnology-mcp41hv51103est-datasheets-1512.pdf | 20-VQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 0,48 кГц | 20 | 23 недели | 50кОм | 20 | СПИ | 256 | EAR99 | 1 | 45 мкА | ±20% | е3 | 100 частей на миллион/°С | Матовый олово (Sn) | 1,8–5,5 В 10–36 В ±5–18 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 0,65 мм | MCP41HV31 | 40 | 1 | Неустойчивый | 18В | Потенциометр | 5В | 100000Ом | 128 | Линейный | 145 | 100 частей на миллион/°С | |||||||||||||||||||||||||||||
| DS1841N+Т&Р | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/maximintegrated-ds1841ntr-datasheets-5926.pdf | 10-WFDFN Открытая площадка | 6 недель | 22кОм | I2C | ±20% | Выбираемый адрес, датчик температуры | 250 частей на миллион/°С | 2,7 В~5,5 В | ДС1841 | 1 | 10-ТДФН-ЭП (3х3) | Энергонезависимый | Потенциометр | 128 | логарифмический | ±250 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX5389LAUD+T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/maximintegrated-max5389laudt-datasheets-5934.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 17 недель | 10 кОм | 14 | Вверх/Вниз (U/D, CS) | EAR99 | Нет | 1 мкА | ±25% | 35 частей по миллион/°С | 2,6 В~5,5 В | МАКС5389 | 2 | Неустойчивый | Потенциометр | 256 | Линейный | 250 | ±35 частей на миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X9015US8ZT1 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-x9015us8iz-datasheets-2842.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 6 недель | 50кОм | Вверх/Вниз (U/D, INC, CS) | ±20% | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 5В | НЕ УКАЗАН | X9015 | 8 | НЕ УКАЗАН | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 32 | Линейный | 200 | ±300 частей на миллион/°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4352T-104E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microchiptechnology-mcp4332503est-datasheets-5501.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 0,1 кГц | 14 | 12 недель | 100кОм | 14 | СПИ | да | 256 | EAR99 | 4 | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,7 В | 0,65 мм | MCP4352 | 14 | 40 | Цифровые потенциометры | 3/5 В | 4 | Не квалифицирован | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 100000Ом | 5,5 В | 257 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||||||||
| CAT5119TBI-10GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-cat5119sdi50gt3-datasheets-5897.pdf | СОТ-23-6 | 2,9 мм | 5В | Без свинца | 25 мкА | 6 | 6 недель | 10 кОм | 6 | Вверх/Вниз (U/D, CS) | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | 32 | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 25 мкА | ±20% | е4 | 200 частей по миллион/°С | Потенциометр | Без галогенов | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 0,95 мм | КАТ5119 | 6 | 1 | Неустойчивый | Реостат | 10000Ом | 32 | Линейный | 200 | ||||||||||||||||||||||||||
| CAT5119SDI-10GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-cat5119sdi50gt3-datasheets-5897.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | 6 | 4 недели | 10 кОм | Вверх/Вниз (U/D, CS) | да | 32 | EAR99 | 1 | ±20% | е4 | 200 частей по миллион/°С | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 0,65 мм | КАТ5119 | 6 | НЕ УКАЗАН | Цифровые потенциометры | 3/5 В | 1 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г6 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 10000Ом | 5,5 В | 32 | Линейный | 200 | 200 частей по миллион/°С | ||||||||||||||||||||||||||
| MCP4432-103E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microchiptechnology-mcp4451103est-datasheets-1675.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 14 | 11 недель | 10 кОм | 14 | I2C | 128 | 600 мкА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 0,635 мм | MCP4432 | Цифровые потенциометры | 3/5 В | 4 | Не квалифицирован | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 129 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X9015US8Z | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | XDCP™ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2018 год | /files/renesaselectronicsamericainc-x9015us8iz-datasheets-2842.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 6 недель | 50кОм | Вверх/Вниз (U/D, INC, CS) | ±20% | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 5В | НЕ УКАЗАН | X9015 | 8 | НЕ УКАЗАН | 1 | Неустойчивый | Потенциометр | 32 | Линейный | 200 | ±300 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4351T-104E/МЛ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microchiptechnology-mcp4332503est-datasheets-5501.pdf | 20-VFQFN Открытая колодка | 4 мм | 950 мкм | 4 мм | 0,1 кГц | 20 | 15 недель | 100кОм | 20 | СПИ | да | 257 | EAR99 | 4 | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 2,7 В | 0,5 мм | МСР4351 | 20 | 40 | 3/5 В | 4 | Не квалифицирован | Неустойчивый | Потенциометр | 100000Ом | 5,5 В | 257 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||
| MCP4431T-503E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microchiptechnology-mcp4451103est-datasheets-1675.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 20 | 11 недель | 50кОм | I2C | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 0,635 мм | MCP4431 | 3/5 В | 4 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-G20 | Неустойчивый | Потенциометр | 129 | Линейный | 75 | 150 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4431T-104E/МЛ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-mcp4451103est-datasheets-1676.pdf | 20-VFQFN Открытая колодка | 20 | 16 недель | 100кОм | 20 | I2C | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 1,8 В~5,5 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 0,5 мм | MCP4431 | 3/5 В | 4 | Не квалифицирован | Неустойчивый | Потенциометр | 129 | Линейный | 75 | 150 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4452T-502E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microchiptechnology-mcp4451103est-datasheets-1675.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 14 | 11 недель | 5кОм | 14 | I2C | 256 | Нет | ±20% | е3 | Отключение звука, выбираем адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 0,635 мм | MCP4452 | Цифровые потенциометры | 3/5 В | 4 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 257 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT5119SDI-00GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-cat5119sdi50gt3-datasheets-5897.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 2 мм | Без свинца | 25 мкА | 6 | 4 недели | 100кОм | 6 | Вверх/Вниз (U/D, CS) | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 32 | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 25 мкА | ±20% | е4 | 200 частей по миллион/°С | Потенциометр | Без галогенов | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | КАТ5119 | 6 | 3/5 В | 1 | Неустойчивый | Реостат | 100000Ом | 5,5 В | 32 | Линейный | 200 | ||||||||||||||||||||||||||
| MCP4331-104E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microchiptechnology-mcp4332503est-datasheets-5501.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,6 мм | 1,05 мм | 4,5 мм | 0,1 кГц | 20 | 11 недель | 100кОм | 20 | СПИ | да | 129 | EAR99 | 4 | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,7 В | 0,65 мм | MCP4331 | 20 | 40 | 3/5 В | 4 | Не квалифицирован | Неустойчивый | Потенциометр | 100000Ом | 5,5 В | 129 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||
| CAT5118TBI-50GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-cat5118tbi10gt3-datasheets-5900.pdf | СК-74А, СОТ-753 | 2,9 мм | 1,3 мм | 1,6 мм | Без свинца | 25 мкА | 5 | 16 недель | 50кОм | 5 | Вверх/Вниз (U/D, CS) | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 32 | EAR99 | Золото | Нет | 1 | ±20% | е4 | 200 частей по миллион/°С | Потенциометр | Без галогенов | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | КАТ5118 | 5 | 1 | Неустойчивый | Реостат | 50000Ом | 32 | Линейный | 200 | |||||||||||||||||||||||||||
| MCP4431T-503E/МЛ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microchiptechnology-mcp4451103est-datasheets-1675.pdf | 20-VFQFN Открытая колодка | 20 | 16 недель | 50кОм | 20 | I2C | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 1,8 В~5,5 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 0,5 мм | MCP4431 | 3/5 В | 4 | Не квалифицирован | Неустойчивый | Потенциометр | 129 | Линейный | 75 | 150 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4351T-502E/МЛ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microchiptechnology-mcp4332503est-datasheets-5501.pdf | 20-VFQFN Открытая колодка | 4 мм | 950 мкм | 4 мм | 2 кГц | 20 | 15 недель | 5кОм | 20 | СПИ | да | 257 | EAR99 | 4 | ±20% | е3 | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 2,7 В | 0,5 мм | МСР4351 | 20 | 40 | 3/5 В | 4 | Не квалифицирован | Неустойчивый | Потенциометр | 5000Ом | 5,5 В | 257 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||
| MCP4431T-502E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microchiptechnology-mcp4451103est-datasheets-1675.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 20 | 11 недель | 5кОм | 20 | I2C | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 0,635 мм | MCP4431 | 3/5 В | 4 | Не квалифицирован | Неустойчивый | Потенциометр | 129 | Линейный | 75 | 150 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4452T-103E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microchiptechnology-mcp4451103est-datasheets-1675.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 14 | 11 недель | 10 кОм | 14 | I2C | 256 | Нет | ±20% | е3 | Отключение звука, выбираем адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 0,635 мм | MCP4452 | Цифровые потенциометры | 3/5 В | 4 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 257 | Линейный | 75 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4432T-502E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microchiptechnology-mcp4451103est-datasheets-1675.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 14 | 11 недель | 5кОм | 14 | I2C | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 0,635 мм | MCP4432 | Цифровые потенциометры | 3/5 В | 4 | Не квалифицирован | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Неустойчивый | Реостат | 129 | Линейный | 75 | 150 частей на миллион/°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP4442T-502E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | WiperLock™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microchiptechnology-mcp4461503est-datasheets-4248.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 2 кГц | 14 | 11 недель | 5кОм | 14 | I2C | 128 | EAR99 | Нет | 4 | 600 мкА | ±20% | е3 | Выбираемый адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,7 В | 0,65 мм | MCP4442 | 14 | 40 | Цифровые потенциометры | 3/5 В | 4 | ЦИФРОВОЙ ПОТЕНЦИОМЕТР | Энергонезависимый | Реостат | 5000Ом | 5,5 В | 129 | Линейный | 75 | ||||||||||||||||||||||
| MCP4451T-503E/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microchiptechnology-mcp4451103est-datasheets-1675.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 20 | 11 недель | 50кОм | 20 | I2C | 256 | Нет | ±20% | е3 | Отключение звука, выбираем адрес | 150 частей на миллион/°С | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 0,635 мм | MCP4451 | 3/5 В | 4 | Неустойчивый | Потенциометр | 257 | Линейный | 75 |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.