ЦyfrowhepetenshomeTrы (9826)

Сознание	Проиджодель	Колист	Raзmer (lxwxh)	Статус	Управый	Упако	Вернояж	МАКСИМАЛЕН	Мин	Тела	ЧastoTA	ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER	Весарая (МАКСИМУМА)	Статус Ройс	Опуликовано	Техниль	PakeT / KORPUES	Делина	Вес	Шyrina	Опресагионе	Проспна	СОУДНО ПРИОН	МАКСИМАЛНГОН	Колист	Верна -	МАССА	DOSTIчH SVHC	МАКСИМАЛНА	МИНАПРЕЗА	СОПРОТИВЛЕЙН	Колист	Имен	PBFREE CODE	Колист	КОД ECCN	Доленитейн Ая	Конец	Rradiaцyonnoe wyproчneneenee	DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN	Колист	Rerйtingepeatania	Н.	Терпимость	КОД JESD-609	ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ	ТЕРМИНАЛЕН	Композиия	Пефер	Терминала	Терминаланая	Пико -Аймперратара	Надо	Терминал	Поседл	ТЕМПЕРАТУРА	Колист. Каналов	Wremaping@pikovoйtemperaturu (я)	Подкейгория	Питания	Поступил	Колист	Кваликакахионн Статус	КОД JESD-30	Потретелский	Garmoniчeskoe hyskaжenieene	Это	ТИП ПАМАТИ	МАКСИМАЛИНА	ДОГОВОЙ ПЕРЕЙН	ТИПП	Мин	Кргителнь ТОК	Обоприопротивейн	Rershstortyrminalnый naprayanee-maks	Епрэниэ	Колист	Конус	Rershstortyrminalgnый naprayenieememin
ISL90726UIE627Z-TK	Intersil (Renesas Electronics America)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер	МАССА	1	85 ° С	-40 ° С	CMOS	400 kgц			ROHS COMPRINT	2004	/files/intersil-isl90726uie627ztk-datasheets-1052.pdf	В	2 ММ			5в		СОУДНО ПРИОН		6				5,5 В.	2,7 В.	50 Кум	6	I2c		128	Ear99			Не		1		200 мк	20%	E3	45 ч/млн/° C.	МАНЕВОВО			Дон	Крхлоп	260	3,3 В.		706	Промлэнно		40	ЦyfrowhepetnцomeTrы			1					Цyfrowoй potenshomeTr	Nestabilnый						50000
X9429ys16zt1	Intersil (Renesas Electronics America)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер		3	70 ° С	0 ° С	CMOS	400 kgц	100 мк	2,65 мм	ROHS COMPRINT	2005	/files/intersil-x9429ys16zt1-datasheets-1045.pdf	SOIC			7,5 мм	5в		СОУДНО ПРИОН		16				5,5 В.	4,5 В.	2,5 Кум		I2c	в дар	64	Ear99			Не		1			20%	E3	300 ч/млн/° C.	МАНЕВОВО			Дон	Крхлоп	260	5в		16	Коммер		40	ЦyfrowhepetnцomeTrы	5в		1					Цyfrowoй potenshomeTr	NeleTUSHIй						2500om	5в			Илинен
AD5222BRU10	Analog Devices Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	МАССА	1	85 ° С	-40 ° С					В			TSSOP	5 ММ		4,4 мм					14				5,5 В.	2,7 В.		14				Ear99	TykhemeTraTATATH C 5 a.			not_compliant	1			30%	E0	-35 ч/млн/° C.	Олово/Свине (SN85PB15)			Дон	Крхлоп	240		0,65 мм	14	Промлэнно	2	30			0,08 Ма	2	Н.Квалиирована		СОМАМАРИРОВАНИЕ	0,005%			2,7 В.	2,5 В.		2,3 В.	15 Мка
X9428ys16z-2,7	Intersil (Renesas Electronics America)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер			70 ° С	0 ° С	CMOS		100 мк	2,65 мм	ROHS COMPRINT			SOIC			7,5 мм	5в				16				5,5 В.	2,7 В.	2kohm		Серриал		64	Ear99	NeleTuю pamystath				1				E3	300 ч/млн/° C.	МАГОВОЙ	Петергиометр		Дон	Крхлоп	Nukahan	2,7 В.		16	Коммер		Nukahan				1	Н.Квалиирована					NeleTUSHIй						2000 м			64	Илинен
X9511WSZT1	Intersil (Renesas Electronics America)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер	Весели	1	70 ° С	0 ° С	CMOS		1MA		ROHS COMPRINT	2005	/files/intersil-x9511wszt1-datasheets-1013.pdf	SOIC			3,9 мм	5в		СОУДНО ПРИОН	1MA	8	5 nedely		НЕТ SVHC	5,5 В.	4,5 В.	10 Кум	8	2-й прово		32	Ear99		Оло	Не		1			20%	E3	300 ч/млн/° C.				Дон	Крхлоп	260	5в		8	Коммер		30	ЦyfrowhepetnцomeTrы	5в		1					Цyfrowoй potenshomeTr	NeleTUSHIй						10000om	5в			Илинен
AD5222BR50-REEL7	Analog Devices Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Лю		85 ° С	-40 ° С				1,75 мм	ROHS COMPRINT			SOIC N.	8,65 мм		3,9 мм					14				5,5 В.	2,7 В.	50 Кум	14			128	Ear99	TykhemeTraTATATH C 5 a.		Не		1			30%	E0	-35 ч/млн/° C.	Олейнн			Дон	Крхлоп	220			14	Промлэнно	2	30				2			СОМАМАРИРОВАНИЕ	0,005%		Nestabilnый	2,7 В.	2,5 В.		2,3 В.	15 Мка
ISL90726UIE627Z	Intersil (Renesas Electronics America)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	МАССА	3	85 ° С	-40 ° С	CMOS	400 kgц			ROHS COMPRINT									СОУДНО ПРИОН		6						50 Кум		I2c	в дар	128				Не					20%		45 ч/млн/° C.				Дон	Крхлоп			0,635 мм		Промлэнно			ЦyfrowhepetnцomeTrы	3/5.		1		R-PDSO-G6			Цyfrowoй potenshomeTr	Nestabilnый
MAX5481EUD-T	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0				1	85 ° С	-40 ° С	Bicmos				ROHS COMPRINT	2008	/files/maximintegrated-max5481eudt-datasheets-1004.pdf	TSSOP	5 ММ		4,4 мм	5в	0,25 кг			14				5,25 В.	2,7 В.	10 Кум	14	Серриал	не	1024	Ear99	Nv pamastath; Otakж nomoTheTraTATH		Не		1		1 Млокс		E0	35 ч/млн/° C.	Олово/Свинен (SN/PB)	Петергиометр	В дар	Дон	Крхлоп	240	5в	0,65 мм	14	Промлэнно						1						NeleTUSHIй						10000om
AD5222BR50	Analog Devices Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	МАССА	1	85 ° С	-40 ° С				1,75 мм	В			SOIC N.	8,65 мм		3,9 мм					14				5,5 В.	2,7 В.		14				Ear99	TykhemeTraTATATH C 5 a.			not_compliant	1			30%	E0	-35 ч/млн/° C.	Олейнн			Дон	Крхлоп	240			14	Промлэнно	2	30			0,08 Ма	2	Н.Квалиирована		СОМАМАРИРОВАНИЕ	0,005%			2,7 В.	2,5 В.		2,3 В.	15 Мка
ISL90462WIH627-TK	Intersil (Renesas Electronics America)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер		1	85 ° С	-40 ° С	CMOS				ROHS COMPRINT	2004	/files/intersil-isl90462wih627tk-datasheets-0974.pdf	SOT-23-6	2,9 мм					СОДЕРИТС		6						10 Кум		2-й provoD, Сейриген		32	Ear99					1				E0	35 ч/млн/° C.	Олово/Свинен (SN/PB)			Дон	Крхлоп	240	3В	0,95 мм	6	Промлэнно		Nukahan	ЦyfrowhepetnцomeTrы	3/5.		1	Н.Квалиирована	R-PDSO-G6			Цyfrowoй potenshomeTr	Nestabilnый						100000om	3В		32
X9429ys16z	Intersil (Renesas Electronics America)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер	МАССА	3	70 ° С	0 ° С	CMOS	400 kgц	100 мк	2,65 мм	ROHS COMPRINT	2005	/files/intersil-x9429ys16z-datasheets-0971.pdf	SOIC			7,5 мм	5в		СОУДНО ПРИОН		16				5,5 В.	4,5 В.	2,5 Кум		I2c	в дар	64	Ear99			Не		1			20%	E3	300 ч/млн/° C.	МАНЕВОВО			Дон	Крхлоп	260	5в		16	Коммер		40	ЦyfrowhepetnцomeTrы	5в		1					Цyfrowoй potenshomeTr	NeleTUSHIй						2500om	5в			Илинен
X9313WSZT1	Intersil (Renesas Electronics America)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Lenta и катахка (tr)	1	70 ° С	0 ° С	CMOS				ROHS COMPRINT	1996	/files/intersil-x9313wszt1-datasheets-0944.pdf	SOIC	4,9 мм		3,9 мм	5в		СОУДНО ПРИОН		8	10 nedely			5,5 В.	4,5 В.	10 Кум	8			32	Ear99			Не		1		1MA	20%	E3	300 ч/млн/° C.	МАНЕВОВО		В дар	Дон	Крхлоп	260	5в			Коммер		30	ЦyfrowhepetnцomeTrы	5в		1					Цyfrowoй potenshomeTr	NeleTUSHIй						10000om	5в	Priraeneee/umenheneenee		Илинен
X9429ys16z-2.7t1	Intersil (Renesas Electronics America)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер		3 (168 чASOW)	70 ° С	0 ° С	CMOS	400 kgц	100 мк	2,65 мм	ROHS COMPRINT			SOIC			7,5 мм	5в		СОУДНО ПРИОН		16				5,5 В.	2,7 В.	2,5 Кум		I2c	в дар	64	Ear99			Не		1			20%	E3	300 ч/млн/° C.	МАГОВОЙ			Дон	Крхлоп	260	2,7 В.		16	Коммер		40	ЦyfrowhepetnцomeTrы			1					Цyfrowoй potenshomeTr	NeleTUSHIй						2500om				Илинен
AD522222BR1M-REEL7	Analog Devices Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Лю		85 ° С	-40 ° С				1,75 мм	ROHS COMPRINT			SOIC N.	8,65 мм		3,9 мм					14				5,5 В.	2,7 В.	1 м	14			128	Ear99	TykhemeTraTATATH C 5 a.		Не		1			30%	E0	-35 ч/млн/° C.	Олейнн			Дон	Крхлоп				14	Промлэнно	2					2			СОМАМАРИРОВАНИЕ	0,005%		Nestabilnый	2,7 В.	2,5 В.		2,3 В.	15 Мка
X9313WSZ	Intersil (Renesas Electronics America)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер	МАССА	1	70 ° С	0 ° С	CMOS				ROHS COMPRINT	1996	/files/intersil-x9313wsz-datasheets-0922.pdf	SOIC	5 ММ	1,5 мм	4 мм	5в		СОУДНО ПРИОН	1MA	8	6		НЕТ SVHC	5,5 В.	4,5 В.	10 Кум	8	Серриал		32	Ear99		Оло	Не		1		1MA	20%	E3	300 ч/млн/° C.				Дон	Крхлоп	260	5в			Коммер		30	ЦyfrowhepetnцomeTrы	5в		1					Цyfrowoй potenshomeTr	NeleTUSHIй						10000om	5в
X9428WS16iz	Intersil (Renesas Electronics America)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер			85 ° С	-40 ° С	CMOS		100 мк		ROHS COMPRINT	2005	/files/intersil-x9428ws16iz-datasheets-0912.pdf	SOIC	10,5 мм	2,35 мм	7,6 мм	5в				16		547.485991mg		5,5 В.	4,5 В.	10 Кум		Серриал		64	Ear99	NeleTuю pamystath				1				E3	300 ч/млн/° C.	МАГОВОЙ	Петергиометр			Крхлоп	Nukahan	5в		16	Промлэнно		Nukahan		5в		1	Н.Квалиирована					NeleTUSHIй			Дон			10000om			64	Илинен
X9429ys16z-2.7	Intersil (Renesas Electronics America)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	МАССА	3	70 ° С	0 ° С	CMOS	400 kgц	100 мк	2,65 мм	ROHS COMPRINT			SOIC			7,5 мм	5в		СОУДНО ПРИОН		16				5,5 В.	2,7 В.	2,5 Кум		I2c	в дар	64	Ear99			Не		1			20%	E3	300 ч/млн/° C.	МАГОВОЙ			Дон	Крхлоп	260	2,7 В.		16	Коммер		40	ЦyfrowhepetnцomeTrы			1					Цyfrowoй potenshomeTr	NeleTUSHIй						2500om				Илинен
X9258TS24IZ-2,7	Intersil (Renesas Electronics America)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер		5	85 ° С	-40 ° С	CMOS		100 мк	2,65 мм	ROHS COMPRINT			SOIC			7,5 мм	5в				24				5,5 В.	2,7 В.	100 кайм		I2c		256	Ear99			Не		4				E3	300 ч/млн/° C.	МАНЕВОВО			Дон	Крхлоп	260	2,7 В.	1,27 ММ		Промлэнно		40	ЦyfrowhepetnцomeTrы			4					Цyfrowoй potenshomeTr	NeleTUSHIй						100000om				Илинен
ISL90462UIH627-TK	Intersil (Renesas Electronics America)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер	Lenta и катахка (tr)	1	85 ° С	-40 ° С	CMOS				В	2004	/files/intersil-isl90462uih627tk-datasheets-0907.pdf	SOT-23-6	2,9 мм					СОДЕРИТС		6						50 Кум		2-й provoD, Сейриген		32	Ear99				not_compliant	1				E0	35 ч/млн/° C.	Олово/Свинен (SN/PB)			Дон	Крхлоп	240	3В	0,95 мм	6	Промлэнно		Nukahan	ЦyfrowhepetnцomeTrы	3/5.		1	Н.Квалиирована	R-PDSO-G6			Цyfrowoй potenshomeTr	Nestabilnый						10000om	3В		32
X9c503p	Xicor	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Чereз dыru	МАССА		70 ° С	0 ° С	CMOS			4,32 ММ	ROHS COMPRINT	2005	/files/xicor-x9c503p-datasheets-0900.pdf	Окунаан			7,62 мм			СОДЕРИТС		8						50 Кум	8	Серриал		256		NeleTuю pamystath			НЕИ	1	10 м		20%	E0	300 ч/млн/° C.	Олово/Свинен (SN/PB)	Петергиометр		Дон		Nukahan	5в	2,54 мм		Коммер	1	Nukahan		5в			Н.Квалиирована					NeleTUSHIй						50000	5в		100		-5V
ISL90461UIH627Z-TK	Intersil (Renesas Electronics America)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер	Лю	1 (neograniчennnый)	85 ° С	-40 ° С	CMOS		25 мк		ROHS COMPRINT	2004	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl90461uih627ztk-datasheets-0895.pdf	SOT-23-6	2,9 мм			5в				6	5 nedely			5,5 В.	2,7 В.	50 Кум		2-й provoD, Сейриген		32	Ear99			Не		1				E3	35 ч/млн/° C.	МАНЕВОВО			Дон	Крхлоп	260	3В	0,95 мм	706, 6	Промлэнно		40	ЦyfrowhepetnцomeTrы			1		R-PDSO-G6			Цyfrowoй potenshomeTr	Nestabilnый						50000	3В			Илинен
AD522222BR1M	Analog Devices Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	МАССА	1	85 ° С	-40 ° С				1,75 мм	В			SOIC N.	8,65 мм		3,9 мм					14				5,5 В.	2,7 В.		14				Ear99	TykhemeTraTATATH C 5 a.			not_compliant	1			30%	E0	-35 ч/млн/° C.	Олейнн			Дон	Крхлоп	240			14	Промлэнно	2	30			0,08 Ма	2	Н.Квалиирована		СОМАМАРИРОВАНИЕ	0,005%			2,7 В.	2,5 В.		2,3 В.	15 Мка
ISL90461UIE627Z-TK	Intersil (Renesas Electronics America)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер	Лю	1 (neograniчennnый)	85 ° С	-40 ° С	CMOS		25 мк		ROHS COMPRINT	2004	https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl90461uie627ztk-datasheets-0879.pdf		2 ММ			5в				6	17			5,5 В.	2,7 В.	50 Кум		2-й provoD, Сейриген		32	Ear99			Не		1				E3	35 ч/млн/° C.	МАНЕВОВО			Дон	Крхлоп	260	3В	0,65 мм	706, 6	Промлэнно		40	ЦyfrowhepetnцomeTrы			1		R-PDSO-G6			Цyfrowoй potenshomeTr	Nestabilnый						50000	3В			Илинен
X9429ys16t1	Intersil (Renesas Electronics America)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер	Lenta и катахка (tr)	1	70 ° С	0 ° С	CMOS			2,65 мм	В	2005	/files/intersil-x9429ys16t1-datasheets-0865.pdf	SOIC			7,5 мм			СОДЕРИТС		16						2,5 Кум		I2c		64	Ear99	NeleTuю pamystath			not_compliant	1			20%	E0	300 ч/млн/° C.	Олово/Свинен (SN/PB)			Дон	Крхлоп	240	5в		16	Коммер		Nukahan	ЦyfrowhepetnцomeTrы	5в		1	Н.Квалиирована				Цyfrowoй potenshomeTr	NeleTUSHIй						2500om	5в		64
ISL90462UIE627-TK	Intersil (Renesas Electronics America)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер	Lenta и катахка (tr)	1	85 ° С	-40 ° С	CMOS				В	2004	/files/intersil-isl90462uie627tk-datasheets-0862.pdf		2 ММ					СОДЕРИТС		6						50 Кум		2-й provoD, Сейриген		32	Ear99				not_compliant	1				E0	35 ч/млн/° C.	Олово/Свинен (SN/PB)			Дон	Крхлоп	240	3В	0,65 мм	6	Промлэнно		Nukahan	ЦyfrowhepetnцomeTrы	3/5.		1	Н.Квалиирована	R-PDSO-G6			Цyfrowoй potenshomeTr	Nestabilnый						100000om	3В		32
X9313WSZ-3	Intersil (Renesas Electronics America)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер	МАССА	1	70 ° С	0 ° С	CMOS		1MA		ROHS COMPRINT	2005	/files/intersil-x9313wsz3-datasheets-0860.pdf	SOIC	4,9 мм		3,9 мм	5в		СОУДНО ПРИОН		8	13			5,5 В.	3В	10 Кум	8	Серриал		32	Ear99			Не		1			20%	E3	300 ч/млн/° C.	МАНЕВОВО			Дон	Крхлоп	260	3В			Коммер	1	40	ЦyfrowhepetnцomeTrы								Цyfrowoй potenshomeTr	NeleTUSHIй						10000om	3В			Илинен
CAT5119TBI-00-T3	На то, чтобы	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0			Лю		85 ° С	-40 ° С				1,45 мм	ROHS COMPRINT			SOT-23-6	2,9 мм							6						100 кайм	6		в дар	32				Не		1				E3	200 ч/млн/° C.	Олово (sn)	Петергиометр	В дар	Дон	Крхлоп		5в	0,95 мм	6	Промлэнно				3/5.								Nestabilnый						100000om	5,5 В.	Priraeneee/umenheneenee
AD522222BR100-REEL7	Analog Devices Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Лю		85 ° С	-40 ° С				1,75 мм	ROHS COMPRINT			SOIC N.	8,65 мм		3,9 мм					14				5,5 В.	2,7 В.	100 кайм	14			128	Ear99	TykhemeTraTATATH C 5 a.		Не		1			30%	E0	-35 ч/млн/° C.	Олейнн			Дон	Крхлоп	220			14	Промлэнно	2	30				2			СОМАМАРИРОВАНИЕ	0,005%		Nestabilnый	2,7 В.	2,5 В.		2,3 В.	15 Мка
AD522222BR100	Analog Devices Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	МАССА	1	85 ° С	-40 ° С				1,75 мм	В			SOIC N.	8,65 мм		3,9 мм					14				5,5 В.	2,7 В.		14				Ear99	TykhemeTraTATATH C 5 a.			not_compliant	1			30%	E0	-35 ч/млн/° C.	Олейнн			Дон	Крхлоп	240			14	Промлэнно	2	30			0,08 Ма	2	Н.Квалиирована		СОМАМАРИРОВАНИЕ	0,005%			2,7 В.	2,5 В.		2,3 В.	15 Мка
X9429ys16izt1	Intersil (Renesas Electronics America)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер		3	85 ° С	-40 ° С	CMOS	400 kgц	100 мк	2,65 мм	ROHS COMPRINT	2005	/files/intersil-x9429ys16izt1-datasheets-0816.pdf	SOIC			7,5 мм	5в		СОУДНО ПРИОН		16				5,5 В.	4,5 В.	2,5 Кум		I2c	в дар	64	Ear99			Не		1			20%	E3	300 ч/млн/° C.	МАНЕВОВО			Дон	Крхлоп	260	5в		16	Промлэнно		40	ЦyfrowhepetnцomeTrы	5в		1					Цyfrowoй potenshomeTr	NeleTUSHIй						2500om	5в			Илинен

ЦyfrowhepetenshomeTrы (9826)

Скайп

Что -то

Электронная почта

Тел

В наличии