Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 154 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 149 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Цифровые потенциометры - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе Проспна СОУДНО ПРИОН МАКСИМАЛНГОН Колист Верна МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА СОПРОТИВЛЕЙН Колист Имен PBFREE CODE Колист КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Колист Н. Терпимость КОД JESD-609 ТЕМПЕРАТУРНАКОВОЙ ПЕРЕ ТЕРМИНАЛЕН Композиия БЕЗОПАСНЫЙ Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Подкейгория Питания Колист Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Это ТИП ПАМАТИ ТИП СЕЙТИ ТИПП Кргителнь ТОК ТИПРЕЙССТОРА Обоприопротивейн Rershstortyrminalnый naprayanee-maks Зakon ocoprotivoleneniky Епрэниэ Истотефуст Колист Конус Rershstortyrminalgnый naprayenieememin
X9429WS16IZ-2.7T1 X9429WS16iz-2.7t1 Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Весели 3 85 ° С -40 ° С CMOS 400 kgц 100 мк 2,65 мм ROHS COMPRINT SOIC 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 16 5,5 В. 2,7 В. 10 Кум 16 I2c 64 Ear99 Не 1 20% E3 300 ч/млн/° C. МАГОВОЙ Дон Крхлоп 260 2,7 В. Промлэнно 40 ЦyfrowhepetnцomeTrы 1 Цyfrowoй potenshomeTr NeleTUSHIй 10000om Илинен
ISL23315WFRUZ-T7A ISL23315WFRUZ-T7A Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Лю 1 125 ° С -40 ° С CMOS 0,55 мм ROHS COMPRINT 2005 /files/intersil-isl23315wfruzt7a-datasheets-9387.pdf 3,3 В. 1,2 кг 10 5,5 В. 1,7 10 Кум 10 I2c 256 Ear99 Не 1 18 Мка E3 175 ч/млн/° C. МАГОВОЙ Квадран 260 3,3 В. 0,5 мм Автомобиль ЦyfrowhepetnцomeTrы 1 Цyfrowoй potenshomeTr Nestabilnый 10000om
CAT5112YI-50-G CAT5112YI-50-G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С CMOS 1,2 ММ ROHS COMPRINT 2008 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cat5112yi50g-datasheets-9383.pdf TSSOP 4,4 мм 3 ММ СОУДНО ПРИОН 8 50 Кум в дар 32 Ear99 Не 8542.39.00.01 1 E4 300 ч/млн/° C. Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) БЕЗОПАСНЫЙ В дар Дон Крхлоп 260 0,65 мм 8 Промлэнно 40 ЦyfrowhepetnцomeTrы 3/5. R-PDSO-G8 Цyfrowoй potenshomeTr NeleTUSHIй 50000 Priraeneee/umenheneenee
CAT5116VI-T3 CAT5116VI-T3 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 1 85 ° С -40 ° С 1,75 мм ROHS COMPRINT SOIC 4,9 мм 3,9 мм 8 5,5 В. 2,5 В. 32 КУМ в дар 100 Ear99 NeleTuю pamystath 8542.39.00.01 1 100 мк E3 300 ч/млн/° C. Олово (sn) В дар Дон Крхлоп Nukahan 1,27 ММ 8 Промлэнно Nukahan ЦyfrowhepetnцomeTrы Н.Квалиирована R-PDSO-G8 Цyfrowoй potenshomeTr NeleTUSHIй 32000OM Priraeneee/umenheneenee
ISL22444TFV20Z-TK ISL2244444TFV20Z-TK Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Лю 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2004 /files/intersil-isl22444444tfv20ztk-datasheets-9380.pdf TSSOP 5,5 В. 2,25 В. 100 кайм 20 SPI 256 Ear99 Не 600 мк 45 ч/млн/° C. 4 NeleTUSHIй
X9313USIZT1 X9313usizt1 Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С -40 ° С CMOS 1MA ROHS COMPRINT 1996 /files/intersil-x9313usizt1-datasheets-9369.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 5 nedely 5,5 В. 4,5 В. 50 Кум 8 Серриал 32 Ear99 Не 1 20% E3 300 ч/млн/° C. МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 Промлэнно 30 ЦyfrowhepetnцomeTrы 1 Цyfrowoй potenshomeTr NeleTUSHIй 50000 Илинен
X9429WS16IZ-2.7 X9429WS16iz-2.7 Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер МАССА 3 85 ° С -40 ° С CMOS 400 kgц 2,65 мм ROHS COMPRINT SOIC 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 16 5,5 В. 2,7 В. 10 Кум I2c 64 Ear99 Не 1 100 мк 20% E3 300 ч/млн/° C. МАГОВОЙ Дон Крхлоп 260 2,7 В. Промлэнно 40 ЦyfrowhepetnцomeTrы 1 Цyfrowoй potenshomeTr NeleTUSHIй 10000om
ISL23315UFUZ-TK ISL23315UFUZ-TK Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Лю 125 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2005 /files/intersil-isl23315Ufuztk-datasheets-9352.pdf MSOP 3,3 В. 10 5,5 В. 1,7 50 Кум 10 I2c 256 Не 18 Мка 85 ч/млн/° C. Дон Крхлоп 0,5 мм Автомобиль ЦyfrowhepetnцomeTrы 1 Цyfrowoй potenshomeTr Nestabilnый
X9408WS24IZ-2.7 X9408WS24IZ-2.7 Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 5 85 ° С -40 ° С CMOS 100 мк 2,65 мм ROHS COMPRINT SOIC 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 24 5,5 В. 2,7 В. 10 Кум I2c 64 Ear99 Не 4 E3 300 ч/млн/° C. МАНЕВОВО Дон Крхлоп 2,7 В. 1,27 ММ Промлэнно ЦyfrowhepetnцomeTrы 4 Цyfrowoй potenshomeTr NeleTUSHIй 10000om Илинен
ISL23315UFUZ-T7A ISL23315UFUZ-T7A Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Лю 125 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2005 /files/intersil-isl23315ufuzt7a-datasheets-9320.pdf MSOP 3,3 В. 10 5,5 В. 1,7 50 Кум 10 I2c 256 Не 18 Мка 85 ч/млн/° C. Дон Крхлоп 0,5 мм Автомобиль ЦyfrowhepetnцomeTrы 1 Цyfrowoй potenshomeTr Nestabilnый
ISL22313UFU10Z ISL22313UFU10Z Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2006 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl22313ufu10z-datasheets-9313.pdf MSOP 3 ММ 3 ММ 0,25 кг 10 5 nedely НЕТ SVHC 5,5 В. 2,25 В. 50 Кум 10 I2c 256 Ear99 Не 1 700 мк 20% E3 50 ч/млн/° C. МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,5 мм 10 Автомобиль 30 ЦyfrowhepetnцomeTrы 1 Цyfrowoй potenshomeTr NeleTUSHIй 50000
CAT5116VI Cat5116vi На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 1 85 ° С -40 ° С CMOS 1,75 мм ROHS COMPRINT SOIC 4,9 мм 3,9 мм 8 5,5 В. 2,5 В. 32 КУМ в дар 100 Ear99 Не 8542.39.00.01 1 100 мк E3 300 ч/млн/° C. Олово (sn) В дар Дон Крхлоп 260 1,27 ММ 8 Промлэнно 40 ЦyfrowhepetnцomeTrы R-PDSO-G8 Цyfrowoй potenshomeTr NeleTUSHIй 32000OM Priraeneee/umenheneenee
X9261TS24Z-2.7T1 X9261TS24Z-2.7T1 Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 5 70 ° С 0 ° С CMOS 400 мк ROHS COMPRINT SOIC 15,4 мм 7,5 мм 24 5,5 В. 2,7 В. 100 кайм SPI 256 Ear99 NeleTuю pamystath 2 E3 300 ч/млн/° C. МАГОВОЙ Дон Крхлоп 260 2,7 В. 24 Коммер 40 2 Н.Квалиирована Цyfrowoй potenshomeTr NeleTUSHIй 100000om 256 Илинен
ISL22426UFR16Z-TK ISL22426UFR16Z-TK Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 125 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2015 /files/intersil-isl22426ufr16ztk-datasheets-9306.pdf QFN EP 5,5 В. 2,7 В. 50 Кум SPI 128 Ear99 Не 3MA 80 ч/млн/° C. 16, 14 2 NeleTUSHIй
X9313USIZ X9313usiz Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2005 /files/intersil-x9313usiz-datasheets-9293.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 5 nedely 5,5 В. 4,5 В. 50 Кум Серриал 32 Ear99 Не 1 1MA 20% E3 300 ч/млн/° C. МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 8, 8, 8 Промлэнно 30 ЦyfrowhepetnцomeTrы 1 R-PDSO-G8 Цyfrowoй potenshomeTr NeleTUSHIй 50000
ISL23315UFUZ ISL23315UFUZ Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 125 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2005 /files/intersil-isl23315ufuz-datasheets-9283.pdf MSOP 3 ММ 3 ММ 3,3 В. 0,25 кг 10 5,5 В. 1,7 50 Кум 10 I2c 256 Ear99 Не 1 18 Мка E3 85 ч/млн/° C. МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,5 мм Автомобиль 30 ЦyfrowhepetnцomeTrы 1 Цyfrowoй potenshomeTr Nestabilnый 50000
X9429WS16I X9429WS16I Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА 1 85 ° С -40 ° С CMOS 400 kgц 2,65 мм В 2005 /files/intersil-x9429ws16i-datasheets-9280.pdf SOIC 7,5 мм СОДЕРИТС 16 10 Кум I2c 64 Ear99 NeleTuю pamystath not_compliant 1 20% E0 300 ч/млн/° C. Олово/Свинен (SN/PB) Петергиометр Дон Крхлоп 240 16 Промлэнно Nukahan 1 Н.Квалиирована NeleTUSHIй 10000om 64
ISL90840UAV2027ZT2 ISL90840UAV2027ZT2 Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 105 ° С -40 ° С CMOS 1MA ROHS COMPRINT 2004 /files/intersil-isl90840uav2027zt2-datasheets-9276.pdf TSSOP 6,6 ММ 1,05 мм 4,5 мм 20 190.990737mg 5,5 В. 2,7 В. 50 Кум 20 I2c 256 Ear99 4 E3 45 ч/млн/° C. МАГОВОЙ Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 20 Промлэнно 40 ЦyfrowhepetnцomeTrы 4 Н.Квалиирована Цyfrowoй potenshomeTr Nestabilnый Одинокий 50000 256 Илинен
X9119TV14 X9119tv14 Xicor
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА 70 ° С 0 ° С CMOS 400 kgц В 2004 /files/xicor-x9119tv14-datasheets-9273.pdf TSSOP 5 ММ 4,4 мм СОДЕРИТС 14 100 кайм I2c NeleTuю pamystath НЕИ 1 20% E0 300 ч/млн/° C. Олово/Свинен (SN/PB) Петергиометр Дон Крхлоп 0,65 мм Коммер 1 Н.Квалиирована NeleTUSHIй 100000om 1024
AD5171BRJ10-R2 AD5171BRJ10-R2 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 1 125 ° С -40 ° С CMOS 400 kgц В SOT-23 2,9 мм 0,6 кг СОДЕРИТС 8 5,5 В. 2,7 В. 8 2-й provod, i2c, сэриал в дар 64 Ear99 Обоздна not_compliant 1 E0 35 ч/млн/° C. Дон Крхлоп Nukahan 0,65 мм 8 Автомобиль Nukahan ЦyfrowhepetnцomeTrы 3/5. 1 Н.Квалиирована Цyfrowoй potenshomeTr 4 мка 10000om Илинен 30%
MAX5491LC01000+ MAX5491LC01000+ МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT Сэд 30 Кум 3 в дар Не E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 3 Деко MASCIV/SETEROйRESHOTOR
X9315WMIZ-2.7T1 X9315WMIZ-2.7T1 Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Весели 2 85 ° С -40 ° С CMOS 50 мк ROHS COMPRINT MSOP 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 8 5,5 В. 2,7 В. 10 Кум 8 Серриал 32 Ear99 Не 1 20% E3 300 ч/млн/° C. МАНЕВОВО Дон Крхлоп 260 2,7 В. 0,65 мм Промлэнно 40 ЦyfrowhepetnцomeTrы 1 Цyfrowoй potenshomeTr NeleTUSHIй 10000om Илинен
DS1804Z-100/T&R DS1804Z-100/T & R. МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Лю 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 2012 /files/maximintegrated-ds1804z100trtr-datasheets-9223.pdf SOIC СОУДНО ПРИОН 400 мк 5,5 В. 2,7 В. 100 кайм 8 100 Оло Не 400 мк 750 ч/млн/° C. Петергиометр 1 NeleTUSHIй 100
AD5247BKS100-RL7 AD5247BKS100-RL7 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 1 125 ° С -40 ° С 400 kgц В В 2 ММ 0,04 кг 6 5,5 В. 2,7 В. 6 2-й provod, i2c, сэриал не 128 Ear99 Обоздна not_compliant 1 20% E0 45 ч/млн/° C. Дон Крхлоп 240 6 Автомобиль 30 ЦyfrowhepetnцomeTrы 3/5. 1 Н.Квалиирована Цyfrowoй potenshomeTr 3 мка 100000om Илинен
X9313USI X9313USI Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА 85 ° С -40 ° С CMOS В 2005 /files/intersil-x9313usi-datasheets-9203.pdf SOIC 4,89 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 50 Кум Серриал 32 Ear99 NeleTuю pamystath not_compliant 1 20% E0 300 ч/млн/° C. Олово/Свинен (SN/PB) Петергиометр Дон Крхлоп 8 Промлэнно 1 Н.Квалиирована R-PDSO-G8 NeleTUSHIй 50000 32 -5V
ISL23315UFRUZ-TK ISL23315UFRUZ-TK Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Лю 1 125 ° С -40 ° С CMOS 0,55 мм ROHS COMPRINT 2005 /files/intersil-isl23315ufruztk-datasheets-9196.pdf Qfn 3,3 В. 0,25 кг 10 5,5 В. 1,7 50 Кум 10 I2c 256 Ear99 Не 1 18 Мка E3 85 ч/млн/° C. МАГОВОЙ Квадран 260 3,3 В. 0,5 мм Автомобиль ЦyfrowhepetnцomeTrы 1 Цyfrowoй potenshomeTr Nestabilnый 50000
X9429WS16I-2.7 X9429WS16-2,7 Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер МАССА 1 85 ° С -40 ° С CMOS 400 kgц 2,65 мм ROHS COMPRINT SOIC 7,5 мм СОДЕРИТС 16 10 Кум I2c 64 Ear99 NeleTuю pamystath 1 20% E0 300 ч/млн/° C. Олово/Свинен (SN/PB) Дон Крхлоп 240 2,7 В. 16 Промлэнно Nukahan ЦyfrowhepetnцomeTrы 3/5. 1 Н.Квалиирована Цyfrowoй potenshomeTr NeleTUSHIй 10000om 2,7 В. 64
X9313US X9313US Intersil (Renesas Electronics America) $ 2,21
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С CMOS В 2005 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-x9313us-datasheets-9162.pdf SOIC 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 50 Кум Серриал 32 Ear99 NeleTuю pamystath not_compliant 1 20% E0 300 ч/млн/° C. Олово/Свинен (SN/PB) Петергиометр Дон Крхлоп 240 8 Коммер Nukahan 1 Н.Квалиирована R-PDSO-G8 NeleTUSHIй 50000 32 -5V
ISL23315UFRUZ-T7A ISL23315UFRUZ-T7A Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Лю 1 125 ° С -40 ° С CMOS 0,55 мм ROHS COMPRINT 2005 /files/intersil-isl23315ufruzt7a-datasheets-9158.pdf 3,3 В. 0,25 кг 10 5,5 В. 1,7 50 Кум 10 I2c 256 Ear99 Не 1 18 Мка E3 85 ч/млн/° C. МАГОВОЙ Квадран 260 3,3 В. 0,5 мм Автомобиль ЦyfrowhepetnцomeTrы 1 Цyfrowoй potenshomeTr Nestabilnый 50000
ISL23315TFUZ-TK ISL23315TFUZ-TK Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Лю 125 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2005 /files/intersil-isl23315tfuztk-datasheets-9129.pdf MSOP 3,3 В. 10 5 nedely 5,5 В. 1,7 100 кайм 10 I2c 256 Не 18 Мка 70 ч/млн/° C. Дон Крхлоп 0,5 мм Автомобиль ЦyfrowhepetnцomeTrы 1 Цyfrowoй potenshomeTr Nestabilnый

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.