Драйверы отображения ICS - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Otobranastath draйverы ics (1405)

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Тела ЧastoTA ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Ток - Посткака Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе Проспна СОУДНО ПРИОН МАКСИМАЛНГОН Колист Верна - МАССА DOSTIчH SVHC Колист Имен Колиство Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Толсина КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee МАКСИМАЛАНА ИДЕРИКАТОРАПАТОРАПЕРАПЕР DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Колист МАКСИМАЛНА Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Полаяня Пефер МАКСИМАЛЕВАЯ Napraheneee - posta Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Я Поседл PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Смерть ЛОГИСКИЯ ТИП ИК ПАКЕТИВАЕТСЯ Потретелский МАКСИМАЛНГАН Мон Колист Вес ИНЕРФЕРА В конце концов Вес В. Nagruзka emcostath ТИП ИСИЛИТЕЛ Logiчeskayavy Коунфигуразия Я ПРЕДУХАЕТСЯ Колист Вес Веса Кргителнь ТОК В Колист Дисплэхтип Вес Rerжim oTobraжenaipe Весна кондигионирований Fmax-Min Токпитания. Колист МУЛИПЛЕКСИРОВАНАНА Maks i (ol) Я Rershymvodan Среднихд-Ангет Всего заканчивается Колис Цiprы или Симивол
ICM7212AIPL ICM7212AIPL Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -20 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) 200 май В 40-DIP (0,600, 15,24 ММ) BCD 40-pdip 7 Segement Оно 4 цiprы
MAX6920AWP+ MAX6920AWP+ МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Bicmos 1MA Rohs3 2003 /files/maximintegrated-max6920atpt-datasheets-6617.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 13 ММ 2,35 мм 7,6 мм 5,5 В. СОУДНО ПРИОН 20 6 800,987426 м НЕИ 20 4-pprovoDnoй Сейриал 4 в дар Ear99 Не 5 мг 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 800 м 8 В ~ 76 В. Дон Крхлоп 260 1,27 ММ MAX6920 20 60 май 5в 75 май 12 Vakuhemnыйflueresesentnый (vf) 12 Не
MAX7219EWG MAX7219EWG Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) 330 май В /files/rochesterelectronicsllc-max7219cwg-datasheets-4631.pdf 24 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 4-pprovoDnoй Сейриал 4 В ~ 5,5 В. 24 года 7 segent + dp Оно 8 цipr
PCF8576CT/1,518 PCF8576CT/1518 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) CMOS 120 мка 3,3 мм Rohs3 2005 /files/nxpusainc-pcf8576chl1157-datasheets-8984.pdf 56-BSOP (0,435, Ирина 11,05 мм) 21,5 ММ 11,05 мм 56 7 I2c Ear99 8542.39.00.01 1 В дар 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 5в 0,75 мм PCF8576 56 R-PDSO-G56 7 SegeNT + DP, 14 SEGMENT + DP + AP, TOчEHENAIN MATRIGHA Жk -Дисплег 0,315 мг 40 Не Серриал 10 Симиволов, 20 Симиволов, 160
AD9884AKS-140 AD9884AKS-140 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -20 ° C ~ 85 ° C. Поднос 3 (168 чASOW) CMOS 135ma 3,4 мм В /files/rochesterelectronicsllc-ad9884aksz100-datasheets-9025.pdf 128-BFQFP 20 ММ 14 ММ 128 Аналоговов не 1 E0 Олейнн В дар 3 В ~ 3,6 В. Квадран Крхлоп 240 0,5 мм 128 3,6 В. 3В 30 Коммер R-PQFP-G128 Потретелельский Жk -Дисплег
MM74C48N MM74C48N Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) CMOS 50NA 5,08 мм Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-mm74c48n-datasheets-4789.pdf 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 19.305 ММ 7,62 мм 16 BCD Ear99 НЕИ 8542.39.00.01 1 Не 3 В ~ 15 В. Дон 5в 2,54 мм 15 3В Исиннн R-PDIP-T16 CMOS Сэмар, чтобы ддеодэр/дера 7 Segement Оно Станода 1500 млн 1 цipra
LC75725E-TLA-E LC75725E-TLA-E Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) В 64-BQFP 64-QFP (14x14)
PCF2112CT/1,118 PCF2112CT/1118 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 20 мк 2,7 ММ Rohs3 1997 /files/nxpusainc-pcf2112ct1112-datasheets-8981.pdf 40-BSOP (0,295, Ирина 7,50 мм) 15,4 мм 7,55 мм 40 7 Серриал 8542.39.00.01 1 E3 Олово (sn) В дар 2,25 В ~ 6. Дон Крхлоп 260 5в 0,762 мм PCF2112 40 40 Исиннн Н.Квалиирована R-PDSO-G40 Станода 32 SEGENT Жk -Дисплег То, что я 0,1 мг 32 Не
LMC6009MT LMC6009MT Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -20 ° C ~ 75 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) CMOS 3,5 мая 1,1 мм В /files/rochesterelectronicsllc-lmc6009mtx-datasheets-4667.pdf 48-tfsop (0,240, ширина 6,10 мм) 12,5 мм 6,1 мм 48 Ear99 8542.33.00.01 9 В дар 2,7 В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 3В 0,5 мм 48 Бернхалител Н.Квалиирована R-PDSO-G48 Бер 6,5 В. Жk -Дисплег 1,5 мка 20000 мкв
LC74731W-9818-E LC74731W-9818-E Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -30 ° C ~ 70 ° C. Поднос 3 (168 чASOW) Rohs3 64-LQFP Серриал 4,5 В ~ 6,5. 64-SPQFP (10x10), 64-SQFP Жk -Дисплег 288 СИМВОЛОВ
ICM7218DIPI ICM7218DIPI Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -20 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 250 мк 4445 мм В /files/rochesterelectronicsllc-icm7218cipi-datasheets-4634.pdf 28-Dip (0,600, 15,24 мм) 36,83 мм 15,24 мм 28 Парлель не НЕИ 1 E0 Олейнн Не 2 В ~ 6 В. Дон 240 2,54 мм 28 20 Коммер R-PDIP-T28 7 Segement Оно 8 В дар 8 цipr
ICM7225IPL ICM7225IPL Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -20 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) 200 май В 40-DIP (0,600, 15,24 ММ) 4 В ~ 6 В. 40-pdip 7 Segement Оно 4,5 цipr
LC74735NWH-9817-E LC74735NWH-9817-E Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Поднос 3 (168 чASOW) В
MAX6958BAEE+ MAX6958BAEE+ МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 5,9 мая Rohs3 2005 /files/maximintegrated-max6958bape-datasheets-6669.pdf 16-ssop (0,154, Ирина 3,90 мм) 4,98 мм 1,55 мм 3,99 мм 5,5 В. СОУДНО ПРИОН 6,7 Ма 16 6 288.002805mg НЕИ 16 SMBU (2-проводя/i2c) в дар Ear99 ОБИГИЯ КАТОД Не E16-1 8542.39.00.01 1 5,5 В. E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 667 м 3 n 5,5. Дон Крхлоп 260 5в 0,635 мм MAX6958 16 OTobraSath draйverы 3.3/5. 3В 7 segent + 2 30 май 275 май Оно 36 В дар 4 цiprы
LC75813ES-E LC75813ES-E Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Поднос 3 (168 чASOW) 250 мк Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-lc75886pwh-datasheets-9411.pdf 100-BQFP Серриал 2,7 В. 100-Qipe (20x14) 261 Segent, 344 Жk -Дисплег
LC74772VH-9015-TLM-E LC74772VH-9015-TLM-E Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) В 24-LSSOP (0,220, Ирина 5,60 мм) 24-Ssop
ICM7224IPL+ ICM7224IPL+ МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -20 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 15 мг 10 мк Rohs3 1996 /files/maximintegrated-icm722555ipl-datasheets-8847.pdf 40-DIP (0,600, 15,24 ММ) 52,71 мм 4,45 мм 14,61 мм 3,6 В. СОУДНО ПРИОН 25 мк 40 6 5.953513G НЕИ 40 в дар Ear99 Не 8542.39.00.01 1 10 мк E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 1 Вт 3 В ~ 6 В. Дон 260 5в 2,54 мм ICM7224 40 30 Дриджридж аяр С.И.И. 7 Segement Жk -Дисплег 30 Не Серриал 4,5 цipr
ICM7228AIPI ICM7228AIPI Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) CMOS 200 мк В /files/rochesterelectronicsllc-icm7228cipi-datasheets-4613.pdf 28-Dip (0,600, 15,24 мм) 28 не НЕИ 1 E0 Олейнн Не 4 В ~ 6 В. Дон Nukahan Nukahan Коммер R-PDIP-T28 7 Segement Оно 8 В дар Парлель 8 цipr
AD8511ARUZ-REEL AD8511ARUZ-REEL Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) CMOS 10 май 1,2 ММ Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-ad850999arureel-datasheets-4589.pdf 48-tfsop (0,240, ширина 6,10 мм) 12,5 мм 6,1 мм 48 в дар НЕИ 11 E3 МАГОВОЙ В дар 3,3 В ~ 6,5 В. Дон Крхлоп 260 5в 0,5 мм 48 40 Коммер R-PDSO-G48 Перифержин -дера 64 СЕРВА 0,35а Жk -Дисплег
LC75822ED-E LC75822ED-E Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Поднос 3 (168 чASOW) В 64-BQFP Серриал 3 В ~ 6,5 В. 64-QIPE (14x14) 53 Segent, 104 Жk -Дисплег
LC75810E-8725-E LC75810E-8725-E Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Поднос 3 (168 чASOW) 700 мк Rohs3 100-BQFP Серриал 2,7 В. 100-QFP (14x20) То, что я Жk -Дисплег 16 цipr
MAX7219ENG MAX7219ENG Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) 330 май В /files/rochesterelectronicsllc-max7219cwg-datasheets-4631.pdf 24-DIP (0,300, 7,62 ММ) 4-pprovoDnoй Сейриал 4 В ~ 5,5 В. 24-Pdip 7 segent + dp Оно 8 цipr
LC75811W-8715-E LC75811W-8715-E Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Поднос 3 (168 чASOW) 450 мка В 100-TQFP Серриал 2,7 В. 100-TQFP (14x14) То, что я Жk -Дисплег 16 Симиволов, 240 Симиволов, 11 цipr, 12 цipr
CD74HCT4543E CD74HCT4543E Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 1 мг 8 мка Rohs3 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 19,3 мм 5,08 мм 6,35 мм 5в 28 мг СОУДНО ПРИОН 16 6 951.693491mg НЕТ SVHC 16 BCD Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) 3,9 мм Ear99 ЗOLOTO Не 1 5,5 В. E4 Nerting Не 4,5 n 5,5. Дон 5в 74HCT4543 16 1 Hct Сэмар, чтобы ддеодэр/дера 4,5 В. 7 4 май 120 млн 50pf Деко, де -мамольх 7 Segement 80 млн 7 -4ma 4 май 8 мка 4 Оно З. 0,08 Ма 1 цipra
ICM7211AMIPL+ ICM7211AMIPL+ МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -20 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 10 мк 5,08 мм Rohs3 2003 /files/maximintegrated-icm7211aid-datasheets-8882.pdf 40-DIP (0,600, 15,24 ММ) 52 075 мм 15,24 мм СОУДНО ПРИОН 40 6 40 BCD в дар Ear99 8542.39.00.01 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Не 3 В ~ 6 В. Дон 260 5в 2,54 мм ICM7211 40 30 Drugoй yanterfeйs ics 5в Н.Квалиирована Станода 7 Segement Жk -Дисплег ТОТЕМНЕП 7 Не Парлель 1- 4 цiprы
MAX6954APL MAX6954APL Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 22 май 5,08 мм В 40-DIP (0,600, 15,24 ММ) 52 075 мм 15,24 мм 40 4-pprovoDnoй Сейриал не НЕИ 1 E0 Олейнн Не 2,7 В ~ 5,5 В. Дон 245 3,3 В. 2,54 мм 40 Nukahan Коммер R-PDIP-T40 7, 14, 16 -е гон Оно 8 мг 24 В дар 8 цifr, 16
SN74LS47D Sn74ls47d Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В 7ma Rohs3 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм 5в 35 мг СОУДНО ПРИОН 16 6 141.690917mg НЕТ SVHC 16 BCD Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) в дар 158 ММ Ear99 Ripple Blanking; Тетев ЗOLOTO Не 1 5,25 В. E4 Иртировани В дар 4,75 -5,25. Дон Крхлоп 260 5в 74LS47 16 1 ДеКодр/ВОДИЕТЕЛИ 5в Лаурет Сэмар, чтобы ддеодэр/дера 4,75 В. 7 100 млн Деко, де -мамольх 7 Segement 100 млн 7 -50 мка 3,2 мая 7ma 4 Оно Otkrыtый kollektor Станода 0,0032 а
MM145453VX MM145453VX Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Lenta и катахка (tr) 2а (4 nedeli) В
LMC6009MTX LMC6009MTX Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -20 ° C ~ 75 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) CMOS 3,5 мая 1,1 мм В /files/rochesterelectronicsllc-lmc6009mtx-datasheets-4667.pdf 48-tfsop (0,240, ширина 6,10 мм) 12,5 мм 6,1 мм 48 Ear99 НЕИ 8542.33.00.01 9 В дар 2,7 В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 3В 0,5 мм 48 Бернхалител Н.Квалиирована R-PDSO-G48 Бер 6,5 В. Жk -Дисплег 1,5 мка 20000 мкв
MAX1491CNI+ Max1491cni+ Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) 980 мка Rohs3 28-DIP (0,300, 7,62 ММ) 2,7 В ~ 5,25 В. 28-pdip 7 segent + 2 Жk -Дисплег A/D 3.5 цipr
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)