DSP - Электронные компоненты Sourcing - Лучший агент электронных компонентов - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист МАССА МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Имен Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Толсина КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН БЕЗОПАСНЫЙ Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Подкейгория Питания Поступил Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Уровина Скринина Raзmerpmayti Nomer- /Водад ТИП ПАМАТИ О. А.А. Raзmer operativnoй papmayti ШIrIna шinыdannnых ASTOTA (MMAKS) UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS Р.А. МЕР ИБИТА ШIMCANALы Oprogrammirueomostath Колиш Коли -теплый Колиство Гпио Рим (Слова) Колист. Каналов Уарт Ох (Слова) Graoniцa kkanirowanee Унигир Формат Ингрированан Колиш Колиш Колист Колиство. Ох (бахт) Колист. Каналов Дма ТАКТОВА Адреса иирин Иурин Стевол Ведреянья МАКСИМАЛИН ВОЗНА
TMS320C52PZ TMS320C52PZ Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 CMOS 1,6 ММ ROHS COMPRINT LQFP 14 ММ 14 ММ СОДЕРИТС 100 не 8542.31.00.01 В дар Квадран Крхлоп Nukahan 0,5 мм 100 Коммер 70 ° С 5,25 В. 4,75 В. Nukahan Цyfrowы ncygnalne oproheSsorы 100 май Н.Квалиирована S-PQFP-G100 Цyfrowoй ygnalnый proцessor, drugoй 16 1056 В дар В дар ФИКСИРОВАННАНА 16 16 В дар НЕКОЛЕКО
SM320C25GBM SM320C25GBM Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 125 ° С -55 ° С CMOS ROHS COMPRINT 24,38 мм 3,62 мм 24,38 мм СОДЕРИТС 68 68 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) 2,03 мм 3A001.A.2.C 8542.31.00.01 Не Петенкюр PIN/PEG Nukahan 2,54 мм 68 ВОЗДЕЛАН Nukahan Цyfrowы ncygnalne oproheSsorы 185ma Н.Квалиирована 8 кб 1,1 кб 16b 40 мг Цyfrowoй ygnalnый proцessor, drugoй 16 Мрэм 64000 544 Не Не ФИКСИРОВАННАНА Не 3 1 В дар НЕКОЛЕКО
ADSP-21060CZZ-133 ADSP-21060CZZ-133 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер CMOS 33 мг 4,3 мм ROHS COMPRINT 32 ММ 240 5,25 В. 4,75 В. 240 3A991.A.2 8542.31.00.01 E1 Жestaynanaynan -cerebraynan medion Квадран Крхлоп 0,5 мм 240 Промлэнно 100 ° С -40 ° С Н.Квалиирована 512 кб 32B 33 мг Цyfrowoй ygnalnый proцessor, drugoй В дар В дар Плава 32 В дар НЕКОЛЕКО
MSC7113VF1000 MSC7113VF1000 Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 105 ° С -40 ° С CMOS 266 мг 1,6 ММ В /files/freescalesemyonductor-msc7113vf1000-datasheets-7708.pdf MAPBGA 17 ММ 17 ММ СОДЕРИТС 400 400 I2c, uart 3A001.A.3 not_compliant 8542.31.00.01 E0 Olovo/svineц/serebro (sn/pb/ag) Униджин М 1,2 В. 0,8 мм 400 1,26 1,14 Цyfrowы ncygnalne oproheSsorы 1.22.53.3V Н.Квалиирована Цyfrowoй ygnalnый proцessor, drugoй 16 196608 В дар В дар ФИКСИРОВАННАНА 14 32 Не НЕКОЛЕКО
MSC7112VM800 MSC7112VM800 Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 105 ° С -40 ° С CMOS 200 мг 1,6 ММ ROHS COMPRINT /files/freescalesemyonductor-msc7112vm800-datasheets-7505.pdf MAPBGA 17 ММ 17 ММ СОУДНО ПРИОН 400 400 I2c, uart 3A001.A.3 НЕИ 8542.31.00.01 Olova/serebro/mmedh Униджин М 1,2 В. 0,8 мм 400 1,26 1,14 Цyfrowы ncygnalne oproheSsorы 1,23,3 В. Н.Квалиирована Цyfrowoй ygnalnый proцessor, drugoй 16 196608 В дар В дар ФИКСИРОВАННАНА 14 32 Не НЕКОЛЕКО
TMS320C6415TBZLZA7 TMS320C6415TBZLZA7 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Лю 105 ° С -40 ° С CMOS 3,3 мм ROHS COMPRINT FCBGA 23 ММ 1,2 В. СОДЕРИТС 532 532 не 3A001.A.3 TykebueTsepipsepapypapypoStawca 3,3 В Не 8542.31.00.01 В дар Униджин М 1,2 В. 0,8 мм 532 Промлэнно 1,24 Цyfrowы ncygnalne oproheSsorы 1,23,3 В. 128 кб SDRAM, SRAM 16b 720 мг Цyfrowoй ygnalnый proцessor, drugoй 32 16 В дар В дар ФИКСИРОВАННАНА 23 Не НЕКОЛЕКО
MSC7112VM1000 MSC7112VM1000 Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 105 ° С -40 ° С CMOS 266 мг 1,6 ММ ROHS COMPRINT /files/freescalesemyonductor-msc7112vm1000-datasheets-6915.pdf MAPBGA 17 ММ 17 ММ СОУДНО ПРИОН 400 400 I2c, uart 3A001.A.3 НЕИ 8542.31.00.01 Olova/serebro/mmedh Униджин М 1,2 В. 0,8 мм 400 1,26 1,14 Цyfrowы ncygnalne oproheSsorы 1.22.53.3V Н.Квалиирована Цyfrowoй ygnalnый proцessor, drugoй 16 196608 В дар В дар ФИКСИРОВАННАНА 14 32 Не НЕКОЛЕКО
MSC7112VF1000 MSC7112VF1000 Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 105 ° С -40 ° С CMOS 266 мг 1,6 ММ В /files/freescalesemiconductor-msc7112vf1000-datasheets-6718.pdf MAPBGA 17 ММ 17 ММ СОДЕРИТС 400 400 I2c, uart 3A001.A.3 not_compliant 8542.31.00.01 E0 Olovo/svineц/serebro (sn/pb/ag) Униджин М 1,2 В. 0,8 мм 400 1,26 1,14 Цyfrowы ncygnalne oproheSsorы 1.22.53.3V Н.Квалиирована Цyfrowoй ygnalnый proцessor, drugoй 16 196608 В дар В дар ФИКСИРОВАННАНА 14 32 Не НЕКОЛЕКО
KMC8144TVT1000B KMC8144TVT1000B Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 105 ° С -40 ° С 1 гер ROHS COMPRINT /files/freescalesemiconductor-kmc8144tvt1000b-datasheets-6622.pdf FCBGA 1V Ebi/emi, ethernet, i2c, pci, spi, serairal, uart Не 32B 1 гер
MSC7110VM1000 MSC7110VM1000 Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 105 ° С -40 ° С CMOS 266 мг ROHS COMPRINT /files/freescalesemyonductor-msc7110vm1000-datasheets-6223.pdf MAPBGA СОУДНО ПРИОН 400 400 I2c, uart Olova/serebro/mmedh Униджин М 0,8 мм 400 Цyfrowы ncygnalne oproheSsorы 1.22.53.3V Н.Квалиирована DISPLEй -KONTROLLERER, флюрэсентн 32 65536 ФИКСИРОВАННАНА
MSC7110VF1000 MSC7110VF1000 Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 105 ° С -40 ° С CMOS 266 мг В /files/freescalesemyonductor-msc7110vf1000-datasheets-5890.pdf MAPBGA СОДЕРИТС 400 400 I2c, uart not_compliant E0 Olovo/svineц/serebro (sn/pb/ag) Униджин М 0,8 мм 400 Цyfrowы ncygnalne oproheSsorы 1.22.53.3V Н.Квалиирована DISPLEй -KONTROLLERER, флюрэсентн 32 65536 ФИКСИРОВАННАНА
SPAKXCL307VL160 Spakxcl307vl160 Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 100 ° С -40 ° С 160 мг ROHS COMPRINT /files/freescalesemyonductor-pakxcl307vl160-datasheets-5659.pdf MAPBGA СОУДНО ПРИОН 196 Nauka
TMS320C6414TGLZ8 TMS320C6414TGLZ8 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 CMOS 3,25 мм ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-tms320c6414tglz8-datasheets-5374.pdf 23 ММ 23 ММ СОДЕРИТС 532 532 не 3A001.A.3 TykebueTsepipsepapypapypoStawca 3,3 В 8542.31.00.01 В дар Униджин М Nukahan 1,2 В. 0,8 мм 532 Drugoй 90 ° С 1,24 1,16 В. Nukahan Цyfrowы ncygnalne oproheSsorы 1,23,3 В. Н.Квалиирована Цyfrowoй ygnalnый proцessor, drugoй 32 16384 В дар В дар ФИКСИРОВАННАНА 75 мг 23 64 Не НЕКОЛЕКО
OMAP5912ZDYA OMAP5912ZDYA Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 CMOS ROHS COMPRINT BGA СОДЕРИТС 289 не Nukahan Nukahan Цyfrowoй vignalgnый proцessor, smeшannnый
ADSP-21365YSWZ-2CA ADSP-21365SWZ-2CA Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 105 ° С -40 ° С CMOS 200 мг 1,6 ММ ROHS COMPRINT /files/analogdevices-adsp2136555yswz2ca-datasheets-4440.pdf LQFP 20 ММ СОДЕРИТС 144 3,47 В. 950 м 144 Dai, Spi в дар Не E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 260 1V 0,5 мм 144 Промлэнно 40 Цyfrowы ncygnalne oproheSsorы 512 кб 16 ШArk 384 кб 32B 333 мг Цyfrowoй ygnalnый proцessor, drugoй 32 3 В дар Не Плава 16 В дар НЕКОЛЕКО
TMS320C6415TGLZA8 TMS320C6415TGLZA8 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 CMOS 850 мг 3,25 мм ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-tms320c6415tglza8-datasheets-4439.pdf FCBGA 23 ММ 23 ММ СОДЕРИТС 532 532 не 3A001.A.3 TykebueTsepipsepapypapypoStawca 3,3 В 8542.31.00.01 В дар Униджин М Nukahan 1,2 В. 0,8 мм 532 Промлэнно 105 ° С -40 ° С 1,24 1,16 В. Nukahan Цyfrowы ncygnalne oproheSsorы 1,23,3 В. Н.Квалиирована Цyfrowoй ygnalnый proцessor, drugoй 32 16384 В дар В дар ФИКСИРОВАННАНА 23 64 Не НЕКОЛЕКО
V62/05601-03ZE V62/05601-03ZE Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 125 ° С -55 ° С CMOS 150 мг ROHS COMPRINT LQFP 24 ММ 1,6 ММ 24 ММ 1,9 СОУДНО ПРИОН 176 1.896186G 3,47 В. 181 В. 176 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар 1,4 мм Rabothototetpripripodaч 1,8 тви 135 Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Квадран Крхлоп 260 1,9 0,5 мм 176 ВОЗДЕЛАН Цyfrowы ncygnalne oproheSsorы 1,93,3 В. 256 кб OTP, ROM 36 кб 32B 150 мг Цyfrowoй ygnalnый proцessor, drugoй 32 16 В.С. 56 2 В дар В дар ФИКСИРОВАННАНА Не 3 8 16 36864 Не НЕКОЛЕКО
SMJ320C50HFGM50 SMJ320C50HFGM50 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 125 ° С -55 ° С CMOS 50 мг ROHS COMPRINT 24,13 ММ 3,3 мм 24,13 ММ СОДЕРИТС 132 5,25 В. 4,75 В. 132 Nrnd (posledniй obnowlenen: 4 дня назад) 2,67 мм 3A001.A.2.C 8542.31.00.01 Квадран Плоски Nukahan 0,635 мм 132 ВОЗДЕЛАН Nukahan Цyfrowы ncygnalne oproheSsorы 225 май Н.Квалиирована MIL-PRF-38535 20,1 кб 16b 50 мг Цyfrowoй ygnalnый proцessor, drugoй 16 Мрэм 1056 В дар В дар ФИКСИРОВАННАНА Не 6 1 1 Не НЕКОЛЕКО
PC8256SVT1000B PC8256SVT1000B NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 245 ° С ROHS COMPRINT /files/nxpsemiconductors-pc8256svt1000b-datasheets-4302.pdf FCBGA 1V СОУДНО ПРИОН 11.151001G 783 Не БЕЗОПАСНЫЙ 1 гер 2,5 В.
TMS320LBC51PZ57 TMS320LBC51PZ57 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 CMOS 1,6 ММ ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-tms320lbc51pz57-datasheets-3930.pdf LQFP 14 ММ 14 ММ СОДЕРИТС 100 100 не 3A001.A.3 1k sslownne/prog ram 8542.31.00.01 В дар Квадран Крхлоп 3,3 В. 0,5 мм 100 Коммер 70 ° С 3,47 В. 3,13 В. Цyfrowы ncygnalne oproheSsorы 3,3 В. Н.Квалиирована Цyfrowoй ygnalnый proцessor, drugoй 16 544 В дар В дар ФИКСИРОВАННАНА 57,14 мг 16 16 В дар НЕКОЛЕКО
TMS320C15NL-25 TMS320C15NL-25 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 CMOS 5,08 мм ROHS COMPRINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/texasinstruments-tms320c15nl25-datasheets-3766.pdf PDIP 52,455 мм 15,24 мм СОДЕРИТС 40 40 не ROM Protect E0 Олейнн Не Дон СКВОХА Nukahan 2,54 мм 40 Коммер 70 ° С 5,25 В. 4,5 В. Nukahan Н.Квалиирована Цyfrowoй ygnalnый proцessor, drugoй Не В дар ФИКСИРОВАННАНА 35,1 мг 12 16 В дар НЕКОЛЕКО
TMS320C6414TBCLZA7 TMS320C6414TBCLZA7 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 4 (72 чACA) CMOS ROHS COMPRINT 23 ММ 3,25 мм 23 ММ СОУДНО ПРИОН 532 532 PredvaritelnыйprosmoTr в дар 2,61 мм 3A001.A.3 Не 8542.31.00.01 E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) В дар Униджин М 260 1,2 В. 0,8 мм 532 Промлэнно 105 ° С -40 ° С 1,24 1,16 В. Цyfrowы ncygnalne oproheSsorы 1,23,3 В. 32B 720 мг Цyfrowoй ygnalnый proцessor, drugoй 32 В.С. 4096 В дар В дар ФИКСИРОВАННАНА В дар 4 3 64 Не НЕКОЛЕКО
SM320C40GFM50 SM320C40GFM50 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 100 ° С -55 ° С CMOS 50 мг В /files/texasinstruments-m320c40gfm50-datasheets-3153.pdf 47,25 мм 5,59 мм 47,25 мм СОДЕРИТС 325 5,25 В. 4,75 В. 325 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) 3,62 мм 3A001.A.2.C Не 8542.31.00.01 Петенкюр PIN/PEG 1,27 ММ 325 ВОЗДЕЛАН Цyfrowы ncygnalne oproheSsorы 850 май 8 кб 32B 50 мг Цyfrowoй ygnalnый proцessor, drugoй 32 4G 2000 В дар В дар Плава Не 5 2 6 В дар НЕКОЛЕКО
TMS320C6415TZLZ8 TMS320C6415TZLZ8 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 90 ° С 0 ° С CMOS 850 мг 3,25 мм ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-tms320c6415tzlz8-datasheets-1636.pdf FCBGA 23 ММ 3,3 В. СОДЕРИТС 532 3,46 В. 1,16 В. 532 в дар 3A001.A.3 TykebueTsepipsepapypapypoStawca 3,3 В 8542.31.00.01 Униджин М Nukahan 1,1 В. 0,8 мм 532 Drugoй Nukahan Цyfrowы ncygnalne oproheSsorы Н.Квалиирована 16b 850 мг Цyfrowoй ygnalnый proцessor, drugoй 32 16384 В дар В дар ФИКСИРОВАННАНА 23 Не НЕКОЛЕКО
TMS32C6416CGLZW6E3 TMS32C6416CGLZW6E3 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 CMOS 3,3 мм FCBGA 23 ММ 23 ММ 532 не 3A001.A.3 StraebueTsema А. 3,3vi/o 8542.31.00.01 В дар Униджин М 1,4 В. 0,8 мм 532 1,44 1,36 В. Цyfrowы ncygnalne oproheSsorы 1,43,3 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B532 Цyfrowoй ygnalnый proцessor, drugoй 32 4096 В дар В дар ФИКСИРОВАННАНА 75,18 мг 23 64 Не НЕКОЛЕКО
ADSP-21060KSZ-133 ADSP-21060KSZ-133 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С 0 ° С CMOS 33 мг ROHS COMPRINT /files/analogdevices-adsp21060ksz133-datasheets-1456.pdf 32 ММ СОДЕРИТС 240 5,25 В. 4,75 В. 240 Серриал не Оло Не E3 Квадран Крхлоп 260 0,5 мм 240 Drugoй 40 Цyfrowы ncygnalne oproheSsorы ШArk 512 кб 32B 33 мг Цyfrowoй ygnalnый proцessor, drugoй 32 1 В дар В дар 32 В дар НЕКОЛЕКО
SMJ320C80GFM50 SMJ320C80GFM50 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 125 ° С -55 ° С CMOS ROHS COMPRINT 47,25 мм 5,59 мм 47,25 мм 3,3 В. СОДЕРИТС 305 305 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) 3,3 мм 3A001.A.2.C 8542.31.00.01 Не Петенкюр PIN/PEG Nukahan 3,3 В. 1,27 ММ 305 ВОЗДЕЛАН 3.465V Nukahan Цyfrowы ncygnalne oproheSsorы 2500 май Н.Квалиирована MIL-PRF-38535 50 кб 32B 50 мг Цyfrowoй ygnalnый proцessor, drugoй 32 2,4 g 51200 В дар Не Плава В дар 4 3 1 В дар НЕКОЛЕКО
TMS320C6748EZCEA3E TMS320C6748EZCEA3E Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 3 105 ° С -40 ° С CMOS 375 мг ROHS COMPRINT СОУДНО ПРИОН 361 Ebi/emi, Ethernet, I2C, McASP, SPI, UART, USB E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) 260 361 Nukahan Цyfrowoй ygnalnый proцessor, drugoй 3
TMS32C6415EZLZ7E3 TMS32C6415EZLZ7E3 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 4 90 ° С 0 ° С CMOS 720 мг ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-tms32c6415ezlz7e3-datasheets-0400.pdf FCBGA 23 ММ 3,25 мм 23 ММ 1,4 В. СОДЕРИТС 532 3.094606G 3,46 В. 1,36 В. 532 Пенсионт Nrnd (posledniй obnowlenen: 4 дня назад) в дар 2,61 мм 3A001.A.3 StraebueTsema А. 3,3vi/o Не 8542.31.00.01 E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) Униджин М 260 1,4 В. 0,8 мм 532 Drugoй Цyfrowы ncygnalne oproheSsorы 1,43,3 В. 125 май 128 кб SDRAM, SRAM 32B 720 мг Цyfrowoй ygnalnый proцessor, drugoй 32 16 В дар В дар ФИКСИРОВАННАНА В дар 4 3 64 Не НЕКОЛЕКО
TMS320F2812ZHHQ TMS320F2812ZHHQ Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 3 125 ° С -40 ° С CMOS 1,4 мм ROHS COMPRINT /files/texasinstruments-tms320f2812zhhq-datasheets-0391.pdf BGA 12 ММ 3,3 В. 179 в дар 3A991.A.2 Rabothototetpripripodaч 1,8 В 8542.31.00.01 E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) В дар Униджин М 260 1,9 0,8 мм 179 Автомобиль Nukahan Цyfrowы ncygnalne oproheSsorы Н.Квалиирована 256 кб 36 кб 32B 150 мг Цyfrowoй ygnalnый proцessor, drugoй 32 18432 В дар В дар ФИКСИРОВАННАНА 19 Не НЕКОЛЕКО

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.