Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактВьетнамки(6385)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Код Pbfree | Количество портов | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Способ упаковки | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Напряжение | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Выходная полярность | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Семья | Поставщик пакета оборудования | Входная емкость | Максимальный выходной ток | Количество битов | Выходной ток | Тип выхода | Включить время задержки | Эмкость нагрузки | Логическая функция | Задержка распространения | функция | Количество выходов | Количество бит на элементе | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Сегодняшний день | Ток — выходной высокий, низкий | Количество входных строк | Выходные характеристики | Тактовая частота | Тип триггера | Количество выходных линий | фмакс-мин | Максимальный ток источника питания (ICC) | Макс I(ол) | Опора Delay@Nom-Sup | Тип триггера по фронту тактового сигнала | Задержка распространения (tpd) | Макс. задержка распространения @ В, Макс. КЛ | Макс. частота в номинальном режиме | Ток – состояние покоя (Iq) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SY10E431JZ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10Е | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-sy100e431jz-datasheets-1545.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 10Э431 | 3 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 132 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EL52ZG ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10 эл. | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100el52zg-datasheets-9071.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -4,75 В~-5,5 В | 10ЭЛ52 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | Стандартный | 1 | 2,8 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 25 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74ABTH16823DGGRE4 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74АБТХ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | БИКМОС | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-74abth16823dggre4-datasheets-1710.pdf | 56-ТФСОП (ширина 0,240, 6,10 мм) | 14 мм | 6,1 мм | 5В | Без свинца | 56 | 252,792698мг | 56 | 2 | С ОЧИСТИТЬ И ВКЛЮЧИТЬ ЧАСЫ | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | Неинвертирующий | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 0,5 мм | 74ABTH16823 | 2 | ФФ/защелки | 5В | АБТ | 4пФ | 64 мА | Трехуровневый, неинвертированный | 3,9 нс | 50пФ | Тип D, триггер | 5,5 нс | Общий сброс | 18 | 9 | 32 мА 64 мА | 150 МГц | Положительное преимущество | 3 | 80 мА | 0,064 А | 6,8 нс | Положительное преимущество | 5,5 нс при 5 В, 50 пФ | 150000000Гц | 500 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EP52VZG-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10EP | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microchiptechnology-sy10ep52vzgtr-datasheets-1663.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,93 мм | 3,94 мм | 8 | РАБОЧИЙ ДИАПАЗОН В РЕЖИМЕ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -3,3 В до -5,5 В. | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | -3,3 В~-5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 10ЭП52 | 3,63 В | 2,97 В | 40 | 1 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г8 | 10Е | 1 | Дифференциальный | Стандартный | 4 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 4000 МГц | 0,38 нс | 47 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M74HC76M1R | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Тип JK | 74HC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-m74hc76m1r-datasheets-1712.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 3,9 мм | 16 | 16 | ГЛАВНЫЙ-ВЕДОМЫЙ РАБОТА | Нет | ТРУБКА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | 2В~6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 4,5 В | M74HC76 | 6В | 2В | ФФ/защелки | ХК/УГ | 5пФ | Дифференциальный | 13 нс | 50пФ | И, JK-Тип | 125 нс | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 5,2 мА 5,2 мА | 2 | 67 МГц | Отрицательное преимущество | 0,004 А | Отрицательное преимущество | 21 нс при 6 В, 50 пФ | 2мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CD4013BCMX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 4000Б | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | 15,5 МГц | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-cd4013bcsj-datasheets-0893.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 15 В | 3В | 14 | Неинвертирующий | 3В~15В | 4013 | 2 | 2 | 14-СОИК | 5пФ | 2 | 8,8 мА | Дифференциальный | 65 нс | И, Д-тип, триггер | 350 нс | Установить (предустановка) и сброс | 1 | -4,2 мА | 4,2 мА | 8,8 мА 8,8 мА | 1 | 15,5 МГц | Положительное преимущество | 1 | Положительное преимущество | 120 нс при 15 В, 50 пФ | 4мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СН74С74ДР | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74С | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ТТЛ | Соответствует ROHS3 | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8,65 мм | 3,9 мм | 14 | 14 | да | ЛЕНТА И КАТУШКА | Неинвертирующий | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 74С74 | НЕ УКАЗАН | 2 | ФФ/защелки | 5В | Не квалифицирован | С | 20 мА | Дифференциальный | 6 нс | И, Д-тип, триггер | 9 нс | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 1 мА 20 мА | 4 | 110 МГц | Положительное преимущество | 75 МГц | Положительное преимущество | 9 нс при 5 В, 15 пФ | 75000000Гц | 25 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SN74S374DWRE4 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74С | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ТТЛ | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 20 | 20 | да | 2 | ЛЕНТА И КАТУШКА | Неинвертирующий | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 74С374 | 5,25 В | 4,75 В | НЕ УКАЗАН | 1 | ФФ/защелки | 5В | Не квалифицирован | С | Трехуровневый, неинвертированный | 8 нс | Тип D, защелка | 17 нс | Стандартный | 8 | -6,5 мА | 20 мА | 3 | 100 МГц | Положительное преимущество | 0,02 А | Положительное преимущество | 17 нс при 5 В, 15 пФ | 75000000Гц | 110 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E451JY-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100E | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e451jy-datasheets-1605.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 100Э451 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Неинвертированный | Общий сброс | 6 | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 101 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СН74С374НСРЕ4 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74С | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ТТЛ | 2 мм | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-sn74s374nsre4-datasheets-8994.pdf | 20-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 20 | 20 | да | 2 | ЛЕНТА И КАТУШКА | Неинвертирующий | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 74С374 | 5,25 В | 4,75 В | НЕ УКАЗАН | 1 | ФФ/защелки | 5В | Не квалифицирован | С | Трехуровневый, неинвертированный | 8 нс | Тип D, защелка | 17 нс | Стандартный | 8 | -6,5 мА | 20 мА | 3 | 100 МГц | Положительное преимущество | 0,02 А | Положительное преимущество | 17 нс при 5 В, 15 пФ | 75000000Гц | 110 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SN74LV374ARGYRG4 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74ЛВ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 20-VFQFN Открытая колодка | 4,5 мм | 3,5 мм | Без свинца | 20 | 43,006227мг | 20 | 2 | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | Неинвертирующий | 2В~5,5В | КВАД | 2,5 В | 0,5 мм | 74LV374 | 5,5 В | 2В | 1 | ФФ/защелки | 3,3 В | НВ/ЛВ-А/LVX/Ч | 2,9 пФ | 16 мА | Трехуровневый, неинвертированный | 4,9 нс | 50пФ | Тип D, триггер | 19,3 нс | Стандартный | 8 | 16 мА 16 мА | 2 | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 170 МГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | 10,1 нс при 5 В, 50 пФ | 50000000Гц | 20 мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74ACT74SCX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74АКТ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/onsemiconductor-74act74sjx-datasheets-0637.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5В | Без свинца | 14 | Нет | Неинвертирующий | 5В | 4,5 В~5,5 В | 74ACT74 | 2 | 4,5 пФ | Дифференциальный | 7,5 нс | И, Д-тип, триггер | 13 нс | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 24 мА 24 мА | 210 МГц | Положительное преимущество | 1 | Положительное преимущество | 11 нс при 5 В, 50 пФ | 20 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ10ЭП52ВЗГ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10EP | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microchiptechnology-sy10ep52vzgtr-datasheets-1663.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,93 мм | 3,94 мм | 8 | РАБОЧИЙ ДИАПАЗОН В РЕЖИМЕ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -3,3 В до -5,5 В. | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | ДА | -3В~-5,5В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 10ЭП52 | 3,63 В | 2,97 В | 40 | 1 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г8 | 10Е | 1 | Дифференциальный | Стандартный | 4 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 4000 МГц | 0,38 нс | 47 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SN74LVC2G79DCURE4 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74ЛВК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 0,9 мм | Соответствует ROHS3 | 8-ВФСОП (ширина 0,091, 2,30 мм) | Содержит свинец | 8 | 9,610488мг | 8 | нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | 1,65 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | 74LVC2G79 | 5,5 В | НЕ УКАЗАН | ФФ/защелки | 3,3 В | 2 | Не квалифицирован | ЛВК/LCX/Z | 3,5 пФ | Неинвертированный | 1,1 нс | 50пФ | 5,2 нс | Стандартный | 1 | 32 мА 32 мА | 160 МГц | Положительное преимущество | 1 | Положительное преимущество | 4,5 нс при 5 В, 50 пФ | 5 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74HC74DR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74HC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-74hc74dr2g-datasheets-1692.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8,65 мм | 3,9 мм | Без свинца | 14 | 14 | неизвестный | ЛЕНТА И КАТУШКА | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | 2В~6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | 74HC74 | 6В | 2В | 40 | ФФ/защелки | 2 | Не квалифицирован | ХК/УГ | 10пФ | 5,2 мА | Дифференциальный | 21 нс | 50пФ | И, D-тип | 100 нс | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 5,2 мА 5,2 мА | 28 МГц | Положительное преимущество | 1 | 0,004 А | Положительное преимущество | 17 нс при 6 В, 50 пФ | 2мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E151JY | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 2 (1 год) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-sy10e151jy-datasheets-9419.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 28 | 28 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | Неинвертирующий | -4,2 В~-5,46 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 245 | 10Э151 | 40 | 1 | Не квалифицирован | 10Е | 6 | Дифференциальный | 850 пс | Резкий поворот | 650 пс | Общий сброс | 78мА | 6 | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ10ЭП51ВЗГ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10EP | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/microchiptechnology-sy10ep51vkg-datasheets-0798.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -3В~-5,5В | 10ЭП51 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | Перезагрузить | 1 | 3 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 40 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EL51ZG | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10 эл. | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100el51zgtr-datasheets-1588.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -4,75 В~-5,5 В | 10ЭЛ51 | 1 | 8-СОИК | Дифференциальный | Перезагрузить | 1 | 2,8 ГГц | Позитивный, Отрицательный | 29 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10EL35ZG | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 2,2 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100el35zg-datasheets-1623.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -5,5 В | -4,75 В | 8 | Неинвертирующий | -4,75 В~-5,5 В | 10ЭЛ35 | 1 | 8-СОИК | 1 | Дифференциальный | 745 пс | Перезагрузить | 1 | 32 мА | 2,2 ГГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | 32 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E452JY ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10Е | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-sy100e452jy-datasheets-9460.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 28 | да | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | -4,2 В~-5,5 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 10Э452 | НЕ УКАЗАН | 1 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | Не квалифицирован | S-PQCC-J28 | 10Е | Дифференциальный | Общий сброс | 5 | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 0,8 нс | 89мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E452JY | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 2 (1 год) | ОКУ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microchiptechnology-sy100e452jy-datasheets-9460.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 28 | 28 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | Неинвертирующий | -4,2 В~-5,5 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 245 | 100Э452 | 40 | 1 | Не квалифицирован | Дифференциальный | 900 пс | Общий сброс | 5 | 89мА | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | Положительное преимущество | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY10E131JY | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 10Е | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 2 (1 год) | ОКУ | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-sy10e131jy-datasheets-1615.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 28 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | -4,2 В~-5,5 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 10Э131 | 40 | 1 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | Не квалифицирован | S-PQCC-J28 | 10Е | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 4 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 70 мА | 0,675 нс | 70 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100E431JZ ТР | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100E | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-sy100e431jz-datasheets-1545.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 100Е431 | 3 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 1,4 ГГц | Положительное преимущество | 132 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL31ZG | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 2,8 ГГц | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microchiptechnology-sy100el31zg-datasheets-1622.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,93 мм | 1,48 мм | 3,94 мм | Без свинца | 26 недель | Нет СВХК | 5,5 В | 4,2 В | 8 | Нет | Неинвертирующий | -4,2 В~-5,5 В | 100ЭЛ31 | 1 | 1 | 8-СОИК | 1 | Дифференциальный | 645 пс. | И, Д-тип, триггер | 475 пс. | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 32 мА | 1 | 2,8 ГГц | Положительное преимущество | 1 | Положительное преимущество | 32 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100EL35ZG | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Тип JK | 100 ЕЛ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microchiptechnology-sy100el35zg-datasheets-1623.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | -4,2 В~-5,5 В | 100ЕЛ35 | 1 | Дифференциальный | Перезагрузить | 2,2 ГГц | Положительное преимущество | 32 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СН74С374ДВ | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74С | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | ТТЛ | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 20 | 20 | да | 2 | Неинвертирующий | 4,75 В~5,25 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 74С374 | 5,25 В | 4,75 В | НЕ УКАЗАН | 1 | ФФ/защелки | 5В | Не квалифицирован | С | 20 мА | Трехуровневый, неинвертированный | 8 нс | Тип D, защелка | 17 нс | Стандартный | 8 | -6,5 мА | 20 мА | 3 | 100 МГц | Положительное преимущество | 0,02 А | Положительное преимущество | 17 нс при 5 В, 15 пФ | 75000000Гц | 110 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SN74HC74NG4 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74HC | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-sn74hc74ng4-datasheets-8971.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Нет СВХК | 14 | 2В~6В | 74HC74 | 2 | 3пФ | 5,2 мА | 5,2 мА | Дифференциальный | Установить (предустановка) и сброс | 1 | 5,2 мА 5,2 мА | 60 МГц | Положительное преимущество | 30 нс при 6 В, 50 пФ | 4мкА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SY100S351JZ-TR | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 100С | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microchiptechnology-sy100s351jz-datasheets-1593.pdf | 28-LCC (J-вывод) | -4,2 В~-5,5 В | 100С351 | 1 | 28-ПЛСС (11,48х11,48) | Дифференциальный | Общий сброс | 6 | 700 МГц | Положительное преимущество | -49 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SN74AUC2G79DCURE4 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74AUC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 0,9 мм | Соответствует ROHS3 | 8-ВФСОП (ширина 0,091, 2,30 мм) | Содержит свинец | 8 | 9,610488мг | 8 | да | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | 0,8 В~2,7 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,2 В | 0,5 мм | 74AUC2G79 | ФФ/защелки | 2 | АУК | 2,5 пФ | Неинвертированный | 5 нс | 2,4 нс | Стандартный | 1 | 9 мА 9 мА | 275 МГц | Положительное преимущество | 1 | 0,005 А | 3,9 нс | Положительное преимущество | 1,8 нс при 2,5 В, 30 пФ | 10 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SN74LVC821ANSRE4 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | D-тип | 74ЛВК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 2 мм | Соответствует ROHS3 | 24-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | Без свинца | 24 | 307,790773мг | 24 | 2 | ЛЕНТА И КАТУШКА | Неинвертирующий | 1,65 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 74LVC821 | НЕ УКАЗАН | 1 | ФФ/защелки | 8 | Не квалифицирован | ЛВК/LCX/Z | 5пФ | Трехуровневый, неинвертированный | 2,2 нс | 50пФ | Резкий поворот | 8,5 нс | Стандартный | 10 | 24 мА 24 мА | 150 МГц | Положительное преимущество | 3 | Положительное преимущество | 7,3 нс при 3,3 В, 50 пФ | 10 мкА |
