+86 19168759373 info@chipsmt.ru

FPGAS (26486)

Срэйват	Ибрагейн	Сознание	Проиджодель	ЦEnы (DOLLARR)	Колист	Вер (К.)	Raзmer (lxwxh)	Управый	Вернояж	МАКСИМАЛЕН	Мин	Тела	Весарая (МАКСИМУМА)	Статус Ройс	Опуликовано	Техниль	PakeT / KORPUES	Делина	Шyrina	Опресагионе	Колист	Верна -	МАКСИМАЛНА	МИНАПРЕЗА	PBFREE CODE	КОД ECCN	Доленитейн Ая	Конец	Rradiaцyonnoe wyproчneneenee	DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN	HTS -KOD	КОД JESD-609	ТЕРМИНАЛЕН	Пефер	Терминала	Терминаланая	Пико -Аймперратара	Надо	Терминал	Поседл	ТЕМПЕРАТУРА	Raboч -yemperatura (mamaks)	Raboч -ytemperatura (мин)	PoSta	Posta	Wremaping@pikovoйtemperaturu (я)	Подкейгория	Питания	Кваликакахионн Статус	КОД JESD-30	О. А.А.	Raзmer operativnoй papmayti	Скороп	Я	Колист	Колист	Колист	ТАКТОВА	Органихая	Programmirueemый lologeчeskyйtp	Колиство -ложистка	Колист	Колист. Clbs	КОМБИНАТОРНА	Колиствот	SIDYSHIй В.С.Сота-макс
		Gw1n-uv2qn48c7/i6	Говин		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0
		Gw1n-lv2mg132xc6/i5	Говин		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0
		Gw2an-lv18xpg256c7/i6	Говин		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0
		Gw1n-lv2mg132hc7/i6	Говин		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0
		Gw1nsr-lv4cmg64pc7/i6	Говин		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0
		Gw2an-uv18xpg256c7/i6	Говин		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0
		Gw2ar-lv18qn88pfc8/i7	Говин		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0
		Gw2an-uv18xug484c8/i7	Говин		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0
		Gw1ns-lv4cqn48c7/i6	Говин		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0
		Gw2an-uv18xug256c7/i6	Говин		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0
		A42MX09-FPQG100	ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА	$ 403,99	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0									/storage/upload/a42mx09-fpqg100.pdf
		A54SX32A-CQ256M	Microsemi SOC Product Group		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0					CMOS		В				36 ММ	36 ММ						не		Otakж nomoTheTRaTATH			Сообщите		E0	Олейнн	В дар	Квадран	Плоски	225	2,5 В.	0,5 мм	256	ВОЗДЕЛАН	125 ° С	-55 ° С	2,75 В.	2,25 В.	20			Н.Квалиирована	S-CQFP-F256								217 мг	1800 CLBS, 48000	Polewoй programmirueemый -mascivyworothet		48000	1800	1,4 млн	256	3,3 мм
		A42MX16-1PL84I	Microsemi Corporation		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0		3 (168 чASOW)			CMOS	4572 мм	В				29,3116 ММ	29,3116 ММ								Rabothototet pripripodaч 5 В			Сообщите	8542.39.00.01	E0	Олово/Свинен (SN/PB)	В дар	Квадран	J Bend	225	3,3 В.	1,27 ММ	84	Промлэнно	85 ° С	-40 ° С	3,6 В.	3В	30			Н.Квалиирована	S-PQCC-J84								108 мг	1232 CLBS, 24000	Polewoй programmirueemый -mascivyworothet	1232	24000	1232	2,4 млн	84
		XQ6SLX75T-3FG484I	Xilinx		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0		3 (168 чASOW)			CMOS		В												3A991.d				not_compliant	8542.39.00.01	E0	Olovo/strineц (sn63pb37)	В дар	Униджин	М	225		1 ММ							30	Проэгриммир	1,21,2/3,32,5/3,3 В.	Н.Квалиирована	S-PBGA-B484					268		268	862 мг		Polewoй programmirueemый -mascivyworothet	74637				484
		XQ6SLX75T-3FGG676I	Xilinx		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0		3 (168 чASOW)			CMOS		ROHS COMPRINT												3A991.d				Сообщите	8542.39.00.01	E1	Olovo/serebro/mmedion (sn96.5ag3.0cu0.5)	В дар	Униджин	М	250		1 ММ							30	Проэгриммир	1,21,2/3,32,5/3,3 В.	Н.Квалиирована	S-PBGA-B676					348		348	862 мг		Polewoй programmirueemый -mascivyworothet	74637				676
		Xq6vlx240t-2ffg1156i	Xilinx		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0		4 (72 чACA)			CMOS	3,53 мм	ROHS COMPRINT				35 ММ	35 ММ							3A991.d				Сообщите	8542.39.00.01	E1	Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu)	В дар	Униджин	М	245	1V	1 ММ					1,05	0,95 В.	30	Проэгриммир	1V	Н.Квалиирована	S-PBGA-B1156					600		600	1286 Мг	18840 CLBS	Polewoй programmirueemый -mascivyworothet	241000		18840	0,67 м	1156
		Xq6vlx240t-l1ffg1156i	Xilinx		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0		4 (72 чACA)			CMOS		ROHS COMPRINT																Сообщите		E1	Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu)	В дар	Униджин	М		0,9 В.	1 ММ								Проэгриммир	0,9 В.	Н.Квалиирована	S-PBGA-B1156					600		600	1098 мг		Polewoй programmirueemый -mascivyworothet	241000				1156
		XQ6SLX150T-3CS484I	Xilinx		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0		3 (168 чASOW)			CMOS		В												3A991.d				Сообщите	8542.39.00.01	E0	Олейнн	В дар	Униджин	М	240		0,8 мм							30	Проэгриммир	1,21,2/3,32,5/3,3 В.	Н.Квалиирована	S-PBGA-B484					296		296	862 мг		Polewoй programmirueemый -mascivyworothet	147443				484
		XC7K410T-1FF676C	Xilinx		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0					CMOS		В																Сообщите				В дар	Униджин	М			1 ММ								Проэгриммир	11.83.3V	Н.Квалиирована	S-PBGA-B676					400		400	1818 МАГ		Polewoй programmirueemый -mascivyworothet	406720				676
		XQ6VLX130T-L1FFG1156I	Xilinx		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0		4 (72 чACA)			CMOS		ROHS COMPRINT																Сообщите		E1	Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu)	В дар	Униджин	М		0,9 В.	1 ММ								Проэгриммир	0,9 В.	Н.Квалиирована	S-PBGA-B1156					600		600	1098 мг		Polewoй programmirueemый -mascivyworothet	128000				1156
		Xq4vlx100-11ff1148i	Xilinx		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0					CMOS		В																Сообщите	8542.39.00.01			В дар	Униджин	М			1 ММ								Проэгриммир	1,21,2/3,32,5.	Н.Квалиирована	S-PBGA-B1148					768		768	1205 мг		Polewoй programmirueemый -mascivyworothet	110592				1148
		XQ6VLX130T-2FFG1156I	Xilinx		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0		4 (72 чACA)			CMOS	3,53 мм	ROHS COMPRINT				35 ММ	35 ММ							3A991.d				Сообщите	8542.39.00.01	E1	Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu)	В дар	Униджин	М	245	1V	1 ММ					1,05	0,95 В.	30	Проэгриммир	1V	Н.Квалиирована	S-PBGA-B1156					600		600	1286 Мг	10000 CLBS	Polewoй programmirueemый -mascivyworothet	128000		10000	0,67 м	1156
		XQ6SLX150T-3FGG676I	Xilinx		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0		3 (168 чASOW)			CMOS		ROHS COMPRINT												3A991.d				Сообщите	8542.39.00.01	E1	Olovo/serebro/mmedion (sn96.5ag3.0cu0.5)	В дар	Униджин	М	250		1 ММ							30	Проэгриммир	1,21,2/3,32,5/3,3 В.	Н.Квалиирована	S-PBGA-B676					396		396	862 мг		Polewoй programmirueemый -mascivyworothet	147443				676
		XQ6SLX75-L1CS484I	Xilinx		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0					CMOS		В																Сообщите				В дар	Униджин	М			0,8 мм								Проэгриммир	11,2/3,32,5/3,3 В.	Н.Квалиирована	S-PBGA-B484					328		328	500 мг		Polewoй programmirueemый -mascivyworothet	74637				484
		Xq4vlx80-11ff1148i	Xilinx		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0							В																Сообщите
		XQ2VP40-5FG676N	Xilinx		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0		3 (168 чASOW)			CMOS	2,6 мм	В	2011 год			27 ММ	27 ММ			25				3A001.A.2.C				Сообщите	8542.39.00.01	E0	Olovo/strineц (sn63pb37)	В дар	Униджин	М	225	1,5 В.	1 ММ	676	ВОЗДЕЛАН	125 ° С	-55 ° С	1575	1.425V	30	Проэгриммир	1,51,5/3,32/2,52,5.	Н.Квалиирована	S-PBGA-B676					416		416	1050 мг	4848 CLBS	Polewoй programmirueemый -mascivyworothet	43632		4848	0,36 м	676
		XQ6SLX150T-2CS484I	Xilinx		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0		3 (168 чASOW)			CMOS		В												3A991.d				Сообщите	8542.39.00.01	E0	Олейнн	В дар	Униджин	М	240		0,8 мм							30	Проэгриммир	1,21,2/3,32,5/3,3 В.	Н.Квалиирована	S-PBGA-B484					296		296	667 мг		Polewoй programmirueemый -mascivyworothet	147443				484
		Xq4vlx160-10ff1148i4154	Xilinx		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0
		XC7Z045-2FFV900I	Xilinx		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	Пефер		100 ° С	-40 ° С			ROHS COMPRINT									1,05	950 м				Далее, Секребро, олова																							Рука	272,5 кб	2	100 с		437200
		XC2V1500-4FF896C	Xilinx		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0		4 (72 чACA)	85 ° С	0 ° С	CMOS		ROHS COMPRINT			FCBGA	31 мм	31 мм	1,5 В.	896				не	Ear99			Не			E0	Olovo/strineц (sn63pb37)	В дар	Униджин	М	225	1,5 В.	1 ММ	896	Drugoй			1575		30	Проэгриммир	1,51,5/3,33,3 В.		S-PBGA-B896		108 кб	4		528	15360	528	650 мг	1920 CLBS, 1500000	Polewoй programmirueemый -mascivyworothet	17280	1500000	1920

| <
<
1
2
3
4
5
6
7
8
9
>
> |

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.