Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС драйверов ворот(7655)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Частота | Тип входа | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Количество водителей | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Аналоговая микросхема — другой тип | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Тип интерфейса микросхемы | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Задержка распространения | Ограничение пикового выходного тока. | Время включения | Время выключения | Время подъема/спада (типичное) | Напряжение питания1-ном. | Драйвер верхней стороны | Тип канала | Управляемая конфигурация | Тип ворот | Ток — пиковый выход (источник, приемник) | Напряжение на стороне повышенного напряжения — максимальное (начальная загрузка) | Логическое напряжение – ВИЛ, VIH |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2СД316ЭИ-17 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | -40°С~85°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | /files/powerintegrations-2sd316ei17-datasheets-3400.pdf | Модуль | 13 недель | 2 | 15 В | Полумост | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 18А 18А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4423CN | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | BCDMOS | Инвертирование | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-mic4425cn-datasheets-9604.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 | 2 | нет | неизвестный | 2 | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | 240 | 8 | 30 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДИП-Т8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 3А | 0,1 мкс | 0,1 мкс | 28нс 32нс | НЕТ | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 3А 3А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СД315АИ-33 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Масса | Не соответствует требованиям RoHS | 1999 год | /files/powerintegrations-2sd315ai33-datasheets-3404.pdf | Модуль | 8 недель | 2 | 15 В | Полумост | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 18А 18А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4420CN | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | BCDMOS | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-mic4429ct-datasheets-9692.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,525 мм | 7,62 мм | 8 | 1 | нет | 1 | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | 240 | 2,54 мм | 8 | 30 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДИП-Т8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 6А | 0,075 мкс | 0,075 мкс | 12нс 13нс | НЕТ | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 6А 6А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИХД260 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Коробка | 1 (без блокировки) | 1999 год | /files/powerintegrations-ihd260-datasheets-3408.pdf | Модуль 36-ДИП, 24 результата | 16 недель | 2 | 14 В~16 В | 100 нс 80 нс | Независимый | Полумост | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВЛА500К-01Р | Powerex Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°С~60°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | ГИБРИДНЫЙ | Неинвертирующий | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/powerexinc-vla500k01r-datasheets-3411.pdf | Модуль 30-SIP, 21 вывод | 21 | 18 недель | 1 | неизвестный | 1 | 14,2 В~15,8 В | 15 В | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | Не квалифицированный | 12А | 300 нс 300 нс | Одинокий | Низкая сторона | БТИЗ | 12А 12А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SC1405DISTRT | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | 1,68 мм | Соответствует RoHS | /files/semtechcorporation-sc1405distrt-datasheets-3341.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4875 мм | 3,93 мм | 14 | 2 | да | EAR99 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 4,5 В~6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | SC1405 | 14 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г14 | 3А | 14 нс 12 нс | ДА | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 3А 3А | 30В | 0,8 В 2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| TC4429IJA | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирование | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/microchiptechnology-tc4420eoa-datasheets-8497.pdf | 8-ЦДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | Без свинца | 1,5 мА | 8 | 6 недель | 8 | 1 | нет | EAR99 | Нет | 1 | 3мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 800мВт | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | 2,54 мм | TC4429 | 8 | 800мВт | Драйверы МОП-транзисторов | 6А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 100 пс | 35 нс | 35 нс | 75 нс | 6А | 25 нс 25 нс | ДА | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 6А 6А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||
| ИГД616IC1 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Поднос | Инвертирование | Соответствует RoHS | /files/powerintegrations-igd616nt1-datasheets-3331.pdf | Модуль 36-ДИП, 24 результата | 1 | 14 В~16 В | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР IGBT | 100 нс 80 нс | Одинокий | Верхняя сторона или нижняя сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SC1302AIMSTRT | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | БИПОЛЯРНЫЙ | Инвертирующий, Неинвертирующий | 1,1 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/semtechcorporation-sc1302bimstrt-datasheets-3210.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 8 | 8 | 2 | да | EAR99 | 2 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 4,5 В~16,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 12 В | 0,65 мм | SC1302 | 8 | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | Не квалифицированный | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 1,6А | 0,07 мкс | 0,06 мкс | 20 нс 20 нс | НЕТ | Независимый | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 1,6 А 1,6 А | 0,8 В 2 В | |||||||||||||||||||||||||
| MCP14A1201T-E/МНИВАО | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | Инвертирование | 0,8 мм | /files/microchiptechnology-mcp14a1201esn-datasheets-1695.pdf | 8-WFDFN Открытая площадка | 3 мм | 2 мм | 8 | 1 | совместимый | 1 | ДА | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 0,5 мм | Р-ПДСО-Н8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 25 нс 25 нс | НЕТ | Одинокий | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 12А 12А | 0,8 В 2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXBF14N250 | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | i4-Pac™-5 (3 отверстия) | 14 недель | IXB*14N250 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC4427AVOA-ВАО | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | /files/microchiptechnology-tc4427acoa-datasheets-8174.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,91 мм | 8 | 2 | 2 | ДА | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | TC4427A | Р-ПДСО-Г8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 1,5 А | 0,05 мкс | 0,05 мкс | 25 нс 25 нс | ДА | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX5048BAUT+TW | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 | Соответствует RoHS | да | совместимый | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИХД260НТ1 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Поднос | Неинвертирующий | /files/powerintegrations-ihd660ic2-datasheets-3278.pdf | Модуль 36-ДИП, 24 результата | 9 недель | 2 | 14 В~16 В | 100 нс 80 нс | Независимый | Полумост | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1SD418F2-FX800R33KF1 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | -40°С~85°С ТА | Коробка | 1 (без блокировки) | 2016 год | /files/powerintegrations-1sd418f2fx800r33kf1-datasheets-3350.pdf | Модуль | 1 | 14,5 В~15,5 В | 100 нс 100 нс | Одинокий | Полумост | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4605-1YMVAO | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Трубка | Неинвертирующий | /files/microchiptechnology-mic46052ymtr-datasheets-3264.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 5,5 В~16 В | 20 нс 20 нс | Независимый | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1А 1А | 108В | 0,8 В 2,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SC1311BSTRT | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SC1210STRT | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~125°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 9В~15В | 8-СОИК | 15 нс 10 нс | синхронный | Верхняя сторона и нижняя сторона | N-канальный МОП-транзистор | 0,8 В 2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IX4424G | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | КМОП/ТТЛ | /files/ixysintegratedcircuitsdivision-ix4424g-datasheets-3359.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 2 | 4,5 В~35 В | 8-ДИП | 18нс 18нс | Независимый | Низкая сторона | БТИЗ | 3А 3А | 0,8 В 3 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC4428AEJA | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирующий, Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/microchiptechnology-tc4427acoa-datasheets-8174.pdf | 8-ЦДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 4,5 мА | 8 | 10 недель | 8 | 2 | нет | EAR99 | Нет | 2 | 4,5 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 800мВт | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | TC4428A | 8 | 800мВт | Драйверы МОП-транзисторов | 1,5 А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 50 нс | 30 нс | 30 нс | 50 нс | 1,5 А | 0,06 мкс | 0,04 мкс | 25 нс 25 нс | НЕТ | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||
| ИХД660ИТ1 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Поднос | Инвертирование | /files/powerintegrations-ihd660ic2-datasheets-3278.pdf | Модуль 36-ДИП, 24 результата | 2 | 14 В~16 В | 100 нс 80 нс | Независимый | Полумост | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC4627MJA | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 МГц | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/microchiptechnology-tc4627cpa-datasheets-8683.pdf | 8-ЦДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | 8 | 1 | да | EAR99 | 1 | 2,5 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 800мВт | 4В~6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 5В | 2,54 мм | TC4627 | 8 | НЕ УКАЗАН | 800мВт | Драйверы МОП-транзисторов | 5В | Не квалифицированный | 1,5 А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 40 нс | 35 нс | 55 нс | 1,5 А | 0,06 мкс | 0,07 мкс | 33 нс 27 нс | ДА | Одинокий | Верхняя сторона или нижняя сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||
| ИГД616ИТ1 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Поднос | Инвертирование | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/powerintegrations-igd616nt1-datasheets-3331.pdf | Модуль 36-ДИП, 24 результата | 7 недель | 1 | 14 В~16 В | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР IGBT | 100 нс 80 нс | Одинокий | Верхняя сторона или нижняя сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 98-0176ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP14A1202T-E/МНИВАО | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | Неинвертирующий | 0,8 мм | /files/microchiptechnology-mcp14a1201esn-datasheets-1695.pdf | 8-WFDFN Открытая площадка | 3 мм | 2 мм | 8 | 1 | совместимый | 1 | ДА | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 0,5 мм | Р-ПДСО-Н8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 25 нс 25 нс | НЕТ | Одинокий | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 12А 12А | 0,8 В 2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 98-0086ПБФ | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 2 (1 год) | Соответствует ROHS3 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВЛА542-11Р | Powerex Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | /files/powerexinc-vla54211r-datasheets-3338.pdf | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SC531ULTRT | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~115°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Инвертирование | 0,6 мм | Соответствует RoHS | 28-UFQFN Открытая площадка | 4 мм | 4 мм | 28 | 3 | 1 | ДА | 3,15 В~3,46 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,4 мм | Драйверы МОП-транзисторов | Не квалифицированный | S-XQCC-N28 | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | 10 нс 5 нс | 8В | 3-фазный | Низкая сторона | П-канальный МОП-транзистор | 2А 4А | 0,8 В 2,1 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP14A1201T-E/МСВАО | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | Инвертирование | /files/microchiptechnology-mcp14a1201esn-datasheets-1695.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 8 | 1 | совместимый | 1 | ДА | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 0,65 мм | С-ПДСО-G8 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 25 нс 25 нс | НЕТ | Одинокий | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 12А 12А | 0,8 В 2 В |
