| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Тип входа | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Количество водителей | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Аналоговая микросхема — другой тип | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Тип микросхемы интерфейса | Выходной ток | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Задержка распространения | Количество выходов | Ограничение пикового выходного тока. | Встроенная защита | Управление выходного тока | Время включения | Время выключения | Время подъема/спада (типичное) | Драйвер верхней стороны | Тип канала | Управляемая конфигурация | Тип ворот | Ток — пиковый выход (источник, приемник) | Напряжение на стороне повышенного напряжения — максимальное (начальная загрузка) | Логическое напряжение – ВИЛ, VIH |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRS26320C | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1SD312F2-CM900HB-90H | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | -40°С~85°С ТА | Масса | Непригодный | 2016 год | /files/powerintegrations-1sd312f2cm900hb90h-datasheets-2903.pdf | Модуль | 13 недель | 1 | 15,5 В~16,8 В | 100 нс 100 нс | Одинокий | Полумост | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 12А 12А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5962-8850302ПА | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°С~125°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП/ТТЛ | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/maximintegrated-59628850302pa-datasheets-2839.pdf | 8-ЦДИП (0,300, 7,62 мм) | 8мА | 8 | 24 недели | 8 | 2 | нет | EAR99 | не_совместимо | 2 | 12 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 640мВт | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | 240 | 8 | 20 | Драйверы МОП-транзисторов | Не квалифицированный | 1,5 А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 1,5 А | 60нс | 40 нс | 1,5 А | 0,06 мкс | 60 нс 40 нс | НЕТ | Независимый | Низкая сторона | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||
| EB01-FS150R17KE3G | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 2016 год | /files/powerintegrations-eb01fs150r17ke3g-datasheets-2912.pdf | Модуль | БТИЗ | 1200В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX5062CASA-T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | БИКМОС | Неинвертирующий | 1,68 мм | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/maximintegrated-max5858aecmd-datasheets-5095.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Открытая площадка | 4,89 мм | 3,9 мм | 8 | 2 | нет | EAR99 | не_совместимо | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДА | 8 В~12,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 12 В | МАКС5062 | 8 | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г8 | 2А | 0,063 мкс | 0,063 мкс | 65нс 65нс | ДА | Независимый | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 125 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| SC1302FSTRT | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | БИПОЛЯРНЫЙ | Инвертирующий, неинвертирующий | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8,1 мА | 8 | 8 | 2 | да | EAR99 | 2 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | 4,5 В~16,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 12 В | SC1302 | 8 | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | Не квалифицированный | 2А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 1,6А | 0,07 мкс | 0,06 мкс | 20 нс 20 нс | НЕТ | Независимый | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 0,8 В 2 В | ||||||||||||||||||||||||||
| EB01-FS150R12KE3G | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/powerintegrations-eb01fs150r12ke3g-datasheets-2850.pdf | Модуль | БТИЗ | 800В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РТ7021АГС | Ричтек США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/richtekusainc-rt7021bgs-datasheets-2739.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 недель | 2 | 13 В~20 В | 8-СОП | 70 нс 35 нс | Независимый | Верхняя сторона или нижняя сторона | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 300 мА 600 мА | 600В | 0,8 В 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФАН7085MX_SN00036 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Трубка | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EB01-FS225R12KE3 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 2016 год | /files/powerintegrations-eb01fs225r12ke3-datasheets-2926.pdf | Модуль | 13 недель | БТИЗ | 800В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRS53365DC | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2016 год | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRS21851C | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXZ631DF18N50 | ИКСИС-РФ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | 10-СМД, плоский вывод | 10 недель | 1 | да | 8В~18В | 3,4 нс 1,65 нс | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 95А 95А | 500В | 0,8 В 3,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EDN8511BXTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Инвертирующий, неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/infineontechnologies-1edn8511bxusa1-datasheets-8797.pdf | СОТ-23-6 | 1 | EAR99 | 4,5 В~20 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 6,5 нс 4,5 нс | Одинокий | Полумост, Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 4А 8А | 1,2 В 1,9 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NCP5109BMNTWG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/onsemiconductor-ncp5109adr2g-datasheets-3855.pdf | 10-ВФДФН Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 10 | 4 недели | 2 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 1 | ДА | 10 В~20 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 15 В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | С-ПДСО-Н10 | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,17 мкс | 0,17 мкс | 85 нс 35 нс | Независимый | Полумост | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 250 мА 500 мА | 200В | 0,8 В 2,3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| АУИРС20302СТР | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/infineontechnologies-auirs20302s-datasheets-2101.pdf | 28-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | Без свинца | 17 недель | 28 | 6 | EAR99 | Нет | 120 мкА | 24 В~150 В | 350 мА | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 850 нс | 300 нс | 75 нс | 850 нс | 3 | 100 нс 35 нс | 3-фазный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 200 мА 350 мА | 200В | 0,7 В 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SC530AULTRT | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | 28 | СК530 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EDN7511BXTSA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Инвертирующий, неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/infineontechnologies-1edn8511bxusa1-datasheets-8797.pdf | СОТ-23-6 | 1 | EAR99 | 4,5 В~20 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | Одинокий | Низкая сторона | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 4А 8А | 1,2 В 1,9 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC4428DCOA | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 150°С, ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Инвертирующий, неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/microchiptechnology-tc4428coa713-datasheets-4848.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 2 | 4,5 В~18 В | TC4428 | 8-СОИК | 19нс 19нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXDN604WW | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2 | 4,5 В~35 В | 9нс 8нс | Независимый | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 4А 4А | 0,8 В 3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2СД315АИ-25 | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВЕСЫ™-1 | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Масса | Непригодный | 1999 год | /files/powerintegrations-2sd315ai25-datasheets-2768.pdf | Модуль | 2 | 15 В | Полумост | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 18А 18А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФАН3182MX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 230,4 мг | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRS2109C | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SC530ATETRT | Корпорация Семтек | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | СК530 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTCW4A01PZ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NCP81063MNTXG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Соответствует RoHS | 2017 год | /files/onsemiconductor-ncp81063mntxg-datasheets-2815.pdf | 8-ВФДФН Открытая площадка | 4 недели | 1 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | е3 | Олово (Вс) | 4,5 В~13,2 В | НЕ УКАЗАН | ДВЕ КЛЕММЫ Опорного напряжения | НЕ УКАЗАН | 30 нс 27 нс | синхронный | Верхняя сторона или нижняя сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 2,5 А 1,6 А | 0,7 В 3,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IX4340NETR | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Открытая площадка | 2 | EAR99 | 5 В~20 В | 260 | 30 | ДРАЙВЕР МОП-транзистора на основе NAND-затвора | 7нс 7нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 5А 5А | 0,8 В 2,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NCP5901GMNTBG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | 8-ВФДФН Открытая площадка | 2 | 4,5 В~13,2 В | 16 нс 11 нс | синхронный | Полумост | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 35В | 1В 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6ЭДМ2003Л06Ф06С1СА1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 25 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRS26320JTRPBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/infineontechnologies-irs26320jpbf-datasheets-2729.pdf | 6 | 12 В~20 В | 44-PLCC | 3-фазный | Полумост | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 200 мА 350 мА | 600В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.