Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС драйверов ворот(7655)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Тип входа | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Количество водителей | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Количество вариантов | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Подкатегория | Выходная полярность | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Входные характеристики | Тип интерфейса микросхемы | Выходное напряжение | Выходной ток | Включить время задержки | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Задержка распространения | Количество выходов | Сегодняшний день | Ограничение пикового выходного тока. | Встроенная защита | Время включения | Время выключения | Время подъема/спада (типичное) | Драйвер верхней стороны | Тип канала | Выходные характеристики | Управляемая перемена | Тип ворот | Ток — пиковый выход (источник, приемник) | Напряжение на стороне повышенного напряжения — максимальное (начальная загрузка) | Логическое напряжение – ВИЛ, VIH |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| МД1812К6-Г | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -25°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100 кГц | 7мА | Неинвертирующий | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | /files/microchiptechnology-md1812k6g-datasheets-9877.pdf | 16-VQFN Открытая колодка | 16 | 7 недель | 57,09594 мг | 16 | 4 | EAR99 | 1 | 7мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 2,2 Вт | 4,5 В~13 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 12 В | 0,65 мм | МД1812 | 40 | 2,2 Вт | Не квалифицированный | 2А | И ДРАЙВЕР МОП-транзистора на основе затвора | 6нс | 6 нс | 7 нс | 2А | 6нс 6нс | ДА | Независимый | Полумост | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 0,3 В 1,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX4420CSA+T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 1996 год | /files/maximintegrated-max4420csa-datasheets-9198.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 1,5 мА | 8 | 6 недель | 8 | 1 | да | EAR99 | Нет | 1 | 1,5 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 471 МВт | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 18В | МАКС4420 | 8 | 30 | Драйверы МОП-транзисторов | 6А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 30 нс | 30 нс | 6А | 25 нс 25 нс | НЕТ | Одинокий | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 6А 6А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC4404EOA713 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирование | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-tc4405eoa-datasheets-0794.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 15 В | Без свинца | 4,5 мА | 8 | 17 недель | 8 | 2 | да | EAR99 | Нет | 2 | 4,5 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 470мВт | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | TC4404 | 8 | 40 | 470мВт | Драйверы МОП-транзисторов | 1,5 А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 50 нс | 30 нс | 30 нс | 50 нс | 1,5 А | 0,04 мкс | 0,06 мкс | 40 нс 40 нс Макс. | ДА | Независимый | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ХИП2100ИРЗ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Трубка | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | 1 мм | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-hip2100eibz-datasheets-7987.pdf | 16-VQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 16 | 8 недель | 2 | EAR99 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 9В~14В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 12 В | 0,8 мм | ХИП2100 | 16 | НЕ УКАЗАН | S-PQCC-N16 | 0,045 мкс | 0,045 мкс | 10 нс 10 нс | ДА | Независимый | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 114В | 4В 7В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL6614ACBZ-T | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~125°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl6614acbz-datasheets-8536.pdf | 14-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 7 недель | 4 | EAR99 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 10,8 В~13,2 В | ISL6614A | 14 | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC4431COA713 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирование | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/microchiptechnology-tc4432eoa-datasheets-8894.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 4мА | 8 | 9 недель | 8 | 1 | да | EAR99 | Нет | 1 | 4мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 470мВт | 4,5 В~30 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | TC4431 | 8 | 40 | 470мВт | Драйверы МОП-транзисторов | 4,5/30 В | 1,5 А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 90 нс | 40 нс | 50 нс | 90 нс | 3А | 25 нс 33 нс | ДА | Одинокий | Верхняя сторона или нижняя сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL6622CRZ | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°C~125°C ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl6622crzt-datasheets-8118.pdf | 10-ВФДФН Открытая площадка | 14 недель | 2 | EAR99 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 6,8 В~13,2 В | ISL6622 | 10 | И ДРАЙВЕР МОП-транзистора на основе затвора | 26 нс 18 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 1,25 А 2 А | 36В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRS21834PBF | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирующий, Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 1996 год | /files/infineontechnologies-irs2183spbf-datasheets-8839.pdf | 14-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 20,19 мм | 5,33 мм | 7,11 мм | Без свинца | 1,6 мА | 14 | 12 недель | Нет СВХК | 14 | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 1,6 мА | 1,6 Вт | 10 В~20 В | ДВОЙНОЙ | 15 В | IRS21834PBF | 1,6 Вт | Драйверы МОП-транзисторов | 15 В | 2,3А | 1,9 А | 180 нс | 60нс | 35 нс | 220 нс | 330 нс | 1,9 А | ПЕРЕХОДНЫЙ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | 0,33 мкс | 40 нс 20 нс | Независимый | Полумост | БТИЗ, Н-канальный МОП-транзистор | 1,9 А 2,3 А | 600В | 0,8 В 2,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC4405CPA | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microchiptechnology-tc4405eoa-datasheets-0794.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 10,16 мм | 4,06 мм | 6,6 мм | 15 В | Без свинца | 4,5 мА | 8 | 7 недель | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | Нет | 2 | 4,5 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 730мВт | 4,5 В~18 В | TC4405 | 8 | Двойной | 730мВт | Драйверы МОП-транзисторов | 1,5 А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 50 нс | 30 нс | 30 нс | 50 нс | 2 | 1,5 А | 0,04 мкс | 0,06 мкс | 40 нс 40 нс Макс. | ДА | Независимый | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXDN614SITR | IXYS / Литтелфус | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Открытая площадка | Без свинца | 8 недель | 35В | 4,5 В | 8 | 1 | 4,5 В~35 В | 8-СОИК-ЭП | 14А | 35 нс | 25 нс | 70 нс | 1 | 25 нс 18 нс | Одинокий | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 14А 14А | 0,8 В 3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL2111AR4Z-T | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Неинвертирующий | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/renesaselectronicsamericainc-isl2111abz-datasheets-9283.pdf | 12-ВФДФН Открытая площадка | 4 мм | 4 мм | 12 | 6 недель | 2 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 8В~14В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 12 В | 0,5 мм | ИСЛ2111 | 12 | НЕ УКАЗАН | 0,06 мкс | 0,06 мкс | 9 нс 7,5 нс | ДА | Независимый | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 3А 4А | 114В | 1,4 В 2,2 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL78420АВЕЗ-Т | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -55°C~150°C, ТиДжей | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/renesaselectronicsamemericainc-isl78420avezt7a-datasheets-8814.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) Открытая колодка | 17 недель | 2 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 8В~14В | НЕ УКАЗАН | 14 | НЕ УКАЗАН | 10 нс 10 нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2А 2А | 114В | 1,8 В 4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC4404CPA | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирование | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microchiptechnology-tc4405eoa-datasheets-0794.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 10,16 мм | 4,06 мм | 6,6 мм | 15 В | Без свинца | 4,5 мА | 8 | 7 недель | 8 | 2 | да | EAR99 | Нет | 2 | 4,5 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 730мВт | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | TC4404 | 8 | 1 | 730мВт | Драйверы МОП-транзисторов | 1,5 А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 50 нс | 30 нс | 30 нс | 50 нс | 1,5 А | 0,04 мкс | 0,06 мкс | 40 нс 40 нс Макс. | ДА | Независимый | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL2111BR4Z-T | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Неинвертирующий | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/renesaselectronicsamericainc-isl2111abz-datasheets-9283.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 4 мм | 4 мм | 8 | 19 недель | 2 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 8В~14В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 12 В | 0,8 мм | ИСЛ2111 | 8 | НЕ УКАЗАН | С-ПДСО-Н8 | 0,06 мкс | 0,06 мкс | 9 нс 7,5 нс | ДА | Независимый | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 3А 4А | 114В | 1,4 В 2,2 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC4424AVOE713 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/microchiptechnology-tc4423avpa-datasheets-8445.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 7,5 мм | 2мА | 16 | 12 недель | 16 | 2 | да | EAR99 | 2 | 1 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 1,1 Вт | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | TC4424A | 16 | 40 | 1,1 Вт | Драйверы МОП-транзисторов | 4,5/18 В | Не квалифицированный | 4,5 А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 48 нс | 21нс | 21 нс | 48 нс | 3А | 12нс 12нс | ДА | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 4,5 А 4,5 А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LTC4442IMS8E-1#TRPBF | Линейные технологии / Аналоговые устройства | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Неинвертирующий | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/lineartechnologyanalogdevices-ltc4442ims8epbf-datasheets-9332.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) Открытая колодка | 3 мм | 3 мм | 8 | 26 недель | 2 | EAR99 | ТАКЖЕ МОЖЕТ РАБОТАТЬ С 5 В. | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 6 В~9,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 7В | 0,65 мм | LTC4442 | 8 | 30 | Драйверы МОП-транзисторов | 7В | Не квалифицированный | С-ПДСО-G8 | 2,4А | 12 нс 8 нс | ДА | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2,4 А 2,4 А | 42В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL89164FBEAZ-T | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Инвертирование | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl89165fbebz-datasheets-8248.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) Открытая площадка | 7 недель | 2 | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | 4,5 В~16 В | НЕ УКАЗАН | ISL89164 | 8 | НЕ УКАЗАН | И ДРАЙВЕР МОП-транзистора на основе затвора | 20 нс 20 нс | Независимый | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 6А 6А | 1,22 В 2,08 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC4425VOE713 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирующий, Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/microchiptechnology-tc4424cpa-datasheets-8662.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 7,49 мм | Без свинца | 2,5 мА | 16 | 7 недель | 16 | 2 | да | EAR99 | Нет | 2 | 2,5 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 470мВт | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | TC4425 | 16 | 40 | 470мВт | Драйверы МОП-транзисторов | 4,5/18 В | 3А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 75 нс | 35 нс | 35 нс | 75 нс | 3А | 0,1 мкс | 0,1 мкс | 23 нс 25 нс | ДА | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 3А 3А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC4404COA713 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | Инвертирование | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-tc4405eoa-datasheets-0794.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 15 В | Без свинца | 4,5 мА | 8 | 17 недель | 8 | 2 | да | EAR99 | Нет | 2 | 4,5 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 470мВт | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | TC4404 | 8 | 40 | 470мВт | Драйверы МОП-транзисторов | 1,5 А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 50 нс | 30 нс | 30 нс | 50 нс | 1,5 А | 0,04 мкс | 0,06 мкс | 40 нс 40 нс Макс. | ДА | Независимый | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC4425COE713 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирующий, Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/microchiptechnology-tc4424cpa-datasheets-8662.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 7,49 мм | Без свинца | 2,5 мА | 16 | 7 недель | 16 | 2 | да | EAR99 | Нет | 2 | 2,5 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 470мВт | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | TC4425 | 16 | 40 | 470мВт | Драйверы МОП-транзисторов | 4,5/18 В | 3А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 35 нс | 35 нс | 75 нс | 3А | 0,1 мкс | 0,1 мкс | 23 нс 25 нс | ДА | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 3А 3А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL6615AIBZ-T | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl6615aibz-datasheets-8474.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 13 недель | 2 | EAR99 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 6,8 В~13,2 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 12 В | ISL6615 | 8 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г8 | И ДРАЙВЕР МОП-транзистора на основе затвора | 6А | 13 нс 10 нс | ДА | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2,5 А 4 А | 36В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL6596IRZ-T | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl6596irz-datasheets-7127.pdf | 10-ВФДФН Открытая площадка | 15 недель | 2 | EAR99 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 4,5 В~5,5 В | НЕ УКАЗАН | ISL6596 | 10 | НЕ УКАЗАН | 8нс 8нс | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | - 4А | 36В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC4405COA713 | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-tc4405eoa-datasheets-0794.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 15 В | Без свинца | 4,5 мА | 17 недель | 18В | 4,5 В | 8 | 2 | Нет | 4,5 мА | 470мВт | 4,5 В~18 В | TC4405 | 470мВт | 8-СОИК | 1,5 А | 50 нс | 30 нс | 30 нс | 50 нс | 2 | 40 нс 40 нс Макс. | Независимый | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISL6615IRZ-T | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Неинвертирующий | 1 мм | Соответствует ROHS3 | /files/renesaselectronicsamericainc-isl6615irz-datasheets-9471.pdf | 10-ВФДФН Открытая площадка | 3 мм | 3 мм | 10 | 6 недель | 2 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | 6,8 В~13,2 В | ДВОЙНОЙ | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 12 В | 0,5 мм | ISL6615 | 10 | НЕ УКАЗАН | С-ПДСО-Н10 | 13 нс 10 нс | ДА | синхронный | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 2,5 А 4 А | 36В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC4404COA | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | Инвертирование | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/microchiptechnology-tc4405eoa-datasheets-0794.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 15 В | Без свинца | 4,5 мА | 8 | 17 недель | 8 | 2 | да | EAR99 | Нет | 2 | 4,5 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 470мВт | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | TC4404 | 8 | 40 | 470мВт | Драйверы МОП-транзисторов | 1,5 А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 50 нс | 30 нс | 30 нс | 50 нс | 1,5 А | 0,04 мкс | 0,06 мкс | 40 нс 40 нс Макс. | ДА | Независимый | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 1,5 А 1,5 А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC4425VOE | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Инвертирующий, Неинвертирующий | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/microchiptechnology-tc4424cpa-datasheets-8662.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 7,49 мм | Без свинца | 2,5 мА | 16 | 7 недель | 16 | 2 | да | EAR99 | Нет | 2 | 2,5 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 470мВт | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | TC4425 | 16 | 40 | 470мВт | Драйверы МОП-транзисторов | 4,5/18 В | 3А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 75 нс | 35 нс | 35 нс | 75 нс | 3А | 0,1 мкс | 0,1 мкс | 23 нс 25 нс | ДА | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 3А 3А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LM5101ASDX | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Неинвертирующий | Не соответствует требованиям RoHS | 10-WDFN Открытая площадка | 4 мм | 800 мкм | 4 мм | Содержит свинец | 10 | 10 | NRND (Последнее обновление: 6 дней назад) | 750 мкм | EAR99 | Нет | 1 | 2мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 9В~14В | ДВОЙНОЙ | 260 | 12 В | 0,8 мм | LM5101 | 10 | Драйверы МОП-транзисторов | истинный | 3А | 3А | 4 нс | 430 нс | 260 нс | 4 нс | 26 нс | 2 | 200 мкА | 3А | 0,056 мкс | 0,056 мкс | 430 нс 260 нс | ДА | Независимый | Полумост | N-канальный МОП-транзистор | 3А 3А | 118В | 2,3 В - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TC4423VOE | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,5 мА | Инвертирование | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/microchiptechnology-tc4424cpa-datasheets-8662.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 7,49 мм | Без свинца | 2,5 мА | 16 | 7 недель | 665,986997мг | 16 | 2 | да | EAR99 | Нет | 2 | е3 | Матовый олово (Sn) | 470мВт | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | TC4423 | 16 | 40 | 470мВт | Драйверы МОП-транзисторов | 4,5/18 В | 3А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 75 нс | 35 нс | 35 нс | 75 нс | 3А | 0,1 мкс | 0,1 мкс | 23 нс 25 нс | ДА | Независимый | Низкая сторона | N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 3А 3А | 0,8 В 2,4 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP14E4-E/МФ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Неинвертирующий | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2007 год | /files/microchiptechnology-mcp14e4esn-datasheets-8483.pdf | 8-ВДФН Открытая площадка | 5,99 мм | 4,9 мм | Без свинца | 2мА | 8 | 7 недель | 8 | 2 | да | EAR99 | Нет | 1 | 2мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 12 В | МСР14Е4 | 8 | 40 | Драйверы МОП-транзисторов | 4А | ПУШ-ПУЛЛЬНЫЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистора | 60 нс | 30 нс | 30 нс | 60 нс | 4А | 0,07 мкс | 0,07 мкс | 15 нс 18 нс | НЕТ | Независимый | Низкая сторона | IGBT, N-канальный, P-канальный МОП-транзистор | 4А 4А | 0,8 В 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4421AZN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°С~150°С ТДж | Трубка | 1 (без блокировки) | BCDMOS | Инвертирование | 3,43 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/microchiptechnology-mic4422aym-datasheets-0423.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,525 мм | 7,62 мм | Без свинца | 8 | 8 недель | 8 | 1 | EAR99 | 1 | 500 мкА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1478 Вт | 4,5 В~18 В | ДВОЙНОЙ | НЕПРИГОДНЫЙ | 2,54 мм | MIC4421 | НЕПРИГОДНЫЙ | 1478 Вт | ПЕРЕВЕРНУТЫЙ | Не квалифицированный | 9А | СТАНДАРТ | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 25мВ | 9А | 15 нс | 20 нс | 24 нс | 15 нс | 9А | 20 нс 24 нс | НЕТ | Одинокий | ТОТЕМНЫЙ ПОЛЮС | Низкая сторона | N-канальный МОП-транзистор | 9А 9А | 0,8 В 3 В |
