Gates & Inverters - Электронные компоненты Sourcing - Лучший агент электронных компонентов - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Gates & Inverters (12267)

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Упако Вернояж Тела Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Техниль PakeT / KORPUES Делина Шyrina Верна - PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD МЕСТОД УПАКОККИ Колист КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Napraheneee - posta Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Подкейгория Питания Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Смерть ЛОГИСКИЯ ТИП ИК Втипа Nagruзka emcostath Logiчeskayavy Колист Токпитания. ЛОГЕЕСКИЯ ТИП Maks i (ol) Проп. ЗAdErжKA@nom-sup ШMITTTTTTTTTT Я Колиствот Фуевшии Колист Колиствовов. SIDYSHIй В.С.Сота-макс
TC74VHC21-FT(EL) TC74VHC21-FT (EL) Torex Semiconductor Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Лю ROHS COMPRINT /files/toshiba-tc74vhc21ftel-datasheets-9103.pdf 14 Инициатор
TC7WZ32FK(T5LPAS,E TC7WZ32FK (T5LPAS, e Torex Semiconductor Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА ROHS COMPRINT /files/toshiba-tc7wz32fkt5lpase-datasheets-9136.pdf 8 Или
TC74LCX08FK(EL,K) TC74LCX08FK (EL, K) Torex Semiconductor Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Лю ROHS COMPRINT /files/toshiba-tc74lcx08fkelk-datasheets-6686.pdf 14 Инициатор
TC74HC00AP(P,F) TC74HC00AP (P, F) Torex Semiconductor Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Трубка ROHS COMPRINT /files/toshiba-tc74hc00appf-datasheets-9220.pdf 14 Не
TC7SZ08FU(TE85L,JF TC7SZ08FU (TE85L, JF Torex Semiconductor Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА ROHS COMPRINT /files/toshiba-tc7sz08fute85ljf-datasheets-0717.pdf 5 Инициатор
TC74HC133AP(F) TC74HC133AP (F) Torex Semiconductor Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА ROHS COMPRINT /files/toshiba-tc74hc133apf-datasheets-5930.pdf 16 Не
TC74VHC03FT(EK2,M) TC74VHC03FT (EK2, M) Torex Semiconductor Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Лю ROHS COMPRINT /files/toshiba-tc74vhc03ftek2m-datasheets-4247.pdf 14 Откргит Не
TC7S32FU(T5L,F,T) TC7S32FU (T5L, F, T) Torex Semiconductor Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Лю ROHS COMPRINT /files/toshiba-tc7s32fut5lft-datasheets-4245.pdf 5 Или
SN74LVC1G08DCKR SN74LVC1G08DCKR Тел $ 0,07
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 /storage/upload/sn74lvc1g08dckr.pdf
NL27WZU04DFT2 NL27WZU04DFT2 На то, чтобы $ 0,36
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS В 2 ММ 1,25 мм not_compliant 8542.39.00.01 Лю 2 E0 Olovo/strineц (sn80pb20) В дар Дон Крхлоп 240 1,8 В. 0,65 мм 6 ВОЗДЕЛАН 125 ° С -55 ° С 5,5 В. 1,65 В. 30 ВОЗОРТА 3,3 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G6 27 В Иртор 50pf 1 0,012 а 7 млн Не 11 млн 6 1,1 мм
NL37WZ04US NL37WZ04US На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS В 2,3 мм 2 ММ [obъekt obъekta] not_compliant 8542.39.00.01 Лю 3 E0 Olovo/strineц (sn80pb20) В дар Дон Крхлоп 240 1,8 В. 0,5 мм 8 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 5,5 В. 1,65 В. 30 ВОЗОРТА 3,3 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G8 37WZ Иртор 50pf 1 0,024 а 5 млн Не 10 млн 8 0,9 мм
NL17SZ04DFT2 NL17SZ04DFT2 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 (neograniчennnый) CMOS В 2 ММ 1,25 мм [obъekt obъekta] not_compliant 8542.39.00.01 Лю 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) В дар Дон Крхлоп 240 1,8 В. 0,65 мм 5 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 5,5 В. 1,65 В. 30 ВОЗОРТА 3,3 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G5 17sz Иртор 50pf 1 0,024 а 5,2 млн Не 12 млн 5 1,1 мм
MC74HC1G00DFT2 MC74HC1G00DFT2 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS В 2 ММ 1,25 мм [obъekt obъekta] not_compliant 8542.39.00.01 Лю 1 E0 Olovo/strineц (sn80pb20) В дар Дон Крхлоп 240 3В 0,65 мм 5 ВОЗДЕЛАН 125 ° С -55 ° С 6в 2в 30 ВОЗОРТА 2/6. Н.Квалиирована R-PDSO-G5 HC/UH Nand 50pf 2 0,002 а 35 м Не 155 м 5 1,1 мм
MC74VHC1G132DFT2 MC74VHC1G132DFT2 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 (neograniчennnый) CMOS В 2 ММ 1,25 мм [obъekt obъekta] not_compliant 8542.39.00.01 Лю 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) В дар Дон Крхлоп 240 3,3 В. 0,65 мм 5 ВОЗДЕЛАН 125 ° С -55 ° С 5,5 В. 2в 30 ВОЗОРТА 2/5,5. Н.Квалиирована R-PDSO-G5 AHC/VHC Nand 50pf 2 0,008 а 12,3 млн В дар 19,6 млн 5 1,1 мм
MC74VHC1G132DTT1 MC74VHC1G132DTT1 На то, чтобы $ 0,11
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS В 3 ММ 1,5 мм [obъekt obъekta] not_compliant 8542.39.00.01 Лю 1 E0 Olovo/strineц (sn80pb20) В дар Дон Крхлоп 240 3,3 В. 0,95 мм 5 ВОЗДЕЛАН 125 ° С -55 ° С 5,5 В. 2в 30 ВОЗОРТА 2/5,5. Н.Квалиирована R-PDSO-G5 AHC/VHC Nand 50pf 2 0,008 а 12,3 млн В дар 19,6 млн 5 1,1 мм
MC74VHC1GT08DFT1 MC74VHC1GT08DFT1 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 (neograniчennnый) CMOS В 2 ММ 1,25 мм [obъekt obъekta] not_compliant 8542.39.00.01 Лю 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) В дар Дон Крхлоп 240 3,3 В. 0,65 мм 5 ВОЗДЕЛАН 125 ° С -55 ° С 5,5 В. 3В 30 ВОЗОРТА 3.3/5. Н.Квалиирована R-PDSO-G5 AHC/VHC И -в 2 0,008 а 11 млн Не 16,5 млн 5 1,1 мм
NL27WZ04DTT1 NL27WZ04DTT1 На то, чтобы $ 0,19
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 (neograniчennnый) CMOS В 3 ММ 1,5 мм [obъekt obъekta] not_compliant 8542.39.00.01 Лю 2 E0 Олово/Свинен (SN/PB) В дар Дон Крхлоп 240 1,8 В. 0,95 мм 6 ВОЗДЕЛАН 125 ° С -55 ° С 5,5 В. 1,65 В. 30 ВОЗОРТА 3,3 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G6 27 В Иртор 50pf 1 0,024 а Не 11 млн 6 1,1 мм
NL27WZ14DFT2 NL27WZ14DFT2 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS В 2 ММ 1,25 мм [obъekt obъekta] not_compliant 8542.39.00.01 Лю 2 E0 Олово/Свинен (SN/PB) В дар Дон Крхлоп 240 2,5 В. 0,65 мм 6 ВОЗДЕЛАН 125 ° С -55 ° С 5,5 В. 2,3 В. 30 ВОЗОРТА 3,3 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G6 27 В Иртор 1 0,024 а В дар 9,1 м 6 1,1 мм
NL17SZ08DFT2 NL17SZ08DFT2 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 (neograniчennnый) CMOS В 2 ММ 1,25 мм not_compliant 8542.39.00.01 Лю 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) В дар Дон Крхлоп 240 1,8 В. 0,65 мм 5 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 5,5 В. 1,65 В. 30 ВОЗОРТА 3,3 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G5 LVC/LCX/Z. И -в 50pf 2 0,024 а 5,5 млн Не 12,7 млн 5 1,1 мм
NL27WZ08US NL27WZ08US На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 (neograniчennnый) CMOS В 2,3 мм 2 ММ [obъekt obъekta] Ear99 not_compliant 8542.39.00.01 Лю 2 E0 Олово/Свинен (SN/PB) В дар Дон Крхлоп 240 1,8 В. 0,5 мм 8 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 5,5 В. 1,65 В. 30 ВОЗОРТА 3,3 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G8 27 В И -в 50pf 2 0,024 а 5,2 млн Не 11 млн 8 0,9 мм
NL27WZ04DFT2 NL27WZ04DFT2 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 (neograniчennnый) CMOS В 2 ММ 1,25 мм [obъekt obъekta] not_compliant 8542.39.00.01 Лю 2 E0 Олово/Свинен (SN/PB) В дар Дон Крхлоп 240 1,8 В. 0,65 мм 6 ВОЗДЕЛАН 125 ° С -55 ° С 5,5 В. 1,65 В. 30 ВОЗОРТА 3,3 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G6 27 В Иртор 50pf 1 0,024 а Не 11 млн 6 1,1 мм
DM74S02N DM74S02N Fairchild Semiconductor Corp $ 0,17
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 В В 19,18 мм 7,62 мм 8542.39.00.01 4 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Не Дон СКВОХА Nukahan 5в 2,54 мм 14 Коммер 70 ° С 5,25 В. 4,75 В. Nukahan ВОЗОРТА 5в Н.Квалиирована R-PDIP-T14 Ст NvoROROTA 2 45 май 0,02 а 7,5 млн Не 7,5 млн 14 5,08 мм
MC74VHC1G14DTT1 MC74VHC1G14DTT1 На то, чтобы $ 0,17
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 74VHC ROHS COMPRINT Tsop-5 2В ~ 5,5 В. Иртор ШMITTTTTTTTTT 1 1
N74F08D,623 N74F08D, 623 Nxp poluprovoDonnyki $ 0,07
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 (neograniчennnый) В 1,75 мм ROHS COMPRINT 8,65 мм 3,9 мм Сообщите 8542.39.00.01 4 E4 Ngecely palladyй В дар Дон Крхлоп 260 5в 1,27 ММ 14 Коммер 70 ° С 5,5 В. 4,5 В. 30 Н.Квалиирована R-PDSO-G14 F/bыstro И -в 50pf 2 12,9 мая 6,6 млн 14
CD4049UB CD4049UB Fairchild Semiconductor Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 (neograniчennnый) CMOS 1,75 мм ROHS COMPRINT 9,9 мм 3,9 мм CMOS-TTL-PREVODSHIK НЕИ 8542.39.00.01 6 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Дон Крхлоп 260 5в 1,27 ММ 16 ВОЗДЕЛАН 125 ° С -55 ° С 15 3В Nukahan ВОЗОРТА 5/15 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G16 4000/14000/40000 Иртор 50pf 1 85 м Не 85 м 16
74AC04 74AC04 Fairchild Semiconductor Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 (neograniчennnый) CMOS 1,75 мм ROHS COMPRINT 8,6 ММ 3,9 мм ICON-PBFREE DA Ear99 Сообщите 8542.39.00.01 Жeleзnodoroжnый 6 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Дон Крхлоп Nukahan 3,3 В. 1,27 ММ 14 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 6в 2в Nukahan ВОЗОРТА 3.3/5. Н.Квалиирована R-PDSO-G14 Атмосфер Иртор 50pf 1 0,012 а 10 млн Не 10 млн 14
74AC32 74AC32 Fairchild Semiconductor Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 (neograniчennnый) CMOS 1,75 мм ROHS COMPRINT 8 625 мм 3,9 мм ICON-PBFREE DA Ear99 Сообщите 8542.39.00.01 Жeleзnodoroжnый 4 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Дон Крхлоп Nukahan 3,3 В. 1,27 ММ 14 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 6в 2в Nukahan ВОЗОРТА 3.3/5. Н.Квалиирована R-PDSO-G14 Атмосфер Илиором 50pf 2 0,012 а 10 млн Не 10 млн 14
74HCU04 74HCU04 Fairchild Semiconductor Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 (neograniчennnый) CMOS 1753 мм ROHS COMPRINT 8 6235 ММ 3,9 мм ICON-PBFREE DA Ear99 Сообщите 8542.39.00.01 6 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Дон Крхлоп 260 4,5 В. 1,27 ММ 14 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 6в 2в Nukahan ВОЗОРТА 2/6. Н.Квалиирована R-PDSO-G14 HC/UH Иртор 50pf 1 0,006 а 21 млн Не 103 м 14
74LVU04D,118 74LVU04D, 118 Nxp poluprovoDonnyki $ 0,04
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 (neograniчennnый) CMOS 1,75 мм ROHS COMPRINT 8,65 мм 3,9 мм Сообщите 8542.39.00.01 Лю 6 E4 Ngecely palladyй В дар Дон Крхлоп 260 3,3 В. 1,27 ММ 14 Автомобиль 125 ° С -40 ° С 5,5 В. 1V 30 ВОЗОРТА 3,3 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G14 LV/LV-A/LVX/H. Иртор 50pf 1 0,006 а 10 млн Не 17 млн 14
74AC14 74AC14 Fairchild Semiconductor Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 (neograniчennnый) CMOS 1,75 мм ROHS COMPRINT 8 625 мм 3,9 мм ICON-PBFREE DA Ear99 Сообщите 8542.39.00.01 Жeleзnodoroжnый 6 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Дон Крхлоп Nukahan 3,3 В. 1,27 ММ 14 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 6в 2в Nukahan ВОЗОРТА 3.3/5. Н.Квалиирована R-PDSO-G14 Атмосфер Иртор 50pf 1 0,012 а 15 млн В дар 15 млн 14
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список RFQ (0 пунктов)