Регуляторы линейного напряжения - электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

ReraTorыLINEHEGOGOGONAYNIP (75123)

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina СОУДНО ПРИОН Колист Верна - DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE КОД ECCN Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD МЕСТОД УПАКОККИ Колист МАКСИМАЛНА Терпимость КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Полаяня Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Posta Колист. Каналов Аналогово ТОГАНА Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Rugulyruemый porog Подкейгория Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Уровина Скринина МАКСИМАЛНГАН МАКСИМАЛНА Мон МИНА Обозначение Втипа Коеффихиэнт отклоньян Найналайно Колист Кргителнь ТОК В конце концов 1 В конце концов 2 NapryaжeNieee (мин) Napryaneeneeee (mmaks) Power Dissipation-Max ТИПРЕГУЛОТОРА МАКСИМАЛИНС Мин В конце Опрена ТОГОСТИЯ ВСЕГО На Leneйnыйrehulirowanie-maks (%/v) Rerhulyrueomostath ТОК - В.О. Naprayaneeee1-maks ТОЛЕРАНТНЯСК Naprayaneeege1 мин В конце концов Абсолютно-макс ВОЗДУЕТСКИЙ 1-МАКС Минатока Колиш Raboч-yemperatura tj-max Raboч-yemperatura tj-min ВОЗДУЕТСКИЙ 2-МАКС Ssslca naprayaeneee Ток -
TPS78618DCQG4 TPS78618DCQG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 2 (1 годы) 125 ° С -40 ° С Bicmos ROHS COMPRINT SOT-223 6,5 мм 1,6 ММ 3,5 мм СОДЕРИТС 6 6 в дар Ear99 Не 1 5,5 В. E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Poloshitelnый В дар Дон Крхлоп 260 6 3 % Rugie -reraytorы 1,5а 1,8 В. 2,7 В. 1,8 В. 305 м Зaikcyrovannnый 1 200 мк 1,8 В. 1,8 В. 1V 2 % 0,0058% 1,5а 2% 2.4a 310 мка
LT1763CS8-1.8#TR LT1763CS8-1.8#tr Analog Devices, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Лю 125 ° С -40 ° С 30 мк В ТАК СОДЕРИТС 8 20 1,8 В. 300 м 65 ДБ 1 1,8 В. 500 май 520 май 1
TA78L07S(F) TA78L07S (F) Toshiba
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 ROHS COMPRINT Создание 92 7в
TLE7270D Tle7270d Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер МАССА 1 (neograniчennnый) 150 ° С -40 ° С БИПОЛНА ROHS COMPRINT 252-5 6,22 мм СОДЕРИТС 4 5 Ear99 Не 1 42 E0 Олейнн Poloshitelnый Одинокий Крхлоп 240 4 2 % 30 Rugie -reraytorы R-PSSO-G4 800 май 5,5 В. 200 м Зaikcyrovannnый 1 5в 5в 0,2 В. 0,04% 0,02% 300 май 2% 320 май 20 мк
LP3986TL-3028 LP3986TL-3028 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Весели 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С CMOS 0,6 ММ ROHS COMPRINT 1,55 мм 1,55 мм СОДЕРИТС 8 8 не Ear99 Не 1 6в E0 Олейнн Poloshitelnый Униджин М 260 0,5 мм 8 2,5 % 40 2,7 В. Зaikcyrovannnый 2 130 мка 3В 2,8 В. 250 м 3В 0,15а 0,15а
LP8340ILD-ADJ LP8340ILD-ADJ Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 В Ear99 8542.39.00.01 6 Fikcyrovannnыйpoloshytelgnый rerahlaitro ldo
TPS76825QDRG4 TPS76825QDRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Пмос ROHS COMPRINT ДУМОВ 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 8 в дар Ear99 1 10 В E4 В дар Крхлоп 260 8 2 % Rugie -reraytorы 1A 2,5 В. 2,7 В. 2,5 В. 230 м Зaikcyrovannnый 1 80 мка 2,5 В. 904,15 м 2,5 В. 1V 1A 2% 1.2a 85 Мка
TK71733SCL-G TK71733SCL-G AKM Semiconductor, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT SOT-23-6 163 м 3,3 В. 200 май 280 май 1
MIC5203-5.0BM5TR MIC5203-5,0BM5TR Микл
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 125 ° С -40 ° С В SOT-23-5 СОДЕРИТС 5 300 м 5в 80 май 1
KD1084ADT25 KD1084ADT25 Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С БИПОЛНА ROHS COMPRINT Dpak 6,5 мм 2 3 Ear99 Не 1 12 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Poloshitelnый Одинокий Крхлоп 260 2,28 мм 3 1 % 30 Rugie -reraytorы R-PSSO-G2 5A 1,5 В. Зaikcyrovannnый 1 10 май 2,5 В. 2,5 В. 1,3 В. 0,02% 0,006% 5A 2% 5 май
MAX8877EUK42+ MAX8877EUK42+ МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 (neograniчennnый) 1,45 мм ROHS COMPRINT 2,9 мм 1625 мм 5 Pro в дар Ear99 Сообщите 8542.39.00.01 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Poloshitelnый В дар Дон Крхлоп Nukahan 0,95 мм Nukahan R-PDSO-G5 4,2 В. 2,5 В. 6,5 В. 4.284V 4.074V 0,15а 150 ° С
SPX2951ACS-L-5-0/TR SPX2951ACS-L-5-0/Tr Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Лю 125 ° С -40 ° С БИПОЛНА ROHS COMPRINT SOIC N. 4,9 мм 3,9 мм 8 8 в дар Ear99 1 30 E3 МАГОВОЙ Poloshitelnый Дон Крхлоп 260 8 40 Н.Квалиирована 2,4 В. 300 м Зaikcyrovannnый 1 170 мка 5в 5в 0,5 % 150 май
MIC2211-GSBMLTR MIC2211-GSBMLTR Микл $ 6,60
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 125 ° С -40 ° С В 2004 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/micrel-mic2211gsbmltr-datasheets-0726.pdf DFN СОДЕРИТС 10 120 м 3,3 В. 300 май 300 май 2
MAX6768TAWD4+ Max6768tawd4+ МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С Bicmos ROHS COMPRINT 3 ММ 3 ММ 8 8 в дар Ear99 Не 1 72 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Poloshitelnый Дон 260 14 0,65 мм 8 Автомобиль 4 1 САМЕМАПА В дар 4 Rerhulyruemый, Фиксированан 1 50 мк 1.9512W
TA78DL15S(Q) TA78DL15S (Q) Toshiba
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 ROHS COMPRINT СОУДНО ПРИОН
LP3986TL-2929 LP3986TL-2929 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 125 ° С -40 ° С CMOS 0,6 ММ ROHS COMPRINT 1,55 мм 1,55 мм СОДЕРИТС 8 8 не Ear99 Не 1 6в E0 Олейнн Poloshitelnый Униджин М 260 0,5 мм 8 2,5 % 40 2,7 В. Зaikcyrovannnый 2 130 мка 2,9 В. 2,9 В. 250 м 2,9 В. 0,15а 0,15а
SCY99076AR2G SCY99076AR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 ROHS COMPRINT
ISL78302ARNBZ-T ISL78302Arnbz-T Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Лю 3 (168 чASOW) 105 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2002 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl78302Arnbzt-datasheets-0716.pdf DFN 3 ММ 900 мкм 3 ММ 10 9 nedely 10 Ear99 Не Лю 6,5 В. E3 МАНЕВОВО Poloshitelnый Дон 0,5 мм 10 0,8 % Rugie -reraytorы 2,3 В. 300 м Зaikcyrovannnый 64db 1 47 Мка 3,3 В. 1,5 В. 1,5 В. 0,3 В. 300 май 320 май 2
MIC5249-2.6BMMTR MIC5249-2,6BMMTR Микл
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 125 ° С -40 ° С В MSOP СОДЕРИТС 8 340 м 2,6 В. 300 май 300 май 1
MAX882MJA Max882mja МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru МАССА 125 ° С -55 ° С 5,08 мм ROHS COMPRINT Постепок 7,62 мм 8 не Ear99 Не 1 11,5. E0 Олово/Свинен (SN/PB) Poloshitelnый Дон 225 2,54 мм 8 Rugie -reraytorы R-GDIP-T8 200 май 3В Rerhulyruemый, Фиксированан 1 30 мк 3,3 В. 640 м 0,64 В. 8,3% 0,34 ФИКСИРОВАНН/РОГУЛИРУЕМА 1,24
MIC5203-5.0BM4TR MIC5203-5,0BM4TR Микл $ 2,90
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 125 ° С -40 ° С В SOT-143 СОДЕРИТС 4 Poloshitelnый 2,5 В. 300 м 1 5в 3 % 80 май 1
MIC2214DIBMLTR Mic2214dibmltr Микл
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 125 ° С -40 ° С В 2005 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/micrel-mic2214dibmltr-datasheets-0711.pdf СОДЕРИТС 120 м 2,65 В. 300 май 300 май 2
LT1763CS8-1.8#PBF LT1763CS8-1.8#PBF Analog Devices, Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 125 ° С -40 ° С 30 мк ROHS COMPRINT SOIC 5 ММ 1,48 мм 3,99 мм СОУДНО ПРИОН НЕТ SVHC 8 Pro Не 20 Poloshitelnый 500 май 1,8 В. 300 м Зaikcyrovannnый 65 ДБ 1,8 В. 1 30 мк 1,8 В. 500 май 520 май 1
SPX29501T5-L-5-0/TR SPX29501T5-L-5-0/Tr Exar Corporation $ 0,79
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 3 (168 чASOW) БИПОЛНА ROHS COMPRINT 263 5 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Одинокий 1,7 ММ Rugie -reraytorы Н.Квалиирована 420 м 1 5в 5в 0,37 В. 0,05% 0,025% Зaikcyrovannnый 2% 20 5A 125 ° С -40 ° С
KD1084ADT18R KD1084ADT18R Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Лю 125 ° С -40 ° С БИПОЛНА ROHS COMPRINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-kd1084444adt18r-datasheets-0706.pdf Dpak 6,5 мм 2 3 Ear99 Не Лю 1 12 E0 Олейнн Poloshitelnый Одинокий Крхлоп 2,28 мм 3 1 % Rugie -reraytorы R-PSSO-G2 5A 1,5 В. Зaikcyrovannnый 1 10 май 1,8 В. 1,8 В. 1,3 В. 0,02% 0,006% 5A 2% 5 май
TPS767D325PWPRG4 TPS767D325PWPRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 2 (1 годы) 125 ° С -40 ° С Пмос ROHS COMPRINT 9,7 мм 4,4 мм СОДЕРИТС 28 НЕИ 28 в дар Ear99 Не Лю 1 10 В E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Poloshitelnый В дар Дон Крхлоп 260 0,65 мм 28 2 % Rugie -reraytorы 1A 3,3 В. 2,7 В. 3,3 В. 350 м Зaikcyrovannnый 3,3 В. 2 80 мка 2,5 В. 3,3 В. 5,07 Вт 3,3 В. 0,575 В. 1A 2% 85 Мка
MAX6401BS25+ MAX6401BS25+ МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С Bicmos 0,67 мм ROHS COMPRINT 1,1 мм 1,1 мм 4 5,5 В. 1V 4 в дар Ear99 Не 1 Униджин М 260 3В 0,5 мм 4 Промлэнно 1 САМЕМАПА Не 303 м 2.537V 2.462V
ISL78302ARNBZ ISL78302ARSBZ Intersil (Renesas Electronics America) $ 7,13
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 (168 чASOW) 105 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2002 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intersil-isl78302arnbz-datasheets-0691.pdf DFN 3 ММ 900 мкм 3 ММ 10 9 nedely 10 Ear99 Не 6,5 В. E3 МАНЕВОВО Poloshitelnый Дон 0,5 мм 10 0,8 % Rugie -reraytorы 2,3 В. 300 м Зaikcyrovannnый 64db 1 47 Мка 3,3 В. 1,5 В. 1,5 В. 0,3 В. 300 май 320 май 2
TS79L05CSRL TS79L05CSRL Тайнах
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 125 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT Соп 5 ММ 1,5 мм 4 мм 8 -35V 4% Ох 4 % 100 май 1,7 Зaikcyrovannnый 1 6ma -5V 4 % 100 май
ISL75052SEHVFE ISL75052SEHVFE Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 125 ° С -55 ° С Bicmos 2,92 мм ROHS COMPRINT 6855 мм 16 16 ЗOLOTO 1 13.2V Дон Плоски Rugie -reraytorы Н.Квалиирована 38535V; 38534K; 883s 1,5а 4 Rerhulyruemый 1 12.7V 0,225 В. 6% 0,43
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)