| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Регулируемый порог | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Максимальный ток питания (Isup) | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Количество входов/выходов | Тип | Размер оперативной памяти | Включить время задержки | Задержка распространения | Сегодняшний день | Пороговое напряжение | Тип ИБП/UCS/периферийных микросхем | Защита от ЭСР | Граничное сканирование | Режим снижения энергопотребления | Ширина адресной | Стандарт хост-интерфейса | Тип контроллера | Количество банков | Организация |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SM223TX020000-AD | Силиконовое Движение, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 4 недели | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1212 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 5,08 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-ds1212-datasheets-5729.pdf | 28-ДИП (0,600, 15,24 мм) | 36,83 мм | 15,24 мм | 28 | нет | 1 | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | 4,75 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 245 | 5В | 2,54 мм | 28 | 5,5 В | 4,5 В | 3 | ЦЕПЬ УПРАВЛЕНИЯ ПИТАНИЕМ | НЕ УКАЗАН | НЕТ | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДИП-Т28 | Энергонезависимая оперативная память | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1321S+Т&Р | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/maximintegrated-ds1321-datasheets-5559.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 6 недель | 4,75 В~5,5 В | DS1321 | 16-СОИК | Энергонезависимая оперативная память | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BQ2202SN | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-bq2202sn-datasheets-5721.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 | нет | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 5,5 В | 4,5 В | ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ | НЕ УКАЗАН | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-G16 | Энергозависимая статическая память | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1211+ | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | 4,572 мм | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-ds1211-datasheets-5726.pdf | 20-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 26,16 мм | 7,62 мм | 20 | да | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | НЕТ | 4,75 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 2,54 мм | 20 | НЕ УКАЗАН | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДИП-Т20 | МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ СХЕМА | Энергонезависимая оперативная память | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY7C68034-56LFXC | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EZ-USB NX2LP-Flex™ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-cy7c6803356lfxc-datasheets-5702.pdf | 56-VFQFN Открытая колодка | 8 мм | 8 мм | 56 | да | неизвестный | е3 | ИНН | ДА | 3В~3,6В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 56 | 20 | КОММЕРЧЕСКИЙ | S-XQCC-N56 | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | USB | NAND-флэш-USB | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1211S | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | 2,65 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-ds1211-datasheets-5726.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12,8 мм | 7,5 мм | 20 | нет | е0 | Оловянный свинец | ДА | 4,75 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 5В | 1,27 мм | 20 | НЕ УКАЗАН | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-G20 | МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ СХЕМА | Энергонезависимая оперативная память | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1211 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | 4,572 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-ds1211-datasheets-5726.pdf | 20-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 26,16 мм | 7,62 мм | 20 | нет | е0 | Оловянный свинец | НЕТ | 4,75 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 240 | 5В | 2,54 мм | 20 | 20 | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДИП-Т20 | МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ СХЕМА | Энергонезависимая оперативная память | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY7C68023-56LTXC | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EZ-USB NX2LP™ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cy7c6802356ltxc-datasheets-5765.pdf | 56-VFQFN Открытая колодка | 8,1 мм | 950 мкм | 8,1 мм | 3,3 В | Без свинца | 56 | 10 недель | 56 | да | Золото, Олово | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 3В~3,6В | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | CY7C68023 | 56 | 1 | 30 | Модераторы одежды | 12 Мбит/с | 8 | 16 КБ | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | Да | USB | NAND-флэш-USB | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BQ2201PN | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~70°С | Трубка | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 4,5 В~5,5 В | 8-ПДИП | Энергозависимая статическая память | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1312S+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/maximintegrated-ds1312s2-datasheets-5592.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 7,5 мм | Без свинца | 16 | 6 недель | 16 | да | EAR99 | 8542.31.00.01 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 4,75 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 1,27 мм | DS1312 | 16 | 5,5 В | 4,5 В | 1 | ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ | НЕ УКАЗАН | НЕТ | Схемы управления питанием | 5В | 200 мА | Не квалифицирован | Энергонезависимая оперативная память | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1312S-2 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,75 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-ds1312s2-datasheets-5670.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | нет | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | 4,75 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 5В | 1,27 мм | 8 | 5,5 В | 4,5 В | 1 | ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ | НЕ УКАЗАН | НЕТ | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-Г8 | Энергонезависимая оперативная память | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ДП8422АВ-25 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 5,08 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-dp8422av25-datasheets-5674.pdf | 84-LCC (J-вывод) | 29,3116 мм | 29,3116 мм | 84 | нет | неизвестный | е0 | Оловянный свинец | ДА | 4,5 В~5,5 В | КВАД | ДЖ БЕНД | НЕ УКАЗАН | 5В | 1,27 мм | 84 | НЕ УКАЗАН | S-PQCC-J84 | КОНТРОЛЛЕР ПАМЯТИ, ДРАМ | НЕТ | ДА | 22 | Динамическое ОЗУ (DRAM) | 4 | 4М х 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1314S-2 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-ds1314s2-datasheets-5685.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 3В~3,6В | 8-СОИК | Энергонезависимая оперативная память | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1321S | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,75 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-ds1321s-datasheets-5688.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 3,9 мм | 16 | нет | неизвестный | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | 4,75 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 5В | 1,27 мм | 16 | 5,5 В | 4,5 В | 1 | ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ | НЕ УКАЗАН | НЕТ | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-G16 | Энергонезависимая оперативная память | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1222S | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,65 мм | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-ds1222s-datasheets-5689.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 7,5 мм | 16 | нет | е0 | Оловянный свинец | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 245 | 5В | 1,27 мм | 16 | НЕ УКАЗАН | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-ПДСО-G16 | МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ СХЕМА | Статическая оперативная память (SRAM) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY7C68033-56LTXC | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EZ-USB NX2LP-Flex™ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 12 МГц | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cy7c6803356ltxc-datasheets-5690.pdf | 56-VFQFN Открытая колодка | 8 мм | 900 мкм | 8 мм | 3,3 В | Без свинца | 56 | 10 недель | 56 | Золото, Олово | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 3В~3,6В | КВАД | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | CY7C68033 | 56 | 1 | 30 | Модераторы одежды | 480 Мбит/с | 12 | 15 КБ | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | Да | USB | NAND-флэш-USB | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY7C68024-56LFXC | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EZ-USB NX2LP™ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-cy7c6802456lfxc-datasheets-5700.pdf | 56-VFQFN Открытая колодка | 8 мм | 8 мм | 56 | да | неизвестный | е3 | ИНН | ДА | 3В~3,6В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 56 | 20 | КОММЕРЧЕСКИЙ | S-XQCC-N56 | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | USB | NAND-флэш-USB | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MXD1210C/Д | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 0°С~70°С | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/rochesterelectronicsllc-mxd1210cd-datasheets-5701.pdf | Править | 8 | нет | е0 | Оловянный свинец | ДА | 4,75 В~5,5 В | ВЕРХНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 240 | 5В | 8 | НЕ УКАЗАН | КОММЕРЧЕСКИЙ | Р-XUUC-N8 | МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ СХЕМА | Энергонезависимая оперативная память | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY7C68033-56LFXC | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EZ-USB NX2LP-Flex™ | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-cy7c6803356lfxc-datasheets-5702.pdf | 56-VFQFN Открытая колодка | 8 мм | 8 мм | 56 | да | неизвестный | е3 | ИНН | ДА | 3В~3,6В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 56 | 20 | КОММЕРЧЕСКИЙ | S-XQCC-N56 | КОНТРОЛЛЕР ВТОРИЧНОЙ ПАМЯТИ, ФЛЕШ-ПАМЯТЬ | USB | NAND-флэш-USB | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1314S-2+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 30 мкА | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/maximintegrated-ds1314s2tr-datasheets-5549.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,8 мм | 1,35 мм | 3,8 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 | 6 недель | 540,001716мг | Нет СВХК | 8 | да | EAR99 | Нет | 1 | е3 | Олово (Вс) | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | DS1314 | 8 | 3,6 В | 3В | 1 | ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ | НЕТ | Схемы управления питанием | 140 мА | СРАМ | 20 нс | Энергонезависимая оперативная память | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BQ2205LYPW | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -20°К~70°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 500 мкА | 1,2 мм | 4,4 мм | Без свинца | 16 | 6 недель | 61,887009мг | 16 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 1 мм | EAR99 | Золото | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | 500 мкА | е4 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | BQ2205 | 16 | 3,6 В | 3В | 1 | ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ | НЕТ | Схемы управления питанием | 3,3 В | 0,5 мА | СРАМ | 210 мкА | Энергозависимая статическая память | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BQ2205LYPWR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -20°К~70°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5 мм | 500 мкА | 1,2 мм | 4,4 мм | Без свинца | 16 | 6 недель | 61,887009мг | 16 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 1 мм | EAR99 | Золото | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | 500 мкА | е4 | ДА | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | BQ2205 | 16 | 3,6 В | 3В | 1 | ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ | НЕТ | Схемы управления питанием | 3,3 В | 0,5 мА | 210 мкА | 2,9 В | Энергозависимая статическая память | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1314S-2+Т&Р | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | 30 мкА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/maximintegrated-ds1314s2tr-datasheets-5549.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 6 недель | 540,001716мг | Неизвестный | 3,6 В | 3В | 8 | Олово | Нет | 3В~3,6В | DS1314 | 8-СОИК | СРАМ | Энергонезависимая оперативная память | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1321+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 4,572 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/maximintegrated-ds1321-datasheets-5559.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 19 175 мм | 7,62 мм | Без свинца | 16 | 6 недель | 16 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | EAR99 | 8542.31.00.01 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 4,75 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 2,54 мм | DS1321 | 16 | 5,5 В | 4,5 В | 1 | ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ | 30 | НЕТ | Схемы управления питанием | 5В | 1,5 мА | Не квалифицирован | Энергонезависимая оперативная память | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1314S+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 30 мкА | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/maximintegrated-ds1314s2tr-datasheets-5549.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,1 мм | 2,35 мм | 7,4 мм | 3,3 В | Без свинца | 16 | 6 недель | 665,986997мг | Неизвестный | 16 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | EAR99 | Нет | 8542.31.00.01 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | DS1314 | 16 | 3,6 В | 3В | 1 | ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ | НЕТ | Схемы управления питанием | 140 мА | СРАМ | 20 нс | 20 нс | Энергонезависимая оперативная память | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1321S+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 50 мкА | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/maximintegrated-ds1321-datasheets-5559.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,8 мм | 1,35 мм | 3,8 мм | 5В | Без свинца | 16 | 6 недель | 200,686274мг | Нет СВХК | 16 | да | EAR99 | Нет | 8542.31.00.01 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 4,75 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 1,27 мм | DS1321 | 16 | 1 | ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ | НЕТ | Схемы управления питанием | 5В | 1,5 мА | СРАМ | 20 нс | Энергонезависимая оперативная память | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1312S-2+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | КМОП | 50 мкА | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/maximintegrated-ds1312s2-datasheets-5592.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,8 мм | 1,35 мм | 3,8 мм | 5В | Без свинца | 8 | 6 недель | 540,001716мг | Неизвестный | 8 | Параллельно | да | EAR99 | Нет | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | 4,75 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 1,27 мм | DS1312 | 8 | 1 | ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ | НЕТ | Схемы управления питанием | 5В | 200 мА | БАРАН | 10 нс | Энергонезависимая оперативная память | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BQ2204ASN | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 2 (1 год) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 1,75 мм | 3,91 мм | Без свинца | 16 | 6 недель | 665,986997мг | 16 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 1,58 мм | EAR99 | Золото | Нет | 8542.39.00.01 | 1 | е4 | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 1,27 мм | BQ2204 | 16 | 5,5 В | 4,5 В | 1 | ЦЕПЬ ПОДДЕРЖКИ ИСТОЧНИКА ПИТАНИЯ | НЕТ | Схемы управления питанием | 5В | 6мА | 5 | Энергозависимая статическая память | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MXD1210CPA+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 230 мкА | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/maximintegrated-mxd1210cpa-datasheets-5514.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8,84 мм | 3,18 мм | 6,1 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | 930,006106мг | 8 | да | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 4,75 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 2,54 мм | MXD1210 | 8 | 0,5 мА | БАРАН | МИКРОПРОЦЕССОРНАЯ СХЕМА | Энергонезависимая оперативная память |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.