Память – Поиск электронных компонентов – Лучший агент по производству электронных компонентов – ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Установить Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Частота Режим работы Высота сидя (макс.) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Длина Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Максимальное напряжение питания Минимальное напряжение питания Количество контактов Интерфейс Плотность Код Pbfree Толщина Количество портов ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Радиационная закалка Достичь соответствия кода Код HTS Количество функций Номинальный ток питания Код JESD-609 Терминальные отделки Поверхностный монтаж Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Терминал Питч Количество контактов Температурный класс Напряжение питания-Макс (Vsup) Минимальное напряжение питания (Vsup) Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Подкатегория Источники питания Максимальный ток питания Статус квалификации Код JESD-30 Размер Тип Частота (макс.) Выходные характеристики Время доступа Тактовая частота Ширина адресной Организация Ширина памяти Плотность памяти Максимальный ток в режиме ожидания Размер слова Время доступа (макс.) Синхронизация/Асинхронность Тип ввода/вывода Напряжение в режиме ожидания-мин. Включение выхода
IDT71T75702S80PFI ИДТ71Т75702С80ПФИ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП СИНХРОННЫЙ 1,6 мм Не соответствует требованиям RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t75702s80pfi-datasheets-9006.pdf ЛКФП 20 мм 14 мм 100 Параллельно 3A991.B.2.A ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 2,5 В 0,65 мм 100 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 2625 В 2,375 В 20 СРАМ 2,5 В 0,27 мА Не квалифицированный Р-PQFP-G100 ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 95 МГц 512КХ36 36 18874368 бит 0,06А 8 нс ОБЩИЙ 2,38 В
70V639S10BF 70В639С10БФ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Масса 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v639s10bf-datasheets-8984.pdf 15 мм 15 мм 3,3 В Содержит свинец 208 7 недель 3,45 В 3,15 В 208 Параллельно 2,3 МБ нет 1,4 мм 2 Нет 1 500 мА е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) НИЖНИЙ МЯЧ 225 3,3 В 0,8 мм 208 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 256 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 10 нс 34б 0,015А 18б Асинхронный ОБЩИЙ
7008S55J 7008S55J Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 1 (без блокировки) 70°С 0°С КМОП 4,57 мм Соответствует RoHS 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7008s55j-datasheets-8935.pdf ПЛКК 29,21 мм 29,21 мм Содержит свинец 84 7 недель 5,5 В 4,5 В 84 Параллельно 512 КБ нет 3,63 мм 2 EAR99 Нет 1 270 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД ДЖ БЕНД 225 84 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ 64КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 55 нс 32б 64КХ8 0,015А Асинхронный ОБЩИЙ
IDT71T75802S100PFG8 IDT71T75802S100PFG8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 Поверхностный монтаж Лента и катушка 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 100 МГц Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t75802s100pfg8-datasheets-8930.pdf TQFP 20 мм 2,5 В 100 2625 В 2,375 В 100 Параллельно 18 Мб 1 КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА неизвестный 1 175 мА е3 Матовое олово (Sn) - отожженное КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 2,5 В 0,65 мм 100 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ Не квалифицированный ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 5 нс 20б 18 0,04 А 18б синхронный ОБЩИЙ 2,38 В
IDT71V3556S100BQGI8 IDT71V3556S100BQGI8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 100 МГц СИНХРОННЫЙ Соответствует RoHS 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3556s100bqgi8-datasheets-8921.pdf 165 165 Параллельно неизвестный е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) ДА НИЖНИЙ МЯЧ 3,3 В 1 мм ПРОМЫШЛЕННЫЙ СРАМ 3,3 В 0,255 мА Не квалифицированный ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 128КХ36 36 4718592 бит 0,045А 5 нс ОБЩИЙ 3,14 В
IDT71V67602S166BQG8 IDT71V67602S166BQG8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 70°С 0°С 166 МГц Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v67602s166bqg8-datasheets-8898.pdf 165 Параллельно ОЗУ, СРАМ
70T3539MS166BC 70T3539MS166BC Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 166 МГц 1,7 мм Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t3539ms166bc-datasheets-8862.pdf 17 мм 17 мм 2,5 В Содержит свинец 256 7 недель 2,6 В 2,4 В 256 Параллельно 18 Мб нет 1,4 мм 2 ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 900 мА е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) НИЖНИЙ МЯЧ 225 2,5 В 1 мм 256 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 2,3 МБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 166 МГц 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 3,6 нс 19б 36б синхронный ОБЩИЙ
71V2556SA100BGGI 71В2556СА100БГГИ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 100 МГц 2,36 мм Соответствует RoHS 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v2556sa100bggi-datasheets-8853.pdf БГА 14 мм 22 мм 3,3 В Без свинца 119 7 недель 3,465 В 3,135 В 119 Параллельно 4,5 Мб да 2,15 мм 1 КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 260 мА е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НИЖНИЙ МЯЧ 260 3,3 В 119 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 30 СРАМ ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 5 нс 17б 0,045А 36б синхронный ОБЩИЙ
7014S12PF8 7014С12ПФ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,6 мм Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7014s12pf8-datasheets-8845.pdf TQFP 14 мм 14 мм Содержит свинец 64 7 недель 5,5 В 4,5 В 64 Параллельно 36 КБ нет 1,4 мм 2 EAR99 Нет 1 250 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 0,8 мм 64 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 4,5 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 12 нс 12б 4KX9 Асинхронный ОБЩИЙ
709349L7PF8 709349L7PF8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 70°С 0°С 45,45 МГц Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709349l7pf8-datasheets-8819.pdf TQFP 14 мм 14 мм Содержит свинец 7 недель 5,5 В 4,5 В 100 Параллельно 72 КБ 1,4 мм 2 Нет 400 мА 9 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 7,5 нс 24б 18б синхронный
709159L7PF8 709159L7PF8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 70°С 0°С 45,45 МГц Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709159l7pf8-datasheets-8813.pdf TQFP 14 мм 14 мм Содержит свинец 7 недель 5,5 В 4,5 В 100 Параллельно 72 КБ 1,4 мм 2 Нет 400 мА 9 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 7 нс 26б синхронный
7140LA25JGI 7140LA25JGI Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 1 (без блокировки) 85°С -40°С КМОП Соответствует RoHS 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7140la25jgi-datasheets-8794.pdf ООО 52 7 недель 52 Параллельно 8 КБ да 2 EAR99 Нет 1 е3 Матовое олово (Sn) - отожженное ДА КВАД ДЖ БЕНД 225 52 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 20 СРАМ ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 20б 1КХ8 8 0,004А ОБЩИЙ
IDT71T75702S80PFGI IDT71T75702S80PFGI Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП СИНХРОННЫЙ 1,6 мм Соответствует RoHS 2005 г. /files/integrateddevicetechnology-idt71t75702s80pfgi-datasheets-8795.pdf ЛКФП 20 мм 14 мм 100 Параллельно 3A991.B.2.A ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА 8542.32.00.41 1 е0 Оловянный свинец ДА КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 2,5 В 0,65 мм 100 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 2625 В 2,375 В 30 СРАМ 2,5 В 0,27 мА Не квалифицированный Р-PQFP-G100 ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 95 МГц 512КХ36 36 18874368 бит 0,06А 8 нс ОБЩИЙ 2,38 В
70T631S12BCI8 70Т631С12BCI8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 1,5 мм Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t631s12bci8-datasheets-8759.pdf 17 мм 17 мм 2,5 В Содержит свинец 256 7 недель 2,6 В 2,4 В 256 Параллельно 4 Мб нет 1,4 мм 2 Нет 1 395 мА е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) НИЖНИЙ МЯЧ 225 2,5 В 1 мм 256 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 20 СРАМ ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 12 нс 18б 18б Асинхронный ОБЩИЙ
71024S20TYGI 71024S20TYGI Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 3,759 мм Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71024s20tygi-datasheets-8742.pdf 21,95 мм 7,6 мм Без свинца 32 7 недель 5,5 В 4,5 В 32 Параллельно 1 Мб да 2,67 мм 1 Нет 1 140 мА е3 Матовое олово (Sn) - отожженное ДВОЙНОЙ ДЖ БЕНД 260 32 ПРОМЫШЛЕННЫЙ СРАМ 128 КБ Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 20 нс 17б Асинхронный ОБЩИЙ
70V35L25PF 70В35Л25ПФ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Масса 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,6 мм Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v35l25pf-datasheets-8738.pdf TQFP 14 мм 14 мм 3,3 В Содержит свинец 100 7 недель 3,6 В 100 Параллельно 144 КБ нет 1,4 мм 2 EAR99 Нет 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 3,3 В 0,5 мм 100 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 0,165 мА 18КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 25 нс 26б 8КХ18 ОБЩИЙ
IDT71256SA20TP IDT71256SA20TP Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 Сквозное отверстие 70°С 0°С КМОП 4,572 мм Не соответствует требованиям RoHS 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71256sa20tp-datasheets-8729.pdf ПДИП 28 5,5 В 4,5 В 28 Параллельно 256 КБ 1 EAR99 не_совместимо 1 145 мА е0 ДВОЙНОЙ 225 2,54 мм 28 КОММЕРЧЕСКИЙ 30 СРАМ Не квалифицированный ОЗУ, SRAM — асинхронное 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 20 нс 15б 32КХ8 8 Асинхронный ОБЩИЙ ДА
71321SA25JG 71321SA25JG Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 1 (без блокировки) 70°С 0°С КМОП АСИНХРОННЫЙ 4,572 мм Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71321sa25jg-datasheets-8722.pdf ООО 19,1262 мм 19,1262 мм 52 7 недель Параллельно да 2 EAR99 АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ 8542.32.00.41 1 е3 Матовое олово (Sn) - отожженное ДА КВАД ДЖ БЕНД 260 1,27 мм 52 КОММЕРЧЕСКИЙ 5,5 В 4,5 В 30 СРАМ 0,22 мА Не квалифицированный S-PQCC-J52 ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 2КХ8 8 16384 бит 0,015А 25 нс ОБЩИЙ 4,5 В
7025L25J8 7025L25J8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 1 (без блокировки) 70°С 0°С КМОП 4,57 мм Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7025l25j8-datasheets-8710.pdf ПЛКК 29,21 мм 29,21 мм Содержит свинец 84 7 недель 5,5 В 4,5 В 84 Параллельно 128 КБ нет 3,63 мм 2 EAR99 ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; СЕМАФОР; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ Свинец, Олово 1 220 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД ДЖ БЕНД 225 84 КОММЕРЧЕСКИЙ НЕ УКАЗАН СРАМ Не квалифицированный 16 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 25 нс 13б 8КХ16 0,0015А 16б Асинхронный ОБЩИЙ
71V2556SA100BGG8 71В2556СА100БГГ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка 70°С 0°С 100 МГц Соответствует RoHS 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v2556sa100bgg8-datasheets-8698.pdf БГА 14 мм 22 мм 3,3 В Без свинца 7 недель 3,465 В 3,135 В 119 Параллельно 4,5 Мб 2,15 мм 1 Нет 250 мА ОЗУ, СРАМ 5 нс 17б 36б синхронный
709349L7PF 709349L7PF Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 45,45 МГц 1,6 мм Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709349l7pf-datasheets-8690.pdf TQFP 14 мм 14 мм Содержит свинец 100 7 недель 5,5 В 4,5 В 100 Параллельно 72 КБ нет 1,4 мм 2 EAR99 ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 400 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 0,5 мм 100 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 9 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 7,5 нс 12б 4КХ18 0,003А 18б синхронный ОБЩИЙ
7014S12J8 7014S12J8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7014s12j8-datasheets-8691.pdf ПЛКК 19 мм 19 мм Содержит свинец 52 7 недель 5,5 В 4,5 В 52 Параллельно 36 КБ нет 3,63 мм 2 EAR99 Нет 1 250 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД ДЖ БЕНД 225 52 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 12 нс 24б 4KX9 Асинхронный ОБЩИЙ
IDT71T75702S80PFG8 IDT71T75702S80PFG8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 70°С 0°С КМОП СИНХРОННЫЙ 1,6 мм Соответствует RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t75702s80pfg8-datasheets-8684.pdf ЛКФП 20 мм 14 мм 100 Параллельно 3A991.B.2.A ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА 8542.32.00.41 1 е3 МАТОВАЯ ТУНКА ДА КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 2,5 В 0,65 мм 100 КОММЕРЧЕСКИЙ 2625 В 2,375 В СРАМ 2,5 В 0,25 мА Не квалифицированный Р-PQFP-G100 ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 95 МГц 512КХ36 36 18874368 бит 0,04 А 8 нс ОБЩИЙ 2,38 В
709269L12PF8 709269Л12ПФ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 50 МГц 1,6 мм Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709269l12pf8-datasheets-8683.pdf TQFP 14 мм 14 мм Содержит свинец 100 7 недель 5,5 В 4,5 В 100 Параллельно 256 КБ нет 1,4 мм 2 EAR99 ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 305 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 0,5 мм 100 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 32 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 12 нс 14б 16КХ16 0,005А 16б синхронный ОБЩИЙ
7025L20PFGI 7025L20PFGI Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7025l20pfgi-datasheets-8680.pdf TQFP 14 мм 14 мм Без свинца 100 7 недель 5,5 В 4,5 В 100 Параллельно 128 КБ да 1,4 мм 2 EAR99 ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; СЕМАФОР; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ Нет 1 320 мА е3 Матовое олово (Sn) - отожженное КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 0,5 мм 100 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 16 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 20 нс 26б 8КХ16 0,004А 16б Асинхронный ОБЩИЙ ДА
71V2556SA100BGG 71В2556СА100БГГ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 100 МГц 2,36 мм Соответствует RoHS 2011 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v2556sa100bgg-datasheets-8630.pdf БГА 14 мм 22 мм 3,3 В Без свинца 119 7 недель 3,465 В 3,135 В 119 Параллельно 4,5 Мб да 2,15 мм 1 КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 250 мА е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НИЖНИЙ МЯЧ 260 3,3 В 119 КОММЕРЧЕСКИЙ 30 СРАМ ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 5 нс 17б 0,04 А 36б синхронный ОБЩИЙ
7025L20PFGI8 7025L20PFGI8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7025l20pfgi8-datasheets-8628.pdf TQFP 14 мм 14 мм Без свинца 100 7 недель 5,5 В 4,5 В 100 Параллельно 128 КБ да 1,4 мм 2 EAR99 ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; СЕМАФОР; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ Нет 1 320 мА е3 Матовое олово (Sn) - отожженное КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 0,5 мм 100 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 16 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 20 нс 13б 8КХ16 0,004А 16б Асинхронный ОБЩИЙ ДА
7130LA35TFG 7130LA35TFG Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 70°С 0°С Соответствует RoHS 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7130la35tfg-datasheets-8613.pdf ЛКФП 7 недель Параллельно ОЗУ, СРАМ
70V34S25PF8 70В34С25ПФ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,6 мм Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v34s25pf8-datasheets-8603.pdf TQFP 14 мм 14 мм 3,3 В Содержит свинец 100 7 недель 3,6 В 100 Параллельно 72 КБ нет 1,4 мм 2 EAR99 Нет 1 190 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 3,3 В 0,5 мм 100 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 9 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 25 нс 24б 4КХ18 0,005А 18б Асинхронный ОБЩИЙ
IDT71V124SA10PH8 IDT71V124SA10PH8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,2 мм Не соответствует требованиям RoHS 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v124sa10ph8-datasheets-8606.pdf СОИК 20,95 мм 10,16 мм 32 Параллельно нет 3A991.B.2.B не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 225 3,3 В 1,27 мм 32 КОММЕРЧЕСКИЙ 3,6 В 3,15 В 30 СРАМ 3,3 В 0,145 мА Не квалифицированный Р-ПДСО-Г32 ОЗУ, SRAM — асинхронное 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 128КХ8 8 1048576 бит 0,01 А 10 нс ОБЩИЙ 3,15 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.