| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер | Тип | Частота (макс.) | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Включение выхода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ИДТ71Т75702С80ПФИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t75702s80pfi-datasheets-9006.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 2625 В | 2,375 В | 20 | СРАМ | 2,5 В | 0,27 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 95 МГц | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,06А | 8 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | |||||||||||||||||||||||||||
| 70В639С10БФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v639s10bf-datasheets-8984.pdf | 15 мм | 15 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 208 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 208 | Параллельно | 2,3 МБ | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 500 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 208 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 256 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 34б | 0,015А | 18б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||
| 7008S55J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7008s55j-datasheets-8935.pdf | ПЛКК | 29,21 мм | 29,21 мм | 5В | Содержит свинец | 84 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 84 | Параллельно | 512 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 270 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 84 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 64КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 32б | 64КХ8 | 0,015А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||
| IDT71T75802S100PFG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t75802s100pfg8-datasheets-8930.pdf | TQFP | 20 мм | 2,5 В | 100 | 2625 В | 2,375 В | 100 | Параллельно | 18 Мб | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | неизвестный | 1 | 175 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | Не квалифицированный | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5 нс | 20б | 18 | 0,04 А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3556S100BQGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 100 МГц | СИНХРОННЫЙ | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3556s100bqgi8-datasheets-8921.pdf | 165 | 165 | Параллельно | неизвестный | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 3,3 В | 1 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | 3,3 В | 0,255 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,045А | 5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V67602S166BQG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 70°С | 0°С | 166 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v67602s166bqg8-datasheets-8898.pdf | 165 | Параллельно | ОЗУ, СРАМ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70T3539MS166BC | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 166 МГц | 1,7 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t3539ms166bc-datasheets-8862.pdf | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 256 | 7 недель | 2,6 В | 2,4 В | 256 | Параллельно | 18 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 900 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 2,3 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 166 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,6 нс | 19б | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||
| 71В2556СА100БГГИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 100 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v2556sa100bggi-datasheets-8853.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Без свинца | 119 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 2,15 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 260 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 119 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5 нс | 17б | 0,045А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||
| 7014С12ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7014s12pf8-datasheets-8845.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 36 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 250 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,8 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 4,5 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 12б | 4KX9 | 9б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||
| 709349L7PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | 45,45 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709349l7pf8-datasheets-8819.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 72 КБ | 1,4 мм | 2 | Нет | 400 мА | 9 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 7,5 нс | 24б | 18б | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 709159L7PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | 45,45 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709159l7pf8-datasheets-8813.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 72 КБ | 1,4 мм | 2 | Нет | 400 мА | 9 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 7 нс | 26б | 9б | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7140LA25JGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7140la25jgi-datasheets-8794.pdf | ООО | 5В | 52 | 7 недель | 52 | Параллельно | 8 КБ | да | 2 | EAR99 | Нет | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 52 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | 5В | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20б | 1КХ8 | 8 | 0,004А | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71T75702S80PFGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/integrateddevicetechnology-idt71t75702s80pfgi-datasheets-8795.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 2625 В | 2,375 В | 30 | СРАМ | 2,5 В | 0,27 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 95 МГц | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,06А | 8 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| 70Т631С12BCI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 1,5 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t631s12bci8-datasheets-8759.pdf | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 256 | 7 недель | 2,6 В | 2,4 В | 256 | Параллельно | 4 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 395 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 2,5 В | 1 мм | 256 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 18б | 18б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| 71024S20TYGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,759 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71024s20tygi-datasheets-8742.pdf | 21,95 мм | 7,6 мм | 5В | Без свинца | 32 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 32 | Параллельно | 1 Мб | да | 2,67 мм | 1 | Нет | 1 | 140 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 32 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | 5В | 128 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 17б | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||
| 70В35Л25ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v35l25pf-datasheets-8738.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 144 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 0,165 мА | 18КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 26б | 8КХ18 | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||
| IDT71256SA20TP | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Сквозное отверстие | 70°С | 0°С | КМОП | 4,572 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71256sa20tp-datasheets-8729.pdf | ПДИП | 5В | 28 | 5,5 В | 4,5 В | 28 | Параллельно | 256 КБ | 1 | EAR99 | не_совместимо | 1 | 145 мА | е0 | ДВОЙНОЙ | 225 | 5В | 2,54 мм | 28 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 5В | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 15б | 32КХ8 | 8 | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71321SA25JG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | 4,572 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71321sa25jg-datasheets-8722.pdf | ООО | 19,1262 мм | 19,1262 мм | 52 | 7 недель | Параллельно | да | 2 | EAR99 | АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 1,27 мм | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 5,5 В | 4,5 В | 30 | СРАМ | 5В | 0,22 мА | Не квалифицированный | S-PQCC-J52 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 2КХ8 | 8 | 16384 бит | 0,015А | 25 нс | ОБЩИЙ | 4,5 В | ||||||||||||||||||||||||||
| 7025L25J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7025l25j8-datasheets-8710.pdf | ПЛКК | 29,21 мм | 29,21 мм | 5В | Содержит свинец | 84 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 84 | Параллельно | 128 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; СЕМАФОР; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ | Свинец, Олово | 1 | 220 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 84 | КОММЕРЧЕСКИЙ | НЕ УКАЗАН | СРАМ | 5В | Не квалифицированный | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 13б | 8КХ16 | 0,0015А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||
| 71В2556СА100БГГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 70°С | 0°С | 100 МГц | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v2556sa100bgg8-datasheets-8698.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Без свинца | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 4,5 Мб | 2,15 мм | 1 | Нет | 250 мА | ОЗУ, СРАМ | 5 нс | 17б | 36б | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 709349L7PF | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 45,45 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709349l7pf-datasheets-8690.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 72 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 400 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 9 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 12б | 4КХ18 | 0,003А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||
| 7014S12J8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7014s12j8-datasheets-8691.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 52 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 36 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 250 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 52 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 24б | 4KX9 | 9б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||
| IDT71T75702S80PFG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t75702s80pfg8-datasheets-8684.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 2625 В | 2,375 В | СРАМ | 2,5 В | 0,25 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 95 МГц | 512КХ36 | 36 | 18874368 бит | 0,04 А | 8 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| 709269Л12ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 50 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709269l12pf8-datasheets-8683.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 256 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 305 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 32 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 14б | 16КХ16 | 0,005А | 16б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||
| 7025L20PFGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7025l20pfgi-datasheets-8680.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Без свинца | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 128 КБ | да | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; СЕМАФОР; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ | Нет | 1 | 320 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 0,5 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 26б | 8КХ16 | 0,004А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ДА | ||||||||||||||||||||||||||
| 71В2556СА100БГГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 100 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v2556sa100bgg-datasheets-8630.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Без свинца | 119 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 2,15 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 250 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5 нс | 17б | 0,04 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||
| 7025L20PFGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7025l20pfgi8-datasheets-8628.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Без свинца | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 128 КБ | да | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ; СЕМАФОР; РЕЗЕРВНАЯ БАТАРЕЯ | Нет | 1 | 320 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 0,5 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 16 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 13б | 8КХ16 | 0,004А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ДА | ||||||||||||||||||||||||||
| 7130LA35TFG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7130la35tfg-datasheets-8613.pdf | ЛКФП | 7 недель | Параллельно | ОЗУ, СРАМ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В34С25ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v34s25pf8-datasheets-8603.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 72 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 190 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 9 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 24б | 4КХ18 | 0,005А | 18б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||
| IDT71V124SA10PH8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v124sa10ph8-datasheets-8606.pdf | СОИК | 20,95 мм | 10,16 мм | 32 | Параллельно | нет | 3A991.B.2.B | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | 32 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,6 В | 3,15 В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,145 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г32 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ8 | 8 | 1048576 бит | 0,01 А | 10 нс | ОБЩИЙ | 3,15 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.