Память – Поиск электронных компонентов – Лучший агент по производству электронных компонентов – ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Память(55331)

Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Установить Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Частота Режим работы Высота сидя (макс.) Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Длина Ширина Рабочее напряжение питания Без свинца Количество окончаний Срок выполнения заказа на заводе Максимальное напряжение питания Минимальное напряжение питания Количество контактов Интерфейс Плотность Код Pbfree Толщина Количество портов ECCN-код Дополнительная функция Радиационная закалка Достичь соответствия кода Код HTS Количество функций Номинальный ток питания Код JESD-609 Терминальные отделки Поверхностный монтаж Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Терминал Питч Количество контактов Температурный класс Напряжение питания-Макс (Vsup) Минимальное напряжение питания (Vsup) Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Подкатегория Источники питания Максимальный ток питания Статус квалификации Код JESD-30 Размер Тип Частота (макс.) Выходные характеристики Время доступа Ширина адресной Организация Ширина памяти Плотность памяти Максимальный ток в режиме ожидания Размер слова Время доступа (макс.) Синхронизация/Асинхронность Тип ввода/вывода Напряжение в режиме ожидания-мин.
71V35761SA200BGI 71В35761СА200БГИ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 200 МГц Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v35761sa200bgi-datasheets-3293.pdf БГА 14 мм 22 мм 3,3 В Содержит свинец 119 3,465 В 3,135 В 119 Параллельно 4,5 Мб нет 2,15 мм 1 ТРУБОПРОВОДНЫЙ Нет 1 е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) НИЖНИЙ МЯЧ 225 3,3 В 119 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 512 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 200 МГц 3,1 нс 17б 36б синхронный
IDT71P73804S200BQ8 IDT71P73804S200BQ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 200 МГц СИНХРОННЫЙ Не соответствует требованиям RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p73804s200bq8-datasheets-3290.pdf 165 165 Параллельно не_совместимо е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) ДА НИЖНИЙ МЯЧ 1 мм СРАМ 1,5/1,81,8 В 0,55 мА Не квалифицированный DDR2, ОЗУ, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 1MX18 18 18874368 бит 0,3 А 0,45 нс ОБЩИЙ 1,7 В
IDT71V416VL15PHG8 IDT71V416VL15PHG8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,2 мм Соответствует RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416vl15phg8-datasheets-3283.pdf ТСОП 18,41 мм 10,16 мм 44 Параллельно да 3A991.B.2.A 8542.32.00.41 1 е3 МАТОВАЯ ТУНКА ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3,3 В 0,8 мм 44 КОММЕРЧЕСКИЙ 3,6 В 3В 30 Не квалифицированный Р-ПДСО-Г44 ОЗУ, SRAM — асинхронное 256КХ16 16 4194304 бит 15 нс
70V3569S5BFI8 70В3569С5БФИ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 100 МГц Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3569s5bfi8-datasheets-3242.pdf 15 мм 15 мм 3,3 В Содержит свинец 208 7 недель 3,45 В 3,15 В 208 Параллельно 576 КБ нет 1,4 мм 2 КОНВЕЙЕРНЫЙ РЕЖИМ ВЫХОДА; ЦИКЛ ЗАПИСИ С АВТОСИНХР. Нет 1 415 мА е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) НИЖНИЙ МЯЧ 225 3,3 В 0,8 мм 208 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 20 СРАМ ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 5 нс 14б 16КХ36 0,03 А 36б синхронный ОБЩИЙ
70V631S15BF8 70В631С15БФ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,7 мм Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v631s15bf8-datasheets-3232.pdf 15 мм 15 мм 3,3 В Содержит свинец 208 7 недель 3,45 В 3,15 В 208 Параллельно 4,5 Мб нет 1,4 мм 2 Нет 1 440 мА е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) НИЖНИЙ МЯЧ 225 3,3 В 0,8 мм 208 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 15 нс 18б 0,015А 18б Асинхронный ОБЩИЙ
IDT71V3556S100BGI8 IDT71V3556S100BGI8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 100 МГц СИНХРОННЫЙ 2,36 мм Не соответствует требованиям RoHS 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3556s100bgi8-datasheets-3203.pdf БГА 22 мм 14 мм 119 Параллельно 3A991.B.2.A не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) ДА НИЖНИЙ МЯЧ НЕ УКАЗАН 3,3 В 1,27 мм 119 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 3,465 В 3,135 В НЕ УКАЗАН СРАМ 3,3 В 0,255 мА Не квалифицированный ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 128КХ36 36 4718592 бит 0,045А 5 нс ОБЩИЙ 3,14 В
7140LA35FB 7140LA35FB Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие 125°С -55°С Соответствует RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7140la35fb-datasheets-3190.pdf 19 мм 19 мм 5В Содержит свинец 10 недель 5,5 В 4,5 В 48 Параллельно 8 КБ 2,2 мм 2 Нет 170 мА ОЗУ, СРАМ 35 нс 10б 8б Асинхронный
IDT71V67602S166BG8 IDT71V67602S166BG8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 166 МГц СИНХРОННЫЙ 2,36 мм Не соответствует требованиям RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v67602s166bg8-datasheets-3184.pdf БГА 22 мм 14 мм 119 Параллельно 3A991.B.2.A КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) ДА НИЖНИЙ МЯЧ НЕ УКАЗАН 3,3 В 1,27 мм 119 КОММЕРЧЕСКИЙ 3,465 В 3,135 В НЕ УКАЗАН СРАМ 2,53,3 В 0,34 мА Не квалифицированный ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 256КХ36 36 9437184 бит 0,05 А 3,5 нс ОБЩИЙ 3,14 В
IDT70V7319S133DD ИДТ70В7319С133ДД Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 4 (72 часа) 70°С 0°С КМОП 133 МГц СИНХРОННЫЙ 1,6 мм Не соответствует требованиям RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt70v7319s133dd-datasheets-3183.pdf TQFP 20 мм 20 мм 144 Параллельно 2 3A991.B.2.A ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 225 3,3 В 0,5 мм 144 КОММЕРЧЕСКИЙ 3,45 В 3,15 В 20 СРАМ 2,5/3,33,3 В 0,645 мА Не квалифицированный S-PQFP-G144 ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 256КХ18 18 4718592 бит 0,03 А 15 нс ОБЩИЙ 3,15 В
71V65803S100BQG8 71В65803С100БКГ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Лента и катушка 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 100 МГц Соответствует RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v65803s100bqg8-datasheets-3134.pdf 15 мм 13 мм 3,3 В Без свинца 165 7 недель 165 Параллельно 9 Мб да 1,2 мм 1 КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) ДА НИЖНИЙ МЯЧ 260 3,3 В 165 КОММЕРЧЕСКИЙ 3,465 В 30 СРАМ 0,25 мА ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 19б 0,04 А 5 нс ОБЩИЙ
70V9199L9PFI8 70В9199Л9ПФИ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 40 МГц 1,6 мм Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v9199l9pfi8-datasheets-3106.pdf TQFP 14 мм 14 мм 3,3 В Содержит свинец 100 7 недель 3,6 В 3В 100 Параллельно 1,1 Мб нет 1,4 мм 2 ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 240 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 3,3 В 0,5 мм 100 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 20 СРАМ ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 20 нс 17б 9б синхронный ОБЩИЙ 3В
IDT71V35761S200PFI ИДТ71В35761С200ПФИ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 200 МГц СИНХРОННЫЙ 1,6 мм Не соответствует требованиям RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v35761s200pfi-datasheets-3104.pdf ЛКФП 20 мм 14 мм 100 Параллельно 3A991.B.2.A КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА не_совместимо 8542.32.00.41 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 3,3 В 0,65 мм 100 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 3,465 В 3,135 В 20 Не квалифицированный Р-PQFP-G100 ОЗУ, СРАМ 128КХ36 36 4718592 бит 3,1 нс
70V9369L12PF8 70В9369Л12ПФ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 33,3 МГц 1,6 мм Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v9369l12pf8-datasheets-3089.pdf TQFP 14 мм 14 мм 3,3 В Содержит свинец 100 7 недель 3,6 В 3В 100 Параллельно 288 КБ нет 1,4 мм 2 ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 205 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 240 3,3 В 0,65 мм 100 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 25 нс 14б 16КХ18 0,005А 18б синхронный ОБЩИЙ 3В
709079S15PF 709079С15ПФ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 28,5 МГц 1,6 мм Соответствует RoHS 2010 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709079s15pf-datasheets-3090.pdf TQFP 14 мм 14 мм 5В Содержит свинец 100 7 недель 5,5 В 4,5 В 100 Параллельно 256 КБ нет 1,4 мм 2 EAR99 ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 325 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД ПЛОСКИЙ 240 5В 0,5 мм 100 КОММЕРЧЕСКИЙ 20 СРАМ 5В ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 30 нс 30б 0,015А 8б синхронный ОБЩИЙ
70V05S55J8 70В05С55ДЖ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать 1 (без блокировки) 70°С 0°С КМОП Соответствует RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v05s55j8-datasheets-3088.pdf ПЛКК 24 мм 24 мм 3,3 В Содержит свинец 68 7 недель 3,6 В 3В 68 Параллельно 64 КБ нет 3,63 мм 2 EAR99 ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ Нет 1 е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) ДА КВАД ДЖ БЕНД 225 3,3 В 68 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ 0,18 мА 8 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 55 нс 26б 8КХ8 0,005А ОБЩИЙ 3В
70V06S55J8 70В06С55ДЖ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 1 (без блокировки) 70°С 0°С КМОП 4,57 мм Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v06s55j8-datasheets-3082.pdf ПЛКК 24 мм 24 мм 3,3 В Содержит свинец 68 7 недель 3,6 В 3В 68 Параллельно 128 КБ нет 3,63 мм 2 EAR99 ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ Нет 1 180 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД ДЖ БЕНД 225 3,3 В 68 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ 16 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 55 нс 28б 16КХ8 0,005А 8б Асинхронный ОБЩИЙ 2В
IDT71P73604S200BQ8 IDT71P73604S200BQ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 200 МГц СИНХРОННЫЙ Не соответствует требованиям RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p73604s200bq8-datasheets-3084.pdf 165 165 Параллельно не_совместимо е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) ДА НИЖНИЙ МЯЧ 1 мм СРАМ 1,5/1,81,8 В 0,7 мА Не квалифицированный DDR2, ОЗУ, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 512КХ36 36 18874368 бит 0,3 А 0,45 нс ОБЩИЙ 1,7 В
IDT71V416VL15PHG ИДТ71В416ВЛ15ПХГ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,2 мм Соответствует RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416vl15phg-datasheets-3079.pdf ТСОП 18,41 мм 10,16 мм 44 Параллельно да 3A991.B.2.A 8542.32.00.41 1 е3 Матовое олово (Sn) - отожженное ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3,3 В 0,8 мм 44 КОММЕРЧЕСКИЙ 3,6 В 3В 30 СРАМ 3,3 В 0,16 мА Не квалифицированный Р-ПДСО-Г44 ОЗУ, SRAM — асинхронное 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 256КХ16 16 4194304 бит 0,01 А 15 нс ОБЩИЙ 3В
70V3319S133PRFI 70В3319С133ПРФИ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Масса 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 133 МГц 1,6 мм Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3319s133prfi-datasheets-3071.pdf TQFP 20 мм 14 мм 3,3 В Содержит свинец 128 7 недель 3,45 В 3,15 В 128 Параллельно 4,5 Мб нет 1,4 мм 2 ТРУБОПРОВОДНАЯ ИЛИ ПРОТОЧНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 480 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 225 3,3 В 0,5 мм 128 ПРОМЫШЛЕННЫЙ СРАМ 512 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 133 МГц 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 4,2 нс 36б 0,04 А 18б синхронный ОБЩИЙ
70T3519S133BCI8 70T3519S133BCI8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 133 МГц 1,5 мм Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t3519s133bci8-datasheets-3046.pdf 17 мм 17 мм 2,5 В Содержит свинец 256 7 недель 2,6 В 2,4 В 256 Параллельно 9 Мб нет 1,4 мм 2 ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 450 мА е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) НИЖНИЙ МЯЧ 225 2,5 В 1 мм 256 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 20 СРАМ ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 15 нс 36б 36б синхронный ОБЩИЙ
71T75602S150PFGI 71T75602S150PFGI Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 150 МГц Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71t75602s150pfgi-datasheets-3035.pdf TQFP 20 мм 14 мм 2,5 В Без свинца 100 8 недель 2625 В 2,375 В 100 Параллельно 18 Мб да 1,4 мм 1 КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 235 мА е3 Матовое олово (Sn) - отожженное КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 260 2,5 В 0,65 мм 100 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 30 СРАМ 2,3 МБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 150 МГц 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 3,8 нс 19б 0,06А 36б синхронный ОБЩИЙ 2,38 В
71V35761S166BGI 71В35761С166БГИ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 166 МГц 2,36 мм Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v35761s166bgi-datasheets-3008.pdf БГА 14 мм 22 мм 3,3 В Содержит свинец 119 3,465 В 3,135 В 119 Параллельно 4,5 Мб нет 2,15 мм 1 КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 330 мА е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) НИЖНИЙ МЯЧ 225 3,3 В 119 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 20 СРАМ 512 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 166 МГц 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 3,5 нс 17б 0,035А 36б синхронный ОБЩИЙ
IDT71P72804S250BQ8 IDT71P72804S250BQ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 250 МГц СИНХРОННЫЙ Не соответствует требованиям RoHS 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71p72804s250bq8-datasheets-3005.pdf 165 165 Параллельно не_совместимо е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) ДА НИЖНИЙ МЯЧ 1 мм СРАМ 1,5/1,81,8 В 0,85 мА Не квалифицированный КДР, ОЗУ, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 1MX18 18 18874368 бит 0,375А 0,45 нс ОТДЕЛЬНЫЙ 1,7 В
70V25L55J8 70В25Л55ДЖ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка 1 (без блокировки) 70°С 0°С КМОП Соответствует RoHS 2008 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v25l55j8-datasheets-2988.pdf ПЛКК 29,21 мм 29,21 мм 3,3 В Содержит свинец 84 7 недель 3,6 В 3В 84 Параллельно 128 КБ нет 3,63 мм 2 EAR99 ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ Нет 1 155 мА е0 Олово/Свинец (Sn85Pb15) КВАД ДЖ БЕНД 225 3,3 В 84 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ ОЗУ, СРАМ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 55 нс 26б 8КХ16 16б Асинхронный ОБЩИЙ 3В
IDT71V416VL15PH8 ИДТ71В416ВЛ15ПХ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 1,2 мм Не соответствует требованиям RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416vl15ph8-datasheets-2981.pdf ТСОП 18,41 мм 10,16 мм 44 Параллельно нет 3A991.B.2.A 8542.32.00.41 1 е0 Оловянный свинец ДА ДВОЙНОЙ КРЫЛО ЧАЙКИ 225 3,3 В 0,8 мм 44 КОММЕРЧЕСКИЙ 3,6 В 3В 20 Не квалифицированный Р-ПДСО-Г44 ОЗУ, SRAM — асинхронное 256КХ16 16 4194304 бит 15 нс
70V639S12BFI 70В639С12БФИ Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v639s12bfi-datasheets-2976.pdf 15 мм 15 мм 3,3 В Содержит свинец 208 7 недель 3,45 В 3,15 В 208 Параллельно 2,3 МБ нет 1,4 мм 2 Нет 1 515 мА е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) НИЖНИЙ МЯЧ 225 3,3 В 0,8 мм 208 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 20 СРАМ 256 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 12 нс 34б 0,015А 18б Асинхронный ОБЩИЙ
70V3579S4BC 70В3579С4ВС Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Масса 3 (168 часов) 70°С 0°С КМОП 133 МГц Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v3579s4bc-datasheets-2952.pdf 17 мм 17 мм 3,3 В Содержит свинец 256 7 недель 3,45 В 3,15 В 256 Параллельно 1,1 Мб нет 1,4 мм 2 Нет 1 460 мА е0 Олово/Свинец (Sn63Pb37) НИЖНИЙ МЯЧ 225 3,3 В 1 мм 256 КОММЕРЧЕСКИЙ СРАМ 128 КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 7,5 нс 30б 36б синхронный ОБЩИЙ
71T75602S150BGGI8 71Т75602С150БГГИ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 150 МГц 2,36 мм Соответствует RoHS 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71t75602s150bggi8-datasheets-2945.pdf БГА 14 мм 22 мм 2,5 В Без свинца 119 8 недель 2625 В 2,375 В 119 Параллельно 18 Мб да 2,15 мм 1 КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА Нет 1 235 мА е1 Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) НИЖНИЙ МЯЧ 260 2,5 В 119 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 30 СРАМ 2,3 МБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 150 МГц 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 3,8 нс 19б 0,06А 36б синхронный ОБЩИЙ 2,38 В
70V261L25PFGI8 70В261Л25ПФГИ8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка 3 (168 часов) 85°С -40°С КМОП 1,6 мм Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v261l25pfgi8-datasheets-2937.pdf TQFP 14 мм 14 мм 3,3 В Без свинца 100 7 недель 3,6 В 3В 100 Параллельно 256 КБ да 1,4 мм 2 EAR99 Нет 1 185 мА е3 Матовое олово (Sn) - отожженное КВАД КРЫЛО ЧАЙКИ 260 3,3 В 0,5 мм 100 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 30 СРАМ 32КБ ОЗУ, СДР, СОЗУ 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ 25 нс 28б 16КХ16 0,003А 16б Асинхронный ОБЩИЙ 3В
IDT71V416VL15BEGI8 IDT71V416VL15BEGI8 Технология интегрированных устройств (IDT)
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

 0 0x0x0 Лента и катушка (TR) 4 (72 часа) 85°С -40°С КМОП 1,2 мм Соответствует RoHS 2005 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v416vl15begi8-datasheets-2921.pdf ТФБГА 9 мм 9 мм 48 Параллельно 3A991.B.2.A 8542.32.00.41 1 е1 ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ ДА НИЖНИЙ МЯЧ 260 3,3 В 0,75 мм 48 ПРОМЫШЛЕННЫЙ 3,6 В 3В 30 Не квалифицированный С-ПБГА-Б48 ОЗУ, SRAM — асинхронное 256КХ16 16 4194304 бит 15 нс
Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.

Список запросов цен (0 позиций)