Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | Управый | Упако | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | Тела | ЧastoTA | Весарая (МАКСИМУМА) | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | Делина | Шyrina | Опресагионе | СОУДНО ПРИОН | Колист | Верна - | МАССА | МАКСИМАЛНА | МИНАПРЕЗА | Колист | PBFREE CODE | КОД ECCN | Доленитейн Ая | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN | HTS -KOD | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Naprayeseee | БЕЗОПАСНЫЙ | Пефер | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Надо | Терминал | Поседл | ТЕМПЕРАТУРА | Raboч -yemperatura (mamaks) | Raboч -ytemperatura (мин) | PoSta | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | Подкейгория | Питания | Поступил | Кваликакахионн Статус | КОД JESD-30 | Raзmerpmayti | ТИП ПАМАТИ | О. А.А. | ШIrIna шinыdannnых | ASTOTA (MMAKS) | Скороп | UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS | Р.А. МЕР ИБИТА | Graoniцa kkanirowanee | Унигир | Формат | Ингрированан | Колиш | Колиш | Колист. Каналов Дма | Вернее | Адреса иирин | Иурин | Колист |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
KMPC8358EVVAGDG | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 70 ° С | 0 ° С | 400 мг | ROHS COMPRINT | 1,2 В. | 10.630703G | 740 | Не | БЕЗОПАСНЫЙ | 32B | 400 мг | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RJ80530VY400256SL6SE | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 100 ° С | 0 ° С | 400 мг | ROHS COMPRINT | 950 м | 479 | Не | 1,1 В. | 400 мг | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LE80536VC001512SLJ8V | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 100 ° С | 0 ° С | CMOS | 1 гер | 2,77 мм | ROHS COMPRINT | 35 ММ | 950 м | 479 | 479 | Не | Униджин | М | 1,4 В. | 479 | Микропра | 32B | 1 гер | МИККРОПРЕССОР | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 32 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KMPC8360EVVALFG | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 70 ° С | 0 ° С | 667 мг | ROHS COMPRINT | 1,3 В. | 10.630703G | 740 | Не | БЕЗОПАСНЫЙ | 32B | 667 мг | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TS68020MR1-20 | Atmel (Microchip Technology) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Чereз dыru | 20 мг | В | СОДЕРИТС | 114 | 5в | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TS68020VR1-25 | Atmel (Microchip Technology) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Чereз dыru | 25 мг | В | СОДЕРИТС | 114 | 5в | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TS68020VF20 | Atmel (Microchip Technology) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | HCMOS | 20 мг | В | 24,13 ММ | 24,13 ММ | СОДЕРИТС | 132 | 132 | 5в | Квадран | Крхлоп | 5в | 0,635 мм | 132 | Промлэнно | 85 ° С | -40 ° С | Н.Квалиирована | МИККРОПРЕССОР | 32 | Не | Не | ФИКСИРОВАННАНА | В дар | 32 | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KMPC8349CVVAJDB | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 чASOW) | 105 ° С | -40 ° С | CMOS | 533 мг | ROHS COMPRINT | 35 ММ | 1,2 В. | 672 | 9.256006G | 672 | 5A992 | Tyakhe trobueTsema А. | Не | E2 | Жestaynoe cerebro | БЕЗОПАСНЫЙ | В дар | Униджин | М | 260 | 1,2 В. | 672 | Промлэнно | 40 | 32B | 533 мг | МИККРОПРЕССОР | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 32 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TS68020VR25 | Atmel (Microchip Technology) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Чereз dыru | HCMOS | 25 мг | 4,75 мм | В | 34 544 мм | 34 544 мм | СОДЕРИТС | 114 | 114 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | 5в | Петенкюр | PIN/PEG | 5в | 2,54 мм | 114 | Промлэнно | 85 ° С | -40 ° С | Микропра | 5в | 333ma | Н.Квалиирована | МИККРОПРЕССОР | 32 | Не | Не | ФИКСИРОВАННАНА | В дар | 32 | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BX80532PG3200F | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | CMOS | В | 478 | Не | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Не | Петенкюр | PIN/PEG | 1,5 В. | 1,27 ММ | Микропра | 1,5 В. | S-PPGA-P478 | 64b | 3,2 -е | 3200 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KXPC8240LVV200E | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 105 ° С | 0 ° С | 200 мг | ROHS COMPRINT | СОУДНО ПРИОН | 352 | Не | БЕЗОПАСНЫЙ | 32B | 200 мг | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TS68020VF1-20 | Atmel (Microchip Technology) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | CMOS | 20 мг | В | СОДЕРИТС | 132 | 132 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | 5в | Квадран | Крхлоп | 5в | 0,635 мм | Промлэнно | 85 ° С | -40 ° С | Микропра | 5в | 333ma | Н.Квалиирована | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CM8062101143101SR0L1 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 81,8 ° C. | CMOS | 2,4 -е | ROHS COMPRINT | 1,35 В. | 2011 год | Униджин | Приклад | Микропра | 0,65/1,4в. | 165000MA | Н.Квалиирована | 750 -gb | DDR3 | 64b | 2,4 -е | 2400 мг | МИККРОПРЕССОР | 64 | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MC7448VS867ND | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (neograniчennnый) | 105 ° С | 0 ° С | CMOS | 867 мг | 2,8 мм | ROHS COMPRINT | 25 ММ | 1V | 360 | 1.758663G | 360 | Не | БЕЗОПАСНЫЙ | В дар | Униджин | М | 1V | 360 | Drugoй | Микропра | Рис | 64b | 867 мг | 32 | Не | В дар | ФИКСИРОВАННАНА | Не | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KMPC8548EHXATG | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 105 ° С | 0 ° С | 1,2 -е | ROHS COMPRINT | FCBGA | 1,1 В. | 11.285492G | 783 | Не | Верна | 32B | 1,2 -е | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XPC850SRCZT66BU | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 чASOW) | 95 ° С | -40 ° С | CMOS | 66 мг | 2,35 мм | В | BGA | 23 ММ | 23 ММ | СОДЕРИТС | 256 | not_compliant | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Верна | В дар | Униджин | М | 220 | 3,3 В. | 256 | 3.465V | 30 | Микропра | 3,3 В. | Н.Квалиирована | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | В дар | В дар | ФИКСИРОВАННАНА | В дар | 26 | 32 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KMPC860ENCVR66D4 | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 95 ° С | -40 ° С | 66 мг | ROHS COMPRINT | BGA | 3,3 В. | СОУДНО ПРИОН | 2.096504G | 357 | Не | БЕЗОПАСНЫЙ | 32B | 66 мг | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Get40efsb22gve | Амд | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | CMOS | ROHS COMPRINT | 2013 | /files/amd-get40efsb22gve-datasheets-3309.pdf&product=amd-get40efsb22gve-19770467 | 413 | 6 | 413 | Не | 8542.31.00.01 | Униджин | М | 413 | 64b | 1 гер | МИКРОПРЕССОНА АНАСА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KMPC8349EVVAJDB | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 105 ° С | 0 ° С | 533 мг | ROHS COMPRINT | 1,2 В. | 9.256006G | 672 | 5A002 | Не | БЕЗОПАСНЫЙ | 672 | 32B | 533 мг | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
P1020PSE2FDB | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 125 ° С | 0 ° С | 800 мг | ROHS COMPRINT | 2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KMPC8377CVRALG | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 125 ° С | -40 ° С | 667 мг | ROHS COMPRINT | 1V | 4.743102G | 689 | в дар | Не | БЕЗОПАСНЫЙ | Рис | 32B | 667 мг | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Bx80546pg3000esl7pm | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | CMOS | ROHS COMPRINT | 478 | 478 | 3A001.A.3 | 8542.31.00.01 | Не | Петенкюр | PIN/PEG | 1,2 В. | 1,27 ММ | 478 | Микропра | 1,2 В. | 78000 мая | Н.Квалиирована | 3 гер | 3000 мг | МИККРОПРЕССОР | 64 | В дар | В дар | Плава | В дар | 32 | 64 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PCX7457VGH1000NC | Atmel (Microchip Technology) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | CMOS | 1 гер | 3,2 мм | В | 29 ММ | 29 ММ | СОДЕРИТС | 483 | 3A001.A.3 | Rabothototetpripripodaч 1,3 В | 8542.31.00.01 | 1,1 В. | Униджин | М | 1,1 В. | 1,27 ММ | 483 | Н.Квалиирована | S-CBGA-B483 | PowerPC | 1000 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 36 | 64 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDT79RC32T332-100DH | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 3 (168 чASOW) | CMOS | 100 мг | В | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt79rc32t332100dh-datasheets-3225.pdf | PQFP | 208 | 208 | не | not_compliant | E0 | Олово/Свине (SN85PB15) | 2,5 В. | Квадран | Крхлоп | 225 | 0,5 мм | Коммер | 70 ° С | Nukahan | Микропра | 2,53,3 В. | Н.Квалиирована | МИККРОПРЕССОР | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FA80386EXTC25 | Rochester Electronics | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | CMOS | 25 мг | 1,7 ММ | В | TQFP | 20 ММ | 20 ММ | 5в | 144 | 5,5 В. | 4,5 В. | 144 | не | 3A001.A.3 | 8542.31.00.01 | 5в | Квадран | Крхлоп | Nukahan | 5в | 0,5 мм | 144 | Промлэнно | 118 ° С | -40 ° С | Nukahan | Н.Квалиирована | МИККРОПРЕССОР | 32 | В дар | В дар | ФИКСИРОВАННАНА | Не | 25 мкс | 26 | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
OS4284WLU8KGUS | Амд | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Gneзdo | ROHS COMPRINT | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
W65C02S6TQG-14 | Western Digital | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 2,7 ММ | ROHS COMPRINT | QFP | 10 мм | 5в | 44 | в дар | Ара | В дар | 5в | 44 | Промлэнно | 8B | 14 мг | МИККРОПРЕССОР | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CM8062301046604SR05U | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | CMOS | 2,3 -е | ROHS COMPRINT | 1155 | Униджин | NeT -lederStva | 0,9 мм | Микропра | 0,25/1,52 В. | 35000 мая | Н.Квалиирована | 64b | 2,3 -е | 2300 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 64 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PCX7447AVGH1000NB | Atmel (Microchip Technology) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 1 гер | В | СОДЕРИТС | 1,1 В. | PowerPC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FA80386EXTB25 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | CMOS | 25 мг | 1,7 ММ | В | TQFP | 20 ММ | 20 ММ | 3,3 В. | 144 | 3,6 В. | 3В | 144 | 3A001.A.3 | 8542.31.00.01 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | 3,3 В. | Квадран | Крхлоп | Nukahan | 3,3 В. | 0,5 мм | 144 | Промлэнно | 118 ° С | -40 ° С | Nukahan | Микропра | 140 май | Н.Квалиирована | МИККРОПРЕССОР | 32 | В дар | В дар | ФИКСИРОВАННАНА | Не | 12 | 3 | 2 | 25 мкс | 26 | 16 |
Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.