Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | Управый | Упако | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | Тела | ЧastoTA | Весарая (МАКСИМУМА) | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | Делина | Вес | Шyrina | Опресагионе | СОУДНО ПРИОН | Колист | Верна - | МАССА | МАКСИМАЛНА | МИНАПРЕЗА | Колист | Имен | PBFREE CODE | ТИПРЕМА | КОД ECCN | Доленитейн Ая | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN | HTS -KOD | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Naprayeseee | БЕЗОПАСНЫЙ | Пефер | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Надо | Терминал | Поседл | ТЕМПЕРАТУРА | Raboч -yemperatura (mamaks) | Posta | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | Подкейгория | Питания | Поступил | Кваликакахионн Статус | КОД JESD-30 | Raзmerpmayti | Колист. Каналов | ТИП ПАМАТИ | О. А.А. | Raзmer operativnoй papmayti | ШIrIna шinыdannnых | ASTOTA (MMAKS) | Скороп | UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS | Р.А. МЕР ИБИТА | Степень | Колиш | Коли -теплый | Power Dissipation-Max | Колист. Каналов Уарт | Graoniцa kkanirowanee | Унигир | Формат | Ингрированан | Колиш | Колиш | Колист. Каналов | Колист. Каналов I2C | Вернее | Адреса иирин | Иурин | Колист |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
KMPC8547VUATG | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 105 ° С | 0 ° С | 1,2 -е | ROHS COMPRINT | FCBGA | 1,1 В. | 11.227488G | 783 | Не | Верна | 32B | 1,2 -е | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S3C44B0X01-YD80 | Samsung Semiconductor | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | ROHS COMPRINT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Ten40lgav23gme | Амд | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | ROHS COMPRINT | 2012 | /files/amd-ten40lgav23gme-datasheets-9635.pdf&product=amd-ten40lgav23gme-18510587 | 6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KMPC860DECZQ50D4 | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 95 ° С | -40 ° С | 50 мг | ROHS COMPRINT | BGA | 3,3 В. | СОДЕРИТС | 2.1737G | 357 | не | Не | БЕЗОПАСНЫЙ | 32B | 50 мг | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
A8050266133SY022 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 133 мг | ROHS COMPRINT | 133 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KMPC8358CZAGDDA | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 105 ° С | 0 ° С | 400 мг | ROHS COMPRINT | BGA | 1,2 В. | 6.069208G | 668 | Не | БЕЗОПАСНЫЙ | 32B | 400 мг | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDT79R3041-25J | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 1 (neograniчennnый) | CMOS | 25 мг | 4,57 мм | В | 1996 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt79r304125j-datasheets-9577.pdf | LCC | 29,2862 ММ | 29,2862 ММ | 84 | 3A001.A.3 | Верна 5 Стадих | not_compliant | 8542.31.00.01 | E0 | Олово/Свине (SN85PB15) | 5в | Квадран | J Bend | 225 | 5в | 1,27 ММ | 84 | Коммер | 70 ° С | 30 | Микропра | 5в | 300 май | Н.Квалиирована | S-PQCC-J84 | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | Не | Не | ФИКСИРОВАННАНА | Не | 6 | 32 | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BX80553915SL9KB | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | CMOS | ROHS COMPRINT | 775 | 8542.31.00.01 | В дар | Униджин | NeT -lederStva | 1,3 В. | 1,1 мм | Микропра | 1,3 В. | 125000 мая | Н.Квалиирована | R-PBGA-N775 | 2,8 -е | 2800 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ADH5050AA5DOC | Амд | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | ROHS COMPRINT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDT79R3041-20PF | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 3 | CMOS | 20 мг | 1,6 ММ | В | 1996 | /files/integrateddevicetechnology-idt79r304120pf-datasheets-9548.pdf | LQFP | 14 ММ | 14 ММ | 100 | 3A991.A.2 | 16 MIP; Верна 5 Стадих | not_compliant | 8542.31.00.01 | E0 | Олово/Свине (SN85PB15) | 5в | Квадран | Крхлоп | 240 | 5в | 0,5 мм | 100 | Коммер | 70 ° С | 20 | Микропра | 5в | 250 май | Н.Квалиирована | S-PQFP-G100 | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | Не | Не | ФИКСИРОВАННАНА | Не | 6 | 32 | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDT79R3041-20J | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 1 | CMOS | 20 мг | 4,57 мм | В | 1996 | /files/integrateddevicetechnology-idt79r304120j-datasheets-9534.pdf | LCC | 29,2862 ММ | 29,2862 ММ | 84 | 3A991.A.2 | 16 MIP; Верна 5 Стадих | not_compliant | 8542.31.00.01 | E0 | Олово/Свине (SN85PB15) | 5в | Квадран | J Bend | 225 | 5в | 1,27 ММ | 84 | Коммер | 70 ° С | 30 | Микропра | 5в | 250 май | Н.Квалиирована | S-PQCC-J84 | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | Не | Не | ФИКСИРОВАННАНА | Не | 6 | 32 | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
P89LPC935FDH | Rochester Electronics | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | TSSOP | 9,8 мм | 950 мкм | 4,5 мм | 3,6 В. | 28 | 8 кб | 8 | В.С. | 80C51 | 516b | 8B | 18 мг | 2 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RB80526PY850256SL4Z2 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Чereз dыru | МАССА | CMOS | 850 мг | 2978 ММ | ROHS COMPRINT | 49,53 мм | 1,75 В. | 370 | 370 | Не | Петенкюр | PIN/PEG | 1,65 В. | 2,54 мм | 370 | 32B | 850 мг | МИККРОПРЕССОР | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KMC7457RX1267LC | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 1 | 105 ° С | 0 ° С | CMOS | 1267 Гер | 3,2 мм | ROHS COMPRINT | 29 ММ | 1,3 В. | СОДЕРИТС | 483 | 6.610599G | 2,5 В. | 1,25 | 483 | Не | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | БЕЗОПАСНЫЙ | Униджин | М | 245 | 1,3 В. | 483 | 30 | Микропра | PowerPC | 32B | 1267 Гер | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 36 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TN80C188EB20 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 20 мг | 4,83 мм | ROHS COMPRINT | PLCC | 29,3116 ММ | 29,3116 ММ | 5в | 84 | 5,5 В. | 4,5 В. | 84 | 3A991.A.2 | Коунтерллэр в дрэме; 3 programmirueemhemыe ataйmerы; Эmaolaiship obrodowaniva | 8542.31.00.01 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | 5в | Квадран | J Bend | Nukahan | 5в | 1,27 ММ | 84 | Промхлеп | Nukahan | Микропра | 5в | 108 май | Н.Квалиирована | МИККРОПРЕССОР | 16 | Не | В дар | ФИКСИРОВАННАНА | Не | 6 | 2 | 20 мкс | 20 | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BX80552631SL9KG | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | CMOS | ROHS COMPRINT | 775 | 775 | 8542.31.00.01 | В дар | Униджин | NeT -lederStva | 1,2 В. | 1,1 мм | Микропра | 1,2 В. | Н.Квалиирована | 3 гер | 3000 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BX80552356SL9KL | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | CMOS | ROHS COMPRINT | 775 | Не | 8542.31.00.01 | В дар | Униджин | 1,2 В. | 1,1 мм | Микропра | 1,2 В. | R-PBGA-N775 | 3,33 ГОГ | 3330 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AD631XWNZ43GX | Амд | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BX80547RE2667CNSL98V | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | CMOS | ROHS COMPRINT | 775 | 775 | 8542.31.00.01 | В дар | Униджин | NeT -lederStva | 1,3 В. | 1,1 мм | Микропра | 1,3 В. | 78000 мая | Н.Квалиирована | 2,66 г | 2660 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BX80547RE2533CNSL7TU | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | CMOS | ROHS COMPRINT | 775 | 775 | 8542.31.00.01 | В дар | Униджин | NeT -lederStva | 1,3 В. | 1,1 мм | Микропра | 1,3 В. | 78000 мая | Н.Квалиирована | 2,53 герб | 2530 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BX80547PG3800FSL7Z3 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | CMOS | ROHS COMPRINT | 775 | 8542.31.00.01 | В дар | Униджин | NeT -lederStva | 1,3 В. | 1,1 мм | Микропра | 1,3 В. | 119ma | Н.Квалиирована | R-XBGA-N775 | 64b | 3,8 -е | 3800 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
20-101-1179 | Poluprovodonykkrolyka (Digi) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 85 ° С | -40 ° С | 44,2 мг | ROHS COMPRINT | 2002 | /files/rabbitsemiconductor-201011179-datasheets-9346.pdf | Модул | 3,45 В. | СОУДНО ПРИОН | Ethernet, Сейриал | IDC | 256 кб | Flash, Sram | 768 кб | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HH80556JG0494MSLAG5 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
20-101-1247 | Poluprovodonykkrolyka (Digi) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 75 ° С | -30 ° С | 73,73 мг | ROHS COMPRINT | /files/rabbitsemiconductor-201011247-datasheets-9307.pdf | Модул | 3,3 В. | Серриал | IDC | 512 кб | Flash, Sram | 1,5 мБ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
20-101-1246 | Poluprovodonykkrolyka (Digi) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 75 ° С | -30 ° С | 73,73 мг | ROHS COMPRINT | 2009 | /files/rabbitsemiconductor-201011246-datasheets-9257.pdf | Модул | 72 ММ | 15 ММ | 47 ММ | 3,3 В. | СОУДНО ПРИОН | Серриал | IDC | 512 кб | Flash, Sram | 1 март | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Add3000iaa4cne | Амд | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LPC1102LVUK, 118 | NXP Semiconductors / Freescale | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Лю | 85 ° С | -40 ° С | ROHS COMPRINT | 1,8 В. | 25 | I2c, spi, ssp, uart | Не | 32 кб | В.С. | Рука | 8 кб | 32B | 50 мг | В дар | 4 | 21 | 1,5 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AM3703CUSNEST | Тел | $ 82,29 | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 чASOW) | 105 ° С | -40 ° С | CMOS | 800 мг | ROHS COMPRINT | FCBGA | СОУДНО ПРИОН | 423 | 423 | E1 | Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) | В дар | Униджин | М | 260 | 1,1 В. | 0,65 мм | Drugoй | 0,9 В. | Nukahan | Рука | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | 4 | В дар | В дар | Плава | В дар | 26 | 16 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KMPC859PVR133A | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 95 ° С | 0 ° С | 133 мг | ROHS COMPRINT | BGA | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 2.094208G | 357 | Не | БЕЗОПАСНЫЙ | 8 кб | 32B | 133 мг | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Heq54loek4dgme | Амд | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | ROHS COMPRINT |
Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.