Микропроцессоры - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Микропра

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист Верна - МАССА МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Имен PBFREE CODE Толсина КОД ECCN Доленитейн Ая Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Naprayeseee БЕЗОПАСНЫЙ Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Подкейгория Питания Поступил Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 ТИП ГЕЙНЕРАТОРА Nomer- /Водад ТИП ПАМАТИ Пефер -вусрост О. А.А. Raзmer operativnoй papmayti ШIrIna шinыdannnых ASTOTA (MMAKS) Скороп UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS Р.А. МЕР ИБИТА Имея Канала Дма ШIMCANALы Канала Oprogrammirueomostath Graoniцa kkanirowanee Унигир Формат Ингрированан ТАКТОВА Адреса иирин Иурин Колист
AW80576SH0616MSLGE8 AW80576SH0616MSLGE8 Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 105 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT 478 478 8542.31.00.01 Не Петенкюр PIN/PEG 1,2 В. 1,27 ММ Микропра 1,2 В. 38000 мая Н.Квалиирована 64b 2,53 герб 2530 мг MykroproцeSsOr, Risc 64
MC8640DHX1067NC MC8640DHX1067NC Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 МАССА 3 105 ° С 0 ° С CMOS 1 067 гг В 33 ММ 1,05 5.854205G 3A991 not_compliant E0 Олово/Свинен (SN/PB) БЕЗОПАСНЫЙ В дар Униджин М 225 0,95 В. 1 ММ Drugoй 1V Nukahan Н.Квалиирована 32B 1 067 гг 1067 мг МИККРОПРЕССОР 32 В дар В дар Плава В дар 32 2
MC7448VU1267NC MC7448VU1267NC Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 МАССА 1 105 ° С 0 ° С CMOS 1267 Гер 2,8 мм ROHS COMPRINT 25 ММ 25 ММ СОДЕРИТС 360 В.яя, то, что E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) БЕЗОПАСНЫЙ В дар Униджин М 245 1,1 В. 360 Drugoй 30 Микропра Н.Квалиирована S-CBGA-B360 MykroproцeSsOr, Risc 32 Не В дар ФИКСИРОВАННАНА Не 1
C8051F508-AM C8051F508-AM Силиконо
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 0,9 мм В Qfn 6 мм 6 мм 40 40 3A991.A.2 8542.31.00.01 В дар Квадран NeT -lederStva Nukahan 2.1 0,5 мм 40 Автомобиль 125 ° С 5,25 В. 1,8 В. Nukahan Н.Квалиирована 33 50 мг МИККРОКОНТРОЛЕР 8 В дар Не В дар Не В.С. 30 мг 16 8
KXPC857TZP100B KXPC857TZP100B Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 МАССА 3 105 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT BGA 357 357 5A991 Не 8542.31.00.01 E0 Олейнн Верна В дар Униджин М 220 3,3 В. 357 3,6 В. 3В 32B 100 мг MykroproцeSsOr, Risc 32 В дар В дар ФИКСИРОВАННАНА В дар 32
C8051F507-AQ C8051F507-AQ Силиконо
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 1,6 ММ В LQFP 7 мм 7 мм 32 32 3A991.A.2 8542.31.00.01 В дар Квадран Крхлоп 2.1 0,8 мм 32 Автомобиль 125 ° С -40 ° С 5,25 В. 1,8 В. Н.Квалиирована 25 50 мг МИККРОКОНТРОЛЕР 8 В дар Не В дар Не В.С. 30 мг 16 8
MC7448VU1250NC MC7448VU1250NC Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 (neograniчennnый) 105 ° С 0 ° С CMOS 1,25 -е 2,8 мм ROHS COMPRINT 25 ММ 25 ММ СОДЕРИТС 360 360 В.яя, то, что E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) БЕЗОПАСНЫЙ В дар Униджин М 260 1,1 В. 360 Drugoй 40 Микропра Н.Квалиирована MykroproцeSsOr, Risc 32 Не В дар ФИКСИРОВАННАНА Не 1
ADAFX55DEI5AS Adafx55dei5as Амд
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 В
IP80C88-2 IP80C88-2 Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru МАССА 85 ° С -40 ° С CMOS 8 мг 6,35 мм ROHS COMPRINT 2002 /files/intersil-ip80c882-datasheets-2352.pdf Окунаан 51,75 мм 5,5 В. СОДЕРИТС 40 11 nedely 40 не Не 8542.31.00.01 E0 Олово/Свинен (SN/PB) 5,25 В. Дон 5в 2,54 мм 40 Промлэнно Микропра 5в 80,5 мая 1 март 16b 8 мг МИККРОПРЕССОР 16 Не В дар ФИКСИРОВАННАНА Не 20
79RC32H434-300BCG 79RC32H434-300BCG ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА 3 70 ° С 0 ° С CMOS 300 мг ROHS COMPRINT 1999 /files/integrateddevicetechnology-79rc32h434300bcg-datasheets-2346.pdf&product=integrateddeviceTechnologyIdt-79RC32H434300BCG-16137109 17 ММ 17 ММ СОУДНО ПРИОН 256 256 в дар 1,4 мм Не E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) В дар Униджин М 260 1,2 В. 256 Коммер 32B 300 мг MykroproцeSsOr, Risc 32 В дар В дар ФИКСИРОВАННАНА В дар 1
MC8641DHX1250HE MC8641DHX1250HE Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 МАССА 3 (168 чASOW) 105 ° С 0 ° С CMOS 1,25 -е ROHS COMPRINT 33 ММ 1,1 В. 5.854205G 1023 3A991 Не E0 Олово/Свинен (SN/PB) БЕЗОПАСНЫЙ В дар Униджин М 245 1,05 1 ММ 30 Микропра PowerPC 32B 1,25 -е 166,66 мг МИККРОПРЕССОР 32 В дар В дар Плава В дар 32 2
MC7448VU1000NC MC7448VU1000NC Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 105 ° С 0 ° С CMOS 1 гер 2,8 мм ROHS COMPRINT 25 ММ 25 ММ СОДЕРИТС 360 В.яя, то, что E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) БЕЗОПАСНЫЙ В дар Униджин М 260 1V 360 Drugoй 0,95 В. 40 Микропра Н.Квалиирована S-CBGA-B360 MykroproцeSsOr, Risc 32 Не В дар ФИКСИРОВАННАНА Не 1
MPC8543HXANG MPC8543HXANG Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 (neograniчennnый) 105 ° С 0 ° С CMOS 800 мг 3,38 ММ ROHS COMPRINT FCBGA 29 ММ 1,1 В. 783 11.285492G 783 5A992 Не E0 Olovo/svineц/serebro (sn/pb/ag) Верна В дар Униджин М 260 1,1 В. 783 40 Микропра 32B 800 мг МИККРОПРЕССОР 32 В дар В дар Плава В дар 64 1
C8051F507-AM C8051F507-AM Силиконо
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 1 ММ В Qfn 5 ММ 5 ММ 32 32 3A991.A.2 8542.31.00.01 В дар Квадран NeT -lederStva 2.1 0,5 мм 32 Автомобиль 125 ° С -40 ° С 5,25 В. 1,8 В. Н.Квалиирована 25 50 мг МИККРОКОНТРОЛЕР 8 В дар Не В дар Не В.С. 30 мг 16 8
MCIMX6L8DVN10SA MCIMX6L8DVN10SA NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 95 ° С 0 ° С 1 гер ROHS COMPRINT TFBGA Can, Ebi/emi, Ethernet, I2C, MMC, SD, SPI, UART, USB БЕЗОПАСНЫЙ Внутронни 160 Ван DMA, PWM, Wdt Рука
C8051F506-AQ C8051F506-AQ Силиконо
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 1,6 ММ В LQFP 7 мм 7 мм 32 32 3A991.A.2 8542.31.00.01 В дар Квадран Крхлоп 2.1 0,8 мм 32 Автомобиль 125 ° С -40 ° С 5,25 В. 1,8 В. Н.Квалиирована 25 50 мг МИККРОКОНТРОЛЕР 8 В дар Не В дар Не В.С. 30 мг 16 8
MC7448VU1000LC MC7448VU1000LC Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 (neograniчennnый) 105 ° С 0 ° С CMOS 1 гер 2,4 мм ROHS COMPRINT 25 ММ 25 ММ СОДЕРИТС 360 В.яя, то, что E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) БЕЗОПАСНЫЙ В дар Униджин М 260 1,15 В. 360 Drugoй 40 Микропра Н.Квалиирована S-CBGA-B360 MykroproцeSsOr, Risc 32 В дар В дар Плава В дар 36 64 1
KMPC8379EVRALG KMPC8379EVRALG Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 125 ° С 0 ° С 667 мг ROHS COMPRINT 1V 4.743102G 689 Не БЕЗОПАСНЫЙ Рис 32B 667 мг 1
TX486SXLB-040-GA TX486SXLB-040-GA Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 В СОДЕРИТС
MPC8572VTARLB MPC8572VTARLB Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 3 (168 чASOW) 105 ° С 0 ° С CMOS 1 067 гг 3,38 ММ ROHS COMPRINT BGA 33 ММ 12.834991G 1023 Не E2 Олово/Секребро (Sn/Ag) Верна В дар Униджин М 1,1 В. 1 ММ 1.155V 1.045V 32B 1 067 гг 1067 мг МИККРОПРЕССОР 32 В дар В дар Плава В дар 32 2
KMPC8378VRALG KMPC8378vralg Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 МАССА 125 ° С 0 ° С 667 мг ROHS COMPRINT 1V 4.743102G 689 Не БЕЗОПАСНЫЙ Рис 32B 667 мг 1
C8051F506-AM C8051F506-AM Силиконо
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 1 ММ В Qfn 5 ММ 5 ММ 32 32 3A991.A.2 8542.31.00.01 В дар Квадран NeT -lederStva 2.1 0,5 мм 32 Автомобиль 125 ° С -40 ° С 5,25 В. 1,8 В. Н.Квалиирована 25 50 мг МИККРОКОНТРОЛЕР 8 В дар Не В дар Не В.С. 30 мг 16 8
MC7448VS667NC MC7448VS667NC Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 105 ° С 0 ° С CMOS 667 мг 2,8 мм ROHS COMPRINT 25 ММ 25 ММ СОДЕРИТС 360 В.яя, то, что БЕЗОПАСНЫЙ В дар Униджин М 245 1V 360 Drugoй 0,95 В. 30 Микропра Н.Квалиирована S-CBGA-B360 MykroproцeSsOr, Risc 32 Не В дар ФИКСИРОВАННАНА Не 1
MPC8541VTAQF MPC8541VTAQF Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 3 (168 чASOW) 105 ° С 0 ° С CMOS 1 гер 3,75 мм ROHS COMPRINT FCBGA 29 ММ 29 ММ СОДЕРИТС 783 5A992 БЕЗОПАСНЫЙ В дар Униджин М 260 1,3 В. 783 Drugoй 40 Микропра Н.Квалиирована R-PBGA-B783 MykroproцeSsOr, Risc 32 В дар В дар Плава В дар 64 64 1
IDT79RC32V364-133DAG IDT79RC32V364-133DAG ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер CMOS 133 мг 1,6 ММ ROHS COMPRINT 1995 /files/integrateddevicetechnology-idt79rc32v364133dag-datasheets-2265.pdf&product=integratedDeviceTechnologyIdt-IDT79RC32V364133333DAG-16110036 LQFP 20 ММ 20 ММ 144 3A001.A.3 8542.31.00.01 E0 Олейнн 3,3 В. Квадран Крхлоп Nukahan 3,3 В. 0,5 мм 144 Drugoй 85 ° С Nukahan Н.Квалиирована S-PQFP-G144 MykroproцeSsOr, Risc 32 В дар В дар ФИКСИРОВАННАНА В дар 32 32
C8051F505-AQ C8051F505-AQ Силиконо
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 1,2 ММ В QFP 7 мм 7 мм 48 48 3A991.A.2 8542.31.00.01 В дар Квадран Крхлоп 2.1 0,5 мм 48 Автомобиль 125 ° С -40 ° С 5,25 В. 1,8 В. Н.Квалиирована 40 50 мг МИККРОКОНТРОЛЕР 8 В дар Не В дар Не В.С. 30 мг 16 8
KMPC8378CVRALG KMPC8378CVRALG Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 МАССА 3 (168 чASOW) 125 ° С -40 ° С CMOS 667 мг ROHS COMPRINT 1V 689 4.743102G 689 в дар 5A992 Не E2 Олово/Секребро (Sn/Ag) БЕЗОПАСНЫЙ В дар Униджин М 225 Микропра Рис 32B 667 мг МИККРОПРЕССОР 32 1
MC7448VS600NC MC7448VS600NC Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 (neograniчennnый) 105 ° С 0 ° С CMOS 600 мг 2,8 мм ROHS COMPRINT 25 ММ 25 ММ СОДЕРИТС 360 360 БЕЗОПАСНЫЙ В дар Униджин М 245 1V 360 Drugoй 0,95 В. 30 Микропра Н.Квалиирована MykroproцeSsOr, Risc 32 Не В дар ФИКСИРОВАННАНА Не 1
MPC8541PXAJD MPC8541PXAJD Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 3 (168 чASOW) 105 ° С 0 ° С CMOS 533 мг 3,75 мм ROHS COMPRINT FCBGA 29 ММ 1,2 В. СОДЕРИТС 783 4.31131G 1,26 1,14 783 5A992 Не E0 Olovo/svineц/serebro (sn/pb/ag) Верна Униджин М 245 1,2 В. 783 Drugoй 30 Микропра 32B 533 мг MykroproцeSsOr, Risc 32 В дар В дар Плава В дар 64 1
MPC8360EVVALFG MPC8360EVVALFG Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 3 105 ° С 0 ° С CMOS 667 мг ROHS COMPRINT 37,5 мм 1,3 В. 740 10.630703G 740 5A002 Не E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) БЕЗОПАСНЫЙ В дар Униджин М 1,3 В. 740 Коммер Микропра 32B 667 мг MykroproцeSsOr, Risc 32 В дар В дар Плава В дар 32 1
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)