Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | Управый | Упако | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | Тела | ЧastoTA | Весарая (МАКСИМУМА) | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | Делина | Вес | Шyrina | Опресагионе | СОУДНО ПРИОН | МАКСИМАЛНГОН | Колист | Верна - | МАССА | МАКСИМАЛНА | МИНАПРЕЗА | Колист | Имен | Плетня | PBFREE CODE | ТИПРЕМА | КОД ECCN | Доленитейн Ая | Rradiaцyonnoe yproчneneenee | DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN | HTS -KOD | Н. | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Naprayeseee | БЕЗОПАСНЫЙ | Пефер | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Надо | Терминал | Поседл | ТЕМПЕРАТУРА | Raboч -yemperatura (mamaks) | PoSta | Posta | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | Подкейгория | Питания | Поступил | Колист | Кваликакахионн Статус | КОД JESD-30 | Raзmerpmayti | ТИП ПАМАТИ | О. А.А. | Raзmer operativnoй papmayti | ШIrIna шinыdannnых | ASTOTA (MMAKS) | Скороп | UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS | Р.А. МЕР ИБИТА | Имея | Канала Дма | ШIMCANALы | Канала | Колиш | Коли -теплый | Power Dissipation-Max | Сообщитель | Graoniцa kkanirowanee | Унигир | Формат | Ингрированан | Napraneee ofprogrammirowaniv | Адреса иирин | Иурин | ТИП ИК ПАМЕЙТИ | Колист |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TMPR4955CFG-400 | Toshiba | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | 4,45 мм | ROHS COMPRINT | PQFP | 28 ММ | 1,5 В. | 160 | 160 | 3A001.A.3 | TykebueTsepipsepapypapypoStawca 3,3 В | 8542.31.00.01 | В дар | Квадран | Крхлоп | 1,5 В. | 0,65 мм | 160 | Коммер | 1,6 В. | Микропра | 1,53,3 В. | Н.Квалисирована | Рис | 64b | 400 мг | 64 | Не | Не | Не | Не | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STPCC0375BTC3 | Stmicroelectronics | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 100 ° С | 0 ° С | CMOS | 75 мг | 2,38 ММ | В | BGA | 35 ММ | 3,45 В. | 388 | не | OT 0 дюйма 100 ТЕМПЕРАТУРА РУБОТ | not_compliant | 8542.39.00.01 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | В дар | Униджин | М | Nukahan | 3,45 В. | 1,27 ММ | 388 | Коммер | 3,75 В. | Nukahan | Микропра | 3,3 В. | Н.Квалисирована | 32 кб | 32B | 75 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | 388 | PCI; Иса | Не | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KMPC8555PXAPF | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 105 ° С | 0 ° С | 833 Мг | ROHS COMPRINT | FCBGA | 1,2 В. | СОДЕРИТС | 4.31131G | 783 | Не | БЕЗОПАСНЫЙ | 32B | 833 Мг | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SI1033 | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | В | в дар | Nukahan | Nukahan | 3В | В.С. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDT79RC64V474-200DZ | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 3 (168 чASOW) | CMOS | 200 мг | 4,1 мм | В | 1995 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt79rc64v474200dz-datasheets-5861.pdf | PQFP | 28 ММ | 28 ММ | 128 | 3A001.A.3 | not_compliant | 8542.31.00.01 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | 3,3 В. | Квадран | Крхлоп | 225 | 3,3 В. | 0,8 мм | 128 | Drugoй | 85 ° С | 30 | Микропра | 1200 май | Н.Квалисирована | MykroproцeSsOr, Risc | 64 | В дар | В дар | Плава | В дар | 32 | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MC68340FT16E | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 70 ° С | 0 ° С | 16 мг | ROHS COMPRINT | QFP | 5в | СОУДНО ПРИОН | 144 | Верна | ХoLoDnnый о гоно | 32B | 16 мг | 2 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GW80314GSSL7NK | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 133 мг | В | 540 | 1,2 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MPC8536CVTAKGA | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 | 105 ° С | -40 ° С | CMOS | 600 мг | 2,76 ММ | ROHS COMPRINT | FCBGA | 29 ММ | 1,21 В. | 783 | 3.695587G | Ethernet, i2c, usb | 5A992 | Не | E2 | Олово/Секребро (Sn/Ag) | БЕЗОПАСНЫЙ | В дар | Униджин | М | 1,1 В. | 783 | Промлэнно | Микропра | S-PBGA-B783 | 512 кб | 32 кб | 32B | 333 мг | МИККРОПРЕССОР | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 32 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FWIXP420BC | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 1 | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | 400 мг | 2,59 мм | ROHS COMPRINT | 2004 | /files/intel-fwixp420bc-datasheets-5768.pdf | BGA | 35 ММ | 35 ММ | СОДЕРИТС | 492 | 492 | 3A991.A.2 | TykebueTsepipsepapypapypoStawca 3,3 В | Не | 8542.31.00.01 | 1,3 В. | Униджин | М | 225 | 1,3 В. | 1,27 ММ | 492 | Коммер | Микропра | 1,33,3 В. | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | В дар | Не | ФИКСИРОВАННАНА | В дар | 32 | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EN80C186XL-20 | Rochester Electronics | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | CMOS | 20 мг | ROHS COMPRINT | LCC | СОУДНО ПРИОН | 68 | 5в | Квадран | J Bend | 5в | Коммер | 70 ° С | S-PQCC-J68 | МИККРОПРЕССОР | 16 | Не | В дар | ФИКСИРОВАННАНА | Не | 20 | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FWIXP420BD | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | МАССА | 1 | CMOS | 533 мг | 2,59 мм | ROHS COMPRINT | 2004 | /files/intel-fwixp420bd-datasheets-5738.pdf&product=intel-fwixp420bd-14153158 | BGA | 35 ММ | 35 ММ | СОДЕРИТС | 492 | 492 | 3A991.A.2 | TykebueTsepipsepapypapypoStawca 3,3 В | 8542.31.00.01 | 1,3 В. | Униджин | М | 225 | 1,3 В. | 1,27 ММ | 492 | Коммер | 70 ° С | Nukahan | Микропра | 1,33,3 В. | Н.Квалисирована | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | В дар | Не | ФИКСИРОВАННАНА | В дар | 32 | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TI486SXLC2-G50-PQ | Тел | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | В | СОДЕРИТС | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CC-MX-PF58-ZM | Digi International | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 85 ° С | -40 ° С | В | 2016 | /files/digiinternational-ccmxpf58zm-datasheets-5654.pdf&product=digiinternational-ccmxpf58zm-14132184 | Модул | СОУДНО ПРИОН | 111 nede | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MPC8347CZUAJFB | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 105 ° С | -40 ° С | 533 мг | ROHS COMPRINT | 672 | 672 | 32B | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MC68EN360ZP25VL | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 3 (168 чASOW) | 70 ° С | 0 ° С | HCMOS | 25 мг | В | BGA | 25 ММ | СОДЕРИТС | 357 | Ethernet, parallesh, serairal, uart | Ear99 | Rabothotet pri 3,3 | not_compliant | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Верна | В дар | Униджин | М | 220 | 5в | 357 | Коммер | 5,25 В. | 4,75 В. | 30 | Н.Квалисирована | 2,5 кб | 32B | 25 мг | 33,34 мг | МИККРОКОНТРОЛЕР, RISC | Не | В дар | Не | Не | 32 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TMPN3150B1AFGI | Toshiba | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 85 ° С | -40 ° С | 20 мг | ROHS COMPRINT | PQFP | 5в | 18ma | 5,5 В. | 4,5 В. | 64 | 7в | 2 | 8B | 20 мг | 800 м | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MC68020EH33E | Rochester Electronics | $ 628,52 | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 70 ° С | 0 ° С | 33 мг | ROHS COMPRINT | PQFP | 5в | СОУДНО ПРИОН | 4.724505G | 132 | Рис | 32B | 33,33 мг | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
101-0454 | Poluprovodonykkrolyka (Digi) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 70 ° С | 0 ° С | 22,1 мг | В | 2009 | /files/rabbitsemiconductor-1010454-datasheets-5605.pdf | Модул | 58,4 мм | 21,8 ММ | 40,6 ММ | 5,25 В. | Ethernet, Сейриал | 2 марта | IDC | 134ma | 128 кб | Flash, Sram | 128 кб | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MC68EN360ZP25LR2 | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | $ 2,66 | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Lenta и катахка (tr) | 3 (168 чASOW) | 70 ° С | 0 ° С | HCMOS | 25 мг | ROHS COMPRINT | BGA | 25 ММ | 25 ММ | СОДЕРИТС | 357 | Ear99 | E0 | Олейнн | Верна | В дар | Униджин | М | 220 | 5в | 357 | Коммер | 5,25 В. | 4,75 В. | 30 | Н.Квалисирована | МИККРОКОНТРОЛЕР, RISC | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MPC8536BVTAQGA | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 чASOW) | 105 ° С | 0 ° С | CMOS | 1 гер | 2,76 ММ | ROHS COMPRINT | FCBGA | 29 ММ | 1,21 В. | 783 | 3.695587G | Ethernet, i2c, usb | 5A992 | Не | E2 | Олово/Секребро (Sn/Ag) | БЕЗОПАСНЫЙ | В дар | Униджин | М | 1,1 В. | 783 | Drugoй | Микропра | S-PBGA-B783 | 512 кб | 32 кб | 32B | 333 мг | МИККРОПРЕССОР | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 32 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AXDA2600DKV4D | Амд | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | CMOS | 3,1 мм | В | 49 525 мм | 453 | 462 | 3A991.A.2 | Не | 8473.30.11.80 | Не | Петенкюр | PIN/PEG | 1,65 В. | 2,54 мм | 453 | Микропра | 1,65 В. | 41400MA | S-CPGA-P453 | 64b | 1917 ggц | 1917 М.Г. | МИККРОПРЕССОР | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 13 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
88AP310B1BGK2C806TS02 | Marvell Semiconductor, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | ROHS COMPRINT | Модул | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RK80532PE056512SL79B | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Чereз dыru | МАССА | CMOS | 2,4 -е | В | 2004 | /files/intel-rk80532pe056512sl79b-datasheets-5558.pdf | СОДЕРИТС | 478 | 478 | 1,5 В. | Петенкюр | PIN/PEG | 1,5 В. | 1,27 ММ | Микропра | Н.Квалисирована | 2400 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MC68EN360ZP25L | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | $ 2,39 | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 3 (168 чASOW) | 70 ° С | 0 ° С | HCMOS | 25 мг | ROHS COMPRINT | BGA | 25 ММ | 25 ММ | СОДЕРИТС | 357 | Ear99 | E0 | Олейнн | Верна | В дар | Униджин | М | 220 | 5в | 357 | Коммер | 5,25 В. | 4,75 В. | 30 | Н.Квалисирована | МИККРОКОНТРОЛЕР, RISC | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
88AP166-A0-BJD2C008 | Marvell Semiconductor, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 85 ° С | -25 ° С | ROHS COMPRINT | TFBGA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BX80557E6600SL9ZL | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | CMOS | 2,4 -е | ROHS COMPRINT | 775 | 1,5 В. | 1,14 | 775 | 8542.31.00.01 | Униджин | NeT -lederStva | 1,2 В. | 1,1 мм | Микропра | 1,2 В. | Н.Квалисирована | 2,4 -е | 2400 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 64 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
101-0404 | Poluprovodonykkrolyka (Digi) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 85 ° С | -40 ° С | 25,8 мг | В | 2009 | /files/rabbitsemiconductor-1010404-datasheets-5547.pdf | Модул | 58,4 мм | 12,7 ММ | 48,3 мм | 5,25 В. | Серриал | 2 марта | IDC | 98 май | 512 кб | Flash, Sram | 512 кб | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDT79RV4650-133DP | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 3 (168 чASOW) | CMOS | 133 мг | 4,1 мм | В | 1993 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt79rv4650133dp-datasheets-5502.pdf | PQFP | 28 ММ | 28 ММ | 208 | 3A001.A.3 | not_compliant | 8542.31.00.01 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | 3,3 В. | Квадран | Крхлоп | 225 | 3,3 В. | 0,5 мм | 208 | Drugoй | 85 ° С | Nukahan | Микропра | 900 май | Н.Квалисирована | MykroproцeSsOr, Risc | 64 | Не | В дар | Плава | В дар | 64 | 64 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
101-0507 | Poluprovodonykkrolyka (Digi) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 70 ° С | -40 ° С | 30 мг | В | 2007 | /files/rabbitsemiconductor-1010507-datasheets-5500.pdf | Модул | 69,3 мм | 2,18 мм | 47 ММ | 3,45 В. | Ethernet, Сейриал | 4 марта | IDC | 512 кб | Flash, Sram | 128 кб | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KMC8358CZUAGDGA | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 105 ° С | -40 ° С | 400 мг | ROHS COMPRINT | 10.784102G | 740 | БЕЗОПАСНЫЙ | 32B | 1 |
Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.