Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | В припании | Управый | МОНТАНАНГИП | Rraboч -yemperatura | Упако | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | Тела | Весарая (МАКСИМУМА) | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | Делина | Шyrina | СОУДНО ПРИОН | Колист | МАКСИМАЛНА | МИНАПРЕЗА | Колист | PBFREE CODE | Доленитейн Ая | МЕСТОД УПАКОККИ | Колист | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Napraheneee - posta | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Надо | Терминал | Я | Поседл | PoSta | Posta | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | Колист | Подкейгория | Колист | Смерть | ПАКЕТИВАЕТСЯ | Вес | Втипа | В. | Nagruзka emcostath | Logiчeskayavy | Я | Колист | Вес | Веса | Кргителнь ТОК | Ток - | Колист | Колист | Колист | Колист | Токпитания. | ЛОГЕЕСКИЯ ТИП | Maks i (ol) | Проп. ЗAdErжKA@nom-sup | ШMITTTTTTTTTTTTTTTTTTTTTTTTTTHERNыйVOD |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SY10EP08VZC-TR | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 10EP | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | В | 2005 | /files/microchiptechnology-sy10ep08vzgtr-datasheets-4884.pdf | 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | 3 n 5,5. | 10EP08 | 1 | 8 лейт | DIFERENцIAL | 2 Вес (1, 1) | XOR/XNOR GATE | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Sy55851uki-tr | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Sy55 | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | В | 2009 | /files/microchiptechnology-sy55851aukg-datasheets-2164.pdf | 10-tfsop, 10-мав (0,118, ширина 3,00 мм) | 2,3 В ~ 3,6 В. | 55851 | 1 | 10-марсоп | DIFERENцIAL | 2 | Надесаева | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CD4019BCN | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 4000b | Чereз dыru | Чereз dыru | -55 ° C ~ 125 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | 125 ° С | -55 ° С | В | 2002 | /files/onsemyonductor-cd4019bcn-datasheets-8062.pdf | 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) | СОДЕРИТС | 15 | 3В | 16 | 3 В ~ 15 В. | 4019 | 4 | 16-pdip | Эйноли | Или | 300 млн | 10 май | 4,2 мая | 4 мка | 3 мая 10 мая | 2 | 2, 2 | 4 | 1 | И/или | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||
Sy1t05zg tr | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 10el | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | Rohs3 | /files/microchiptechnology-sy100el05zg-datasheets-4744.pdf | 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | 4,75 ЕСЛЕДИЯ ~ 5,5 В. | 10el05 | 1 | 8 лейт | DIFERENцIAL | 2 Вес (1, 1) | И/nand gate | Не | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SY100S302JC-TR | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 100 -Год | Пефер | 0 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | В | 2007 | 28-LCC (J-Lead) | 4,2 В ~ 5,5. | 100S302 | 5 | 28-PLCC (11.48x11.48) | DIFERENцIAL | 10 Вес (2, 2, 2, 2, 2) | Илиоро | Не | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SY10EP08VZI | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 10EP | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | В | 2005 | /files/microchiptechnology-sy10ep08vzgtr-datasheets-4884.pdf | 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | 3 n 5,5. | 10EP08 | 1 | 8 лейт | DIFERENцIAL | 2 Вес (1, 1) | XOR/XNOR GATE | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SY10EP05VZI-TR | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 10EP | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | В | 2005 | /files/microchiptechnology-sy10ep05vkg-datasheets-4877.pdf | 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | 3 n 5,5. | 10EP05 | 1 | 8 лейт | DIFERENцIAL | 2 Вес (1, 1) | И/nand gate | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SY55851UKC | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Sy55 | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | В | 2006 | 10-tfsop, 10-мав (0,118, ширина 3,00 мм) | 2,3 В ~ 3,6 В. | 55851 | 1 | 10-марсоп | DIFERENцIAL | 2 | Надесаева | Не | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HCF4019Bey | Stmicroelectronics | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 4000b | Чereз dыru | Чereз dыru | -55 ° C ~ 125 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | CMOS | Rohs3 | /files/stmicroelectronics-hcf4019bey-datasheets-8127.pdf | 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) | 7,62 мм | СОУДНО ПРИОН | 16 | 16 | в дар | 4 | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | 3 В ~ 20 В. | Дон | 5в | HCF4019 | 16 | 20 | 3В | ВОЗОРТА | 6,8 мая | Эйноли | 100 млн | 50pf | Или | 100 млн | 1 | 20 мк | 6,8 мая 6,8 мая | 2 Вес (1, 1) | 4 | И/или | 300 млн | Не | ||||||||||||||||||||||||||
DM74LS51N | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 74LS | Чereз dыru | 0 ° C ~ 70 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | /files/onsemyonductor-dm74ls51n-datasheets-8038.pdf | 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) | 4,75 -5,25. | 74LS51 | 2 | Эйноли | 400 мк 8 мая | 10 Вес (3, 3, 2, 2) | И/или/инертировов | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SY10EP01VKG | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 10EP | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | 85 ° С | -40 ° С | Rohs3 | 2006 | /files/microchiptechnology-sy10ep01vzgtr-datasheets-4858.pdf | 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) | СОДЕРИТС | 5,5 В. | 3В | 8 | 3 n 5,5. | 10EP01 | 1 | 1 | 8-марсоп | DIFERENцIAL | Или | 2 | -50MA | 50 май | 4 | 1 | Илиоро | Не | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Sy1tep01vzi | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 10EP | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | В | 2006 | /files/microchiptechnology-sy10ep01vzgtr-datasheets-4858.pdf | 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | 3 n 5,5. | 10EP01 | 1 | 8 лейт | DIFERENцIAL | 4 | Илиоро | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Sy55851uki | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Sy55 | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | В | 2006 | /files/microchiptechnology-sy55851aukg-datasheets-2164.pdf | 10-tfsop, 10-мав (0,118, ширина 3,00 мм) | 2,3 В ~ 3,6 В. | 55851 | 1 | 10-марсоп | DIFERENцIAL | 2 | Надесаева | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Sy1t04zi-tr | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 10el | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | В | 2006 | /files/microchiptechnology-sy100el04zgtr-datasheets-4721.pdf | 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | 4,75 ЕСЛЕДИЯ ~ 5,5 В. | 10el04 | 1 | 8 лейт | DIFERENцIAL | 2 | И/nand gate | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Sy55851ukc-tr | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Sy55 | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | В | 10-tfsop, 10-мав (0,118, ширина 3,00 мм) | 2,3 В ~ 3,6 В. | 55851 | 1 | DIFERENцIAL | 2 | Надесаева | Не | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SN74LVC1G97YEAR | Тел | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 74LVC | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Веса | 1 (neograniчennnый) | CMOS | 0,5 мм | В | /files/texasinstruments-sn74lvc1g97year-datasheets-8456.pdf | 6-xfbga, dsbga | 0,9 мм | СОДЕРИТС | 6 | 6 | Лю | 1 | 1,65 n 5,5 | Униджин | М | 1,8 В. | 0,5 мм | 74LVC1G97 | 6 | 5,5 В. | ВОЗОРТА | 1 | LVC/LCX/Z. | Эйноли | 50pf | 5,1 млн | 32MA 32MA | 3 | Надесаева | 0,024 а | Не | ||||||||||||||||||||||||||||||
Sy55851auki-tr | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Sy55 | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | В | 2009 | /files/microchiptechnology-sy55851aukg-datasheets-2164.pdf | 10-tfsop, 10-мав (0,118, ширина 3,00 мм) | 2,3 В ~ 3,6 В. | 55851 | 1 | 10-марсоп | DIFERENцIAL | 2 | Надесаева | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SY1T07ZC | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 10el | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | В | 2006 | /files/microchiptechnology-sy100el07zg-datasheets-4732.pdf | 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | 4,75 ЕСЛЕДИЯ ~ 5,5 В. | 10el07 | 1 | 8 лейт | DIFERENцIAL | 2 | XOR/XNOR GATE | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SY10EP08VKI-TR | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 10EP | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | В | 2005 | /files/microchiptechnology-sy10ep08vzgtr-datasheets-4884.pdf | 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) | 3 n 5,5. | 10EP08 | 1 | 8-марсоп | DIFERENцIAL | 2 Вес (1, 1) | XOR/XNOR GATE | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SY1T07ZI | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 10el | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | В | 2006 | /files/microchiptechnology-sy100el07zg-datasheets-4732.pdf | 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | 4,75 ЕСЛЕДИЯ ~ 5,5 В. | 10el07 | 1 | 8 лейт | DIFERENцIAL | 2 | XOR/XNOR GATE | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DM74S64N | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 74 с | Чereз dыru | Трубка | 1 (neograniчennnый) | В | 14-Dip (0,300, 7,62 ММ) | 74S64 | 1 | 14-Dip | 11 Вес (4, 2, 3, 2) | И/или/инертировов | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SY10EP01VZC-TR | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 10EP | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | В | 2006 | /files/microchiptechnology-sy10ep01vzgtr-datasheets-4858.pdf | 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | 3 n 5,5. | 10EP01 | 1 | 8 лейт | DIFERENцIAL | 4 | Илиоро | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Sy1t05zi-tr | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 10el | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | В | 2006 | /files/microchiptechnology-sy100el05zg-datasheets-4744.pdf | 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | 4,75 ЕСЛЕДИЯ ~ 5,5 В. | 10el05 | 1 | 8 лейт | DIFERENцIAL | 2 Вес (1, 1) | И/nand gate | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SY10EP01VZI-TR | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 10EP | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | В | 2006 | /files/microchiptechnology-sy10ep01vzgtr-datasheets-4858.pdf | 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | 3 n 5,5. | 10EP01 | 1 | 8 лейт | DIFERENцIAL | 4 | Илиоро | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SY10EP01VKI-TR | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 10EP | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | В | 2006 | /files/microchiptechnology-sy10ep01vzgtr-datasheets-4858.pdf | 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) | 3 n 5,5. | 10EP01 | 1 | 8-марсоп | DIFERENцIAL | 4 | Илиоро | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SY10EP01VKG-TR | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 10EP | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | 85 ° С | -40 ° С | Rohs3 | 2006 | /files/microchiptechnology-sy10ep01vzgtr-datasheets-4858.pdf | 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) | СОДЕРИТС | 5,5 В. | 3В | 8 | 3 n 5,5. | 10EP01 | 1 | 1 | 8-марсоп | DIFERENцIAL | Или | 2 | -50MA | 50 май | 4 | 1 | Илиоро | Не | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SY10EP08VZI-TR | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 10EP | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Lenta и катахка (tr) | 1 (neograniчennnый) | В | 2005 | /files/microchiptechnology-sy10ep08vzgtr-datasheets-4884.pdf | 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | 3 n 5,5. | 10EP08 | 1 | 8 лейт | DIFERENцIAL | 2 Вес (1, 1) | XOR/XNOR GATE | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SY10EP08VKC | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 10EP | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | В | 2005 | /files/microchiptechnology-sy10ep08vzgtr-datasheets-4884.pdf | 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) | 3 n 5,5. | 10EP08 | 1 | 8-марсоп | DIFERENцIAL | 2 Вес (1, 1) | XOR/XNOR GATE | Не | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MC100EP105FAR2 | На то, чтобы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 100эP | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Веса | 2 (1 годы) | Эkl | 1,6 ММ | В | 2006 | /files/onsemyonductor-mc100ep105mng-datasheets-4959.pdf | 32-LQFP | 7 мм | 7 мм | СОДЕРИТС | 32 | 32 | Rerжim necl: vcc = 0v c vee = -3v o -5,5V | Лю | 4 | E0 | 3 n 5,5. | Квадран | Крхлоп | 240 | 3,3 В. | 0,8 мм | 100EP105 | 32 | 5,5 В. | 3В | 30 | ВОЗОРТА | 4 | DIFERENцIAL | И. | 350 с | -50MA | 50 май | 62ma | 2 | 75 май | 2 ВВОД И/НАН | Не | ||||||||||||||||||||||
SY10EP05VKC | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 10EP | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Трубка | 1 (neograniчennnый) | В | 2005 | /files/microchiptechnology-sy10ep05vkg-datasheets-4877.pdf | 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) | 3 n 5,5. | 10EP05 | 1 | 8-марсоп | DIFERENцIAL | 2 Вес (1, 1) | И/nand gate | Не |
Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.