| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Статус жизненного цикла | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Код JESD-609 | Особенность | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Уровень скрининга | Размер | Количество битов | Логическая функция | Количество таймеров | Тактовая частота | Время-мин | Формат времени | Возможность отключения | Неустойчивый | Метод доступа к информации | Формат даты | Текущий – хронометраж (макс.) | Напряжение питания, аккумулятор | Энергозависимая память |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PT7C4339WEX | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Часы/Календарь | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-pt7c4339wex-datasheets-3464.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | I2C, 2-проводной последовательный порт | Сигнализация, високосный год, выходной сигнал прямоугольной формы | 3В~5,5В | ЧЧ:ММ:СС (12/24 часа) | ГГ-ММ-ДД | 250 мкА при 3 В~5,5 В | 1,3 В~3,7 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP79410T-I/MNY | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Часы/Календарь | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2009 год | /files/microchiptechnology-mcp79411ims-datasheets-8237.pdf | 8-WFDFN Открытая площадка | 1,9812 мм | 762 мкм | 2,9972 мм | Без свинца | 8 | 7 недель | 37,393021мг | 8 | I2C, 2-проводной последовательный порт | EAR99 | Нет | е4 | Тревога, високосный год, выходной сигнал прямоугольной формы, SRAM, уникальный идентификатор | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,5 мм | MCP79410 | 8 | 40 | Таймеры или RTC | 2/5 В | 64Б 1Кб | Часы | 0,4 МГц | СЕКУНДЫ | ЧЧ:ММ:СС (12/24 часа) | Да | НЕТ | I2C | ГГ-ММ-ДД-дд | 1,2 мкА при 3,3 В | 1,3 В~5,5 В | ||||||||||||||||||
| PCF85363ATT1/AJ | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Часы/Календарь | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nxpusainc-pcf85363attaj-datasheets-0934.pdf | 10-ТФСОП, 10-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 10 | 7 недель | I2C, 2-проводной последовательный порт | Будильник, Високосный год, Сторожевой таймер | ДА | 0,9 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | 10 | НЕ УКАЗАН | С-ПДСО-G10 | 64Б | 1 | ЧЧ:ММ:СС:чч (12/24 часа) | I2C | ГГ-ММ-ДД-дд | 0,885 мкА при 3,3 В | 0,9 В~5,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| PT7C4563BQ1WEX | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Часы/Календарь | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-pt7c4563bq1wex-datasheets-3532.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 19 недель | I2C, SMBus | Тревога | 1,3 В~5,5 В | ЧЧ:ММ:СС | ГГ-ММ-ДД-дд | 1,5 мкА при 5 В | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PT7C433833AWEX | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Часы/Календарь | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/diodesincorporated-pt7c433833awex-datasheets-3553.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 20 недель | I2C, 2-проводной последовательный порт | EAR99 | 8542.39.00.01 | Високосный год, NVSRAM, выходной сигнал прямоугольной формы | 2,7 В~5,5 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 56Б | ЧЧ:ММ:СС (12/24 часа) | ГГ-ММ-ДД-дд | 125 мкА при 2,7–5,5 В | 1,5 В~3,7 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PT7C4363BQ1WEX | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Часы/Календарь | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-pt7c4363bq1wex-datasheets-3574.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12 недель | I2C, SMBus | Тревога | 1,3 В~5,5 В | ЧЧ:ММ:СС | ГГ-ММ-ДД-дд | 1,5 мкА при 5 В | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PCF85063AT/AY | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Часы/Календарь | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | КМОП | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/nxpusainc-pcf85063atl1118-datasheets-3055.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 7 недель | I2C, 2-проводной последовательный порт | EAR99 | 8542.39.00.01 | Сигнализация, високосный год, выходной сигнал прямоугольной формы | ДА | 0,9 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 8 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г8 | 1 | ЧЧ:ММ:СС (12/24 часа) | I2C | ГГ-ММ-ДД-дд | 0,6 мкА при 3,3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| S-35390A-T8T1U | АБЛИК США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Часы/Календарь | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,1 мм | Соответствует RoHS | /files/ablicusainc-s35390aj8t1g-datasheets-7989.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | 8 | 18 недель | I2C, 2-проводной последовательный порт | EAR99 | 8542.39.00.01 | е3 | Будильник, Високосный год | Олово (Вс) | ДА | 1,3 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,65 мм | 8 | НЕ УКАЗАН | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г8 | 1 | 0,032 МГц | ЧЧ:ММ:СС (12/24 часа) | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ, 2-ПРОВОДНОЙ/I2C | ГГ-ММ-ДД-дд | 14 мкА~30 мкА при 3 В~5 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| PCF8563TS/4,118 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Часы/Календарь | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/nxpusainc-pcf8563t5518-datasheets-9882.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 8 | 7 недель | I2C, 2-проводной последовательный порт | 8542.39.00.01 | е4 | Будильник, Високосный год, Сторожевой таймер | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2В | 0,65 мм | PCF8563 | 8 | 30 | Таймер или RTC | 2/5 В | Не квалифицированный | С-ПДСО-G8 | 1 | 0,032 МГц | СЕКУНДЫ | ЧЧ:ММ:СС (24 часа) | Да | ДА | I2C | ГГ-ММ-ДД-дд | 0,6 мкА~0,75 мкА при 2 В~5 В | ||||||||||||||||||||||
| 1339Б-31ДВГИ8 | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Часы/Календарь | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | I2C | Сигнал подъема, високосный год, выходной сигнал прямоугольной формы, капельное зарядное устройство | 2,7 В~5,5 В | ЧЧ:ММ:СС (12/24 часа) | ГГ-ММ-ДД-дд | 200 мкА при 3,63–5,5 В | 1,3 В~3,7 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M41T66Q6F | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Часы/Календарь | Хронометрист® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1 мм | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-m41t66q6f-datasheets-3669.pdf | 16-VFQFN Открытая колодка | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 16 | 10 недель | 16 | I2C, 2-проводной последовательный порт | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 8542.39.00.01 | е3 | Будильник, високосный год, выходной сигнал прямоугольной формы, сторожевой таймер | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,5 В~4,4 В | КВАД | 260 | 1,6 В | 0,5 мм | М41Т66 | 16 | Таймер или RTC | 2/4 В | Часы | 1 | СЕКУНДЫ | ЧЧ:ММ:СС:чч (24 часа) | Да | ДА | I2C | ГГ-ММ-ДД-дд | 0,9 мкА~1,1 мкА при 1,5 В~4,4 В | ||||||||||||||||||||
| PCF85063BTL/1,118 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Часы/Календарь | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 0,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nxpusainc-pcf85063btl1118-datasheets-3188.pdf | 10-XFDFN Открытая площадка | 2,6 мм | 2,6 мм | 10 | 7 недель | СПИ | Сигнализация, високосный год, выходной сигнал прямоугольной формы | ДА | 0,9 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,5 мм | PCF85063 | 10 | Таймеры или RTC | 1,2/5 В | Не квалифицированный | С-ПДСО-Н10 | 1 | СЕКУНДЫ | ЧЧ:ММ:СС (12/24 часа) | Да | ДА | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ, 3-ПРОВОДНОЙ | ГГ-ММ-ДД-дд | 0,6 мкА при 3,3 В | ||||||||||||||||||||||||||||
| S-35390A-I8T1U | АБЛИК США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Часы/Календарь | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 0,5 мм | Соответствует RoHS | /files/ablicusainc-s35390aj8t1g-datasheets-7989.pdf | 8-СМД, плоский вывод | 2,23 мм | 1,97 мм | 8 | 18 недель | I2C, 2-проводной последовательный порт | EAR99 | 8542.39.00.01 | е3 | Будильник, Високосный год | ИНН | ДА | 1,3 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 0,5 мм | 8 | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Ф8 | 1 | 0,032 МГц | ЧЧ:ММ:СС (12/24 часа) | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ, 2-ПРОВОДНОЙ/I2C | ГГ-ММ-ДД-дд | 0,93 мкА~1,1 мкА при 3 В~5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BU9873FJ-GTE2 | РОМ Полупроводник | 1,00 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Часы/Календарь | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,65 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 11 недель | 8 | I2C, 2-проводной последовательный порт | EAR99 | РАСЧЕТ ТЕЛА СИДЯЩЕГО | Будильник, Високосный год | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | НЕ УКАЗАН | ЧЧ:ММ:СС (12/24 часа) | I2C | ГГ-ММ-ДД-дд | 1 мкА~1,35 мкА при 3 В~5,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| PT7C4302WEX | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Часы/Календарь | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/diodesincorporated-pt7c4302wex-datasheets-3629.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 18 недель | 8 | 3-проводной последовательный порт | EAR99 | Високосный год, NVSRAM, прямоугольный выходной сигнал, капельное зарядное устройство | 1,2 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 2В | 1,27 мм | PT7C4302 | Таймер или RTC | 1,5/5 В | Не квалифицированный | 31Б | 1 | СЕКУНДЫ | ЧЧ:ММ:СС (12/24 часа) | Н | НЕТ | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ, 3-ПРОВОДНОЙ | ГГ-ММ-ДД-дд | 25,3 мкА~81 мкА при 2 В~5 В | 1,5 В~5,5 В | ||||||||||||||||||||||||||
| MCP79412T-I/MNY | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Часы/Календарь | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/microchiptechnology-mcp79411ims-datasheets-8237.pdf | 8-WFDFN Открытая площадка | 3 мм | 2 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | Нет СВХК | 8 | I2C, 2-проводной последовательный порт | EAR99 | Нет | е4 | Тревога, високосный год, выходной сигнал прямоугольной формы, SRAM, уникальный идентификатор | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,5 мм | MCP79412 | 8 | 40 | Таймеры или RTC | 2/5 В | 64Б 1Кб | Часы | 0,4 МГц | СЕКУНДЫ | ЧЧ:ММ:СС (12/24 часа) | Да | НЕТ | I2C | ГГ-ММ-ДД-дд | 1,2 мкА при 3,3 В | 1,3 В~5,5 В | |||||||||||||||||||
| PT7C433833AUEX | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Часы/Календарь | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/diodesincorporated-pt7c433833awex-datasheets-3553.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 20 недель | I2C, 2-проводной последовательный порт | совместимый | Високосный год, NVSRAM, выходной сигнал прямоугольной формы | 2,7 В~5,5 В | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 56Б | ЧЧ:ММ:СС (12/24 часа) | ГГ-ММ-ДД-дд | 125 мкА при 2,7–5,5 В | 1,5 В~3,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PCF85063ATL/1,118 | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Часы/Календарь | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | КМОП | 0,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nxpusainc-pcf85063atl1118-datasheets-3055.pdf | 10-XFDFN Открытая площадка | 2,6 мм | 2,6 мм | 10 | 7 недель | I2C, 2-проводной последовательный порт | EAR99 | 8542.39.00.01 | е4 | Сигнализация, високосный год, выходной сигнал прямоугольной формы | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 0,9 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | PCF85063 | 10 | НЕ УКАЗАН | Таймер или RTC | 1,2/5 В | Не квалифицированный | С-ПДСО-Н10 | 1 | СЕКУНДЫ | ЧЧ:ММ:СС (12/24 часа) | Да | ДА | I2C | ГГ-ММ-ДД-дд | 0,6 мкА при 3,3 В | ||||||||||||||||||||||
| MCP7940NT-I/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Часы/Календарь | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/microchiptechnology-mcp7940nisn-datasheets-8300.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | 8 | 5 недель | 8 | I2C, 2-проводной последовательный порт | EAR99 | Нет | е3 | Сигнал излучателя, високосный год, выходной сигнал прямоугольной формы, SRAM | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | MCP7940N | 8 | 40 | Таймер или RTC | 2/5 В | 64Б | Часы | 0,032 МГц | СЕКУНДЫ | ЧЧ:ММ:СС (12/24 часа) | Да | ДА | I2C | ГГ-ММ-ДД-дд | 1,2 мкА при 3,3 В | 1,5 В~5,5 В | |||||||||||||||||||
| MCP7940MT-I/MNY | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Часы/Календарь | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/microchiptechnology-mcp7940mtistvao-datasheets-2669.pdf | 8-WFDFN Открытая площадка | 2 мм | 750 мкм | 3 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | Нет СВХК | 8 | I2C, 2-проводной последовательный порт | EAR99 | Нет | е4 | Сигнал излучателя, високосный год, выходной сигнал прямоугольной формы, SRAM | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | MCP7940M | 40 | Таймер или RTC | 2/5 В | Часы | 1 | СЕКУНДЫ | ЧЧ:ММ:СС (12/24 часа) | Да | I2C | ГГ-ММ-ДД-дд | 1 мкА при 5,5 В | 64 Б | |||||||||||||||||||||
| RV-3129-C3-32.768KHZ-ОПЦИЯ-A-TB-QA | Микро Кристалл | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Часы/Календарь | Автомобильная промышленность, AEC-Q200 | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/microcrystalag-rv3129c332768khzoptionbtaqc-datasheets-2703.pdf | 10-ВКДФН | 2 недели | I2C, 2-проводной последовательный порт | Сигнализация, EEPROM, NVRAM, капельное зарядное устройство | Золотая вспышка (Ау) | 1,3 В~5,5 В | 260 | 40 | 2Б 8Б | ЧЧ:ММ:СС | ГГ-ММ-ДД-дд | 1 мкА при 3 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RV-3149-C3-32.768KHZ-ОПЦИЯ-B-TB-QA | Микро Кристалл | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Часы/Календарь | Автомобильная промышленность, AEC-Q200 | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/microcrystalag-rv3149c332768khzoptionbtaqc-datasheets-2756.pdf | 10-ВКДФН | 2 недели | SPI, 4-проводной последовательный порт | Сигнализация, EEPROM, NVRAM, капельное зарядное устройство | Золотая вспышка (Ау) | 1,3 В~5,5 В | 260 | 40 | 2Б 8Б | ЧЧ:ММ:СС | ГГ-ММ-ДД-дд | 1 мкА при 3 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP795W21-I/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Часы/Календарь | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/microchiptechnology-mcp795w11ist-datasheets-0972.pdf | 14-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 5,1 мм | 1,05 мм | 4,5 мм | 14 | 18 недель | 14 | СПИ | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ МИНИМАЛЬНОМ НАПРЯЖЕНИИ 1,8 В ПРИ ЧАСТОТЕ 3 МГЦ. | Нет | 8542.39.00.01 | е3 | Сигнализация, EEPROM, високосный год, прямоугольный сигнал, SRAM, уникальный идентификатор, сторожевой таймер | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,65 мм | MCP795W21 | 14 | 40 | Таймер или RTC | 2/5 В | 64Б | 8 | Часы | 10 МГц | 1/100СЕКУНД | ЧЧ:ММ:СС:чч (12/24 часа) | Да | НЕТ | ГГ-ММ-ДД-дд | 1 мкА при 1,8–5,5 В | 1,3 В~3,6 В | ||||||||||||||||||
| MCP79410T-I/МС | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Часы/Календарь | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/microchiptechnology-mcp79411ims-datasheets-8237.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 2,9972 мм | 939,8 мкм | 2,9972 мм | 8 | 7 недель | 8 | I2C, 2-проводной последовательный порт | EAR99 | Нет | е3 | Тревога, високосный год, выходной сигнал прямоугольной формы, SRAM, уникальный идентификатор | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,65 мм | MCP79410 | 8 | 40 | Таймеры или RTC | 2/5 В | 64Б 1Кб | Часы | 0,4 МГц | СЕКУНДЫ | ЧЧ:ММ:СС (12/24 часа) | Да | НЕТ | I2C | ГГ-ММ-ДД-дд | 1,2 мкА при 3,3 В | 1,3 В~5,5 В | ||||||||||||||||||||
| MCP79400T-I/МС | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Часы/Календарь | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/microchiptechnology-mcp79402isn-datasheets-0447.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 8 | 7 недель | 8 | I2C, 2-проводной последовательный порт | EAR99 | Нет | е3 | Тревога, високосный год, выходной сигнал прямоугольной формы, SRAM, уникальный идентификатор | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | МСР79400 | 8 | 40 | Таймер или RTC | 2/5 В | ТС 16949 | 64Б | Часы | 1 | 0,4 МГц | СЕКУНДЫ | ЧЧ:ММ:СС (12/24 часа) | Да | НЕТ | I2C | ГГ-ММ-ДД-дд | Типовой ток 1,2 мкА при 3,3 В | 1,3 В~5,5 В | ||||||||||||||||||
| MCP7940NT-I/MNY | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Часы/Календарь | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/microchiptechnology-mcp7940nisn-datasheets-8300.pdf | 8-WFDFN Открытая площадка | 3 мм | 750 мкм | 2 мм | 8 | 6 недель | 8 | I2C, 2-проводной последовательный порт | EAR99 | Золото | Нет | е4 | Сигнал излучателя, високосный год, выходной сигнал прямоугольной формы, SRAM | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,5 мм | MCP7940N | 8 | 40 | Таймер или RTC | 2/5 В | 64Б | Часы | 0,032 МГц | СЕКУНДЫ | ЧЧ:ММ:СС (12/24 часа) | Да | ДА | I2C | ГГ-ММ-ДД-дд | 1,2 мкА при 3,3 В | 1,3 В~5,5 В | |||||||||||||||||||
| PCF85063АТТ/АДЖ | НХП Полупроводники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Часы/Календарь | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,1 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/nxpusainc-pcf85063atl1118-datasheets-3055.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | 8 | 10 недель | I2C, 2-проводной последовательный порт | е4 | Сигнализация, високосный год, выходной сигнал прямоугольной формы | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 0,9 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 8 | 40 | С-ПДСО-G8 | 1 | ЧЧ:ММ:СС (12/24 часа) | I2C | ГГ-ММ-ДД-дд | 0,6 мкА при 3,3 В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP79400T-I/SN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Часы/Календарь | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 1998 год | /files/microchiptechnology-mcp79402isn-datasheets-0447.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 7 недель | 8 | I2C, 2-проводной последовательный порт | EAR99 | Нет | е3 | Тревога, високосный год, выходной сигнал прямоугольной формы, SRAM, уникальный идентификатор | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 1,27 мм | МСР79400 | 8 | 40 | Таймер или RTC | 2/5 В | ТС 16949 | Часы | 1 | 0,4 МГц | СЕКУНДЫ | ЧЧ:ММ:СС (12/24 часа) | Да | I2C | ГГ-ММ-ДД-дд | Типовой ток 1,2 мкА при 3,3 В | 1,3 В~5,5 В | 64 Б | ||||||||||||||||||
| MCP79410T-I/SN | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Часы/Календарь | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 1998 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-mcp79411ims-datasheets-8237.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,8768 мм | 1,4986 мм | 3,9116 мм | Без свинца | 8 | 7 недель | 8 | I2C, 2-проводной последовательный порт | EAR99 | Нет | е3 | Тревога, високосный год, выходной сигнал прямоугольной формы, SRAM, уникальный идентификатор | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | MCP79410 | 8 | 40 | Таймеры или RTC | 2/5 В | 64Б 1Кб | Часы | 0,4 МГц | СЕКУНДЫ | ЧЧ:ММ:СС (12/24 часа) | Да | НЕТ | I2C | ГГ-ММ-ДД-дд | 1,2 мкА при 3,3 В | 1,3 В~5,5 В | |||||||||||||||||||
| MCP7940MT-I/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Часы/Календарь | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/microchiptechnology-mcp7940mtistvao-datasheets-2669.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | 8 | I2C, 2-проводной последовательный порт | EAR99 | Нет | е3 | Сигнал излучателя, високосный год, выходной сигнал прямоугольной формы, SRAM | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,65 мм | MCP7940M | 40 | Таймер или RTC | 2/5 В | 64Б | Часы | 1 | СЕКУНДЫ | ЧЧ:ММ:СС (12/24 часа) | Да | НЕТ | I2C | ГГ-ММ-ДД-дд | 1 мкА при 5,5 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.