RTCS (3381)

Сознание	Проиджодель	Колист	Raзmer (lxwxh)	Статус	ТИП	В припании	Управый	МОНТАНАНГИП	Rraboч -yemperatura	Упако	Вернояж	МАКСИМАЛЕН	Мин	Тела	Весарая (МАКСИМУМА)	Статус Ройс	Опуликовано	Техниль	PakeT / KORPUES	Делина	Вес	Шyrina	Опресагионе	СОУДНО ПРИОН	Колист	Верна	МАКСИМАЛНА	МИНАПРЕЗА	Колист	Имен	PBFREE CODE	КОД ECCN	Доленитейн Ая	Rradiaцyonnoe wyproчneneenee	DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN	HTS -KOD	КОД JESD-609	Особз	ТЕРМИНАЛЕН	Пефер	Napraheneee - posta	Терминала	Пико -Аймперратара	Надо	Терминал	Я	Поседл	ТЕМПЕРАТУРА	Wremaping@pikovoйtemperaturu (я)	Подкейгория	Питания	Кваликакахионн Статус	КОД JESD-30	ПАКЕТИВАЕТСЯ	Raзmerpmayti	Колист	Logiчeskayavy	Колист	ТАКТОВА	Wremav	Иурин	Формат -мемун	ВОЗМОЖНО	Nestabilnый	То, что нужно	Формат джат	Ток - хroanoMeTryrovanee (myaks)	На
1338-31DVGI8	Renesas Electronics America	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh			Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C.	Lenta и катахка (tr)	3 (168 чASOW)					Rohs3		/files/renesaselectronicsamericainc-133831dcgi8-datasheets-4170.pdf	8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм)							12				I2c, 2-pprovodnoй serail								Prыжok vgod, nvsram, квадранский			3,3 В ~ 5,5.					IDT1338								8-марсоп	56b							HH: MM: SS (12/24 AASA)				YY-MM-DD-DD	5 мк, 3,63, ~ 5,5,.	1,3 n 3,7 В.
X1205V8izt1	Renesas Electronics America	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh			Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)					Rohs3		/files/renesaselectronicsamericainc-x1205s8zt1-datasheets-5921.pdf	8-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм)											I2c, 2-pprovodnoй serail							E3	Трево, лейбн -год	MATOWAN ONOUVA (SN)		2,7 В ~ 5,5 В.		Nukahan			X1205			Nukahan													HH: MM: SS (12/24 AASA)				YY-MM-DD-DD	10 мк ~ 20 мк -пр. 2,7- ~ 5	1,8 В ~ 5,5 В.
RV-4162-C7-32.768KHz-10ppm-ta-QC	МИКРОК КРИСТАЛЛЛ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh	Автомобиль, AEC-Q200		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)					Rohs3		/files/microcrystalag-rv4162c732768khz20ppmtaqc-datasheets-8260.pdf	8-wcdfn							2 nede				I2c								Треога, Лезер, Годо	ЗOloTAINVPышCA (AU)		1 В ~ 4,4 В.		260						40													HH: MM: SS: HH				YY-MM-DD-DD	0,5 мка @ 3V
MCP79521T-I/MS	ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh		Пефер	Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			CMOS	1,1 мм	Rohs3	2012	/files/microchiptechnology-mcp79510ims-datasheets-8276.pdf	10-tfsop, 10-мав (0,118, ширина 3,00 мм)	3 ММ		3 ММ		СОУДНО ПРИОН	10	5 nedely			10	SPI		Ear99		Не		8542.39.00.01	E3	Трево, Эпром, Лезер, Годо	МАНЕВОВО		1,8 В ~ 3,6 В.	Дон	260	3В	0,5 мм	MCP79521			40						64b		ЧaSы		5 мг			HH: MM: SS: HH (12/24 HR)				YY-MM-DD-DD	1 мка прри 1,8 n 3,6	1,3 n 3,6 В.
RTC-62421A: ROHS	Эpsoan	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh		Чereз dыru	Чereз dыru	-40 ° C ~ 85 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)					ROHS COMPRINT		/files/epson-rtc62423a3rohs-datasheets-2591.pdf	18-Dip (0,300, 7,62 ММ)										18	Парлель								Prыжok vgod			4,5 n 5,5.																					HH: MM: SS (12/24 AASA)				YY-MM-DD-DD	1,8 мка ~ 3 мка При 2- ~ 5
MCP79521T-I/Mn	ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh		Пефер	Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			CMOS		Rohs3	2012	/files/microchiptechnology-mcp79510ims-datasheets-8276.pdf	10-wfdfn oTkrыTAIN-oploщadka	3 ММ	750 мкм	3 ММ		СОУДНО ПРИОН	10	7			10	SPI		Ear99		Не		8542.39.00.01	E3	Трево, Эпром, Лезер, Годо	МАНЕВОВО		1,8 В ~ 3,6 В.	Дон		3В	0,5 мм	MCP79521									64b		ЧaSы		5 мг			HH: MM: SS: HH (12/24 HR)				YY-MM-DD-DD	1 мка прри 1,8 n 3,6	1,3 n 3,6 В.
PT7C43390LE	Дидж	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh		Пефер	Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)			CMOS	1,2 ММ	Rohs3		/files/diodesincorporated-tp7c43390wex-datasheets-0513.pdf	8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм)	4,4 мм		3 ММ			8	9 nedely			8	I2c, 2-pprovodnoй serail		Ear99					E3	Трево, Лезер, Год, Квадраньский	МАГОВОЙ		1,3 В ~ 5,5 В.	Дон	260	3В	0,65 мм				Nukahan	ТАКЕР ИЛИ РТК	3/5.	Н.Квалиирована						1		Скюнд		HH: MM: SS (12/24 AASA)	Шел	Не	I2c	YY-MM-DD-DD	0,65 мка ~ 0,7 мка 3- ~ 5 В.
X1226v8	Renesas Electronics America	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh			Пефер	0 ° C ~ 70 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)					В		/files/renesaselectronicamericainc-x1226v8z-datasheets-1770.pdf	8-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм)											I2c, 2-pprovodnoй serail								Трево, лейбн -год			2,7 В ~ 5,5 В.					X1226																HH: MM: SS (12/24 AASA)				YY-MM-DD-DD	10 мк ~ 20 мк -пр. 2,7- ~ 5	1,8 В ~ 5,5 В.
ISL12008IB8Z-T	Renesas Electronics America	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh			Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)					Rohs3	2008	/files/renesaselectronicsamericainc-isl12008ib8z-datasheets-1803.pdf	8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)							6				I2c, 2-pprovodnoй serail								Трево, лейбн -год			2,7 В ~ 5,5 В.					ISL12008	8															HH: MM: SS: HH (24 aasa)				YY-MM-DD-DD	4 мка ~ 6 мкапри 3- ~ 5	1,8 В ~ 5,5 В.
DS1340Z-18	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh			Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)			CMOS	1,75 мм	В	2002	/files/maximintegrated-ds1340z33-datasheets-5528.pdf	8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)	4,9 мм		3,9 мм		СОДЕРИТС	8					I2c, 2-pprovodnoй serail	в дар	Ear99				8542.39.00.01	E3	Prыжok, struйnый aчatok	MATOWAN ONOUVA (SN)	В дар	1,71 В ~ 5,5.	Дон	260	1,8 В.	1,27 ММ	DS1340	8		Nukahan	ТАКЕР ИЛИ РТК	1,8 В.	Н.Квалиирована	R-PDSO-G8						0,032 мг	Скюнд		HH: MM: SS (24 аса)	Ne	Не	I2c	YY-MM-DD-DD	100 мк, 1,89,	1,3 n 3,7 В.
MCP795W20T-I/SL	ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh		Пефер	Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			CMOS	1,75 мм	Rohs3	2012	/files/microchiptechnology-mcp795w11ist-datasheets-0972.pdf	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)	8,65 мм		3,9 мм			14	5 nedely			14	SPI		Ear99	ТАКАЙТА	Не		8542.39.00.01	E3	Трево, Эпром, Лезебен -годова	МАНЕВОВО		1,8 В ~ 3,6 В.	Дон	260	5в	1,27 ММ	MCP795W20	14		40	ТАКЕР ИЛИ РТК	2/5.				64b	8	ЧaSы		10 мг	1/100 -Sekund		HH: MM: SS: HH (12/24 HR)	Шел	Не		YY-MM-DD-DD	1 мк -пр. 1,8 n 5,5.	1,3 n 3,6 В.
ISL12027IBZ-T	Renesas Electronics America	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh			Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)					Rohs3	2010 ГОД	/files/renesaselectronicsamericainc-isl12027ivaz-datasheets-2935.pdf	8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)											I2c, 2-pprovodnoй serail								Трево, Лезер, Год, Руковител,			2,7 В ~ 5,5 В.					ISL12027	8															HH: MM: SS (12/24 AASA)				YY-MM-DD-DD	10 мк ~ 20 мк -пр. 2,7- ~ 5,5.	1,8 В ~ 5,5 В.
RX8900CE: UB0	Эpsoan	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh	RX8900CE		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)	85 ° С	-40 ° С			Rohs3		/files/epson-rx8900ceua3-datasheets-8779.pdf	10-SMD, neTLIDERSTVA				3В			13			10	I2c								Трево			2,5 В ~ 5,5.													10-SMD								HH: MM: SS (24 аса)				YY-MM-DD-DD	1,4 мка ~ 1,5 мка -3 -5	1,6 В ~ 5,5 В.
DS1644P-120+	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh			Пефер	0 ° C ~ 70 ° C.	Трубка	3 (168 чASOW)			CMOS		Rohs3	2005	/files/maximintegrated-ds1644120-datasheets-5804.pdf	Модуль 34-Powercap ™					СОУДНО ПРИОН	34	14			34	Парлель	в дар	Ear99			not_compliant	8473.30.11.80	E3	Прхёк, nvsram	MATOWAN ONOUVA (SN)	В дар	4,5 n 5,5.	Дон	Nukahan	5в		DS1644	34		Nukahan	ТАКЕР ИЛИ РТК	5в	Н.Квалиирована			32 кб				0,032 мг	Скюнд	8	HH: MM: SS (24 аса)	Ne	Не		YY-MM-DD-DD	4ma @ 4,5 n 5,5.	3В
PT7C43190WE	Дидж	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh			Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C.		1 (neograniчennnый)			CMOS	1,75 мм	Rohs3		/files/diodesincorporated-tp7c43190awex-datasheets-1627.pdf	8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)	4,9 мм		3,9 мм			8	9 nedely				3-pprovoDnoй sEriAl		Ear99				8542.39.00.01		Трево, Лезер, Год, Квадраньский		В дар	1,35 В ~ 5,5.	Дон		3В	1,27 ММ					ТАКЕР ИЛИ РТК	3/5.	Н.Квалиирована	R-PDSO-G8					1		Скюнд		HH: MM: SS (12/24 AASA)	Шел	Не	Серригн, 3-прово	YY-MM-DD-DD	0,6 мка ~ 14 мка При 3- ~ 5
X1205V8	Renesas Electronics America	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh			Пефер	0 ° C ~ 70 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)					В	2005	/files/renesaselectronicsamericainc-x1205s8zt1-datasheets-5921.pdf	8-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм)											I2c, 2-pprovodnoй serail								Трево, лейбн -год			2,7 В ~ 5,5 В.					X1205																HH: MM: SS (12/24 AASA)				YY-MM-DD-DD	10 мк ~ 20 мк -пр. 2,7- ~ 5	1,8 В ~ 5,5 В.
X1226S8i	Renesas Electronics America	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh			Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)					В		/files/renesaselectronicamericainc-x1226v8z-datasheets-1770.pdf	8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)											I2c, 2-pprovodnoй serail								Трево, лейбн -год			2,7 В ~ 5,5 В.					X1226																HH: MM: SS (12/24 AASA)				YY-MM-DD-DD	10 мк ~ 20 мк -пр. 2,7- ~ 5	1,8 В ~ 5,5 В.
ISL12027IB27Z-T	Renesas Electronics America	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh			Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C.	Веса	1 (neograniчennnый)					Rohs3	2010 ГОД	/files/renesaselectronicsamericainc-isl12027ivaz-datasheets-2935.pdf	8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)											I2c, 2-pprovodnoй serail								Трево, Лезер, Год, Руковител,			2,7 В ~ 5,5 В.					ISL12027	8															HH: MM: SS (12/24 AASA)				YY-MM-DD-DD	10 мк ~ 20 мк -пр. 2,7- ~ 5,5.	1,8 В ~ 5,5 В.
X1205S8	Renesas Electronics America	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh			Пефер	0 ° C ~ 70 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)					В		/files/renesaselectronicsamericainc-x1205s8zt1-datasheets-5921.pdf	8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)											I2c, 2-pprovodnoй serail								Трево, лейбн -год			2,7 В ~ 5,5 В.					X1205																HH: MM: SS (12/24 AASA)				YY-MM-DD-DD	10 мк ~ 20 мк -пр. 2,7- ~ 5	1,8 В ~ 5,5 В.
X1228S14iz-2.7	Renesas Electronics America	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh			Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C.	Трубка	3 (168 чASOW)					Rohs3		/files/renesaselectronicsamericainc-x1228v14i27-datasheets-2007.pdf	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)											I2c, 2-pprovodnoй serail							E3	Трево, Лезер, Год, Руковител,	МАГОВОЙ		2,7 В ~ 5,5 В.		Nukahan			X1228			Nukahan													HH: MM: SS (12/24 AASA)				YY-MM-DD-DD	10 мк ~ 20 мк -пр. 2,7- ~ 5	1,8 В ~ 5,5 В.
X1228S14iz	Renesas Electronics America	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh			Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C.	Трубка	3 (168 чASOW)					Rohs3	2005	/files/renesaselectronicsamericainc-x1228v14i27-datasheets-2007.pdf	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)											I2c, 2-pprovodnoй serail							E3	Трево, Лезер, Год, Руковител,	МАГОВОЙ		2,7 В ~ 5,5 В.		Nukahan			X1228			Nukahan													HH: MM: SS (12/24 AASA)				YY-MM-DD-DD	10 мк ~ 20 мк -пр. 2,7- ~ 5	1,8 В ~ 5,5 В.
X1226S8it1	Renesas Electronics America	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh			Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)					В		/files/renesaselectronicamericainc-x1226v8z-datasheets-1770.pdf	8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)											I2c, 2-pprovodnoй serail								Трево, лейбн -год			2,7 В ~ 5,5 В.					X1226																HH: MM: SS (12/24 AASA)				YY-MM-DD-DD	10 мк ~ 20 мк -пр. 2,7- ~ 5	1,8 В ~ 5,5 В.
X1205V8I	Renesas Electronics America	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh			Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)					В		/files/renesaselectronicsamericainc-x1205s8zt1-datasheets-5921.pdf	8-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм)											I2c, 2-pprovodnoй serail								Трево, лейбн -год			2,7 В ~ 5,5 В.					X1205																HH: MM: SS (12/24 AASA)				YY-MM-DD-DD	10 мк ~ 20 мк -пр. 2,7- ~ 5	1,8 В ~ 5,5 В.
X1205V8IT1	Renesas Electronics America	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh			Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)					В		/files/renesaselectronicsamericainc-x1205s8zt1-datasheets-5921.pdf	8-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм)											I2c, 2-pprovodnoй serail								Трево, лейбн -год			2,7 В ~ 5,5 В.					X1205																HH: MM: SS (12/24 AASA)				YY-MM-DD-DD	10 мк ~ 20 мк -пр. 2,7- ~ 5	1,8 В ~ 5,5 В.
X1205V8T1	Renesas Electronics America	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh			Пефер	0 ° C ~ 70 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)					В		/files/renesaselectronicsamericainc-x1205s8zt1-datasheets-5921.pdf	8-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм)											I2c, 2-pprovodnoй serail								Трево, лейбн -год			2,7 В ~ 5,5 В.					X1205																HH: MM: SS (12/24 AASA)				YY-MM-DD-DD	10 мк ~ 20 мк -пр. 2,7- ~ 5	1,8 В ~ 5,5 В.
X1227S8iz	Renesas Electronics America	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh			Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)					Rohs3		/files/renesaselectronicsamericainc-x1227s8iz27a-datasheets-1870.pdf	8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)											I2c, 2-pprovodnoй serail								Трево, Лезер, Год, Руковител,			4,5 n 5,5.					X1227																HH: MM: SS (12/24 AASA)				YY-MM-DD-DD	10 мк ~ 20 мк -пр. 2,7- ~ 5	1,8 В ~ 5,5 В.
X1205S8T1	Renesas Electronics America	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh			Пефер	0 ° C ~ 70 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)					В	2005	/files/renesaselectronicsamericainc-x1205s8zt1-datasheets-5921.pdf	8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)											I2c, 2-pprovodnoй serail								Трево, лейбн -год			2,7 В ~ 5,5 В.					X1205																HH: MM: SS (12/24 AASA)				YY-MM-DD-DD	10 мк ~ 20 мк -пр. 2,7- ~ 5	1,8 В ~ 5,5 В.
ISL12027IBZ	Renesas Electronics America	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh			Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)					Rohs3	2010 ГОД	/files/renesaselectronicsamericainc-isl12027ivaz-datasheets-2935.pdf	8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)											I2c, 2-pprovodnoй serail								Трево, Лезер, Год, Руковител,			2,7 В ~ 5,5 В.					ISL12027	8															HH: MM: SS (12/24 AASA)				YY-MM-DD-DD	10 мк ~ 20 мк -пр. 2,7- ~ 5,5.	1,8 В ~ 5,5 В.
DS17285E-3+	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			Пефер			Поднос	3 (168 чASOW)	70 ° С	0 ° С	CMOS	1,2 ММ	Rohs3	2000	/files/maximintegrated-ds174875ind-datasheets-1731.pdf	Цap	11,8 мм		8 ММ	3В	СОУДНО ПРИОН	28		3,7 В.	2,7 В.	28	Парлель	в дар	Ear99		Не		8542.39.00.01	E3		MATOWAN ONOUVA (SN)			Дон	260	3В	0,55 мм		28	Коммер	30	ТАКЕР ИЛИ РТК	3В				2 кб		ЧaSы	1	0,032 мг	Скюнд	8	HH: MM: SS (12/24 AASA)	Шел	В дар		YY-MM-DD-DD
X1226S8T2	Renesas Electronics America	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh			Пефер	0 ° C ~ 70 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)					В		/files/renesaselectronicamericainc-x1226v8z-datasheets-1770.pdf	8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)											I2c, 2-pprovodnoй serail								Трево, лейбн -год			2,7 В ~ 5,5 В.					X1226																HH: MM: SS (12/24 AASA)				YY-MM-DD-DD	10 мк ~ 20 мк -пр. 2,7- ~ 5	1,8 В ~ 5,5 В.

RTCS (3381)

Скайп

Что -то

Электронная почта

Тел

В наличии