RTCS (3381)

Сознание	Проиджодель	Колист	Raзmer (lxwxh)	Статус	ТИП	Управый	МОНТАНАНГИП	Rraboч -yemperatura	Упако	Вернояж	Тела	ЧastoTA	Весарая (МАКСИМУМА)	Статус Ройс	Опуликовано	Техниль	PakeT / KORPUES	Делина	Вес	Шyrina	Опресагионе	СОУДНО ПРИОН	Колист	DOSTIчH SVHC	Колист	Имен	PBFREE CODE	КОД ECCN	Доленитейн Ая	Конец	Rradiaцyonnoe wyproчneneenee	DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN	HTS -KOD	КОД JESD-609	Особз	ТЕРМИНАЛЕН	Пефер	Napraheneee - posta	Терминала	Пико -Аймперратара	Надо	Терминал	Я	Поседл	Wremaping@pikovoйtemperaturu (я)	Подкейгория	Питания	Кваликакахионн Статус	КОД JESD-30	Raзmerpmayti	Колист	Logiчeskayavy	Колист	Вернее	ТАКТОВА	Wremav	Иурин	Формат -мемун	ВОЗМОЖНО	Nestabilnый	То, что нужно	Формат джат	Ток - хroanoMeTryrovanee (myaks)	На
DS1685EN-3	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh	Пефер	Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)	CMOS			В	2005	/files/maximintegrated-ds16875-datasheets-0310.pdf	24 т. Гнева (0,173, Иирин 4,40 мм)	7,9 мм	950 мкм	4,5 мм	3В	СОДЕРИТС	24	НЕИ	24	Парлель		Ear99			Не		8542.39.00.01	E0	Тревога, nvsram, квадранский	Олово/Свинен (SN/PB)		2,7 В ~ 3,7 В.	Дон	240	3В	0,65 мм	DS1685	24	20	ТАКЕР ИЛИ РТК	3В			242b		ЧaSы	1		0,032 мг	Скюнд		HH: MM: SS (12/24 AASA)		В дар		YY-MM-DD-DD	2ma @ 3v	2,5 В ~ 3,7 В.
DS1685-5	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh		Чereз dыru	0 ° C ~ 70 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)	CMOS		5,08 мм	В	2002	/files/maximintegrated-ds16875-datasheets-0310.pdf	24-DIP (0,600, 15,24 ММ)	31,75 мм		15,24 мм		СОДЕРШИТС СВИНЕС	24			Парлель		Ear99				not_compliant	8542.39.00.01	E0	Тревога, nvsram, квадранский	Олово/Свинен (SN/PB)	Не	4,5 n 5,5.	Дон	240	5в	2,54 мм	DS1685	24	20	ТАКЕР ИЛИ РТК	5в	Н.Квалиирована	R-PDIP-T24	242b			1		0,032 мг	Скюнд	8	HH: MM: SS (12/24 AASA)		В дар		YY-MM-DD-DD	3MA @ 5V	2,5 В ~ 3,7 В.
DS1685Q-3	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh	Пефер	Пефер	0 ° C ~ 70 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)	CMOS		4,57 мм	В	2005	/files/maximintegrated-ds16875-datasheets-0310.pdf	28-LCC (J-Lead)	11,505 ММ		11,505 ММ	3В	СОДЕРИТС	28		28	Парлель		Ear99			Не		8473.30.11.80	E0	Тревога, nvsram, квадранский	Олово/Свинен (SN/PB)		2,7 В ~ 3,7 В.	Квадран	245	3В	1,27 ММ	DS1685	28		ТАКЕР ИЛИ РТК	3В			242b		ЧaSы	1		0,032 мг	Скюнд	8	HH: MM: SS (12/24 AASA)		В дар		YY-MM-DD-DD	2ma @ 3v	2,5 В ~ 3,7 В.
DS1302ZN	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)	CMOS		1,75 мм	В	2000	/files/maximintegrated-ds1302ztr-datasheets-8160.pdf	8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)	4,9 мм		3,9 мм		СОДЕРИТС	8			3-pprovoDnoй sEriAl	не	Ear99	Вернальжир пнериджиджиджни -оператифан; Verхneprerowaniee -tok = 0,3UA			not_compliant	8542.39.00.01	E0	Пршук, nvsram, щiple	Олово/Свинен (SN/PB)	В дар	2В ~ 5,5 В.	Дон	245	3,3 В.	1,27 ММ	DS1302	8	Nukahan	Тайр	3/5.	Н.Квалиирована	R-PDSO-G8	31b					0,032 мг	Скюнд		HH: MM: SS (12/24 AASA)	Ne	В дар	Серригн, 3-прово	YY-MM-DD-DD	0,3 мка ~ 1 мкс При 2- ~ 5	2В ~ 5,5 В.
DS1672S-3	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	БИАНАРНАС		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)	CMOS		1,75 мм	В	2002	/files/maximintegrated-ds1672s33-datasheets-8834.pdf	8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)	4,9 мм		3,9 мм		СОДЕРИТС	8			I2c, 2-pprovodnoй serail	в дар	Ear99					8473.30.11.80	E3	Стопка	MATOWAN ONOUVA (SN)	В дар	2,7 В ~ 3,3 В.	Дон	260	3,3 В.	1,27 ММ	DS1672	8	Nukahan	Тайр	3,3 В.	Н.Квалиирована	R-PDSO-G8						0,032 мг	Скюнд		БИНАРНГ	Ne	Не	I2c		500 мк.	1,3 n 3,63 В.
DS12885	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh	Чereз dыru	Чereз dыru	0 ° C ~ 70 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)	CMOS		5,08 мм	В	2006	/files/maximintegrated-ds12887a-datasheets-9581.pdf	24-DIP (0,600, 15,24 ММ)	31,75 мм			5в	СОДЕРИТС	24	НЕИ	24	Парлель	не	Ear99	ВАРИАНТ ДНЕВНЕГОС; Время времени Motorola/Intel		Не		8542.39.00.01	E0	Треога, днеонах	Олово/Свинен (SN/PB)		4,5 n 5,5.	Дон	240	5в	2,54 мм	DS12885	24	20	ТАКЕР ИЛИ РТК	5в			114b		ЧaSы	1		0,032 мг	Скюнд	8	HH: MM: SS (12/24 AASA)	Шел	В дар		YY-MM-DD-DD	15ma @ 4,5 n 5,5	2,5 В ~ 4 В.
DS1501WS	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh	Пефер	Пефер	0 ° C ~ 70 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)	CMOS		3,05 мм	В	2008	/files/maximintegrated-ds1511w-datasheets-0508.pdf	28 SOIC (0,295, Ирин 7,50 мм)	18,1 мм		8565 мм	3,3 В.	СОДЕРИТС	28		28	Парлель	в дар	Ear99			Не		8473.30.11.80	E3	Трево, Лезер, Н.В.Срам, Квадратн -Вес, Таймер, Таймер, Y2K	MATOWAN ONOUVA (SN)		3 В ~ 3,6 В.	Дон	260	3,3 В.	1,27 ММ	DS1501	28		ТАКЕР ИЛИ РТК				256b		ЧaSы	1		0,032 мг	Скюнд	8	HH: MM: SS (24 аса)	Шел	В дар		YY-MM-DD-DD	4ma @ 3v ~ 3,6	2,5 В ~ 3,7 В.
DS1315S-33	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Phantom Time Chip		Пефер	0 ° C ~ 70 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)	CMOS		2,68 мм	В	2007	/files/maximintegrated-ds1315s5-datasheets-0352.pdf	16 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм)	10,335 мм		7,51 мм		СОДЕРИТС	16			Парлель		Ear99				not_compliant	8542.39.00.01	E0	Prыжok vgod	Олово/Свинен (SN/PB)	В дар	3 В ~ 3,6 В.	Дон	245	3,3 В.	1,27 ММ	DS1315	16	Nukahan	ТАКЕР ИЛИ РТК	3,3 В.	Н.Квалиирована	R-PDSO-G16						0,032 мг	1/100 -Sekund		HH: MM: SS: HH (12/24 HR)	Ne	В дар	Серригн, Фиксированан	YY-MM-DD-DD	1,1 мА @ 3,3 В.	2,5 В ~ 3,7 В.
DS1500Y	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh	Чereз dыru	Чereз dыru	0 ° C ~ 70 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)	CMOS		1,24 мм	В	2011 год	/files/maximintegrated-ds1500ye-datasheets-2298.pdf	Модул 32-дип (0,600, 15,24 мм)	18,4 мм		8 ММ	5в	СОДЕРИТС	32			Парлель	в дар	Ear99			Не		8473.30.11.80	E3	Трево, Лезер, Н.В.Срам, Квадратн -Вес, Таймер, Таймер, Y2K	MATOWAN ONOUVA (SN)		4,5 n 5,5.	Дон	260	5в	0,5 мм	DS1500	32	30	ТАКЕР ИЛИ РТК	5в		R-PDSO-G32	256b		ЧaSы	1		0,032 мг	Скюнд	8	HH: MM: SS (24 аса)	Шел	Не		YY-MM-DD-DD	5ma @ 4,5 n 5,5.	2,5 В ~ 3,7 В.
DS1486P-120	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh	Пефер	Пефер	0 ° C ~ 70 ° C.	Трубка	3 (168 чASOW)	CMOS			В	2005	/files/maximintegrated-ds1486p120-datasheets-2270.pdf	Модуль 34-Powercap ™				5в	СОДЕРИТС	34		34	Парлель	не	Ear99	Модульский PowerCap, coderжaщiй kriestalll и a akkumahlyatr		Не		8473.30.11.80	E0	Trewoga, lehebnый -god, nvsram, квадран	Олейнн		4,5 n 5,5.	Дон	240	5в		DS1486	34		ТАКЕР ИЛИ РТК	5в			128 кб		ЧaSы	1		0,032 мг	1/100 -Sekund	8	HH: MM: SS: HH (12/24 HR)	Шел	Не		YY-MM-DD-DD	4ma @ 5V	3,3 В.
DS14285	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh	Чereз dыru	Чereз dыru	0 ° C ~ 70 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)	CMOS		5,08 мм	В	2005	/files/maximintegrated-ds14285-datasheets-2214.pdf	24-DIP (0,600, 15,24 ММ)	31,75 мм				СОУДНО ПРИОН	24		24	Парлель	в дар	Ear99					8473.30.11.80	E3	Треога, днеонах	MATOWAN ONOUVA (SN)		4,5 n 5,5.	Дон	260	5в	2,54 мм	DS14285	24	30	ТАКЕР ИЛИ РТК	5в	Н.Квалиирована		114b		ЧaSы	1		0,032 мг	Скюнд	8	HH: MM: SS (12/24 AASA)	Шел	В дар		YY-MM-DD-DD	0,5 мка 4,5 n 5,5.	2,5 В ~ 3,6 В.
DS1501Y	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh	Чereз dыru	Чereз dыru	0 ° C ~ 70 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)	CMOS		5,08 мм	В	2004	/files/maximintegrated-ds1511w-datasheets-0508.pdf	28-Dip (0,600, 15,24 мм)	36,83 мм		15,24 мм	5в	СОДЕРИТС	28		28	Парлель		Ear99			Не		8542.39.00.01	E0	Трево, Лезер, Н.В.Срам, Квадратн -Вес, Таймер, Таймер, Y2K	Олово/Свинен (SN/PB)		4,5 n 5,5.	Дон	240	5в	2,54 мм	DS1501	28		ТАКЕР ИЛИ РТК	5в			256b		ЧaSы	1		0,032 мг	Скюнд	8	HH: MM: SS (24 аса)	Шел	В дар		YY-MM-DD-DD	5ma @ 4,5 n 5,5.	2,5 В ~ 3,7 В.
DS1689	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh	Чereз dыru	Чereз dыru	0 ° C ~ 70 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)	CMOS		5,08 мм	В	2005	/files/maximintegrated-ds1689sntr-datasheets-2326.pdf	28-Dip (0,600, 15,24 мм)	36,83 мм		15,24 мм		СОДЕРИТС	28		28	Парлель	не	Ear99	Vspomogogelanvanyanayane i/p; Власть с интрипт с т. Д. Ram Clear I/P; 64-bytnый seriйnый nnomer			not_compliant	8542.39.00.01	E0	NVSRAM	Олово/Свинен (SN/PB)		2,7 -~ 3,3 -4,5 -5,5.	Дон	245	5в	2,54 мм	DS1689	28	Nukahan	ТАКЕР ИЛИ РТК	3/5.	Н.Квалиирована		114b	16	ЧaSы	1			Скюнд	8	HH: MM: SS (12/24 AASA)	Шел	В дар		YY-MM-DD-DD	2MA @ 3V 3MA @ 5V	2,5 В ~ 3,7 В.
DS17285-3	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh	Чereз dыru	Чereз dыru	0 ° C ~ 70 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)	CMOS		5,08 мм	В	2010 ГОД	/files/maximintegrated-ds172875-datasheets-1188.pdf	24-DIP (0,600, 15,24 ММ)	31,75 мм			3В	СОДЕРИТС	24		24	Парлель		Ear99			Не		8542.39.00.01	E0	Треога, днеонах	Олово/Свинен (SN/PB)		2,7 В ~ 3,7 В.	Дон	240	3В	2,54 мм	DS17285	24	20	ТАКЕР ИЛИ РТК	3В			2 кб		ЧaSы	1		0,032 мг	Скюнд	8	HH: MM: SS (12/24 AASA)	Шел	В дар		YY-MM-DD-DD	2ma @ 2,7 n 3,7 В.	2,5 В ~ 3,7 В.
DS1500W	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh	Чereз dыru	Чereз dыru	0 ° C ~ 70 ° C.	Трубка	3 (168 чASOW)	CMOS			В	2011 год	/files/maximintegrated-ds1500ye-datasheets-2298.pdf	Модул 32-дип (0,600, 15,24 мм)					СОДЕРИТС	32		32	Парлель		Ear99				not_compliant	8542.39.00.01	E0	Трево, Лезер, Н.В.Срам, Квадратн -Вес, Таймер, Таймер, Y2K	Олово/Свинен (SN/PB)		3 В ~ 3,6 В.	Дон	Nukahan	3,3 В.	2,54 мм	DS1500	32	Nukahan	ТАКЕР ИЛИ РТК	3,3 В.	Н.Квалиирована		256b						Скюнд	8	HH: MM: SS (24 аса)	Шел	Не		YY-MM-DD-DD	4ma @ 3v ~ 3,6	2,5 В ~ 3,7 В.
DS1678	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Rere -strator	Чereз dыru	Чereз dыru	-40 ° C ~ 85 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)	CMOS		4572 мм	В	2009	/files/maximintegrated-ds1678s-datasheets-0872.pdf	8-DIP (0,300, 7,62 ММ)	9,375 мм		7,62 мм	5в	СОДЕРИТС	8	НЕИ	8	I2c, 2-pprovodnoй serail	не	Ear99			Не			E0	Трево, Лейбен -Год, Нвсрам, Y2K	Олово/Свинен (SN/PB)		4,5 n 5,5.	Дон	245	5в	2,54 мм	DS1678	8		ТАКЕР ИЛИ РТК	5в			32B		ЧaSы			0,032 мг	Скюнд		HH: MM: SS (12/24 AASA)	Шел	Не	I2c	YY-MM-DD-DD		2,6 В ~ 3,5 В.
DS1672-33	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	БИАНАРНАС		Чereз dыru	-40 ° C ~ 85 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)	CMOS		4572 мм	В	2002	/files/maximintegrated-ds1672s33-datasheets-8834.pdf	8-DIP (0,300, 7,62 ММ)	9,375 мм		7,62 мм		СОДЕРИТС	8			I2c, 2-pprovodnoй serail	в дар	Ear99					8473.30.11.80	E3	Стопка	MATOWAN ONOUVA (SN)	Не	2,97 В ~ 3,63 В.	Дон	260	3,3 В.	2,54 мм	DS1672	8	Nukahan	Тайр	3,3 В.	Н.Квалиирована	R-PDIP-T8						0,032 мг	Скюнд		БИНАРНГ	Ne	Не	I2c		500 мк.	1,3 n 3,63 В.
DS1302SN-16	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh	Пефер	Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)	CMOS		2,65 мм	В	2001	/files/maximintegrated-ds1302ztr-datasheets-8160.pdf	16 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм)	10,3 мм		7,5 мм	3,3 В.	СОДЕРИТС	16		16	3-pprovoDnoй sEriAl	не	Ear99	Вернальжир пнериджиджиджни -оператифан; Verхneprerowaniee -tok = 0,3UA		Не		8542.39.00.01	E0	Пршук, nvsram, щiple	Олово/Свинен (SN/PB)		2В ~ 5,5 В.	Дон	245	3,3 В.	1,27 ММ	DS1302	16		ТАКЕР ИЛИ РТК	3/5.			31b		ЧaSы			0,032 мг	Скюнд		HH: MM: SS (12/24 AASA)	Ne	Не	Серригн, 3-прово	YY-MM-DD-DD	0,3 мка ~ 1 мкс При 2- ~ 5	2В ~ 5,5 В.
DS1685EN-5	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh	Пефер	Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)	CMOS		1,1 мм	В	2000	/files/maximintegrated-ds16875-datasheets-0310.pdf	24 т. Гнева (0,173, Иирин 4,40 мм)	7,8 мм		4,4 мм	5в	СОДЕРИТС	24	НЕИ	24	Парлель	не	Ear99			Не		8473.30.11.80	E0	Тревога, nvsram, квадранский	Олово/Свинен (SN/PB)		4,5 n 5,5.	Дон	240	5в	0,65 мм	DS1685	24	20	ТАКЕР ИЛИ РТК	5в			242b		ЧaSы	1		0,032 мг	Скюнд	8	HH: MM: SS (12/24 AASA)		В дар		YY-MM-DD-DD	3MA @ 5V	2,5 В ~ 3,7 В.
DS1307N	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh		Чereз dыru	-40 ° C ~ 85 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)	CMOS		4572 мм	В	2001	/files/maximintegrated-ds1307zntr-datasheets-8630.pdf	8-DIP (0,300, 7,62 ММ)	9,375 мм		7,62 мм		СОДЕРИТС	8			I2c, 2-pprovodnoй serail	в дар	Ear99					8473.30.11.80	E3	Prыжok vgod, nvsram, квадранский	MATOWAN ONOUVA (SN)	Не	4,5 n 5,5.	Дон	260	5в	2,54 мм	DS1307	8	30	ТАКЕР ИЛИ РТК	5в	Н.Квалиирована	R-PDIP-T8	56b			1		0,032 мг	Скюнд		HH: MM: SS (12/24 AASA)	Ne	В дар	I2c	YY-MM-DD-DD	200 мка @ 5V	2В ~ 3,5 В.
DS1501W	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh	Чereз dыru	Чereз dыru	0 ° C ~ 70 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)	CMOS		2,65 мм	В	2004	/files/maximintegrated-ds1511w-datasheets-0508.pdf	28-Dip (0,600, 15,24 мм)	17,9 мм		7,5 мм	3,3 В.	СОДЕРИТС	28		28	Парлель	в дар	Ear99			Не		8473.30.11.80		Трево, Лезер, Н.В.Срам, Квадратн -Вес, Таймер, Таймер, Y2K			3 В ~ 3,6 В.	Дон		3,3 В.	1,27 ММ	DS1501	28		Тайр				256b		ЧaSы	1		0,032 мг	Скюнд	8	HH: MM: SS (24 аса)	Шел	В дар		YY-MM-DD-DD	4ma @ 3v ~ 3,6	2,5 В ~ 3,7 В.
DS14285S	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh	Пефер	Пефер	0 ° C ~ 70 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)	CMOS		2,68 мм	В	2005	/files/maximintegrated-ds14285-datasheets-2214.pdf	24 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм)	15 415 мм		7,51 мм	5в	СОДЕРИТС	24		24	Парлель	не	Ear99			Не		8473.30.11.80	E0	Треога, днеонах	Олейнн		4,5 n 5,5.	Дон	245	5в	1,27 ММ	DS14285	24		ТАКЕР ИЛИ РТК	5в			114b		ЧaSы	1		0,032 мг	Скюнд	8	HH: MM: SS (12/24 AASA)	Шел	В дар		YY-MM-DD-DD	0,5 мка 4,5 n 5,5.	2,5 В ~ 3,6 В.
DS17285SN-3	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)	CMOS		2,67 мм	В	2012	/files/maximintegrated-ds172875-datasheets-1188.pdf	24 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм)	17,9 мм		7,5 мм			24			Парлель		Ear99				not_compliant	8542.39.00.01	E0	Треога, днеонах	Олово/Свинен (SN/PB)	В дар	2,7 В ~ 3,7 В.	Дон	245	3В	1,27 ММ	DS17285	24	Nukahan	ТАКЕР ИЛИ РТК	3В	Н.Квалиирована	R-PDSO-G24	2 кб			1		0,032 мг	Скюнд	8	HH: MM: SS (12/24 AASA)	Шел	В дар		YY-MM-DD-DD	2ma @ 2,7 n 3,7 В.	2,5 В ~ 3,7 В.
DS1747WP-120IND	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh	Пефер	Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C.	Трубка	3 (168 чASOW)	CMOS			В	2005	/files/maximintegrated-ds174770-datasheets-9739.pdf	Модуль 34-Powercap ™				3,3 В.	СОДЕРИТС	34		34	Парлель	не	Ear99		Оло	Не		8473.30.11.80	E0	Prыжok, nvsram, y2k			2,97 В ~ 3,63 В.	Дон	240	3,3 В.		DS1747	34		ТАКЕР ИЛИ РТК				512 кб		ЧaSы			0,032 мг	Скюнд	8	HH: MM: SS (24 аса)	Ne	Не		YY-MM-DD-DD	2ma @ 3,3 В.	3В
DS12885N	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh		Чereз dыru	-40 ° C ~ 85 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)	CMOS		5,08 мм	В	2006	/files/maximintegrated-ds12887a-datasheets-9581.pdf	24-DIP (0,600, 15,24 ММ)	31,75 мм		15,24 мм		СОДЕРИТС	24			Парлель	в дар	Ear99					8542.39.00.01	E3	Треога, днеонах	Олово (sn)	Не	4,5 n 5,5.	Дон	260	5в	2,54 мм	DS12885	24	30	ТАКЕР ИЛИ РТК	5в	Н.Квалиирована	R-PDIP-T24	114b			1		0,032 мг	Скюнд	8	HH: MM: SS (12/24 AASA)	Шел	Не		YY-MM-DD-DD	15ma @ 4,5 n 5,5	2,5 В ~ 4 В.
DS1501WN	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh	Чereз dыru	Чereз dыru	-40 ° C ~ 85 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)	CMOS		5,08 мм	В	2007	/files/maximintegrated-ds1511w-datasheets-0508.pdf	28-Dip (0,600, 15,24 мм)	36,83 мм		15,24 мм	3,3 В.	СОДЕРИТС	28		28	Парлель	не	Ear99			Не		8473.30.11.80	E0	Трево, Лезер, Н.В.Срам, Квадратн -Вес, Таймер, Таймер, Y2K	Олово/Свинен (SN/PB)		3 В ~ 3,6 В.	Дон	240	3,3 В.	2,54 мм	DS1501	28		ТАКЕР ИЛИ РТК				256b		ЧaSы	1		0,032 мг	Скюнд	8	HH: MM: SS (24 аса)	Шел	В дар		YY-MM-DD-DD	4ma @ 3v ~ 3,6	2,5 В ~ 3,7 В.
DS1500WN	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh	Чereз dыru	Чereз dыru	-40 ° C ~ 85 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)	CMOS			В	2011 год	/files/maximintegrated-ds1500ye-datasheets-2298.pdf	Модул 32-дип (0,600, 15,24 мм)					СОДЕРИТС	32		32	Парлель		Ear99				not_compliant	8542.39.00.01	E0	Трево, Лезер, Н.В.Срам, Квадратн -Вес, Таймер, Таймер, Y2K	Олово/Свинен (SN/PB)		3 В ~ 3,6 В.	Дон	Nukahan	3,3 В.	2,54 мм	DS1500	32	Nukahan	ТАКЕР ИЛИ РТК	3,3 В.	Н.Квалиирована		256b						Скюнд	8	HH: MM: SS (24 аса)	Шел	Не		YY-MM-DD-DD	4ma @ 3v ~ 3,6	2,5 В ~ 3,7 В.
DS17285E-5	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh	Пефер	Пефер	0 ° C ~ 70 ° C.	Поднос	3 (168 чASOW)	CMOS		1,2 ММ	В	2012	/files/maximintegrated-ds172875-datasheets-1188.pdf	28-tssop (0,465, Ирина 11,80 мм)	11,8 мм		8 ММ	5в	СОДЕРИТС	28		28	Парлель	в дар	Ear99			Не		8542.39.00.01	E3	Треога, днеонах	MATOWAN ONOUVA (SN)		4,5 n 5,5.	Дон	260	5в	0,55 мм	DS17285	28	30	ТАКЕР ИЛИ РТК	5в			2 кб		ЧaSы	1		0,032 мг	Скюнд	8	HH: MM: SS (12/24 AASA)	Шел	В дар		YY-MM-DD-DD	3ma @ 4,5 n 5,5.	2,5 В ~ 3,7 В.
DS1251W-120IND	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Phantom Time Chip	Чereз dыru	Чereз dыru	-40 ° C ~ 85 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)	CMOS	120 -е	10 922 мм	В	2005	/files/maximintegrated-ds1251w120-datasheets-9993.pdf	Модул 32-дип (0,600, 15,24 мм)	43 053 мм		15,24 мм	3,3 В.	СОДЕРИТС	32		32	Парлель		3A991.B.2.a			Не		8473.30.11.40	E0	Прхёк, nvsram	Олово/Свинен (SN/PB)		2,97 В ~ 3,63 В.	Дон		3,3 В.	2,54 мм	DS1251	32		ТАКЕР ИЛИ РТК				512 кб		ЧaSы		120 млн		1/100 -Sekund	8	HH: MM: SS: HH (12/24 HR)	Ne	Не		YY-MM-DD-DD	7ma @ 3,3 В.
DS1747W-120ind	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	ЧaSы/kaLeNdarh	Чereз dыru	Чereз dыru	-40 ° C ~ 85 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)	CMOS		10 922 мм	В	2007	/files/maximintegrated-ds174770-datasheets-9739.pdf	Модул 32-дип (0,600, 15,24 мм)	43 053 мм		15,24 мм	3,3 В.	СОДЕРИТС	32	НЕИ	32	Парлель	не	Ear99		Оло	Не		8473.30.11.80	E0	Prыжok, nvsram, y2k			2,97 В ~ 3,63 В.	Дон	240	3,3 В.	2,54 мм	DS1747	32		ТАКЕР ИЛИ РТК				512 кб		ЧaSы				Скюнд	8	HH: MM: SS (24 аса)	Ne	Не		YY-MM-DD-DD	2ma @ 3,3 В.

RTCS (3381)

Скайп

Что -то

Электронная почта

Тел

В наличии