Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | ТИП | Управый | Упако | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | Тела | ЧastoTA | ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER | Весарая (МАКСИМУМА) | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | Делина | Шyrina | Опресагионе | СОУДНО ПРИОН | Колист | Верна - | МАССА | МАКСИМАЛНА | МИНАПРЕЗА | Колист | PBFREE CODE | Толсина | КОД ECCN | Доленитейн Ая | Конец | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN | HTS -KOD | Колист | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Полаяня | Пефер | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Надо | Терминал | Поседл | ТЕМПЕРАТУРА | Raboч -yemperatura (mamaks) | Raboч -ytemperatura (мин) | PoSta | Posta | Колист. Каналов | Аналогово | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | Колист | КОД JESD-30 | Потретелский | Скороп | Колист | Я | Колист | Вес | ВЫДЕС | ТИП | Wshod | Колиствот |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PCA9518APW | Nxp poluprovoDonnyki | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Бер | ROHS COMPRINT | /files/nxpsemiconductors-pca9518Apw-datasheets-1207.pdf | 20 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LTC4303CDD | Analog Devices Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Бер | Rohs | /files/analogdevices-ltc4303cms8pbf-datasheets-3052.pdf | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LTC4311CSC6#PBF | Analog Devices Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Бер | Лю | ROHS COMPRINT | /files/analogdevices-ltc4311cdctrpbf-datasheets-0356.pdf | 6 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LTC1694IS5#TRM | Analog Devices Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Бер | Лю | Rohs | /files/analogdevices-ltc1694cs5trm-datasheets-3277.pdf | 5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LTC1694CS5#TRM | Analog Devices Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Бер | Лю | Rohs | /files/analogdevices-ltc1694cs5trm-datasheets-3277.pdf | 5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LTC4301IMS8 | Analog Devices Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Бер | Rohs | /files/analogdevices-ltc4301iddpbf-datasheets-1320.pdf | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LTC4300A-2IMS8#tr | Analog Devices Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Бер | Лю | Rohs | /files/analogdevices-ltc4300a2ims8tr-datasheets-4485.pdf | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
89hp0602qzbnlgi8 | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 | 1 ММ | ROHS COMPRINT | 4 мм | 4 мм | ICON-PBFREE DA | Ear99 | Сообщите | 8542.39.00.01 | 1 | E3 | МАНЕВОВО | В дар | Квадран | NeT -lederStva | 260 | 0,5 мм | 20 | Промлэнно | 85 ° С | -40 ° С | 1,26 | 1,14 | 30 | S-XQCC-N20 | Потретелельский | 20 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
89hp0604qzbnrgi | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 3 | 0,9 мм | ROHS COMPRINT | 2011 год | /files/integrateddevicetechnology-89hp0604qzbnrgi-datasheets-8423.pdf | Qfn | 4 мм | 7,5 мм | СОУДНО ПРИОН | 36 | 10 nedely | 36 | в дар | 900 мкм | Ear99 | TykebueTshAps napraheneEne oT 3 DO 3,6 В | 1 | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | В дар | Квадран | NeT -lederStva | 260 | 0,5 мм | 36 | Промлэнно | 85 ° С | 1,26 | 4 | Nukahan | Потретелельский | 6,25 гвит / с | 2-pprovoDnoй Автобус | |||||||||||||||||||||||||||||||||
89hp0602qzbnlg | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 1 | ROHS COMPRINT | 2011 год | /files/integrateddevicetechnology-89hp0602qzbnlg-datasheets-8174.pdf | Qfn | 4 мм | 4 мм | СОУДНО ПРИОН | 20 | 20 | в дар | 1 ММ | Ear99 | Оло | 1 | E3 | В дар | Квадран | NeT -lederStva | 260 | 0,5 мм | 20 | Коммер | 70 ° С | 1,14 | 2 | 30 | Потретелельский | 6,25 гвит / с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
89hp0602qzbnlg8 | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 1 | ROHS COMPRINT | 2011 год | /files/integrateddevicetechnology-89hp0602qzbnlg8-datasheets-8077.pdf | Qfn | 4 мм | 4 мм | СОУДНО ПРИОН | 20 | 20 | в дар | 1 ММ | Ear99 | Оло | 1 | E3 | В дар | Квадран | NeT -lederStva | 260 | 0,5 мм | 20 | Коммер | 70 ° С | 1,14 | 2 | 30 | Потретелельский | 6,25 гвит / с | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ISL33002IRT2Z-T | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 1 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 3MA | ROHS COMPRINT | 2006 | /files/intersil-isl33002irt2zt-datasheets-4014.pdf | 3 ММ | 3 ММ | 8 | 6 | 8 | 1 | E3 | МАНЕВОВО | Дон | NeT -lederStva | Nukahan | 2,7 В. | 0,5 мм | Промлэнно | 5,5 В. | 2,3 В. | Аналеоз | Nukahan | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
89hp0604qzbnrgi8 | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 3 | 0,9 мм | ROHS COMPRINT | 2011 год | /files/integrateddevicetechnology-89hp0604qzbnrgi8-datasheets-8524.pdf | Qfn | 4 мм | 7,5 мм | СОУДНО ПРИОН | 36 | 10 nedely | 36 | в дар | 900 мкм | Ear99 | TykebueTshAps napraheneEne oT 3 DO 3,6 В | 1 | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | В дар | Квадран | NeT -lederStva | 260 | 0,5 мм | 36 | Промлэнно | 85 ° С | 1,26 | 4 | Nukahan | Потретелельский | 6,25 гвит / с | 2-pprovoDnoй Автобус | |||||||||||||||||||||||||||||||||
ISL33003IRTZ | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 3 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 4 май | ROHS COMPRINT | 2006 | /files/intersil-isl33003irtz-datasheets-7528.pdf | 3 ММ | 3 ММ | 6 | 8 | 1 | E3 | МАНЕВОВО | 2,5 В. | 0,65 мм | Промлэнно | 5,5 В. | 2,3 В. | Аналеоз | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ISL33002IRTZ | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 3 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 3MA | ROHS COMPRINT | 2006 | /files/intersil-isl33002irtz-datasheets-7307.pdf | 3 ММ | 3 ММ | 6 | 8 | 1 | E3 | МАНЕВОВО | 260 | 2,5 В. | 0,65 мм | Промлэнно | 5,5 В. | 2,3 В. | Аналеоз | 30 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSTUB32S869BHLF | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 3 | 70 ° С | 0 ° С | 340 мг | ROHS COMPRINT | 2006 | /files/integrateddevicetechnology-sstub32s869bhlf-datasheets-4937.pdf | TFBGA | 13 ММ | 8 ММ | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 1,9 | 1,7 | 150 | в дар | 1,2 ММ | E1 | Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) | Nerting | 150 | 1 | 14 | 3 млн | 28 | -16 Ма | 16ma | Poloshitelgnый kraй | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
89HP0604SZBNRG | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 70 ° С | 0 ° С | ROHS COMPRINT | 2011 год | /files/integrateddevicetechnology-89hp0604szbnrg-datasheets-4068.pdf | 100 | 4 мм | 7,5 мм | СОУДНО ПРИОН | 10 nedely | 36 | в дар | 900 мкм | 36 | Потретелельский | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
89HP0604SZBABG | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | ROHS COMPRINT | 2011 год | /files/integrateddevicetechnology-89hp0604szbabg-datasheets-3926.pdf | 100 | 9 мм | 9 мм | СОУДНО ПРИОН | 10 nedely | в дар | 1,7 ММ | 100 | 4 | Потретелельский | 6 -gbiot / s | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ISL33001IRTZ | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 3 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 4 май | ROHS COMPRINT | 2006 | /files/intersil-isl33001irtz-datasheets-3609.pdf | DFN | 3 ММ | 3 ММ | 3 nede | 8 | Оло | 1 | E3 | 2,5 В. | 0,65 мм | Промлэнно | 5,5 В. | 2,3 В. | Аналеоз | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ISL33002IUZ-T | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 1 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 3MA | 1,1 мм | ROHS COMPRINT | 2006 | /files/intersil-isl33002iuzt-datasheets-1912.pdf | MSOP | 3 ММ | 3 ММ | 8 | 6 | 139,989945 м | 8 | 1 | E3 | МАНЕВОВО | Дон | Крхлоп | Nukahan | 2,7 В. | 0,65 мм | Промлэнно | 5,5 В. | 2,3 В. | Аналеоз | Nukahan | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SSTUB32S869BHLFT | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | 3 | 70 ° С | 0 ° С | 340 мг | ROHS COMPRINT | 2006 | /files/integrateddevicetechnology-sstub32s869blft-datasheets-9201.pdf | TFBGA | 13 ММ | 8 ММ | 1,8 В. | СОУДНО ПРИОН | 1,9 | 1,7 | 150 | в дар | 1,2 ММ | E1 | Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) | Nerting | 150 | 1 | 14 | 3 млн | 28 | -16 Ма | 16ma | Poloshitelgnый kraй | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
89hp0604qzbnrg | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 3 | 70 ° С | 0 ° С | 0,9 мм | ROHS COMPRINT | 2011 год | /files/integrateddevicetechnology-89hp0604qzbnrg-datasheets-7256.pdf | QFN EP | 4 мм | 7,5 мм | СОУДНО ПРИОН | 36 | 10 nedely | 36 | в дар | 900 мкм | Ear99 | TykebueTshAps napraheneEne oT 3 DO 3,6 В | Не | 1 | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | Квадран | 260 | 0,5 мм | 36 | Коммер | 1,26 | 4 | Потретелельский | 6,25 гвит / с | 2-pprovoDnoй Автобус | |||||||||||||||||||||||||||||||||
AMB0582C1RJ | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | ROHS COMPRINT | 2008 | /files/integrateddevicetechnology-amb0582c1rj-datasheets-3488.pdf | FCBGA | 24,5 мм | 19,5 мм | СОДЕРИТС | 18 | 655 | 2,55 мм | 1 | 4,8 гвит / с | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Pi6uls5v9617azeex-2017 | Diodes Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ISL33003IUZ-T | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 1 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 4 май | 1,1 мм | ROHS COMPRINT | 2006 | /files/intersil-isl33003iuzt-datasheets-2049.pdf | MSOP | 3 ММ | 3 ММ | СОУДНО ПРИОН | 8 | 6 | 139,989945 м | 8 | 1 | E3 | МАНЕВОВО | Дон | Крхлоп | Nukahan | 2,7 В. | 0,65 мм | Промлэнно | 5,5 В. | 2,3 В. | Аналеоз | Nukahan | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
ISL33001IBZ-T | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 2 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 4 май | 1,75 мм | ROHS COMPRINT | 2006 | /files/intersil-isl33001ibzt-datasheets-0097.pdf | SOIC | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 9 nedely | 540.001716mg | 1 | E3 | МАНЕВОВО | Дон | Крхлоп | Nukahan | 2,5 В. | 1,27 ММ | 8, 8, 8 | Промлэнно | 5,5 В. | 2,3 В. | Аналеоз | Nukahan | R-PDSO-G8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
ISL33001IBZ | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 2 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 4 май | 1,75 мм | ROHS COMPRINT | 2006 | /files/intersil-isl33001ibz-datasheets-8971.pdf | SOIC | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 10 nedely | 540.001716mg | 8 | Оло | 1 | E3 | Дон | Крхлоп | 260 | 2,5 В. | 1,27 ММ | Промлэнно | 5,5 В. | 2,3 В. | Аналеоз | 30 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
89HP0608XZBABI | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | В | 2011 год | /files/integrateddevicetechnology-89hp0608xzbabi-datasheets-6671.pdf | 100 | 9 мм | 9 мм | СОДЕРИТС | 10 nedely | не | 1,7 ММ | 100 | 8 | 6,25 гвит / с | 2-pprovoDnoй Автобус | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
89HP0608XZBABI8 | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Lenta и катахка (tr) | В | 2011 год | /files/integrateddevicetechnology-89hp0608xzbabi8-datasheets-5517.pdf | 100 | 9 мм | 9 мм | СОДЕРИТС | 10 nedely | не | 1,7 ММ | 100 | 8 | 6,25 гвит / с | 2-pprovoDnoй Автобус | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
89HP0604QZBNRG8 | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Lenta и катахка (tr) | 3 | 0,9 мм | ROHS COMPRINT | 2011 год | /files/integrateddevicetechnology-89hp0604qzbnrg8-datasheets-5455.pdf | Qfn | 4 мм | 7,5 мм | СОУДНО ПРИОН | 36 | 10 nedely | 36 | в дар | 900 мкм | Ear99 | TykebueTshAps napraheneEne oT 3 DO 3,6 В | 1 | E3 | MATOWAN ONOUVA (SN) | В дар | Квадран | NeT -lederStva | 260 | 0,5 мм | 36 | Коммер | 70 ° С | 1,26 | 4 | Nukahan | Потретелельский | 6,25 гвит / с | 2-pprovoDnoй Автобус |
Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.