| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Текущий - Доставка | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Количество приемников | Код Pbfree | ECCN-код | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Тип телекоммуникационных микросхем | Количество вариантов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Логическая функция | функция | Мощность (Вт) | Количество передатчиков | Количество трансиверов |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ПЭФ 24625 Э В1.2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СОКРАТ™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/infineontechnologies-pef24624ev12g-datasheets-9992.pdf | 484-ББГА | ДСЛ, ШДСЛ, ТДМ | ПЭФ24625 | 1 | 484-БГА (27х27) | Симметричный контроллер DSL (SDC-16i) | 500мВт | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYP15G0403DXB-BGXC | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ХОТлинк II™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | БИКМОС | 900 мА | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cyv15g0403dxbbgc-datasheets-0456.pdf | 256-LBGA Открытая площадка | 27 мм | 27 мм | 3,3 В | Без свинца | 256 | 15 недель | 256 | ЛВТТЛ | да | 5А991.Б.1 | Нет | 1,27А | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3135~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | CY*15G04 | 30 | Сетевые интерфейсы | 4 | 1500000 Мбит/с | Трансивер | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||
| UCC3751DG4 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | БИКМОС | 50 Гц | 1 мА | Соответствует ROHS3 | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 3,9 мм | 12 В | Содержит свинец | 16 | 141,690917мг | 16 | нет | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 12 В | UCC3751 | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | НЕ УКАЗАН | Телефонные цепи | 1 | Не квалифицированный | Контроллер кольцевого генератора | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS26324GNA2+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | 500 мА | 1,76 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/maximintegrated-ds26324gna3-datasheets-4479.pdf | 256-ЛБГА, ЦСБГА | 17 мм | 17 мм | 256 | ЛЮ | да | 8542.39.00.01 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 3135~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 1 мм | DS26324 | PCM-ТРАНСИВЕР | НЕ УКАЗАН | 16 | Не квалифицированный | С-ПБГА-Б256 | Блок линейного интерфейса (LIU) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYV15G0403DXB-BGI | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ХОТлинк II™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | БИКМОС | 900 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cyv15g0403dxbbgc-datasheets-0456.pdf | 256-LBGA Открытая площадка | 27 мм | 27 мм | 3,3 В | 256 | 256 | ЛВТТЛ | не_совместимо | 1,32 А | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3135~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | CY*15G04 | 30 | Сетевые интерфейсы | 4 | Не квалифицированный | 1500000 Мбит/с | Трансивер | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYV15G0401DXB-BGC | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ХОТлинк II™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 5 (48 часов) | БИКМОС | 870 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cyv15g0401dxbbgi-datasheets-0460.pdf | 256-LBGA Открытая площадка | 27 мм | 27 мм | 3,3 В | 256 | 256 | ЛВТТЛ | не_совместимо | 1,06А | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3135~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | CY*15G04 | 30 | Сетевые интерфейсы | 4 | Не квалифицированный | 1500000 Мбит/с | Трансивер | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW15G0101DXB-ББК | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ХОТлинк II™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | БИКМОС | 390 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cyv15g0101dxbbbxi-datasheets-6522.pdf | 100-ЛБГА | 100 | 100 | ЛВТТЛ | не_совместимо | 500 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3135~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | CY*15G01 | 1 | НЕ УКАЗАН | Сетевые интерфейсы | 3,3 В | Не квалифицированный | Трансивер | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW15G0401DXB-BGC | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ХОТлинк II™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | БИКМОС | 830 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cyv15g0401dxbbgi-datasheets-0460.pdf | 256-LBGA Открытая площадка | 27 мм | 27 мм | 256 | 256 | ЛВТТЛ | не_совместимо | 1,06А | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3135~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | CY*15G04 | 30 | Сетевые интерфейсы | 3,3 В | 4 | Не квалифицированный | 1500000 Мбит/с | Трансивер | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW15G0101DXB-ББИ | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ХОТлинк II™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | БИКМОС | 390 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cyv15g0101dxbbbxi-datasheets-6522.pdf | 100-ЛБГА | 100 | 100 | ЛВТТЛ | Нет | 510 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3135~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | CY*15G01 | 1 | Сетевые интерфейсы | 3,3 В | Трансивер | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYP15G0402DXB-BGC | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ХОТлинк II™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | БИКМОС | 830 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cyp15g0402dxbbgc-datasheets-0442.pdf | 256-LBGA Открытая площадка | 27 мм | 27 мм | 3,3 В | 256 | 256 | ЛВТТЛ | неизвестный | 1 | 1,06А | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3135~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | CY*15G04 | 256 | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | 30 | Сетевые интерфейсы | 4 | Не квалифицированный | 1,5 Гбит/с | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| ПЭФ 3314 Э В2.1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВИНЕТИК® | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/infineontechnologies-peb3324ev14-datasheets-6662.pdf | 176-ЛБГА | АДПКМ | ПЭФ3314 | 4 | ПГ-ЛБГА-176 | Аналоговый голосовой доступ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYP15G0401TB-BGI | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ХОТлинк II™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | БИКМОС | 590 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cyp15g0401tbbgc-datasheets-0423.pdf | 256-LBGA Открытая площадка | 27 мм | 27 мм | 256 | ЛВТТЛ | не_совместимо | 820 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3135~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | CY*15G04 | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | 30 | 4 | Не квалифицированный | С-ПБГА-Б256 | Водитель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYV15G0101DXB-ББИ | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ХОТлинк II™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | БИКМОС | 390 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cyv15g0101dxbbbxi-datasheets-6522.pdf | 100-ЛБГА | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 100 | ЛВТТЛ | не_совместимо | 510 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3135~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | CY*15G01 | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | 1 | НЕ УКАЗАН | Сетевые интерфейсы | Не квалифицированный | Трансивер | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYV15G0403DXB-BGC | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ХОТлинк II™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 5 (48 часов) | БИКМОС | 900 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cyv15g0403dxbbgc-datasheets-0456.pdf | 256-LBGA Открытая площадка | 27 мм | 27 мм | 3,3 В | 256 | 256 | ЛВТТЛ | не_совместимо | 1,27А | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3135~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | CY*15G04 | 30 | Сетевые интерфейсы | 4 | Не квалифицированный | 1500000 Мбит/с | Трансивер | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYW15G0201DXB-ББК | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ХОТлинк II™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | БИКМОС | 570 мА | 1,5 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cyp15g0201dxbbbxi-datasheets-6576.pdf | 196-ЛБГА | 15 мм | 15 мм | 196 | 196 | ЛВТТЛ | не_совместимо | 700 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3135~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 240 | 3,3 В | 1 мм | CY*15G02 | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | 30 | Сетевые интерфейсы | 3,3 В | 2 | Не квалифицированный | 1500000 Мбит/с | Трансивер | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| CYV15G0401DXB-BGI | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ХОТлинк II™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 5 (48 часов) | БИКМОС | 830 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cyv15g0401dxbbgi-datasheets-0460.pdf | 256-LBGA Открытая площадка | 27 мм | 27 мм | 3,3 В | 256 | 256 | ЛВТТЛ | не_совместимо | 1,1А | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3135~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | CY*15G04 | 30 | Сетевые интерфейсы | 4 | Не квалифицированный | 1500000 Мбит/с | Трансивер | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYP15G0403DXB-BGI | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ХОТлинк II™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | БИКМОС | 900 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cyv15g0403dxbbgc-datasheets-0456.pdf | 256-LBGA Открытая площадка | 27 мм | 27 мм | 3,3 В | 256 | 256 | ЛВТТЛ | не_совместимо | 1,32 А | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3135~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | CY*15G04 | 30 | Сетевые интерфейсы | 4 | Не квалифицированный | 1500000 Мбит/с | Трансивер | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYP15G0401RB-BGI | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ХОТлинк II™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | БИКМОС | 640 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cyp15g0401rbbgi-datasheets-0464.pdf | 256-LBGA Открытая площадка | 27 мм | 27 мм | 256 | 256 | ЛВТТЛ | не_совместимо | 740 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3135~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | CY*15G04 | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | 30 | 4 | Не квалифицированный | Получатель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| E-LS1240A | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~70°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 1,22 кГц | 30 мА | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-ls1240ad1-datasheets-0312.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | 8 | 8 | 26В | ДВОЙНОЙ | 250 | 26В | 2,54 мм | ЛС1240 | ЦЕПЬ ТЕЛЕФОННОГО ЗВОНКА | 40 | Телефонные цепи | 26В | 1 | Не квалифицированный | Тональный звонок | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYV15G0403DXB-BGXC | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ХОТлинк II™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | БИКМОС | 900 мА | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cyv15g0403dxbbgc-datasheets-0456.pdf | 256-LBGA Открытая площадка | 27 мм | 27 мм | 3,3 В | 256 | 256 | ЛВТТЛ | Нет | 1,27А | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3135~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | CY*15G04 | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | 20 | Сетевые интерфейсы | 4 | 1500000 Мбит/с | Трансивер | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYV15G0101DXB-ББК | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ХОТлинк II™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | БИКМОС | 390 мА | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cyv15g0101dxbbbxi-datasheets-6522.pdf | 100-ЛБГА | 3,3 В | 100 | 100 | ЛВТТЛ | не_совместимо | 500 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3135~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | CY*15G01 | ТЕЛЕКОМ-ЦЕПЬ | 1 | НЕ УКАЗАН | Сетевые интерфейсы | Не квалифицированный | Трансивер | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS21FT44+ | Максим Интегрированный | $166,49 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 5 (48 часов) | КМОП | 225 мА | 2,53 мм | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/maximintegrated-ds21ft44-datasheets-0399.pdf | 300-ББГА | 27 мм | 27 мм | 300 | Параллельный/последовательный | да | 8542.39.00.01 | 1 | е1 | ОЛОВО СЕРЕБРО МЕДЬ | ДА | 2,97~3,63 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | ДС21ФТ44 | 300 | ФРАМЕР | НЕ УКАЗАН | Не квалифицированный | С-ПБГА-Б300 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS3173N | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 5 (48 часов) | 449 мА | 2,54 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/maximintegrated-ds3174n-datasheets-0287.pdf | 349-ББГА, открытая площадка ЦСБГА | 27 мм | 27 мм | 400 | 400 | ДС3, Е3 | нет | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3135~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 240 | 3,3 В | 1,27 мм | DS3173 | ФРАМЕР | Другие телекоммуникационные микросхемы | 3 | Трансивер | Одночиповый трансивер | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS32512N | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 5 (48 часов) | 150 мА | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/maximintegrated-ds32512n-datasheets-0409.pdf | 484-БГА | 23 мм | 23 мм | 3,3 В | 620 мА | 484 | 484 | ЛЮ | нет | EAR99 | Свинец, Олово | Нет | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3135~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 240 | 1,8 В | DS32512 | PCM-ТРАНСИВЕР | 20 | Цифровые интерфейсы передачи | 1 | 140 Мбит/с | Блок линейного интерфейса (LIU) | 12 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| STLC3080TR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 5,5 мА | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-stlc3080-datasheets-0325.pdf | 44-LQFP | 44 | 44 | Нет | 5,5 мА | 1,1 Вт | 4,75 В~5,25 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 0,8 мм | СТЛК30 | 1 | Концепция интерфейса телефонной линии (SLIC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LS1240A | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~70°К | Трубка | 3 (168 часов) | 30 мА | 5,08 мм | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-ls1240ad1-datasheets-0312.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 9,652 мм | 7,62 мм | 8 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 26В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 26В | 2,54 мм | ЛС1240 | ЦЕПЬ ТЕЛЕФОННОГО ЗВОНКА | НЕ УКАЗАН | Телефонные цепи | 26В | 1 | Не квалифицированный | Р-ПДИП-Т8 | Тональный звонок | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYP15G0201DXB-ББИ | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ХОТлинк II™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | БИКМОС | 570 мА | 1,5 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cyp15g0201dxbbbi-datasheets-0336.pdf | 196-ЛБГА | 15 мм | 15 мм | 196 | 196 | ЛВТТЛ | не_совместимо | 710 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3135~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 240 | 3,3 В | 1 мм | CY*15G02 | 30 | Сетевые интерфейсы | 3,3 В | 2 | Не квалифицированный | 1500000 Мбит/с | Трансивер | 2 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| DS2176Q+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 5мА | 4,57 мм | Соответствует ROHS3 | 1999 год | /files/maximintegrated-ds2176qn-datasheets-5371.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 28 | ТДМ | да | EAR99 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | DS2176 | ЭЛАСТИЧНЫЙ БУФЕР | НЕ УКАЗАН | 1 | Не квалифицированный | S-PQCC-J28 | Получить буфер | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS2155G+Т&Р | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | 75 мА | 75 мА | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/maximintegrated-ds2155gnc2-datasheets-3903.pdf | 100-ЛФБГА, КСПБГА | 3,3 В | 75 мА | 5 недель | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Е1, ЛДЛК, J1, Т1 | 1 | Нет | 3,14 В~3,47 В | DS2155 | 1 | 100-ЦСБГА (10х10) | 64 кбит/с | Трансивер | Одночиповый трансивер | 1 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CYP15G0201DXB-ББК | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ХОТлинк II™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С | Поднос | 3 (168 часов) | БИКМОС | 570 мА | 1,5 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/cypresssemiconductorcorp-cyp15g0201dxbbbi-datasheets-0336.pdf | 196-ЛБГА | 15 мм | 15 мм | 3,3 В | 196 | 196 | ЛВТТЛ | не_совместимо | 700 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 3135~3465В | НИЖНИЙ | МЯЧ | 220 | 3,3 В | 1 мм | CY*15G02 | НЕ УКАЗАН | Сетевые интерфейсы | 2 | Не квалифицированный | 1500000 Мбит/с | Трансивер | 2 |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.