Видео -ампы и модули - Электронные компоненты Sourcing - Лучший агент электронных компонентов - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус МОНТАНАНГИП Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Ток - Посткака Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина СОУДНО ПРИОН Колист Колист PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая Конец DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN Колист Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Прилонья Пефер МАКСИМАЛЕВАЯ Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Я Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) Колист. Каналов Строителб Rf/микроволновги Хarakternый -mpedans Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) R. Вес Подкейгория Napryaneeneee (vos) Питания Степень Upylenee naprayanip Колист Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 -3db polosы propypuskanya Взёд Потретелский Rugulyrovanie -wremenyni Втипа ТИП ИСИЛИТЕЛ Rraboч-aastota-maks Poluhith ЭksplyAtASHYOUNNAMPAYASTOTATA Obщiй -koэfheishente otklonenip Коеффихиэнт отклоньян ПРЕДУХАЕТСЯ Кргителнь ТОК В канусе Ток - Среднихд-Ангет Всего заканчивается Napraheneee - podaчa, odno/dvoйnoй (±) Плот
EL5724IREZ-T7 EL5724IREZ-T7 Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 3 (168. CMOS 8,3 Ма 1,2 ММ Rohs3 /files/RESESASELECTRONICAMERICAINC-EL5724IRE-datasheets-2251.pdf 24 т. Гнева (0,173, Иирин 4,40 мм). 24 8 PANELI-TFT-LCD: GAMMA-BOURER, DDRAйVER VCOM В дар Дон Крхлоп 15 0,65 мм EL5724 Промлэнно -40 ° С Бернхалител 15 В/мкс 8 R-PDSO-G24 12 мг Жeleзnodoroghonyk 140 май 0,05 мка 14000 мкв 4,5 ЕГО ~ 16,5 -± 2,25 В ~ 8,25 В.
EL5824IREZ-T7 EL5824IREZ-T7 Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 3 (168. CMOS 9,5 мая 1,2 ММ Rohs3 2003 /files/RESESASELECTRONICAMERICAINC-EL5724IRE-datasheets-2251.pdf 28-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм). 9,7 мм 28 10 PANELI-TFT-LCD: GAMMA-BOURER, DDRAйVER VCOM В дар Дон Крхлоп 15 0,65 мм EL5824 Промлэнно 85 ° С -40 ° С Бернхалител 15 В/мкс 10 R-PDSO-G28 12 мг Жeleзnodoroghonyk 18В 140 май 0,05 мка 14000 мкв 4,5 ЕГО ~ 16,5 -± 2,25 В ~ 8,25 В.
EL5724IREZ-T13 EL5724IREZ-T13 Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 3 (168. CMOS 8,3 Ма 1,2 ММ Rohs3 /files/RESESASELECTRONICAMERICAINC-EL5724IRE-datasheets-2251.pdf 24 т. Гнева (0,173, Иирин 4,40 мм). 24 8 PANELI-TFT-LCD: GAMMA-BOURER, DDRAйVER VCOM В дар Дон Крхлоп 15 0,65 мм EL5724 Промлэнно -40 ° С Бернхалител 15 В/мкс 8 R-PDSO-G24 12 мг Жeleзnodoroghonyk 140 май 0,05 мка 14000 мкв 4,5 ЕГО ~ 16,5 -± 2,25 В ~ 8,25 В.
EL5624IREZ-T13 EL5624IREZ-T13 Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 3 (168. CMOS 6,8 мая 1,2 ММ Rohs3 /files/RESESASELECTRONICAMERICAINC-EL5724IRE-datasheets-2251.pdf 20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм). 20 6 PANELI-TFT-LCD: GAMMA-BOURER, DDRAйVER VCOM В дар Дон Крхлоп 15 EL5624 Промлэнно 85 ° С -40 ° С Бернхалител 15 В/мкс 6 R-PDSO-G20 12 мг Жeleзnodoroghonyk 18В 140 май 0,05 мка 14000 мкв 4,5 ЕГО ~ 16,5 -± 2,25 В ~ 8,25 В.
EL5329IRZ-T7 EL5329IRZ-T7 Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 3 (168. CMOS 5,5 мая 1,2 ММ Rohs3 /files/renesaselectronicsamericainc-el5329irez-datasheets-2285.pdf 28-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 9,7 мм 28 10 PANELI-TFT-LCD: GAMMA-BOURER, DDRAйVER VCOM В дар Дон Крхлоп 15 0,65 мм EL5329 Промлэнно 85 ° С -40 ° С Бернхалител 9 В/мкс 11 R-PDSO-G28 10 мг Жeleзnodoroghonyk 18В 120 май 0,05 мка 20000 мкв 4,5 ЕГО ~ 16,5 -± 2,25 В ~ 8,25 В.
EL5329IRZ-T13 EL5329IRZ-T13 Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 3 (168. CMOS 5,5 мая 1,2 ММ Rohs3 /files/renesaselectronicsamericainc-el5329irez-datasheets-2285.pdf 28-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 9,7 мм 28 10 PANELI-TFT-LCD: GAMMA-BOURER, DDRAйVER VCOM В дар Дон Крхлоп 15 0,65 мм EL5329 Промлэнно 85 ° С -40 ° С Бернхалител 9 В/мкс 11 R-PDSO-G28 10 мг Жeleзnodoroghonyk 18В 120 май 0,05 мка 20000 мкв 4,5 ЕГО ~ 16,5 -± 2,25 В ~ 8,25 В.
EL5329IREZ-T7 EL5329Irez-T7 Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 3 (168. CMOS 5,5 мая 1,2 ММ Rohs3 /files/renesaselectronicsamericainc-el5329irez-datasheets-2285.pdf 28-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм). 9,7 мм 28 10 PANELI-TFT-LCD: GAMMA-BOURER, DDRAйVER VCOM В дар Дон Крхлоп 15 0,65 мм EL5329 Промлэнно 85 ° С -40 ° С Бернхалител 9 В/мкс 11 R-PDSO-G28 10 мг Жeleзnodoroghonyk 18В 120 май 0,05 мка 20000 мкв 4,5 ЕГО ~ 16,5 -± 2,25 В ~ 8,25 В.
EL5623IRZ-T13 EL5623IRZ-T13 Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 3 (168. CMOS 3,5 мая Rohs3 /files/RENESASELECTRONICAMERICAINC-EL562333IRZ-Datasheets-2376.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм). 16 6 PANERI TFT-LCD: GAMMA-BOURER В дар Дон Крхлоп 15 EL5623 Промлэнно 85 ° С -40 ° С Бернхалител 9 В/мкс 6 10 мг 18В 120 май 0,05 мка 20000 мкв 4,5 ЕГО ~ 16,5 -± 2,25 В ~ 8,25 В.
EL5128CY-T7 EL5128CY-T7 Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 660 мка В /files/renesaselectronicsamericainc-el5128cyt13-datasheets-2436.pdf 10-tfsop, 10-мав (0,118, ширина 3,00 мм) PANELI-TFT-LCD: GAMMA-BOURER, DDRAйVER VCOM EL5128 Опретифен исилител 10 В/мкс 2 12 мг Жeleзnodoroghonyk Опретифен исилител 30 май 4,5 ЕГО ~ 16,5 -± 2,25 В ~ 8,25 В.
EL5129IREZ-T13 EL5129Irez-T13 Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 3 (168. CMOS 3,5 мая 1,2 ММ Rohs3 /files/renesaselectronicsamericainc-el5329irez-datasheets-2285.pdf 20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм). 20 6 PANELI-TFT-LCD: GAMMA-BOURER, DDRAйVER VCOM В дар Дон Крхлоп 15 EL5129 Промлэнно 85 ° С -40 ° С Бернхалител 9 В/мкс 6 R-PDSO-G20 10 мг Жeleзnodoroghonyk 18В 120 май 0,05 мка 20000 мкв 4,5 ЕГО ~ 16,5 -± 2,25 В ~ 8,25 В.
EL5624IRE EL5624IRE Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Трубка 3 (168. CMOS 6,8 мая 1,2 ММ В /files/RESESASELECTRONICAMERICAINC-EL5724IRE-datasheets-2251.pdf 20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм). 20 6 PANELI-TFT-LCD: GAMMA-BOURER, DDRAйVER VCOM В дар Дон Крхлоп 15 EL5624 Промлэнно 85 ° С -40 ° С Бернхалител 15 В/мкс 6 R-PDSO-G20 12 мг Жeleзnodoroghonyk 18В 140 май 0,05 мка 14000 мкв 4,5 ЕГО ~ 16,5 -± 2,25 В ~ 8,25 В.
EL5524IRE EL5524IRE Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Трубка 3 (168. CMOS 5,4 мая 1,2 ММ В /files/RESESASELECTRONICAMERICAINC-EL5724IRE-datasheets-2251.pdf 14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм). 5 ММ 14 4 PANELI-TFT-LCD: GAMMA-BOURER, DDRAйVER VCOM В дар Дон Крхлоп 15 0,65 мм EL5524 Промлэнно 85 ° С Бернхалител 15 В/мкс 4 12 мг Жeleзnodoroghonyk 18В 140 май 0,05 мка 4,5 ЕГО ~ 16,5 -± 2,25 В ~ 8,25 В.
BGO807/SC0,112 BGO807/SC0,112 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Трубка 1 (neograniчennnый) 205 май В 2001 /files/nxpusainc-bgo807cfc0112-datasheets-1724.pdf SOT-115Y Кох BGO807 8 1
EL9200ILZ-T7 EL9200ILZ-T7 Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 3 (168. 3,8 мая Rohs3 /files/RESESASELECTRONICAMERICAINC-EL9201ILZ-DATASHEETS-2346.PDF 12-vfdfn или E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Tft-lcd paneli: draйwer vcom Nukahan EL9200 Nukahan 80 В/мкс 1 44 мг ВИДЕГО Жeleзnodoroghonyk 65 май 4,5 ЕГО ~ 16,5 -± 2,25 В ~ 8,25 В.
BGY585A,112 BGY585A, 112 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Гибридн 220 Ма Rohs3 2001 /files/nxpusainc-bgy585a112-datasheets-7787.pdf SOT-115J Унихкин Кох BGY585A 7 -20 ° С Модул Шyrocaya -sokya -moщonopthe 75ohm Рф/микроволно -эсилитетри 24 1 Толкат 550 мг 40 мг
EL5624IRE-T7 EL5624IRE-T7 Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 3 (168. CMOS 6,8 мая 1,2 ММ В /files/RESESASELECTRONICAMERICAINC-EL5724IRE-datasheets-2251.pdf 20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм). 20 6 PANELI-TFT-LCD: GAMMA-BOURER, DDRAйVER VCOM В дар Дон Крхлоп 15 EL5624 Промлэнно 85 ° С -40 ° С Бернхалител 15 В/мкс 6 R-PDSO-G20 12 мг Жeleзnodoroghonyk 18В 140 май 0,05 мка 14000 мкв 4,5 ЕГО ~ 16,5 -± 2,25 В ~ 8,25 В.
AD829JR-REEL7 AD829JR-REEL7 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 125 ° С -55 ° С БИПОЛНА 6,5 мая В /files/analogdevicesinc-ad829jrzreel7-datasheets-4963.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,9 мм СОДЕРИТС 8 8 не Ear99 Свине, олово not_compliant 1 6,5 мая E0 Образеть В дар 900 м Дон Крхлоп 240 AD829 8 Коммер 1 30 900 м 3,3 мка Опретифен исилител 1 м 230 -мкс 96.26db Н.Квалиирована 120 мг 1,5 пт 65 м Опретифен исилител 300 мг 120 ДБ 120db 5,3 Ма 32 май ± 4,5 ЕГО 1,7NV/SQRT HZ
EL5624AIREZ-T7 EL5624AIREZ-T7 Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 3 (168. CMOS 8,5 мая 1,2 ММ Rohs3 /files/renesaselectronicsamericainc-el5624airez-datasheets-2362.pdf 20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм). 20 6 PANELI-TFT-LCD: GAMMA-BOURER, DDRAйVER VCOM В дар Дон Крхлоп 15 EL5624 Промлэнно 85 ° С -40 ° С Бернхалител 15 В/мкс 6 R-PDSO-G20 12 мг Жeleзnodoroghonyk 18В 140 май 0,05 мка 14000 мкв 4,5 ЕГО ~ 16,5 -± 2,25 В ~ 8,25 В.
BGY685A,112 BGY685A, 112 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Гибридн 220 Ма Rohs3 1996 /files/nxpusainc-bgy685a112-datasheets-7819.pdf SOT-115J Nkyskiй шuem, vыsocaya naneжnostath Кох BGY685 7 -20 ° С Модул Шyrocaya -sokya -moщonopthe 75ohm Рф/микроволно -эсилитетри 24 1 Толкат 600 мг 40 мг
EL8108IS-T7 EL8108IS-T7 Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 14,3 май В /files/renesaselectronicamericainc-el8108ist7-datasheets-0465.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) Техник обр. Ая EL8108 800 -мкс 2 200 мг ВИДЕГО 450 май 5- ~ 12- ± 2,5, ~ 6.
ISL55033IRTZT13S2490 ISL55033IRTZT13S2490 Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 21,3 Ма Rohs3 12-wfqfn otkrыtai-anploщadka О том, как 2350 -мкс 3 400 мг Жeleзnodoroghonyk 50 май 3 n 5,5.
MHW9206N MHW9206N Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Поднос 1 (neograniчennnый) 245 май Rohs3 2008 /files/nxpusainc-mhw9206n-datasheets-7998.pdf Модул Кох MHW9206 Шyrocaya -sokya -moщonopthe 1
CGD1042LU CGD1042LU Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Трубка 1 (neograniчennnый) 375 май Rohs3 2011 год /files/nxpusainc-cgd1042lu-datasheets-8161.pdf SOT-115AE Кох CGD1042 1 24
MHW9236N MHW9236N Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Поднос 1 (neograniчennnый) 255 май Rohs3 2008 /files/nxpusainc-mhw9236n-datasheets-9410.pdf Модул Кох MHW9236 Шyrocaya -sokya -moщonopthe 1
CGY1047,112 CGY1047,112 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Трубка 1 (neograniчennnый) Гибридн 250 май Rohs3 2009 /files/nxpusainc-cgy1047112-datasheets-7445.pdf SOT-115J 1 Кох CGY1047 7 Рф/микроволно -эсилитетри 24 1 Толкат
MHW9276N MHW9276N Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Поднос 1 (neograniчennnый) 250 май Rohs3 2007 /files/nxpusainc-mhw9276n-datasheets-7448.pdf Модул Кох MHW9276 Шyrocaya -sokya -moщonopthe 1
CGY1043,112 CGY1043,112 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Гибридн 265 май Rohs3 2011 год /files/nxpusainc-cgy1043112-datasheets-7449.pdf SOT-115J 1 Кох CGY1043 7 Рф/микроволно -эсилитетри 24 1
CGD1042,112 CGD1042,112 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА МАССА 1 (neograniчennnый) Rohs3 2007 /files/nxpusainc-cgd1042h112-datasheets-1712.pdf SOT-115J Кох CGD1042 1
AD812AR AD812AR Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Трубка 1 (neograniчennnый) 4,5 мая В /files/rochesterelectronicsllc-ad812arreel-datasheets-7762.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) не Ear99 НЕИ Техник обр. Ая 8 Опретифен исилител 1600-/мкс 2 145 мг Опретифен исилител 50 май 2,4 -~ 36- ± 1,2- ~ 18
CGD985LCU CGD985LCU Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Трубка 1 (neograniчennnый) 365 май Rohs3 2011 год /files/nxpusainc-cgd985lcu-datasheets-7368.pdf SOT-115AE Кох CGD985 1 24

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.