Переоджики в Анапра.

Сознание	Проиджодель	Колист	Raзmer (lxwxh)	Статус	В припании	Управый	МОНТАНАНГИП	Rraboч -yemperatura	Упако	Вернояж	МАКСИМАЛЕН	Мин	Тела	Весарая (МАКСИМУМА)	Статус Ройс	Опуликовано	Техниль	PakeT / KORPUES	Делина	Шyrina	Опресагионе	СОУДНО ПРИОН	Колист	Верна	МАКСИМАЛНА	МИНАПРЕЗА	Колист	PBFREE CODE	Колист	КОД ECCN	Доленитейн Ая	Конец	Rradiaцyonnoe wyproчneneenee	DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN	МЕСТОД УПАКОККИ	Колист	Н.	КОД JESD-609	Особз	ТЕРМИНАЛЕН	Полаяня	БЕЗОПАСНЫЙ	Пефер	МАКСИМАЛЕВАЯ	Терминала	Терминаланая	Пико -Аймперратара	Надо	Терминал	Я	Поседл	PoSta	Posta	Колист. Каналов	Wremaping@pikovoйtemperaturu (я)	Колист	Подкейгория	Vodnana polarnostaph	Питания	Колист	Кваликакахионн Статус	КОД JESD-30	Смерть	ЛОГИСКИЯ ТИП ИК	ПАКЕТИВАЕТСЯ	Скороп	Колист	ИНЕРФЕРА	Вес	Втипа	В.	Nagruзka emcostath	Logiчeskayavy	Я	Колист	Вес	Веса	Кргителнь ТОК	На том, что	Встровя	На	PoSta	Naprayeseee -pietyna 1 минюта	PoSta	ТИП КАНАЛА	OTrITeLnoE naprayanieepepanymeman-noema	Вес	Maks i (ol)	ТИП	Проп. ЗAdErжKA@nom-sup	ШMITTTTTTTTTT	«	Весальки илиргисттразииииииииииииииииииииииииии	ТИП ПЕРЕВОДИЙКА	Naprayжeniee - vcca	Naprayжeniee - vccb	Канала	В.	В.
SY100EPT23LZC TR	ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	100		Пефер	0 ° C ~ 85 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)					В	2005	/files/microchiptechnology-sy100ept23lzgtr-datasheets-2560.pdf	8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)																																100EPT23										1					8 лейт					Нюртировано															ОДНОАНАПРАВЛЕННА									СМАННАННА			2	Lvttl	Lvpecl
SY100EPT20VZI	ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	100		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Трубка	1 (neograniчennnый)					В	2010 ГОД	/files/microchiptechnology-sy10ept20vzg-datasheets-9308.pdf	8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)	4,93 мм	3,94 мм			8							Ear99						1							В дар		Дон	Крхлоп		3,3 В.		100EPT20		3,63 В.	2,97					Додер		1		R-PDSO-G8					1	Ttl/cmos to pecl -perrewodчyk		DIFERENцIAL															ОДНОАНАПРАВЛЕННА							0,6 м	Уд	СМАННАННА				Lvpecl	Lvcmos, lvttl
Sy1t20vzc-tr	ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	10EPT		Пефер	0 ° C ~ 85 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)					В	2010 ГОД	/files/microchiptechnology-sy10ept20vzg-datasheets-9308.pdf	8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)	4,93 мм	3,94 мм			8							Ear99						1							В дар		Дон	Крхлоп		3,3 В.		10EPT20		3,63 В.	2,97					Додер		1		R-PDSO-G8					1	Ttl/cmos to pecl -perrewodчyk		DIFERENцIAL															ОДНОАНАПРАВЛЕННА							0,6 м	Уд	СМАННАННА				Lvpecl	Lvcmos, lvttl
MC100EPT23MNR4	На то, чтобы	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	100		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			Эkl		В	2008	/files/onsemyonductor-mc100ept23dtg-datasheets-5953.pdf	8-vfdfn oTkrыTAIN-oploщadca				СОДЕРИТС	8		3,6 В.	3В	8			Ear99				not_compliant		2		E0					В дар		Дон	NeT -lederStva	240	3,3 В.	0,5 мм	100EPT23	8			2	30			Исиннн		1	Н.Квалиирована						1			Нюртировано	1,8 млн		Пероводжик	1,8 млн											ОДНОАНАПРАВЛЕННА								Уд	СМАННАННА				Lvttl, lvcmos	CML, LVDS, LVPECL
MC100ELT20DTR2	На то, чтобы	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	100		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	3 (168 чASOW)			Эkl		В	2009	/files/onsemyonductor-mc100elt20dt-datasheets-3744.pdf	8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм)	3 ММ	3 ММ		СОДЕРИТС	8		5,25 В.	4,75 В.	8			Ear99				not_compliant		1		E0		Олово/Свинен (SN/PB)			В дар		Дон	Крхлоп	240	5в	0,65 мм	100elt20	8			1	30			Додер	-4,5		Н.Квалиирована						1			DIFERENцIAL	1,25 млн		Пероводжик	1,1 млн											ОДНОАНАПРАВЛЕННА	-4,5							Уд	СМАННАННА				Пекл	В
PI74LVCC3245ALE	Дидж	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	74LVCC		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Трубка	1 (neograniчennnый)							/files/diodesincorporated-pi74lvcc3245ale-datasheets-6643.pdf	24 т. Гнева (0,173, Иирин 4,40 мм)																																74LVCC3245										1										Три-Госхарство, neryrtyrovano															Дюнапразлнн									Управление	2,7 В ~ 3,6 В.	3 n 5,5.	8
PI74STX4G4245ZJEX	Дидж	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	74STX		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)							/files/diodesincortated-pi74stx4g4245zjex-datasheets-6645.pdf	16-wfdfn otkrыtai-anploщaudka																																74STX4G4245										2										Нюртировано															Дюнапразлнн									Управление	1,65, ~ 3,6 В.	2,3 В ~ 5,5 В.
MC100ELT21DTR2	На то, чтобы	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	100	Пефер	Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	3 (168 чASOW)			Эkl		В	2008	/files/onsemyonductor-mc100elt21dt-datasheets-3731.pdf	8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм)	3 ММ	3 ММ	5в	СОДЕРИТС	8		5,25 В.	4,75 В.	8			Ear99				not_compliant		1		E0							Дон	Крхлоп	240	5в	0,65 мм	100elt21	8			1	30			Исиннн	5в		Н.Квалиирована						1			Нюртировано	5,5 млн		Пероводжик	5,5 млн		-3ma	24ma								ОДНОАНАПРАВЛЕННА								Уд	СМАННАННА				В	Пекл
Max13108eetl+t	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			Bicmos	0,8 мм	Rohs3	2012	/files/maximintegrated-max13102eetl-datasheets-8188.pdf	40-wfqfn otkrыtai-anploщadka	5 ММ	5 ММ		СОУДНО ПРИОН	40				40	в дар		Ear99			Не			1		E3	Rraзehenee gystoчnika pietanip	Оло			В дар		Квадран		260	1,65 В.	0,4 мм	MAX13108	40	5,5 В.		16			Псевриген			1						20 марта / с		Телеоанн		Три-Госхарство, neryrtyrovano			Пероводжик	20 млн						ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ	Руковина				Дюнапразлнн									Управление	1,2 В ~ 5,5 В.	1,65 n 5,5
MC100ELT24DTR2	На то, чтобы	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	100		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	3 (168 чASOW)			Эkl		В	2009	/files/onsemyonductor-mc100elt24mnr4g-datasheets-9198.pdf	8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм)	3 ММ	3 ММ		СОДЕРИТС	8		5,5 В.	4,5 В.				Ear99				not_compliant		1		E0		Олово/Свинен (SN/PB)			В дар		Дон	Крхлоп	240	5в	0,65 мм	100elt24	8			1	30			Додер	5-4,5/-5,2 В.		Н.Квалиирована	S-PDSO-G8					1			DIFERENцIAL			Пероводжик	2 млн											ОДНОАНАПРАВЛЕННА	-5V							Уд	СМАННАННА				Эkl	В
PI74LVC4245ALEX	Дидж	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	74LVC		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)	85 ° С	-40 ° С			ROHS COMPRINT		/files/diodesincorporated-pi74lvc4245alex-datasheets-6661.pdf	24 т. Гнева (0,173, Иирин 4,40 мм)				СОУДНО ПРИОН			5,5 В.	4,5 В.	24						Не								Nerting									74LVC4245				8						1					24-NTSSOP		8			Три-Госхарство, neryrtyrovano			ПРИМОПЕРЕДИЯ, ПЕРЕВОДАЙК	5,7 млн		-24ma	24ma		Дюнапразлнн						Дюнапразлнн									Управление	4,5 n 5,5.	2,7 В ~ 3,6 В.	8
PI74LVC3245ALE	Дидж	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	74LVC		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Трубка	1 (neograniчennnый)							/files/diodesincorporated-pi74lvc3245ale-datasheets-6662.pdf	24 т. Гнева (0,173, Иирин 4,40 мм)																																74LVC3245										1					24-NTSSOP					Три-Госхарство, neryrtyrovano															Дюнапразлнн									Управление	2,7 В ~ 3,6 В.	4,5 n 5,5.	8
ISL2401010VZ-T	Renesas Electronics America	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Веса	1 (neograniчennnый)					Rohs3		/files/renesaselectronicsamericainc-isl240101010ivzt-datasheets-6582.pdf	20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм)																					Rraзehenee gystoчnika pietanip											ISL24010										1								Цeph																	ОДНОАНАПРАВЛЕННА									Управление	-5V ~ 22 В.	-20v ~ 40 a.	8
SY10H350JC-TR	ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	10		Пефер	0 ° C ~ 85 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)					В	2006	/files/microchiptechnology-sy10h350jc-datasheets-6513.pdf	20-LCC (J-Lead)																																10h350										1					20-PLCC (9x9)					Три-Госхарство, neryrtyrovano															ОДНОАНАПРАВЛЕННА									СМАННАННА			4	В	Пекл
MAX13103EETL+	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Пефер	Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Трубка	1 (neograniчennnый)			Bicmos	0,8 мм	Rohs3	2012	/files/maximintegrated-max13102eetl-datasheets-8188.pdf	40-wfqfn otkrыtai-anploщadka	5 ММ	5 ММ		СОУДНО ПРИОН	40		5,5 В.	1,65 В.	40	в дар		Ear99		Оло	Не			1	10 мк	E3	Rraзehenee gystoчnika pietanip						Квадран		260	1,65 В.	0,4 мм	MAX13103	40			16	30		Псевриген			1						20 марта / с		Телеоанн	20 мк	Три-Госхарство, neryrtyrovano			Пероводжик	20 млн		-20 мка	20 мк			ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ					Дюнапразлнн									Управление	1,2 В ~ 5,5 В.	1,65 n 5,5
Sy89321lmi-tr	ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Sy89		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)					В	2008	/files/microchiptechnology-sy89321lmgtr-datasheets-7216.pdf	8-VFDFN PAD, 8-MLF®																																89321										1					8-MLF® (2x2)					Нюртировано															ОДНОАНАПРАВЛЕННА									СМАННАННА			1	Lvttl	CML, LVDS, LVPECL
Max13108eetl+	МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Трубка	1 (neograniчennnый)			Bicmos	0,8 мм	Rohs3	2012	/files/maximintegrated-max13102eetl-datasheets-8188.pdf	40-wfqfn otkrыtai-anploщadka	5 ММ	5 ММ		СОУДНО ПРИОН	40				40	в дар		Ear99			Не			1		E3	Rraзehenee gystoчnika pietanip	MATOWAN ONOUVA (SN)			В дар		Квадран		260	1,65 В.	0,4 мм	MAX13108	40	5,5 В.		16			Псевриген			1						20 марта / с		Телеоанн		Три-Госхарство, neryrtyrovano			Пероводжик	20 млн						ПРЕДУПРЕЖДЕНИЕ	Руковина				Дюнапразлнн									Управление	1,2 В ~ 5,5 В.	1,65 n 5,5
SY10H603JC	ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	10		Пефер	0 ° C ~ 85 ° C TA	Трубка	1 (neograniчennnый)					В	2006	/files/microchiptechnology-sy10h603jz-datasheets-8125.pdf	28-LCC (J-Lead)																																10H603										1					28-PLCC (11.48x11.48)					Три-Госхарство, neryrtyrovano															ОДНОАНАПРАВЛЕННА									СМАННАННА			9	В	Эkl
MC100ELT24DR2G	На то, чтобы	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	100	Пефер	Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			Эkl		ROHS COMPRINT	2000	/files/onsemyonductor-mc10elt24dg-datasheets-4210.pdf	8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)	4,9 мм	3,9 мм	5в	СОУДНО ПРИОН	8		5,5 В.	4,2 В.	8	в дар		Ear99			Не			1		E3		Олово (sn)		БЕЗОПАСНЫЙ			Дон	Крхлоп	260	5в		100elt24	8			1	40			Додер	5-4,5/-5,2 В.								1			DIFERENцIAL	2 млн		Пероводжик	2 млн		-50MA	50 май								ОДНОАНАПРАВЛЕННА	-5V	Otkrыtый эmiTter							СМАННАННА				Эkl	В
Sy1t23zi	ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	10elt		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Трубка	1 (neograniчennnый)					В	2003	/files/microchiptechnology-sy10elt23zc-datasheets-3868.pdf	8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)																																10elt23										1					8 лейт					Нюртировано															ОДНОАНАПРАВЛЕННА									СМАННАННА			2	В	Пекл
PTN3310DP, 118	Nxp poluprovoDonnyki	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)					Rohs3	2004	/files/nxpusainc-ptn3311d112-datasheets-9681.pdf	8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм)	3 ММ	3 ММ			8							Ear99						1		E4		Ngecely palladyй			В дар		Дон	Крхлоп	260	3,3 В.	0,65 мм	PTN3310	8	3,6 В.	3В		40			Додер		1	Н.Квалиирована	S-PDSO-G8				800 мб / с	1			DIFERENцIAL															ОДНОАНАПРАВЛЕННА							3 млн	Уд	СМАННАННА				Пекл	LVDS
Sy89328lmi-tr	ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Sy89		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)					В	2005	/files/microchiptechnology-sy89328lmgtr-datasheets-2871.pdf	8-VFDFN PAD, 8-MLF®																																89328										1					8-MLF® (2x2)					Dyferenцial, OdnoStoRORONNONNIй															ОДНОАНАПРАВЛЕННА									СМАННАННА			2	Lvttl, lvpecl	Lvpecl, lvttl
PI74AUC164245KE	Дидж	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	74auc		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Трубка	1 (neograniчennnый)							/files/diodesincorporated-pi74auc164245ke-datasheets-6565.pdf	48-tfsop (0,173, ширина 4,40 мм)																																74auc164245										2										Три-Госхарство, neryrtyrovano															Дюнапразлнн									Управление	0,8 В ~ 2,7 В.	0,8 В ~ 2,7 В.	8
PI74AVC164245LAAE	Дидж	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	74avc	Пефер	Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Трубка	1 (neograniчennnый)			CMOS		Rohs3		/files/diodesincorporated-pi74avc164245laa-datasheets-3513.pdf	48-tfsop (0,240, ширина 6,10 мм)		6,1 мм		СОУДНО ПРИОН	48	7	3,6 В.	1,4 В.	48		2	Ear99		Оло	Не			2		E3			Nerting				Дон	Крхлоп	260	1,5 В.	0,5 мм	74AVC164245					40		Верный Аатер -/Приоэратхики			2			Avc	Верно			16			Три-Госхарство, neryrtyrovano	3,5 млн	30pf	СДВИГ УРОВЕН, ТРАНСИЕР, ПЕРЕВОД	4,5 млн		-12ma	12ma	30 мк							Дюнапразлнн		3-шТат	0,006 а	ОБИГИЯ КОНТРОЛЯ					Управление	2,3 В ~ 2,7 В.	3 В ~ 3,6 В.	8
Sy1t23zc tr	ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	10elt		Пефер	0 ° C ~ 85 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)					В	2008	/files/microchiptechnology-sy10elt23zc-datasheets-3868.pdf	8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)																																10elt23										1					8 лейт					Нюртировано															ОДНОАНАПРАВЛЕННА									СМАННАННА			2	В	Пекл
PI74AVC164245AE	Дидж	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	74avc	Пефер	Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Трубка	1 (neograniчennnый)			CMOS		Rohs3	2012	/files/diodesincorporated-pi74avc164245aae-datasheets-9180.pdf	48-tfsop (0,240, ширина 6,10 мм)		6,1 мм			48	6	3,6 В.	1,65 В.	48		2	Ear99			Не			2		E3		MATOWAN ONOUVA (SN)	Nerting				Дон	Крхлоп	260	3,3 В.	0,5 мм	74AVC164245					40		Верный Аатер -/Приоэратхики			2			Avc	Верно			16			Три-Госхарство, neryrtyrovano	4,6 млн	30pf	СДВИГ УРОВЕН, ТРАНСИЕР, ПЕРЕВОД	5,5 млн		-12ma	12ma	30 мк							Дюнапразлнн		3-шТат		ОБИГИЯ КОНТРОЛЯ					Управление	2,3 В ~ 2,7 В.	3 В ~ 3,6 В.	8
HCF4010Bey	Stmicroelectronics	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	4000b	Чereз dыru	Чereз dыru	-55 ° C ~ 125 ° C TA	Трубка	1 (neograniчennnый)			CMOS		Rohs3		/files/stmicroelectronics-hcf4010bey-datasheets-6578.pdf	16-DIP (0,300, 7,62 ММ)				СОУДНО ПРИОН	16		20	3В	16				Perrewodчyk vыsocogogo do neзcogo yrownana					6		E3		MATOWAN ONOUVA (SN)	Nerting			200 м	Дон		Nukahan	5в	2,54 мм	HCF4010	16				Nukahan	6	ВОЗОРТА				Н.Квалиирована									Нюртировано	200 млн	50pf	Бер	70 млн	6	-1.25ma	19ma	20 мк							ОДНОАНАПРАВЛЕННА		Otkrыtый drenaж				Не			Управление	3 В ~ 20 В.	3 В ~ 20 В.	1
PI74LVCC4245ALE	Дидж	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	74LVCC		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Трубка	1 (neograniчennnый)							/files/diodesincorporated-pi74lvcc4245ale-datasheets-6580.pdf	24 т. Гнева (0,173, Иирин 4,40 мм)																																74LVCC4245										1										Три-Госхарство, neryrtyrovano															Дюнапразлнн									Управление	4,5 n 5,5.	2,7 В ~ 3,6 В.	8
GTL2010BS, 118	Nxp poluprovoDonnyki	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)					Rohs3	2003	/files/nxpusainc-gtl2010pw112-datasheets-9727.pdf	24-VFQFN OTKRыTAIN ANPLOZADCA	4 мм	4 мм			24	7												10		E4	Анаправон	Ngecely palladyй			В дар		Дон	NeT -lederStva	260	2,5 В.	0,5 мм	74GTL2010	24	2,64 В.	2,36 В.		30					1	Н.Квалиирована	S-XDSO-N24						Цeph		Откргит												3,3 В.	3В	3,6 В.	Дюнапразлнн									Управление	1 В ~ 5,5 В.	1 В ~ 5,5 В.	10
Pi4uls3v08mzlex	Дидж	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Ольгс		Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C TA	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)			CMOS		Rohs3	2013	/files/diodesincorporated-pi4uls3v08mzlex-datasheets-6592.pdf	32-wfqfn otkrыtai-aip-o	6 мм	3 ММ		СОУДНО ПРИОН	32	7			32		2	Ear99					Лю	2		E4	Анаправон	Ngecely palladyй			В дар		Квадран	NeT -lederStva	260	1,5 В.		4ULS3V08		3,6 В.			40		Верный Аатер -/Приоэратхики	Исиннн		2	Н.Квалиирована			Верно		90 мб / с	8			Три-Госхарство, neryrtyrovano		10pf	Верна, что -то	4 млн											Дюнапразлнн		3-шТат		ОБИГИЯ КОНТРОЛЯ	7 млн				Управление	1,2 n 3,6 В.	1,2 n 3,6 В.	4

Переоджики в Анапра.

Скайп

Что -то

Электронная почта

Тел

В наличии