Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 154 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 149 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Переводчики напряжения и переключатели уровня - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист Верна МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Толсина Колист КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN МЕСТОД УПАКОККИ Колист Н. КОД JESD-609 Особз ТЕРМИНАЛЕН Полаяня БЕЗОПАСНЫЙ Пефер МАКСИМАЛЕВАЯ Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Я Поседл Телекоммуникации IC THIP PoSta Posta Колист. Каналов Аналогово Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Колист Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Смерть ЛОГИСКИЯ ТИП ИК ПАКЕТИВАЕТСЯ Скороп Колист DefereneNцiAlnый whod Вес ИНЕРФЕРА Недомер В конце концов Вес Втипа В. Nagruзka emcostath Верна Logiчeskayavy Я Колист Вес Веса Кргителнь ТОК Napryaneece-nom Napryaneeneee (мин) Вес PoSta PoSta ТИП КАНАЛА OTrITeLnoE naprayanieepepanymeman-noema Колиствоэвов Колист ИНЕРФЕР Вес Колиствоистенн Весна кондигионирований Fmax-Min КОНГИГУРИЯ КОММУТАТОРА Переграклейни Maks i (ol) ТИП Псевдод Проп. ЗAdErжKA@nom-sup Я « Весальки илиргисттразииииииииииииииииииииииииии ТОТ КРЕВО ТИП ПЕРЕВОДИЙКА Naprayжeniee - vcca Naprayжeniee - vccb Канала В. В.
74AVCH2T45GS,115 74AVCH2T45GS, 115 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74avch Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 0,35 мм Rohs3 2013 /files/nexperiausainc-74avch2t45dc125-datasheets-5529.pdf 8-xfdfn 8 13 3,6 В. 800 м 8 2 2 E3 Олово (sn) 250 м Дон NeT -lederStva 260 1,2 В. 0,35 мм 74avch2t45 8 2 30 Исиннн 1 Avc Верно 500 мб / с 2 Три-Госхарство, neryrtyrovano 11,8 млн Пероводжик 2,7 млн -12ma 12ma 23 Мка Дюнапразлнн 3-шТат Управление 0,8 В ~ 3,6 В. 0,8 В ~ 3,6 В.
MC100EPT622MNG MC100EPT622MNG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100 Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Эkl Rohs3 2006 /files/onsemyonductor-mc100ept622mnr4g-datasheets-9195.pdf 32-vfqfn otkrыtai-aip-ploщadka 7 мм 7 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 32 4 neDe 3,8 В. 32 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар Ear99 Не 10 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ Квадран 3,3 В. 0,8 мм 100EPT622 32 10 Исиннн 1 1 Нюртировано 875 ps Пероводжик 875 ps -50MA 50 май ОДНОАНАПРАВЛЕННА 0,875 млн СМАННАННА Lvpecl Lvcmos, lvttl
74LVCH1T45GS,132 74LVCH1T45GS, 132 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LVCH Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 0,35 мм Rohs3 /files/nexperiausainc-74lvc1t45gw125-datasheets-0066.pdf 6-xfdfn СОУДНО ПРИОН 6 13 5,5 В. 1,2 В. 6 2 Оло Не 1 E3 Nerting 250 м Дон 260 1,5 В. 0,35 мм 74lvch1t45 1 30 LVC/LCX/Z. Верно 420 мБИТ / С 1 Три-Госхарство, neryrtyrovano ПРИМОПЕРЕДИЯ, ПЕРЕВОДАЙК 5,1 млн -32ma 32 май 16 мка Дюнапразлнн 3-шТат Управление 1,2 В ~ 5,5 В. 1,2 В ~ 5,5 В.
74AUP1T34GXH 74AUP1T34GXH Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74aup Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 0,35 мм Rohs3 /files/nexperiausainc-74aup1t34gw125-datasheets-5367.pdf 4-xfdfn otkrыtaiNaiNeploщadca 0,8 мм 0,8 мм 5 13 3,6 В. 1,1 В. Оло 1 Nerting Дон NeT -lederStva Nukahan 1,2 В. 0,48 мм 74AUP1T34 5 Nukahan 1 S-PDSO-N5 AUP/ULP/V. Нюртировано Бер -4ma 4 май 500NA ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 33,5 млн Управление 1,1 В ~ 3,6 В. 1,1 В ~ 3,6 В.
74AVC2T45GS,115 74AVC2T45GS, 115 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74avc Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 0,35 мм Rohs3 2010 ГОД /files/nexperiausainc-74avc2t45dp125-datasheets-5697.pdf 8-xfdfn 8 13 3,6 В. 800 м 8 2 1 E3 Олово (sn) 250 м Дон NeT -lederStva 260 1,2 В. 0,35 мм 74AVC2T45 8 2 30 Исиннн 1 Avc Верно 500 мб / с 2 Три-Госхарство, neryrtyrovano Пероводжик 2,4 млн -12ma 12ma 23 Мка Дюнапразлнн 3-шТат Управление 0,8 В ~ 3,6 В. 0,8 В ~ 3,6 В.
SY100ELT21LZG Sy100elt21lzg ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100 Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С Rohs3 2006 /files/microchiptechnology-sy100elt21lzgtr-datasheets-2533.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,93 мм 1,48 мм 3,94 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 7 НЕТ SVHC 3.465V 3.135V 8 Не 14ma 100elt21 1 1 8 лейт Нюртировано 2,5 млн Пероводжик 2 млн 1 -3ma 24ma ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 СМАННАННА 1 Lvttl Lvpecl
MC10H124PG MC10H124PG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 10 Чereз dыru Чereз dыru 0 ° C ~ 75 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Эkl Rohs3 2006 /files/onsemyonductor-mc10h124fng-datasheets-7339.pdf 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 19.5326 ММ 34544 мм 6858 мм СОУДНО ПРИОН 16 4 neDe 4.535924G НЕТ SVHC 5,25 В. 4,75 В. 16 Активна (postednyй obnownen: 15 -й в дар Ear99 Не 4 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ Дон 260 10h124 16 4 40 Додер 5-5,2 В. 1 2 50 май DIFERENцIAL 2,65 млн 1,6NS Пероводжик 3.1 м -50MA 50 май ОДНОАНАПРАВЛЕННА -5.2V Otkrыtый эmiTter СМАННАННА МЕКЛ В
74AXP8T245BQJ 74AXP8T245BQJ Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74axp Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA 1 (neograniчennnый) Rohs3 24-VFQFN OTKRыTAIN ANPLOZADCA 2 Три-Госдарство Дюнапразлнн Управление 0,9 В ~ 5,5 В. 0,9 В ~ 5,5 В. 8
NXS0101GSH NXS0101GSH Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/nexperiausainc-nxs0101gsh-datasheets-1533.pdf 6-xfdfn 1 24 марта / с Otkrыtath dreneж, totolчok Дюнапразлнн Управление 1,65, ~ 3,6 В. 2,3 В ~ 5,5 В. 2
NLSX4401DFT2G NLSX4401DFT2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 125 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) /files/onsemyonductor-nlsx4401dft2g-datasheets-1608.pdf 6-tssop, SC-88, SOT-363 2 ММ 6 4 neDe в дар Сообщите 1 В дар Дон Крхлоп Nukahan 1,8 В. 0,65 мм 5,5 В. Nukahan 1 R-PDSO-G6 20 марта / с Цeph Дюнапразлнн Управление 1,65 n 5,5 1,65 n 5,5 CMOS
SN65EPT21DR SN65EPT21DR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 65EPT Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Эkl Rohs3 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,9 мм 1,75 мм 3,91 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 8 6 3,6 В. 8 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар 158 ММ Не Тргенд 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Дон Крхлоп 260 3,3 В. 65EPT21 8 1 ВОДЕЛЕЙС 600 мб / с Нюртировано 1,9 млн 20 пт Пероводжик 1,9 млн -3ma 24ma ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 DIFERENцIAL 300 мг 0,024 а 0,25 млн СМАННАННА В Lvds, Pecl
NB100LVEP91DWG NB100LVEP91DWG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100LVEP Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 3 (168 чASOW) Эkl Rohs3 2006 /files/onsemyonductor-nb100lvep91dwr2g-datasheets-3388.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 12,95 мм 2,4 мм 7,6 мм СОУДНО ПРИОН 20 4 neDe 800,987426 м 3,8 В. 2.375V 20 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар Ear99 Не 1 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ Дон Крхлоп 260 2,5 В. 100LVEP91 20 3 40 Додер 1 2 гвит / с 1 50 май DIFERENцIAL 750 с Пероводжик 675 ps 6 -50MA 50 май ОДНОАНАПРАВЛЕННА -2,5 В. СМАННАННА Lvnecl CML, HSTL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL
SN74LVC4245APWRG4 SN74LVC4245APWRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LVC Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 24 т. Гнева (0,173, Иирин 4,40 мм) 7,8 мм 1,2 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 24 12 89,499445 м 5,5 В. 4,5 В. 24 Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) в дар 1 ММ 2 Ear99 5 -vodaчad -porta a; 3,3 В. Не Тргенд 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Nerting Дон Крхлоп 260 0,65 мм 74LVC4245 24 8 Верный Аатер -/Приоэратхики 3,3 В. 1 LVC/LCX/Z. Верно 8 24ma Три-Госхарство, neryrtyrovano 6,7 млн 50pf ПРИМОПЕРЕДИЯ, ПЕРЕВОДАЙК 6,3 м -24ma 24ma Дюнапразлнн 3-шТат ОБИГИЯ КОНТРОЛЯ 3V и 5V Управление 4,5 n 5,5. 2,7 В ~ 3,6 В.
SN74AVCBH164245GR SN74AVCBH164245GR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74AVCBH Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/texasinstruments-sn74avcbh164245gr-datasheets-2580.pdf 48-tfsop (0,240, ширина 6,10 мм) 12,5 мм 1,2 ММ 6,1 мм СОУДНО ПРИОН 48 8 223.195796mg 3,6 В. 1,4 В. 48 Активна (postednyй obnownen: 16 -й в дар 1,15 мм 2 Ear99 Не Тргенд 2 E4 Nan зaщitoй napryanip Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Nerting Дон Крхлоп 260 1,5 В. 0,5 мм 74AVCBH164245 48 Верный Аатер -/Приоэратхики 1,5/3,3 В. 2 Avc Верно 400 мб / с 8 12ma Три-Госхарство, neryrtyrovano 10 млн ПРИМОПЕРЕДИЯ, ПЕРЕВОДАЙК 10 млн 16 -12ma 12ma Дюнапразлнн 3-шТат ОБИГИЯ КОНТРОЛЯ 1,5/3,3 В 1,5/3,3 Управление 1,4 Е 3,6 В. 1,4 Е 3,6 В. 8
74ALVC164245PVG8 74ALVC164245PVG8 Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74Alvc Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Rohs3 /files/renesaselectronicsamericainc-74Alvc164245pag8-datasheets-4213.pdf 48-BSSOP (0,295, шIRINA 7,50 мм) 12 74ALVC164245 2 Три-Госхарство, neryrtyrovano Дюнапразлнн Управление 2,7 В ~ 3,6 В. 4,5 n 5,5. 8
MC100LVELT22DG MC100LVELT22DG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100lvelt Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Эkl Rohs3 2000 /files/onsemyonductor-mc100lvelt22mnrg-datasheets-8803.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 5 ММ 1,5 мм 4 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 8 12 НЕТ SVHC 3,8 В. 8 Активна (Постенни в в дар Ear99 Оло Не 2 E3 БЕЗОПАСНЫЙ Дон Крхлоп 260 3,3 В. 100lvelt22 8 2 40 Додер 1 1 50 май DIFERENцIAL 600 с 500 л.с. Пероводжик 600 с -50MA 50 май ОДНОАНАПРАВЛЕННА Otkrыtый эmiTter 0,6 м СМАННАННА Lvpecl Lvcmos, lvttl
MC100ELT25DG MC100ELT25DG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100 Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Эkl Rohs3 2000 /files/onsemyonductor-mc100elt25mnr4g-datasheets-8746.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 49784 мм 14986 ММ 39878 ММ СОУДНО ПРИОН 8 16 НЕТ SVHC 5,5 В. 4,5 В. 8 Активна (Постенни в Обновен: 21 год назад) в дар Ear99 Не 1 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ Дон Крхлоп 260 100elt25 8 1 40 Исиннн 1 24ma Нюртировано 4,1 м 1,9NS Пероводжик 4,1 м -3ma 24ma ОДНОАНАПРАВЛЕННА -5V 2 ТОТЕМНЕП СМАННАННА В Эkl
NTS0101GW,125 NTS0101GW, 125 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 2010 ГОД /files/nxpusainc-nts0101gw125-datasheets-1461.pdf 6-tssop, SC-88, SOT-363 2 ММ 6 7 1 E3 Анаправон Олово (sn) В дар Дон Крхлоп Nukahan 3,3 В. 0,65 мм NTS0101 6 Цeph Nukahan 1 R-PDSO-G6 50 мсб / с OTKrыTый dreNaж, tri -gosudarstwva Дюнапразлнн Управление 1,65, ~ 3,6 В. 2,3 В ~ 5,5 В.
NB100LVEP91MNG NB100LVEP91MNG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100LVEP Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Эkl Rohs3 2006 /files/onsemyonductor-nb100lvep91dwr2g-datasheets-3388.pdf 24-VFQFN OTKRыTAIN ANPLOZADCA 4 мм 950 мкм 4 мм СОУДНО ПРИОН 24 5 nedely 3,8 В. 2.375V 24 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар Ear99 Не 1 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ Квадран 260 2,5 В. 0,5 мм 100LVEP91 24 3 40 Додер 1 2 гвит / с 1 50 май DIFERENцIAL 750 с Пероводжик 675 ps 6 -50MA 50 май ОДНОАНАПРАВЛЕННА -2,5 В. СМАННАННА Lvnecl CML, HSTL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL
SN74LVCC4245APW SN74LVCC4245APW Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LVCC Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/texasinstruments-sn74lvcc4245apw-datasheets-2598.pdf 24 т. Гнева (0,173, Иирин 4,40 мм) 7,8 мм 1,2 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 24 6 89,499445 м НЕТ SVHC 5,5 В. 4,5 В. 24 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 1 ММ 2 Ear99 DVODELNыхRELACA -SAPO -PODAHERESEROGOGROэNERGIKIO -porta A 4,5 -5,5. Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Nerting Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 74LVCC4245 24 8 Восточный 3,35 В. 1 LVC/LCX/Z. Верно 200 мБИТ / С 8 24ma Три-Госхарство, neryrtyrovano 10,2 млн 50pf ПРИМОПЕРЕДИЯ, ПЕРЕВОДАЙК 7 млн -24ma 24ma 8 мка Дюнапразлнн 3-шТат ОБИГИЯ КОНТРОЛЯ N/a Управление 4,5 n 5,5. 2,7 В ~ 5,5 В.
MC100LVELT22DTG MC100LVELT22DTG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100lvelt Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 3 (168 чASOW) Эkl Rohs3 2000 /files/onsemyonductor-mc100lvelt22mnrg-datasheets-8803.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 3,1 мм 950 мкм 3,1 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 8 4 neDe 157.991892mg НЕИ 3,8 В. 8 Активна (Постенни в в дар Ear99 Оло Не 2 E3 БЕЗОПАСНЫЙ Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 100lvelt22 8 2 40 Додер -4,5 1 1 50 май DIFERENцIAL 600 с Пероводжик 600 с -50MA 50 май ОДНОАНАПРАВЛЕННА -4,5 Otkrыtый эmiTter 0,6 м СМАННАННА Lvpecl Lvcmos, lvttl
LTC1556CGN LTC1556CGN Lehneйnahnehnohnologiar / analogowhe uestroйpsta
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS В 1998 /files/lineartechnologyanalogdevices-ltc1555cgntrpbf-datasheets-3003.pdf 20-ssop (0,154, Ирина 390 мм) 8,65 мм 20 Ear99 not_compliant 1 E0 ИНЕРФЕРА СИМ-КАРТИ Олово/Свинен (SN/PB) В дар Дон Крхлоп Nukahan 0,635 мм LTC1556 20 Пероклэннн Nukahan Drugie -analogowыe ecs 1 Н.Квалиирована R-PDSO-G20 Откргит 3,6 В. 2,7 В. 0,02а Дюнапразлнн УДОН 800 kgц Управление 1,8 В ~ 5,5 В. 2,7 В ~ 10
MC74LVXC3245DTG MC74LVXC3245DTG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LVXC Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2008 /files/onsemyonductor-mc74lvxc3245dtrg-datasheets-2730.pdf 24 т. Гнева (0,173, Иирин 4,40 мм) 7,9 мм 1,05 мм 4,5 мм 3,6 В. СОУДНО ПРИОН 24 4 neDe НЕТ SVHC 5,5 В. 2,3 В. 24 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 2 3,3 В. Спасейн дл апреля а; 5 -podaчad -porta b ЗOLOTO Не Жeleзnodoroжnый 1 E4 Nerting БЕЗОПАСНЫЙ 200 м Дон Крхлоп 3,3 В. 0,65 мм 74LVXC3245 24 8 Верный Аатер -/Приоэратхики 2.5/3.33.3/5V 1 LV/LV-A/LVX/H. Верно 8 Три-Госхарство, neryrtyrovano 5,5 млн ПРИМОПЕРЕДИЯ, ПЕРЕВОДАЙК 10,5 млн -24ma 24ma 8 мка Дюнапразлнн 3-шТат ОБИГИЯ КОНТРОЛЯ 3 В 3/5. 9 млн Управление 2,3 В ~ 3,6 В. 3 n 5,5.
NLV14504BDG NLV14504BDG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q100 Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2006 /files/onsemyonductor-mc14504444bdtr2g-datasheets-2141.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 16 51 nedel 18В 16 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар Ear99 6 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ Дон Крхлоп 4504 16 6 Исиннн 1 Н.Квалиирована 1 Станода Ttl/cmos в cmos Нюртировано 550 млн ЕГО 280 м -4,2 мая 4,2 мая 5 май ОДНОАНАПРАВЛЕННА Уд Управление 3v ~ 18v 3v ~ 18v
MC100EP90DTG MC100EP90DTG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100эP Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Эkl Rohs3 2005 /files/onsemyonductor-mc100ep90dtr2g-datasheets-3156.pdf 20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм) 6,6 ММ 1,05 мм 4,5 мм СОУДНО ПРИОН 20 4 neDe 190.990737mg НЕИ 5,5 В. 20 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар Ear99 Не 3 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) БЕЗОПАСНЫЙ Дон Крхлоп 260 3,3 В. 100EP90 20 3 40 Додер -4,5 1 1 50 май DIFERENцIAL 370 ps Пероводжик 340 ps 6 -50MA 50 май ОДНОАНАПРАВЛЕННА -3,3 В. СМАННАННА PECL, LVPECL Эkl
MC100EPT21DR2G MC100EPT21DR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100 Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Эkl Rohs3 2000 /files/onsemyonductor-mc100ept21dtr2g-datasheets-5069.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,9 мм 3,9 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 8 5 nedely НЕТ SVHC 3,6 В. 8 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар Ear99 Не 1 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ Дон Крхлоп 260 3,3 В. 100EPT21 8 1 40 Исиннн 1 Нюртировано 2,95 млн Пероводжик 1,8 млн -3ma 24ma ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2 СМАННАННА Lvttl, lvcmos CML, LVDS, LVPECL
PCA9306DP1,125 PCA9306DP1,125 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 2003 /files/nxpusainc-pca9306dp118-datasheets-7299.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 3 ММ 3 ММ 8 10 nedely 2 E4 Анаправон Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Дон Крхлоп 260 1,8 В. 0,65 мм PCA9306 8 3,6 В. 1V 30 Drugoй yanterfeйs ics 1 Н.Квалиирована S-PDSO-G8 Цeph Откргит 2,5 В. 5,5 В. Дюнапразлнн Управление 1 В ~ 3,6 В. 1,8 В ~ 5,5 В. 2
MC10H350M MC10H350M Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 10 Пефер 0 ° C ~ 75 ° C TA Трубка 3 (168 чASOW) Эkl 2,05 мм Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-mc10h350m-datasheets-1276.pdf 16 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) 5275 мм 16 Ear99 4 В дар Дон Крхлоп 16 5,25 В. Исиннн 1 Н.Квалиирована 1 Три-Госхарство, neryrtyrovano ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат 5 млн Уд СМАННАННА 4 В Пекл
ADG3304SRU-EP-RL7 ADG3304SRU-EP-RL7 Rochester Electronics, LLC
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 125 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В /files/rochesterelectronicsllc-adg3304srueprl7-datasheets-1277.pdf 14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 14 НЕИ 1 Анаправон Nukahan В дар Дон Крхлоп 1,2 В. 0,65 мм 14 5,5 В. 1 Коммер 50 мсб / с Цeph Три-Госхарство, neryrtyrovano Дюнапразлнн Управление 1,15 n 5,5 1,65 n 5,5 4
MAX3395EETC+T MAX3395EETC+T. МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Bicmos 0,8 мм Rohs3 2010 ГОД /files/maximintegrated-max3395eetc-datasheets-7291.pdf 12-wqfn otkrыtaiNaiN-o 12 6 5,5 В. 1,65 В. в дар Ear99 Не 1 E3 О том, что веймаиоско -ведуани, raзsaзka yastoчnika fytnip, MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Квадран 260 3,3 В. 0,8 мм MAX3395 12 30 Drugoй yanterfeйs ics 1 6 марта / с Не Станода Смотрейк 1 Otkrыtath drenaж, totolчok, Tri -grosudarStva Пероводжик 600 млн -15 мая 10 май Дюнапразлнн 1 О том, как Управление 1,2 В ~ 5,5 В. 1,65 n 5,5 4

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.