Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 187 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 187 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Переводчики напряжения и переключатели уровня - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колиство Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист Верна МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Колист КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee МЕСТОД УПАКОККИ Колист Н. КОД JESD-609 Особз ТЕРМИНАЛЕН Полаяня БЕЗОПАСНЫЙ Пефер МАКСИМАЛЕВАЯ Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Я Поседл PoSta Posta Колист. Каналов Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Колист Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Смерть ЛОГИСКИЯ ТИП ИК ПАКЕТИВАЕТСЯ Скороп Колист DefereneNцiAlnый whod Вес ИНЕРФЕРА Вес Втипа В. Верна Logiчeskayavy Я Колист Вес Веса Кргителнь ТОК PoSta Naprayeseee -pietyna 1 минюта PoSta ТИП КАНАЛА OTrITeLnoE naprayanieepepanymeman-noema Колист ИНЕРФЕР Период Вес Maks i (ol) ТИП Псевдод Poluhith « Весальки илиргисттразииииииииииииииииииииииииии ТИП ПЕРЕВОДИЙКА Naprayжeniee - vcca Naprayжeniee - vccb Канала В. В.
PI4ULS5V202Q1UEX PI4ULS5V202Q1UEX Дидж
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Ольгс Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/diodesincorporated-pi4uls5v202q1uex-datasheets-4001.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 20 1 Верно 20 марта / с Три-Госхарство, neryrtyrovano Дюнапразлнн Управление 1,2 В ~ 5,5 В. 1,2 В ~ 5,5 В. 2
MC100ELT24DG MC100ELT24DG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100 Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Эkl ROHS COMPRINT 2000 /files/onsemyonductor-mc100elt24mnr4g-datasheets-9198.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 5 ММ 1,5 мм 4 мм СОУДНО ПРИОН 8 НЕТ SVHC 5,5 В. 4,5 В. 8 в дар Ear99 Не 1 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ Дон Крхлоп 260 100elt24 8 1 40 Додер 5-4,5/-5,2 В. 1 50 май DIFERENцIAL 2 млн 1,25NS Пероводжик 2 млн -50MA 50 май ОДНОАНАПРАВЛЕННА -5V Otkrыtый эmiTter СМАННАННА Эkl В
ST4G3234BJR ST4G3234BJR Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Веса 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/stmicroelectronics-st4g3234bjr-datasheets-3970.pdf 11-WFBGA, FCBGA СОУДНО ПРИОН 11 3,6 В. 1,4 В. 11 Не 1 А. 400 м Униджин М 1,65 В. 0,5 мм ST4G32 11 4 Drugoй yanterfeйs ics 1 380 мБИТ / С Цeph Нюртировано 7,9 млн Пероводжик 1 млн -10ma 10 май 500NA ОДНОАНАПРАВЛЕННА Управление 1,4 Е 3,6 В. 1,4 Е 3,6 В.
MC100ELT20DTG MC100ELT20DTG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100 Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 3 (168 чASOW) Эkl ROHS COMPRINT 1995 /files/onsemyonductor-mc100elt20dt-datasheets-3744.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 8 НЕТ SVHC 5,25 В. 4,75 В. 8 в дар Ear99 Не 1 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ Дон Крхлоп 260 0,65 мм 100elt20 8 1 40 Додер 1 50 май DIFERENцIAL 1,25 млн 1,5NS Пероводжик 1,1 млн -50MA 50 май ОДНОАНАПРАВЛЕННА -4,5 2 СМАННАННА Пекл В
NB100ELT23LDG NB100ELT23LDG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100 Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Эkl ROHS COMPRINT 2000 /files/onsemyonductor-nb100elt23ldtr2g-datasheets-2878.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,9 мм 3,9 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 8 4 neDe 3,6 В. 8 в дар Ear99 Не 2 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ Дон Крхлоп 260 3,3 В. 100elt23 8 2 40 Исиннн 1 1 24ma Нюртировано 2,95 млн 900 л.с. Пероводжик 3,25 млн -3ma 24ma ОДНОАНАПРАВЛЕННА СМАННАННА Lvttl LVDS, LVPECL
NLSX4373MUTAG NLSX4373MUTAG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2006 /files/onsemoronductor-nlsx4373dr2g-datasheets-6605.pdf 8-Ufdfn 1,8 ММ 500 мкм 1,2 ММ СОУДНО ПРИОН 8 4 neDe 9.49709mg 5,5 В. 1,5 В. 8 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 2 ЗOLOTO Не Тргенд 2 E4 Анаправон БЕЗОПАСНЫЙ Дон 1,8 В. 0,4 мм NLSX4373 8 2 Исиннн 1 Восточный 20 марта / с 1 OTKrыTый dreNaж, tri -gosudarstwva 1 мкс Пероводжик 20 млн -20 мка 20 мк Дюнапразлнн Открт-дельна/3-гоодарство Клшит Управление 1,5 В ~ 5,5 В. 1,5 В ~ 5,5 В.
SY10ELT23ZG SY1T23ZG ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 10elt Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 2008 /files/microchiptechnology-sy10elt23zc-datasheets-3868.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,93 мм 3,94 мм 8 Ear99 2 E4 Ngecely palladyй В дар Дон Крхлоп 260 10elt23 5,5 В. 4,75 В. 40 Исиннн 1 Н.Квалиирована R-PDSO-G8 1 Нюртировано ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3,5 млн Уд СМАННАННА 2 В Пекл
SN74AVCH16T245GQLR SN74AVCH16T245GQLR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74avch Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 1 ММ Rohs3 56-VFBGA 7 мм 4,5 мм СОДЕРИТС 56 58.796911mg 3,6 В. 1,2 В. 56 не 2 DVATDELNHNых naStraivaemых nanaprawlaющiх -pietanipemymy -porta a porta b Не Лю 2 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Nerting Униджин М 240 1,5 В. 0,65 мм 74avch16t245 56 2 Верный Аатер -/Приоэратхики 1,5/3,3 В. Avc Верно 380 мБИТ / С 16 Три-Госхарство, neryrtyrovano 2,7 млн Пероводжик 2,7 млн -12ma 12ma Дюнапразлнн 3-шТат ОБИГИЯ КОНТРОЛЯ 1,5/3,3 В 1,5/3,3 Управление 1,2 n 3,6 В. 1,2 n 3,6 В. 8
SN74GTLP1395DGVR SN74GTLP1395DGVR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74GTLP Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Веса 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/texasinstruments-74gtlp1395dgvre4-datasheets-8235.pdf 20 TFSOP (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 4,4 мм 3,3 В. СОДЕРИТС 20 60.186038mg 20 в дар 2 Не Тргенд 2 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,4 мм 74GTLP1395 20 2 Верный Аатер -/Приоэратхики Надо Верно 1 100 май Три-иуджрадво, ПРИМОПЕРЕДИЯ, ПЕРЕВОДАЙК 8,1 м Дюнапразлнн 3-шТат NeShaviymый koantroly СМАННАННА 1 GTLP Lvttl
MC10ELT28DG MC10ELT28DG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 10elt Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Эkl Rohs3 2006 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 5 ММ 1,5 мм 4 мм СОУДНО ПРИОН 8 52 nede НЕТ SVHC 5,25 В. 4,75 В. 8 Срок службы (posleDniй obnownen: 1 месяца назад) в дар Ear99 Не 2 29 май E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ Дон Крхлоп 260 10elt28 8 2 40 Додер 1 1 24ma Dyferenцial, OdnoStoRORONNONNIй 1,35 млн Пероводжик 5,5 млн -3ma 24ma ОДНОАНАПРАВЛЕННА Otkrыtый эmiTter СМАННАННА Ttl, Pecl Pecl, Ttl
SY100EPT22VKZ SY100EPT22VKZ ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100 Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 2008 /files/microchiptechnology-sy100ept22vkgtr-datasheets-2572.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 100EPT22 1 8-марсоп DIFERENцIAL ОДНОАНАПРАВЛЕННА СМАННАННА 2 Lvpecl Lvcmos, lvttl
SY100ELT20VZG SY100ELT20VZG ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100 Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С Rohs3 2006 /files/microchiptechnology-sy10elt20vzg-datasheets-9365.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,93 мм 1,48 мм 3,94 мм СОУДНО ПРИОН 16 НЕТ SVHC 5,5 В. 2,97 8 Не 20 май 100elt20 1 1 8 лейт 50 май DIFERENцIAL 600 с Пероводжик 600 с -50MA 50 май ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 СМАННАННА 1 Пекл В
MC100ELT20DG MC100ELT20DG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100 Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Эkl Rohs3 2000 /files/onsemyonductor-mc10elt20dg-datasheets-8138.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 5 ММ 1,5 мм 4 мм СОУДНО ПРИОН 8 52 nede НЕТ SVHC 5,25 В. 4,75 В. 8 Lifetime (Poslednniй obnowlenen: 2 nededery-) в дар Ear99 Не 1 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ Дон Крхлоп 260 100elt20 8 1 40 Додер 1 50 май DIFERENцIAL 1,25 млн 1,5NS Пероводжик 820 с -50MA 50 май ОДНОАНАПРАВЛЕННА Otkrыtый эmiTter СМАННАННА Пекл В
MC10H350PG MC10H350PG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 10 Чereз dыru Чereз dыru 0 ° C ~ 75 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Эkl ROHS COMPRINT 2006 16-DIP (0,300, 7,62 ММ) 7,62 мм СОУДНО ПРИОН 16 НЕТ SVHC 5,25 В. 4,75 В. 16 в дар Ear99 Не 4 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ Дон 260 10h350 16 4 40 Исиннн 1 1 Три-Госхарство, neryrtyrovano 5 млн Пероводжик 8 млн -3ma 20 май ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат СМАННАННА В Пекл
SN74AVC20T245GQLR SN74AVC20T245GQLR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74avc Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 1 ММ Rohs3 /files/texasinstruments-sn74avc20t245gqlr-datasheets-0451.pdf 56-VFBGA 7 мм 4,5 мм СОДЕРИТС 56 58.796911mg 3,6 В. 1,2 В. 56 2 Не Лю 2 Nerting В дар Униджин М 1,5 В. 0,65 мм 74AVC20T245 56 Верный Аатер -/Приоэратхики 1,5/3,3 В. 2 Avc Верно 380 мБИТ / С 20 Три-Госхарство, neryrtyrovano 6,4 млн ПРИМОПЕРЕДИЯ, ПЕРЕВОДАЙК 2,9 млн -12ma 12ma Дюнапразлнн 3-шТат 0,006 а ОБИГИЯ КОНТРОЛЯ Управление 1,2 n 3,6 В. 1,2 n 3,6 В. 10
GTL2005PW/G-T GTL2005PW/GT Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 2005 /files/nxpusainc-gtl2005pw112-datasheets-9669.pdf 14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 74GTL2005 1 14-tssop Нюртировано Дюнапразлнн СМАННАННА 4 Lvttl, ttl Gtl
SN74AVCA406GQCR SN74AVCA406GQCR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74AVCA Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/texasinstruments-sn74avca406gqcr-datasheets-0454.pdf 48-VFBGA СОДЕРИТС 48 48 не Ear99 Не 1 ИНТЕРФЕР СИМ -КАРТА Униджин М 1,8 В. 0,5 мм 74AVCA406 48 3,6 В. Drugoй yanterfeйs ics 3,3 В. 1 4 Не Станода Смотрейк 16ma Otkrыtath dreneж, totolчok Пероводжик Дюнапразлнн О том, как 7,7 млн 7,7 млн Управление 1,4 Е 3,6 В. 1,4 Е 3,6 В. 8
MC10H351FNG MC10H351FNG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 10 Пефер Пефер 0 ° C ~ 75 ° C TA Трубка 3 (168 чASOW) Эkl ROHS COMPRINT 2006 /files/onsemyonductor-mc10h351fn-datasheets-3714.pdf 20-LCC (J-Lead) 8 965 мм 8 965 мм СОУДНО ПРИОН 20 5 nedely 5,25 В. 4,75 В. 20 в дар Ear99 Не 4 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ Квадран J Bend 260 10H351 20 4 40 Додер 1 1 50 май DIFERENцIAL 2,2 млн Пероводжик 2,2 млн -50MA 50 май ОДНОАНАПРАВЛЕННА Otkrыtый эmiTter СМАННАННА Пекл TTL, NMOS
MC10H350FNG MC10H350FNG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 10 Пефер Пефер 0 ° C ~ 75 ° C TA Трубка 3 (168 чASOW) Эkl Rohs3 2006 20-LCC (J-Lead) 9,04 мм 4,57 мм 9,04 мм СОУДНО ПРИОН 20 4 neDe 5,25 В. 4,75 В. 20 Срок службы (posleDniй obnownen: 1 месяца назад) в дар Ear99 Не 4 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ Квадран J Bend 260 10h350 20 4 40 Исиннн 1 1 Три-Госхарство, neryrtyrovano 5 млн Пероводжик 5 млн -3ma 20 май ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат СМАННАННА В Пекл
MC10H600FNG MC10H600FNG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 10 Пефер Пефер 0 ° C ~ 75 ° C TA Трубка 3 (168 чASOW) Rohs3 2006 28-LCC (J-Lead) 12,57 мм 3,69 мм 12,57 мм СОУДНО ПРИОН 28 5,5 В. 4,5 В. 28 Срок службы (posleDniй obnownen: 1 месяца назад) в дар Не 9 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ Квадран J Bend 260 10h600 28 40 Исиннн 5-5,2 В. 1 1 Нюртировано 3,2 млн Пероводжик 4,1 м 9 ОДНОАНАПРАВЛЕННА -5.2V Otkrыtый эmiTter СМАННАННА Эkl В
MC100EL90DWG MC100EL90DWG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100 Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 3 (168 чASOW) Эkl 2,65 мм ROHS COMPRINT 2006 /files/onsemyonductor-mc100el90dwg-datasheets-0468.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 20 4 neDe НЕТ SVHC 5,25 В. 4,75 В. 20 в дар Ear99 Не 3 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ Дон Крхлоп 260 100el90 20 3 40 Додер 5-4,5. 1 1 50 май DIFERENцIAL 670 ps Пероводжик 500 с -50MA 50 май ОДНОАНАПРАВЛЕННА -3,3 В. 0,66 м СМАННАННА Пекл Эkl
SY89329VMI-TR Sy89329vmi-tr ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Sy89 Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В 2005 /files/microchiptechnology-sy89329vmitr-datasheets-3954.pdf 8-VFDFN PAD, 8-MLF® 89329 1 8-MLF® (2x2) DIFERENцIAL ОДНОАНАПРАВЛЕННА СМАННАННА 1 Lvpecl Lvcmos, lvttl
SY100ELT23LZC-TR Sy100elt23lzc-tr ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100 Пефер 0 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В 2006 /files/microchiptechnology-sy100elt23lzctr-datasheets-3814.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 100elt23 1 8 лейт Нюртировано ОДНОАНАПРАВЛЕННА СМАННАННА 2 Lvttl Lvpecl
SY89325VMI-TR SY89325VMI-TR ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Sy89 Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В 2006 /files/microchiptechnology-sy89325vmgtr-datasheets-2619.pdf 8-VFDFN PAD, 8-MLF® 89325 1 8-MLF® (2x2) 1,5 -гбит / с DIFERENцIAL ОДНОАНАПРАВЛЕННА СМАННАННА 1 LVDS CML, PECL, LVPECL
SY100ELT22ZC SY100ELT22ZC ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100 Пефер 0 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) В 2008 /files/microchiptechnology-sy100elt22zc-datasheets-3819.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 100elt22 1 8 лейт DIFERENцIAL ОДНОАНАПРАВЛЕННА СМАННАННА 2 Пекл В
GTL2002DC,125 GTL2002DC, 125 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 2003 /files/nxpusainc-gtl2002gm125-datasheets-8375.pdf 8 vfsop (0,091, Ирина 2,30 мм) 8 7 1 E4 Анаправон Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Дон Крхлоп 260 2,5 В. 0,5 мм 74GTL2002 8 30 1 Н.Квалиирована R-PDSO-G8 Цeph Откргит 3,3 В. 3,6 В. Дюнапразлнн Управление 1 В ~ 5,5 В. 1 В ~ 5,5 В. 2
SY100E417JG TR Sy100e417jg tr ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100e Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 2006 /files/microchiptechnology-sy100e417jctr-datasheets-3794.pdf 28-LCC (J-Lead) 100E417 1 DIFERENцIAL Дюнапразлнн СМАННАННА 5 PECL, LVPECL Lvpecl, pecl
SY55857LKI Sy55857lki ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Sy55 Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) В 2006 /files/microchiptechnology-sy55857lkg-datasheets-5183.pdf 10-tfsop, 10-мав (0,118, ширина 3,00 мм) 55857 1 10-марсоп 2,5 -гбит / с DIFERENцIAL ОДНОАНАПРАВЛЕННА СМАННАННА 2 Lvpecl CML, CMOS, HSTL, LVDS, TTL
SY100EPT23LZC SY100EPT23LZC ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100 Пефер 0 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) В 2005 /files/microchiptechnology-sy100ept23lzgtr-datasheets-2560.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 100EPT23 1 8 лейт Нюртировано ОДНОАНАПРАВЛЕННА СМАННАННА 2 Lvttl Lvpecl
ADG3233BRM-REEL7 ADG3233BRM-REEL7 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 2 мкс В /files/analogdevicesinc-adg323333brmreel-datasheets-3642.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 3 ММ 3 ММ СОДЕРИТС 8 139,989945 м 3,6 В. 1,65 В. 8 не Ear99 Не 1 E0 ОДНОЙ Олово/Свинен (SN/PB) В дар Дон Крхлоп 240 1,8 В. 0,65 мм ADG3233 8 30 1 10 марта / с Цeph Нюртировано 10,5 млн Пероводжик 3,5 млн -8ma 8 май 2 мкс Дюнапразлнн Управление 1,65, ~ 3,6 В. 1,65, ~ 3,6 В.

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.