| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Подкатегория | Источники питания | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Уровень скрининга | Скорость передачи данных | Включить время задержки | Задержка распространения | Напряжение – изоляция | Время подъема/спада (типичное) | Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) | Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) | Искажение угла импульса (макс.) | Широтно-импульсное вмешательство (PWD) | Тип канала | Изолированное питание | Входы — сторона 1/сторона 2 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI8450AB-A-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2 (1 год) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8455bbais1r-datasheets-5934.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 16 | 6 недель | 188,155785мг | 16 | 1 | 7мА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 1,27 мм | 16 | 2,7 В | 5 | 415 МВт | 1 Мбит/с | 35 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 3,8 нс 2,8 нс | 35 нс, 35 нс | 25 кВ/мкс (тип.) | 25 нс | Однонаправленный | Нет | 5/0 | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI8650BB-B-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | 22,1 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si86xxisokit-datasheets-0985.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 16 | 8 недель | 16 | 1 | ДА | 415 МВт | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 1,27 мм | 5 | АЭК-Q100 | 150 Мбит/с | 13 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 нс 2,5 нс | 13нс, 13нс | 35кВ/мкс | 4,5 нс | Однонаправленный | Нет | 5/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8650EB-B-IUR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2018 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si86xxisokit-datasheets-0985.pdf | 16-ССОП (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,89 мм | 16 | 8 недель | совместимый | 1 | ДА | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 5 | Р-ПДСО-G16 | 150 Мбит/с | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4нс 4нс | 13нс, 13нс | 50 кВ/мкс | 4,5 нс | Однонаправленный | Нет | 5/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8651BB-B-IUR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Не соответствует требованиям RoHS | 2018 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si86xxisokit-datasheets-0985.pdf | 16-ССОП (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,89 мм | 16 | 8 недель | 1 | ДА | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 5 | Р-ПДСО-G16 | 150 Мбит/с | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4нс 4нс | 13нс, 13нс | 50 кВ/мкс | 4,5 нс | Однонаправленный | Нет | 4/1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8652EB-B-IUR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2018 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si86xxisokit-datasheets-0985.pdf | 16-ССОП (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,89 мм | 16 | 8 недель | совместимый | 1 | ДА | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 5 | Р-ПДСО-G16 | 150 Мбит/с | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4нс 4нс | 13нс, 13нс | 50 кВ/мкс | 4,5 нс | Однонаправленный | Нет | 3/2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8652BB-B-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | 11,7 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si86xxisokit-datasheets-0985.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 16 | 8 недель | 16 | 1 | ДА | 415 МВт | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 1,27 мм | 5 | АЭК-Q100 | 150 Мбит/с | 13 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 нс 2,5 нс | 13нс, 13нс | 35кВ/мкс | 4,5 нс | Однонаправленный | Нет | 3/2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8050AA-B-IUR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si80xxisokit-datasheets-7924.pdf | 16-ССОП (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 3,15 В~5,5 В | 5 | 10 Мбит/с | 65 нс | 1000 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 нс 2,5 нс | 65нс, 65нс | 35кВ/мкс | 30 нс | Однонаправленный | Нет | 5/0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8463AB-B-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8461baais1r-datasheets-6334.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 6 недель | 188,155785мг | 8542.39.00.01 | 2,7 В~5,5 В | 6 | 1 Мбит/с | 35 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 3,8 нс 2,8 нс | 35 нс, 35 нс | 25 кВ/мкс (тип.) | 25 нс | Однонаправленный | Нет | 3/3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8655BB-B-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | 22,1 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si86xxisokit-datasheets-0985.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 16 | 8 недель | 16 | 1 | ДА | 415 МВт | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 1,27 мм | 5 | АЭК-Q100 | 150 Мбит/с | 13 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 нс 2,5 нс | 13нс, 13нс | 35кВ/мкс | 4,5 нс | Однонаправленный | Нет | 5/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8463AB-A-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8461baais1r-datasheets-6334.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 188,155785мг | 2,7 В~5,5 В | 6 | 1 Мбит/с | 35 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 3,8 нс 2,8 нс | 35 нс, 35 нс | 25 кВ/мкс (тип.) | 25 нс | Однонаправленный | Нет | 3/3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8460AB-A-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8461baais1r-datasheets-6334.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 188,155785мг | 2,7 В~5,5 В | 6 | 1 Мбит/с | 35 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 3,8 нс 2,8 нс | 35 нс, 35 нс | 25 кВ/мкс (тип.) | 25 нс | Однонаправленный | Нет | 6/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8651AB-B-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | 4,1 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8642abbis1-datasheets-3142.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 | 8 недель | 16 | ДА | 415 МВт | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,27 мм | 5 | Другие оригинальные микросхемы | АЭК-Q100 | 1 Мбит/с | 35 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 нс 2,5 нс | 35 нс, 35 нс | 35кВ/мкс | 25 нс | Однонаправленный | Нет | 4/1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8652BB-B-IUR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2018 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si86xxisokit-datasheets-0985.pdf | 16-ССОП (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,89 мм | 16 | 8 недель | совместимый | 1 | ДА | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 5 | Р-ПДСО-G16 | 150 Мбит/с | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4нс 4нс | 13нс, 13нс | 50 кВ/мкс | 4,5 нс | Однонаправленный | Нет | 3/2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8442AB-D-IU | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 2А (4 недели) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8442bbdiu-datasheets-6111.pdf | 6 недель | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8452AB-B-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2 (1 год) | Эмкостная связь | 6мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8455bbais1r-datasheets-5934.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 16 | 6 недель | 188,155785мг | 16 | 1 | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 1,27 мм | 16 | 2,7 В | 5 | Другие оригинальные микросхемы | 1 Мбит/с | 35 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 3,8 нс 2,8 нс | 35 нс, 35 нс | 25 кВ/мкс (тип.) | 25 нс | Однонаправленный | Нет | 3/2 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8055AA-B-IUR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | 125°С | -40°С | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si80xxisokit-datasheets-7924.pdf | 16-ССОП (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | 16 | 3,15 В~5,5 В | 5 | 16-QSOP | 10 Мбит/с | 65 нс | 1000 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 нс 2,5 нс | 65нс, 65нс | 35кВ/мкс | 30 нс | 30 нс | Однонаправленный | Нет | 5/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8450AA-A-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2 (1 год) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8455bbais1r-datasheets-5934.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 16 | 188,155785мг | 16 | 1 | 7мА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 1,27 мм | 16 | 2,7 В | 5 | 415 МВт | 1 Мбит/с | 35 нс | 35 нс | 1000 В (среднеквадратичное значение) | 3,8 нс 2,8 нс | 35 нс, 35 нс | 25 кВ/мкс (тип.) | 25 нс | Однонаправленный | Нет | 5/0 | |||||||||||||||||||||||||||||
| SI8431BB-D-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8431abdis-datasheets-3251.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 | 8 недель | 188,155785мг | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,27 мм | 3 | Другие оригинальные микросхемы | 2,7/5 В | Р-ПДСО-G16 | 150 Мбит/с | 9,5 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 3,8 нс 2,8 нс | 9,5 нс, 9,5 нс | 25 кВ/мкс (тип.) | 2,5 нс | Однонаправленный | Нет | 2/1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8451AA-A-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2 (1 год) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8455bbais1r-datasheets-5934.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 16 | 188,155785мг | 16 | 1 | 6мА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 1,27 мм | 16 | 2,7 В | 5 | 415 МВт | 1 Мбит/с | 35 нс | 1000 В (среднеквадратичное значение) | 3,8 нс 2,8 нс | 35 нс, 35 нс | 25 кВ/мкс (тип.) | 25 нс | Однонаправленный | Нет | 4/1 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX14931AAWE+T | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Эмкостная связь | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/maximintegrated-max1493xsevkit-datasheets-0363.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 6 недель | да | 1,71 В~5,5 В | МАКС14931 | 4 | 1 Мбит/с | 2750 В (среднеквадратичное значение) | 2нс 2нс | 54,1 нс, 55,3 нс | 25 кВ/мкс (тип.) | 4,5 нс | Однонаправленный | Нет | 3/1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8650AB-B-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | 4,3 мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8642abbis1-datasheets-3142.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 | 8 недель | 16 | ДА | 415 МВт | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,27 мм | 5 | Другие оригинальные микросхемы | АЭК-Q100 | 1 Мбит/с | 35 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 нс 2,5 нс | 35 нс, 35 нс | 35кВ/мкс | 25 нс | Однонаправленный | Нет | 5/0 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8451AA-B-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2 (1 год) | Эмкостная связь | 6мА | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8455bbais1r-datasheets-5934.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 16 | 188,155785мг | 16 | 1 | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 1,27 мм | 16 | 2,7 В | 5 | Другие оригинальные микросхемы | 1 Мбит/с | 35 нс | 35 нс | 1000 В (среднеквадратичное значение) | 3,8 нс 2,8 нс | 35 нс, 35 нс | 25 кВ/мкс (тип.) | 25 нс | Однонаправленный | Нет | 4/1 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8410BD-D-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 2,65 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8422addis-datasheets-5241.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 5,5 В | 16 | 8 недель | 16 | 1 | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1 | 150 Мбит/с | 35 нс | 11 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2нс 2нс | 11нс, 11нс | 20 кВ/мкс | 3 нс | Однонаправленный | Нет | 1/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АДУМ2285АРИЗ-РЛ | Аналоговые устройства Inc. | $3,68 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | iCoupler® | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Магнитная муфта | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/analogdevicesinc-adum2280briz-datasheets-6253.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | Без свинца | 16 | 8 недель | 16 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 3 недели назад) | нет | EAR99 | Олово | 1 | 800 мкА | е3 | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | АДУМ2285 | 16 | 5,5 В | 2 | 30 | Другие оригинальные микросхемы | 3/5 В | 1 Мбит/с | 24 нс | 50 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 нс 2,5 нс | 50 нс, 50 нс | 25 кВ/мкс | 10 нс | Однонаправленный | Нет | 2/0 | ||||||||||||||||||||||
| SI8462AA-A-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8461baais1r-datasheets-6334.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 6 недель | 188,155785мг | 2,7 В~5,5 В | 6 | 1 Мбит/с | 35 нс | 1000 В (среднеквадратичное значение) | 3,8 нс 2,8 нс | 35 нс, 35 нс | 25 кВ/мкс (тип.) | 25 нс | Однонаправленный | Нет | 4/2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISO7041DBQR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СПИ | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 16-ССОП (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 | 6 недель | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ С ПИТАНИЕМ 3,3 В И 5 В. | 4 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 2,25 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | 0,635 мм | ИСО7041 | 4 | Р-ПДСО-G16 | 2 Мбит/с | 3000 В (среднеквадратичное значение) | 5 нс 5 нс Макс. | 165 нс, 165 нс | 50 кВ/мкс | 10 нс | Однонаправленный | Нет | 3/1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8451BA-A-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2 (1 год) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8455bbais1r-datasheets-5934.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 16 | 6 недель | 188,155785мг | 16 | 1 | 6мА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 1,27 мм | 16 | 2,7 В | 5 | 415 МВт | 150 Мбит/с | 9,5 нс | 9,5 нс | 1000 В (среднеквадратичное значение) | 3,8 нс 2,8 нс | 9,5 нс, 9,5 нс | 25 кВ/мкс (тип.) | 2,5 нс | Однонаправленный | Нет | 4/1 | ||||||||||||||||||||||||||||
| SI8650BB-B-IUR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2018 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si86xxisokit-datasheets-0985.pdf | 16-ССОП (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,89 мм | 16 | 8 недель | совместимый | 1 | ДА | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 5 | Р-ПДСО-G16 | 150 Мбит/с | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4нс 4нс | 13нс, 13нс | 50 кВ/мкс | 4,5 нс | Однонаправленный | Нет | 5/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8435BB-D-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8431abdis-datasheets-3251.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 | 10 недель | 188,155785мг | ДА | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 1,27 мм | 3 | Другие оригинальные микросхемы | 2,7/5 В | Р-ПДСО-G16 | 150 Мбит/с | 9,5 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 3,8 нс 2,8 нс | 9,5 нс, 9,5 нс | 25 кВ/мкс (тип.) | 2,5 нс | Однонаправленный | Нет | 3/0 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8651EB-B-IUR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2018 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si86xxisokit-datasheets-0985.pdf | 16-ССОП (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,89 мм | 16 | 8 недель | совместимый | 1 | ДА | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 5 | Р-ПДСО-G16 | 150 Мбит/с | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4нс 4нс | 13нс, 13нс | 50 кВ/мкс | 4,5 нс | Однонаправленный | Нет | 4/1 |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.