Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСоединённые драйверы ворот (1845 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Источники питания | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Тип интерфейса микросхемы | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Рабочее напряжение | Конфигурация | Задержка распространения | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Направление | Ограничение пикового выходного тока. | Встроенная защита | Управление выходного тока | Время включения | Время выключения | Выходной ток-Макс. | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — выходной высокий, низкий | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) | Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) | Искажение угла импульса (макс.) | Напряжение — выходное питание | Ток — пиковый выход | Обратное напряжение (постоянный ток) | Широтно-импульсное вмешательство (PWD) | Выходной ток на канале | Напряжение питания1-ном. | Напряжение питания1-мин. | Драйвер верхней стороны | Напряжение питания1-Макс. | Тип канала | Отрицательное напряжение питания-ном. | Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI8231BB-D-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 5,5 В | 4,5 В | 16 | EAR99 | 1 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 16 | 2 | НЕ УКАЗАН | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицирован | 500 мА | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 0,5 А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60 нс, 60 нс | 20 кВ/мкс | 9,4 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8261ACC-C-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/siliconlabs-si826xsampkit-datasheets-5697.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,8 мм | 1,5 мм | 3,8 мм | 8 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 30В | 5В | 8 | EAR99 | 1 | 2мА | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 15 В | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 600 мА | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 400мВ | 10 мА | 60 нс | 5,5 нс | 8,5 нс | 50 нс | 2 | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 0,06 мкс | 0,05 мкс | 2,8 В Макс. | 400 мА 600 мА | 5,5 нс 8,5 нс | 30 мА | 60 нс, 50 нс | 35кВ/мкс | 28нс | 13,5 В~30 В | 10 нс | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8233BB-D-IM1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2 (1 год) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 14-ВДФН | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | совместимый | 2 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12нс 12нс | 60 нс, 60 нс | 45кВ/мкс | 5,6 нс | 6,5 В~24 В | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8234BB-D-IM1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 6 (время на этикетке) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 14-ВДФН | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | совместимый | 2 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12нс 12нс | 60 нс, 60 нс | 45кВ/мкс | 5,6 нс | 6,5 В~24 В | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8230BB-D-IS | Кремниевые лаборатории | $25,66 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 3,5 мА | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 16 | 8 недель | 508,363649мг | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 5,5 В | 4,5 В | 16 | EAR99 | 1 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 16 | НЕ УКАЗАН | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицирован | 500 мА | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 6мА | 60 нс | 20нс | 20 нс | 60 нс | 60 нс | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 0,5 А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60 нс, 60 нс | 20 кВ/мкс | 9,4 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3180ТВ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fod3180t-datasheets-9894.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 16 мА | 7 недель | 900мг | cUL, UL, VDE | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | Олово (Вс) | 295мВт | 1 | 295мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 2,5 А | 20 В | 25 мА | 25 мА | 200 нс | ВЫХОД ПОЛЕТОВОГО ОПТОПАРА | 75нс | 55 нс | ОДИНОКИЙ | 200 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,43 В | 2А 2А | 75 нс 55 нс | 200 нс, 200 нс | 15 кВ/мкс | 10 В~20 В | 65 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EDF5673KXUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует ROHS3 | /files/infineontechnologies-1edf5673fxuma1-datasheets-4613.pdf | 13-ТФЛГА | 12 недель | CQC, CSA, UL, VDE | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 1500 В постоянного тока | 4А 8А | 6,5 нс 4,5 нс | 44нс, 44нс | 150 В/нс | Тип 18 нс. | 3,13 В~3,47 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5751(Е | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 1,86 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp5751e-datasheets-4944.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 недель | CQC, CSA, cUL, UL | неизвестный | 1 | 1А | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 150 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 1А 1А | 15 нс 8 нс | 20 мА | 150 нс, 150 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 50 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UCC20225QNPLRQ1 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 13-ВФЛГА | 5 мм | 13 | 8 недель | ККК, УЛ, ВДЭ | да | 2 | ДА | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,65 мм | UCC20225 | 18В | 3В | 2 | С-ПБГА-Н13 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | ПЕРЕХОДНЫЙ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,03 мкс | 0,03 мкс | 6А | 4А 6А | 6нс 7нс | 30 нс, 30 нс | 100 В/нс | 6нс | 9,2 В~25 В | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5754(Е | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp5754d4tpe-datasheets-8522.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 недель | CQC, CSA, cUL, UL | 1 | 4А | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 150 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 3А 3А | 15 нс 8 нс | 20 мА | 150 нс, 150 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 50 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1ED020I12FTAXUMA2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/infineontechnologies-1ed020i12ftaxuma2-datasheets-4815.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,6 мм | Без свинца | 400 мкА | 20 | 24 недели | 16 | да | EAR99 | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | Без галогенов | 700мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 15 В | 20 | 20 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G20 | 2А | ПОЛУМОСТОВОЙ ДРАЙВЕР IGBT | 2А | 200 нс | 1 | 4500 В (среднеквадратичное значение) | 2 мкс | 2 мкс | 2А 2А | 30 нс 20 нс | 4,5 В~5,5 В | 5В | 4,5 В | ДА | 5,5 В | Одинокий | -8В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UCC5320ECD | Техасские инструменты | $2,47 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2 (1 год) | Эмкостная связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/texasinstruments-ucc5320ecd-datasheets-9165.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,75 мм | 3,91 мм | 8 | 12 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | 1,58 мм | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | UCC5320 | 3В | 1 | НЕ УКАЗАН | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 990В | 3000 В (среднеквадратичное значение) | ПЕРЕХОДНЫЙ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 2,4 А 2,2 А | 12 нс 10 нс | 72нс, 75нс | 100 кВ/мкс | 20нс | 13,2 В~33 В | 4,3А | 15 В | 33В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1ED020I12FA2XUMA2 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/infineontechnologies-1ed020i12fa2xuma2-datasheets-4804.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,62 мм | Без свинца | 20 | 26 недель | 20 | да | EAR99 | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | Без галогенов | 700мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 20 | 5,5 В | 4,5 В | НЕ УКАЗАН | 2А | ПОЛУМОСТОВОЙ ДРАЙВЕР IGBT | 2А | 195 нс | 1 | 4500 В (среднеквадратичное значение) | 2А | 2А 2А | 30 нс 50 нс | 13 В~20 В | 15 В | ДА | Одинокий | -8В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3120 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fod3120ts-datasheets-0293.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 16 мА | Без свинца | 5 недель | 891 мг | UL | Нет СВХК | 30В | 15 В | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 3А | 35В | 2,5 А | 16 мА | 25 мА | 400 нс | ВЫХОД ПОЛЕТОВОГО ОПТОПАРА | 60нс | 60 нс | ОДИНОКИЙ | 400 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,5 В | 2А 2А | 60 нс 60 нс | 400 нс, 400 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 3А | 5В | 100 нс | 5В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EDI30J12CPXUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 1,2 мА | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-1edi30j12cpxuma1-datasheets-4846.pdf | 20-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 19 выводов | Без свинца | 1,6 мА | 19 | 17 недель | 17,5 В | 4,75 В | 19 | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 1 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | Драйверы МОП-транзисторов | 5-25 В | Не квалифицирован | 4А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | -18,25 В | 2мА | 23нс | 22 нс | 106 нс | 1 | 4А 4А | 23нс 22нс | 4,75 В~17,5 В | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8274GB1-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8271gbisr-datasheets-8023.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 1 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 5,5 В | 2 | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | Р-ПДСО-G16 | 4А | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,8 А 4 А | 10,5 нс 13,3 нс | 75 нс, 60 нс | 150 кВ/мкс | 4,2 В~30 В | 19 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1ED020I12F2XUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/infineontechnologies-1ed020i12f2xuma1-datasheets-4837.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 2,64 мм | 7,52 мм | Без свинца | 16 | 20 недель | Нет СВХК | 5,5 В | 4,5 В | 16 | EAR99 | 1 | 7мА | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 700мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | НЕ УКАЗАН | 700мВт | 150°С | 105°С | 2А | ПОЛУМОСТОВОЙ ДРАЙВЕР IGBT | 28В | 2А | 170 нс | 30 нс | 50 нс | 165 нс | 195 нс | 1 | 4500 В (среднеквадратичное значение) | 2А | 2А 2А | 30 нс 50 нс | 4,5 В~5,5 В | 15 В | ДА | Одинокий | -8В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADUM1420BRWZ | Рочестер Электроникс, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | iCoupler® | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Трубка | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rochesterelectronicsllc-adum1420brwz-datasheets-4887.pdf | 28-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 17,9 мм | 28 | неизвестный | 1 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 1,27 мм | 28 | 5,5 В | 4 | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | Р-ПДСО-G28 | 1667 В (среднеквадратичное значение) | 25 нс 25 нс Макс. | 128 нс, 128 нс | 75 кВ/мкс | 8нс | 12 В~18 В | 100 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EDC60H12AHXUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Магнитная муфта | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-1edc20h12ahxuma1-datasheets-4587.pdf | 8-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 2,65 мм | 6,3 мм | 8 | 26 недель | 17В | 3,1 В | EAR99 | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | НЕ УКАЗАН | 150°С | 125°С | Р-ПДСО-Г8 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 35В | 6А | 120 нс | 10 нс | 9 нс | 125 нс | 1 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 10А | ПЕРЕГРУЗКА ПО ТОКУ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | 10 нс 9 нс | 13 В~35 В | 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АДУМ4121АРИЗ | Аналоговые устройства Inc. | $6,38 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | iCoupler® | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/analogdevicesinc-adum4121briz-datasheets-9741.pdf | 8-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 8 | 8 недель | CSA, UR, VDE | 8 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 2 недели назад) | нет | 1 | е3 | Олово (Вс) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | АДУМ4121 | 8 | 6,5 В | 2,5 В | 1 | 30 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР IGBT/MOSFET | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,3А | 0,042 мкс | 0,053 мкс | 18нс 18нс | 42нс, 53нс | 150 кВ/мкс | 13нс | 4,5 В~35 В | 2,3А | 15 В | 4,5 В | ДА | 35В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UCC5390ECDWV | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | 2 (1 год) | Эмкостная связь | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 5,85 мм | 2,8 мм | 7,5 мм | 8 | 6 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 2,65 мм | EAR99 | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | UCC5390 | 3В | 1 | НЕ УКАЗАН | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 9.902121МВ | 3000 В (среднеквадратичное значение) | ПЕРЕХОДНЫЙ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 10А 10А | 10 нс 10 нс | 100 нс, 100 нс | 100 кВ/мкс | 20нс | 13,2 В~33 В | 15 В | 33В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП351(Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp351f-datasheets-4916.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 10 мА | Без свинца | 12 недель | Нет СВХК | 8 | Серебро, Олово | Нет | 260мВт | 30В | 7е-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 600 мА | 35В | 20 мА | 700 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 50 нс | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 700 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,55 В | 400 мА 400 мА | 50 нс 50 нс | 700 нс, 700 нс | 10 кВ/мкс | 10 В~30 В | 5В | 600 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EDC30I12MHXUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Магнитная муфта | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-1edc10i12mhxuma1-datasheets-4602.pdf | 8-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 6,3 мм | 8 | 26 недель | EAR99 | 1 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 1 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г8 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 5,9А | ПЕРЕГРУЗКА ПО ТОКУ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,33 мкс | 0,33 мкс | 10 нс 9 нс | 13 В~35 В | 15 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8274GB4D-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8271gbisr-datasheets-8023.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 1 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 5,5 В | 2 | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | Р-ПДСО-G16 | 4А | 75 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,8 А 4 А | 10,5 нс 13,3 нс | 105 нс, 75 нс | 200 кВ/мкс | 4,2 В~30 В | 47 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IX3180G | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-ix3180g-datasheets-9157.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | УР | 1 | 8-ДИП | 2,5 А | 1,35 В | 200 нс | 2А | 2А | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,35 В | 2А 2А | 25 нс 25 нс | 20 мА | 200 нс, 200 нс | 10 кВ/мкс | 65нс | 10 В~20 В | 2,5 А | 65 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EDC20H12AHXUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Магнитная муфта | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-1edc20h12ahxuma1-datasheets-4587.pdf | 8-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 6,3 мм | 8 | 26 недель | EAR99 | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото/Серебро (Ni/Pd/Au/Ag) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 1 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г8 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПЕРЕГРУЗКА ПО ТОКУ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 10 нс 9 нс | 3,1 В~17 В | 15 В | 35В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8752AB-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8751abisr-datasheets-8058.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Нет СВХК | да | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 20 кВ/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EDC20I12AHXUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Магнитная муфта | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-1edc20h12ahxuma1-datasheets-4587.pdf | 8-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 6,3 мм | 8 | 26 недель | EAR99 | 1 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 1 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г8 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПЕРЕГРУЗКА ПО ТОКУ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,33 мкс | 0,33 мкс | 10 нс 9 нс | 13 В~35 В | 15 В | 35В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8751AB-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8751abisr-datasheets-8058.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Нет СВХК | да | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 20 кВ/мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-330J-500E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 400 мА | 17 недель | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | Нет СВХК | 16 | EAR99 | 600мВт | 1 | 1,5 А | 100 мВ | 250 нс | 50 нс | 50 нс | 180 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,6 В | 1А 1А | 50 нс 50 нс | 25 мА | 250 нс, 250 нс | 15 кВ/мкс | 15 В~30 В | 100 нс | 1,5 А |
