Изолированные драйверы затвора - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Иолировананнаорот (1845)

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Тела ЧastoTA ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina СОУДНО ПРИОН МАКСИМАЛНГОН Колист Верна - Агентево МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Толсина КОД ECCN Доленитейн Ая Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Колист МАКСИМАЛНА КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН БЕЗОПАСНЫЙ Пефер МАКСИМАЛЕВАЯ Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Я Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) PoSta Posta Колист. Каналов Аналогово Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Поступил Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Уровина Скринина Скороп МАКСИМАЛНГАН Мон ИНЕРФЕРА В конце концов Вес В. Оптохлектроннтип -вустроства Верна Я не могу Rrabose anprayoneee Коунфигура Я Колист Naprayжeniee - yзolyahip На том, что В Встровя На Klючite -wreman В. Вес На Ток - Верна Current - DC Forward (if) (max) Я Обжильжим ИСКОНЕЕ На ТОК - ПИКОВОВ ИСКАЙНЕГЕЕ -ПУЛАСА (PWD) PoSta Naprayeseee -pietyna 1 минюта В.С.С.Бокововов PoSta ТИП КАНАЛА OTrITeLnoE naprayanieepepanymeman-noema КОГФИИГИОНГА
PS9307AL2-AX PS9307AL2-AX Renesas Electronics America $ 24,87
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Полески 1 (neograniчennnый) Оптишая Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps9307al2e3ax-datasheets-1141.pdf 6 SOIC (0,268, Ирин 6,80 мм) 16 в дар 1 Логика IC -ыvod Optocoupler 5000 дней 1,56 В. 400 мая 400 мая 30ns 30ns 25 май 150NS, 150NS 50 кв/мкс 50NS 10 В ~ 30 В. 600 май
SI82398BD4-ISR SI82398BD4-ISR Силиконо
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q100 Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 2а (4 nedeli) EmcoSpanavy -a https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf 16 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 8 CQC, CSA, UR, VDE 2 5000 дней 2а 4а 12ns 12ns Mmaks 135ns, 95ns 35 К/мкс 5,6NS 10 В ~ 24 В. 4 а
ADUM3221WARZ-RL7 ADUM3221WARZ-RL7 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) МАГЕЙТНАС 1,75 мм Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/analogdevicesinc-adum3220arzrl7-datasheets-8829.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 8 8 CSA, UR, VDE 8 Проиджодво (posleDene obnowyneee: 3 nedeli -nanazhad) не Ear99 2 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон Крхлоп 260 3,3 В. Adum3221 8 5,5 В. 3В 2 30 17ma AEC-Q100 4 а Перифержин -дера 60 млн 2500vrms 4 а Wrenemennnый; Nanprayaeneemem; ТЕПЛО; Пеодер 20ns 20ns 60NS, 60NS 25 кв/мкс 4,5 В ~ 18. 10 В 4,5 В. Не
ADUM3223WARZ-RL7 ADUM322333WARZ-RL7 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) МАГЕЙТНАС 1,75 мм Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/analogdevicesinc-adum3223brzrl7-datasheets-8837.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 16 22 НЕДЕЛИ CSA, UR, VDE 16 Проиджо (posleDene obnowoneee: 1 мая. не Ear99 Naryprahenee -pietaniper = 4,5 a 18- 2 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон Крхлоп 260 3,3 В. Adum3223 16 5,5 В. 3В 2 30 4 а Перифержин -вуделх 59 м 3000vrms 4 а ТЕПЛО; Пеодер 12ns 12ns 59ns, 59ns 50 кв/мкс 4,5 В ~ 18.
ADUM3223WBRZ-RL7 ADUM3223WBRZ-RL7 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) МАГЕЙТНАС 1,75 мм Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/analogdevicesinc-adum3223brzrl7-datasheets-8837.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 16 22 НЕДЕЛИ CSA, UR, VDE 16 Проиджо (posleDene obnowoneee: 1 мая. не Ear99 Naryprahenee -pietaniper = 4,5 a 18- 2 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон Крхлоп 260 3,3 В. Adum3223 16 5,5 В. 3В 2 30 4 а Перифержин -вуделх 54 м 3000vrms 4 а ТЕПЛО; Пеодер 12ns 12ns 54ns, 54ns 50 кв/мкс 7,5 В ~ 18 В.
ADUM3224WCRZ-RL7 ADUM3224WCRZ-RL7 Analog Devices Inc. $ 6,32
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) МАГЕЙТНАС 1 мг 4 а 1,75 мм Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/analogdevicesinc-adum3224warz-datasheets-9769.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 16 22 НЕДЕЛИ 16 Проиджо (posleDene obnowoneee: 1 мая. не Ear99 1 5,5 В. E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон Крхлоп 260 3,3 В. Adum3224 16 3В 2 30 1 март / с 3,2 мая 3В Перифержин -вуделх 3000vrms 4 а ТЕПЛО; Пеодер Истошиник 0,059 мкс 0,059 мкс 12ns 12ns 54ns, 54ns 25 кв/мкс 4,5 В ~ 18. 12 4,5 В. 18В
ADUM4121-1BRIZ-RL Adum4121-1briz-RL Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА ICOUPLER® Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) МАГЕЙТНАС 2,65 мм Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/analogdevicesinc-adum4121briz-datasheets-9741.pdf 8 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм 8 22 НЕДЕЛИ CSA, UR, VDE 8 Проиджодво (posleDene obnowoneee: 2 nededeli -nanazhad) не 1 E3 Олово (sn) В дар Дон Крхлоп 260 5в Adum4121 8 6,5 В. 2,5 В. 1 30 Берн илиирторн -дера 5000 дней 2.3a 0,042 мкс 0,053 мкс 18ns 18ns 42ns, 53ns 150 кв/мкс 13ns 7,5 В ~ 35 В. 2.3a 15 4,5 В. В дар 35
SI8234BD-D-ISR SI8234BD-D-ISR Силиконо
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q100 Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 2а (4 nedeli) EmcoSpanavy -a ROHS COMPRINT 1997 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf 16 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 16 8 CQC, CSA, UR, VDE Ear99 1,2 Вт Дон Крхлоп 2 Псевриген Н.Квалиирована R-PDSO-G16 4 а Перифержин -дера 60 млн 5000 дней 2а 4а 12ns 12ns Mmaks 60NS, 60NS 20 кв/мкс 9,4 В ~ 24 В. 5,6 млн
SI8238BD-D-IS3R SI8238BD-D-IS3R Силиконо
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q100 Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) EmcoSpanavy -a ROHS COMPRINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf 14 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 8 CQC, CSA, UR, VDE Сообщите 2 Перифержин -дера 5000 дней 2а 4а 12ns 12ns 60NS, 60NS 45 кв/мкс 5,6NS 6,5 -~ 24 В. 4 а
HCNW3120 HCNW3120 Broadcom Limited
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 100 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Оптишая В 2013 8-DIP (0,400, 10,16 ММ) СОДЕРИТС 22 НЕДЕЛИ CSA, IEC/EN/DIN, UR 8 Ear99 Уль Прринанана E0 Олово/Свинен (SN/PB) 295 м 30 1 1 OptoCoupler - IC -ыхODы 2.5A 500 млн Логика IC -ыvod Optocoupler 100ns 100 млн Слош 500 млн 5000 дней ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1,6 В. 2а 2а 100ns 100ns 25 май 500NS, 500NS 25 кв/мкс 15 В ~ 30 300 млн 1.6
SI823H7CB-IS1R SI823H7CB-IS1R Силиконо
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) EmcoSpanavy -a https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 8 CQC, CSA, UL, VDE 2 2500vrms 4а 4а 12ns 12ns 30ns, 58ns 125 К/мкс 5NS 5,5 В ~ 30 В. 6A
SI823H6BB-IS1R SI823H6BB-IS1R Силиконо
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) EmcoSpanavy -a https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 8 CQC, CSA, UL, VDE 2 2500vrms 4а 4а 12ns 12ns 30ns, 58ns 125 К/мкс 5NS 5,5 В ~ 30 В. 6A
SI823H6CB-IS1R SI823H6CB-IS1R Силиконо
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) EmcoSpanavy -a https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 8 CQC, CSA, UL, VDE 2 2500vrms 4а 4а 12ns 12ns 30ns, 58ns 125 К/мкс 5NS 5,5 В ~ 30 В. 6A
SI8233AD-D-IS3R SI8233AD-D-IS3R Силиконо
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q100 Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) EmcoSpanavy -a В https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf 14 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 8 CQC, CSA, UR, VDE 2 Перифержин -дера 5000 дней 2а 4а 12ns 12ns 60NS, 60NS 45 кв/мкс 5,6NS 6,5 -~ 24 В. 4 а
SI82395CD-ISR SI82395CD-ISR Силиконо
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q100 Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 2а (4 nedeli) EmcoSpanavy -a ROHS COMPRINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf 16 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 3,8 мая 8 CQC, CSA, UR, VDE 5,5 В. 2,5 В. 1,2 Вт 2 4 а 5000 дней 2а 4а 12ns 12ns Mmaks 40ns, 40ns 35 К/мкс 5,6NS 12,8 В ~ 24 В.
SI8275ABD-IM1R SI8275ABD-IM1R Силиконо
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q100 Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) EmcoSpanavy -a ROHS COMPRINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8271gbisr-datasheets-8023.pdf 14-VDFN 8 CQC, CSA, UR, VDE Сообщите 2 Аналеоз 2500vrms 1.8a 4a 10.5ns 13.3ns 75ns, 75ns 200 К./мкс 8ns 4,2 В ~ 30. 4 а
SI8238AD-D-IS3R SI8238AD-D-IS3R Силиконо
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q100 Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) EmcoSpanavy -a ROHS COMPRINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf 14 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 8 CQC, CSA, UR, VDE Сообщите 2 Перифержин -дера 5000 дней 2а 4а 12ns 12ns 60NS, 60NS 45 кв/мкс 5,6NS 6,5 -~ 24 В. 4 а
SI8235BD-D-IS3R SI8235BD-D-IS3R Силиконо
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q100 Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) EmcoSpanavy -a ROHS COMPRINT https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf 14 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 8 CQC, CSA, UR, VDE Сообщите 2 Перифержин -дера 5000 дней 2а 4а 12ns 12ns 60NS, 60NS 45 кв/мкс 5,6NS 6,5 -~ 24 В. 4 а
SI823H4BB-IS1R SI823H4BB-IS1R Силиконо
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) EmcoSpanavy -a https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 8 CQC, CSA, UL, VDE 2 2500vrms 4а 4а 12ns 12ns 30ns, 58ns 125 К/мкс 5NS 5,5 В ~ 30 В. 6A
SI823H4CB-IS1R SI823H4CB-IS1R Силиконо
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) EmcoSpanavy -a https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 8 CQC, CSA, UL, VDE 2 2500vrms 4а 4а 12ns 12ns 30ns, 58ns 125 К/мкс 5NS 5,5 В ~ 30 В. 6A
SI82391CD-ISR SI82391CD-ISR Силиконо
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q100 Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 2а (4 nedeli) EmcoSpanavy -a ROHS COMPRINT 2016 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf 16 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 3,8 мая 8 CQC, CSA, UR, VDE 5,5 В. 2,5 В. 1,2 Вт 2 4 а 5000 дней 2а 4а 12ns 12ns Mmaks 40ns, 40ns 35 К/мкс 5,6NS 12,8 В ~ 24 В.
SI823H1CB-IS1R SI823H1CB-IS1R Силиконо
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) EmcoSpanavy -a https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 8 CQC, CSA, UL, VDE 2 2500vrms 4а 4а 12ns 12ns 30ns, 58ns 125 К/мкс 5NS 5,5 В ~ 30 В. 6A
1ED020I12BTXUMA1 1ed020i12btxuma1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Eedyriver ™ Пефер Пефер -40 ° C ~ 150 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) МАГЕЙТНАС 7ma 2,64 мм Rohs3 2012 /files/infineontechnologies-1ed020i12btxuma1-datasheets-2057.pdf 16 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,52 ММ СОУДНО ПРИОН 400 мк 16 17 5,5 В. 4,5 В. 16 Ear99 Не 1 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ 700 м Дон Крхлоп 5в 2A Ддер 6,5 В. 2A 30ns 20 млн 2 мкс 1 4500vrms 2A 2а 2а 30ns 20ns 4,5 n 5,5. 15 В дар Одинокий -8V
SI823H3AB-IS1R SI823H3AB-IS1R Силиконо
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) EmcoSpanavy -a https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 8 CQC, CSA, UL, VDE 2 2500vrms 4а 4а 12ns 12ns 30ns, 58ns 125 К/мкс 5NS 5,5 В ~ 30 В. 6A
SI82395BD-ISR SI82395BD-ISR Силиконо
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q100 Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 2а (4 nedeli) EmcoSpanavy -a ROHS COMPRINT 2016 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf 16 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 3,8 мая 8 CQC, CSA, UR, VDE 5,5 В. 2,5 В. 1,2 Вт 2 4 а 5000 дней 2а 4а 12ns 12ns Mmaks 40ns, 40ns 35 К/мкс 5,6NS 10 В ~ 24 В.
SI82393CD-IS SI82393CD-IS Силиконо
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА 2а (4 nedeli) 2,65 мм Rohs3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf 10,3 мм 7,5 мм 16 8 Ear99 8542.39.00.01 2 В дар Дон Крхлоп 260 3,3 В. 1,27 ММ Автомобиль 125 ° С -40 ° С 5,5 В. 2,5 В. Nukahan R-PDSO-G16 AEC-Q100 Перифержин -дера 4 а Пеодер Истошиник 0,04 мкс 0,04 мкс 12 6,5 В. 24
UCC21521ADWR UCC21521ADWR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 2 (1 годы) EmcoSpanavy -a Rohs3 16 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 10,3 мм 2,65 мм 7,5 мм 16 12 16 Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) в дар 2,35 мм 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Дон Крхлоп 3,3 В. UCC21521 18В 3В 2 Дрихр Igbt on on osnove nomosta na baзemosta/mosfet 2.121 К. 5700vrms 0,03 мкс 0,03 мкс 6A 4a 6a 6ns 7ns 30ns, 30ns 100 v/ns 5NS 6,5 В ~ 25 В. 12 6,5 В. В дар
SI823H1BB-IS1R SI823H1BB-IS1R Силиконо
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) EmcoSpanavy -a https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 8 CQC, CSA, UL, VDE 2 2500vrms 4а 4а 12ns 12ns 30ns, 58ns 125 К/мкс 5NS 5,5 В ~ 30 В. 6A
SI82398CD4-ISR SI82398CD4-ISR Силиконо
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q100 Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 2а (4 nedeli) EmcoSpanavy -a https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf 16 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 8 CQC, CSA, UR, VDE 2 5000 дней 2а 4а 12ns 12ns Mmaks 135ns, 95ns 35 К/мкс 5,6NS 12,8 В ~ 24 В. 4 а
SI823H3BB-IS1R SI823H3BB-IS1R Силиконо
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) EmcoSpanavy -a https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 8 CQC, CSA, UL, VDE 2 2500vrms 4а 4а 12ns 12ns 30ns, 58ns 125 К/мкс 5NS 5,5 В ~ 30 В. 6A
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)