| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Утверждающее агентство | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Максимальное входное напряжение | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Уровень скрининга | Скорость передачи данных | Максимальный выходной ток | Минимальное входное напряжение | Тип интерфейса микросхемы | Выходное напряжение | Выходной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Время подъема | Осень (тип.) | Рабочее напряжение | Конфигурация | Задержка распространения | Количество выходов | Напряжение – изоляция | Направление | Ограничение пикового выходного тока. | Встроенная защита | Управление выходного тока | Время включения | Время выключения | Выходной ток-Макс. | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — выходной высокий, низкий | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) | Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) | Искажение угла импульса (макс.) | Напряжение – выходное питание | Ток — пиковый выход | Широтно-импульсное вмешательство (PWD) | Напряжение питания1-ном. | Напряжение питания1-мин. | Драйвер верхней стороны | Напряжение питания1-Макс. | Тип канала | Отрицательное напряжение питания-ном. | Коэффициент гистерезиса-ном. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI8238BD-D-IS3R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 14-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | совместимый | 2 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12нс 12нс | 60 нс, 60 нс | 45кВ/мкс | 5,6 нс | 6,5 В~24 В | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCNW3120 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Содержит свинец | 22 недели | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 295мВт | 30 В | 1 | 1 | Оптопара — выходы IC | 2,5 А | 500 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 100 нс | 100 нс | СЛОЖНЫЙ | 500 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,6 В | 2А 2А | 100 нс 100 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 25кВ/мкс | 15 В~30 В | 300 нс | 1,6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI823H7CB-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI823H6BB-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI823H6CB-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI823H2CB-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ823H7AB-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ823Х2АБ-ИС1Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI823H7BB-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADUM3224WARZ-RL7 | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 1 МГц | 4А | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | /files/analogdevicesinc-adum3224warz-datasheets-9769.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 3,9 мм | Содержит свинец | 16 | 8 недель | 16 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | 1 | 5,5 В | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | АДУМ3224 | 16 | 3В | 2 | 30 | 1 Мбит/с | 3,2 мА | 3В | ПОЛУМОСТОВОЙ ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР | 3000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ТЕРМАЛЬНЫЙ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,059 мкс | 0,059 мкс | 12нс 12нс | 54нс, 54нс | 25кВ/мкс | 4,5 В~18 В | 12 В | 4,5 В | 18В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI823H8BB-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI823H5CB-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI823H5BB-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8235BD-D-IS3R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 14-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | совместимый | 2 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12нс 12нс | 60 нс, 60 нс | 45кВ/мкс | 5,6 нс | 6,5 В~24 В | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI823H4BB-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI823H4CB-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82391CD-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 3,8 мА | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | 1,2 Вт | 2 | 4А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 12,8 В~24 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI823H1CB-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1ED020I12BTXUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 7мА | 2,64 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | /files/infineontechnologies-1ed020i12btxuma1-datasheets-2057.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,52 мм | Без свинца | 400 мкА | 16 | 17 недель | 5,5 В | 4,5 В | 16 | EAR99 | Нет | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 700мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 2А | ПОЛУМОСТОВОЙ ДРАЙВЕР IGBT | 6,5 В | 2А | 30 нс | 20 нс | 2 мкс | 1 | 4500 В (среднеквадратичное значение) | 2А | 2А 2А | 30 нс 20 нс | 4,5 В~5,5 В | 15 В | ДА | Одинокий | -8В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ823Х3АБ-ИС1Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82395BD-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 3,8 мА | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | 1,2 Вт | 2 | 4А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 10 В~24 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82393CD-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 2А (4 недели) | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 10,3 мм | 7,5 мм | 16 | 8 недель | EAR99 | 8542.39.00.01 | 2 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 125°С | -40°С | 5,5 В | 2,5 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | АЭК-Q100 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,04 мкс | 0,04 мкс | 12 В | 6,5 В | 24В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UCC21521ADWR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | Соответствует ROHS3 | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 2,65 мм | 7,5 мм | 16 | 12 недель | 16 | АКТИВНО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | 2,35 мм | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | UCC21521 | 18В | 3В | 2 | ПОЛУМОСТОВОЙ ДРАЙВЕР IGBT/MOSFET | 2121 кВ | 5700 В (среднеквадратичное значение) | 0,03 мкс | 0,03 мкс | 6А | 4А 6А | 6нс 7нс | 30 нс, 30 нс | 100 В/нс | 5нс | 6,5 В~25 В | 12 В | 6,5 В | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI823H1BB-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82398CD4-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 135 нс, 95 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 12,8 В~24 В | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI823H3BB-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82396AD-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 3,8 мА | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | 1,2 Вт | 2 | 4А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 6,5 В~24 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ823Х1АБ-ИС1Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCNW3120#500 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 22 недели | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | УЛ ПРИЗНАЛ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | СЛОЖНЫЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,6 В | 2А 2А | 100 нс 100 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 25кВ/мкс | 300 нс | 15 В~30 В | 2,5 А | 1,6 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI823H4AB-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si823h9bcis-datasheets-0567.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UL, VDE | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А 4А | 12нс 12нс | 30 нс, 58 нс | 125 кВ/мкс | 5нс | 5,5 В~30 В | 6А |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.