+86 19168759373 info@chipsmt.ru

Ц Весел (3515) (3515)

Сознание	Проиджодель	Колист	Raзmer (lxwxh)	В припании	МОНТАНАНГИП	Raзmer / yзmerenee	PakeT / KORPUES	ЦВ	ПАКЕТИВАЕТСЯ	ВАМОЛЕЕ ПРОСМОТРА	На	Теплово -вупротейн	Lumens/watt @ current - тепла	ТЕМПЕРАТУРА - ТЕСА	Делина Вонн	ТОК - ТЕСТР	ТОК - МАКС	Млн
XMLDCL-H0-0000-00A3AACE7	Crealed, Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Xlamp? XM-L? Gereral 2	Пефер	0,197 "L x 0,197" W (5,00 мм х 5,00 мм)	2020 (5050 МЕТРИКА)	Красн, зelene, Сини, Бёлл - Н.	2020	118 °	2,1- Красн, 2,6 alenenый, 2,9 -кини, 2,9 В		88 LM/W RED, 154 LM/W GREEN, 17 LM/W Blue, 133 LM/W White	25 ° С	625 nm -kracnый, 528 nmelenый, 458 nmceniй, 4000 ° С. Безл	350 майка, 350 май, 350 мам, 350 май	1,75A Красн, 1,75а, 1,75а, 1,75ABELый	Crealed, Inc.
XMLDCL-00-0000-00C5AAC02	Crealed, Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Xlamp? XM-L? Gereral 2	Пефер	0,197 "L x 0,197" W (5,00 мм х 5,00 мм)	2020 (5050 МЕТРИКА)	Красн, зeLENый, Сини, БЕЛН - ПРОХЛАДНА (RGBW)	2020	120 °	2,1- Красн, 2,6 alenenый, 2,9 -кини, 2,9 В		109 LM/W RED, 170 LM/W GREEN, 23 LM/W Blue, 153 LM/W White	25 ° С	625 nm -kracnый, 528 nmelenый, 458 nm siconiй, 6850k belый	350 майка, 350 май, 350 мам, 350 май	1,75A Красн, 1,75а, 1,75а, 1,75ABELый	Crealed, Inc.
XMLDCL-H0-0000-00A3ACAE7	Crealed, Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Xlamp? XM-L? Gereral 2	Пефер	0,197 "L x 0,197" W (5,00 мм х 5,00 мм)	2020 (5050 МЕТРИКА)	Красн, зelene, Сини, Бёлл - Н.	2020	118 °	2,1- Красн, 2,6 alenenый, 2,9 -кини, 2,9 В		88 LM/W RED, 154 LM/W GREEN, 17 LM/W Blue, 133 LM/W White	25 ° С	625 nm -kracnый, 528 nmelenый, 458 nmceniй, 4000 ° С. Безл	350 майка, 350 май, 350 мам, 350 май	1,75A Красн, 1,75а, 1,75а, 1,75ABELый	Crealed, Inc.
XMLDCL-00-0000-00C5ACAAA	Crealed, Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	-														Crealed, Inc.
XMLDCL-00-0000-00C5ABBA2	Crealed, Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	-														Crealed, Inc.
SBM-40-RGBW-LC41-QC100	Устро -тельв	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	SBM-40-LC	Пефер	0,226 "L x 0,184" W (5,75 мм x 4,68 мм)	2318 (5847 МЕТРИКА)	Красн, зelenый, Сини, Бёл (rgbw)	2318	-	2,3- Красн, 3,2 -зelenый, 3,2 -кини, 3,2		42 LM/W RED, 75 LM/W GREEN, 182 LM/W White	25 ° С	622 nm -kracnый, 527 nmelenый, 455 nmscyniй	Красн 700 май, 700 май, 700 май Сини, 700 май	1 -й Красн, 1алн, 1аджини, 1а	Luminus Devices Inc.
SST-10-DR-B130-K660	Устро -тельв	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	SST-10-DR SADOVODSTVO	Пефер	0,136 "L x 0,136" W (3,45 мм х 3,45 мм)	1414 (3535 МЕТРИКА)	Красн	1414	130 °	2.1	5,3 ° C/W.	-	25 ° С	660 nm (640 nmm ~ 670 nm)	350 май	1,5а	Luminus Devices Inc.
SST-20-B-B120-S450	Устро -тельв	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	SST-20-B SADOWODSTVO	Пефер	0,136 "L x 0,136" W (3,45 мм х 3,45 мм)	1414 (3535 МЕТРИКА)	Сини	1414	120 °	2,8 В.	3,5 ° C/W.	-	25 ° С	450 nm (440 nmm ~ 460 nm)	350 май	3A	Luminus Devices Inc.
SST-10-DR-B90-K660	Устро -тельв	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	0,136 "L x 0,136" W (3,45 мм х 3,45 мм)	1414 (3535 МЕТРИКА)	Красн	1414	90 °	2.1	5,3 ° C/W.	-	25 ° С	660 nm (640 nmm ~ 670 nm)	350 май	1,5а	Luminus Devices Inc.
QBHP688-RGB3H	QT Brightek (QTB)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	PLCC6	Пефер	0,197 "L x 0,197" W (5,00 мм х 5,00 мм)	6-SMD, J-Lead	Красн, зelenenый, Сини (rgb)	6-PLCC	120 °	2,4 В Красн, 3,5 зELENый, 3,1 В.		36 LM/W RED, 53 LM/W GREEN, 17 LM/W Blue	25 ° С	620 nmm kracnый, 525 nmelenый, 465 nmscyniй	Красн 150 май, 150 мам, 150 мам Сини	160 май Красн, 160 мам, 160 мА синий	QT Brightek (QTB)
QBHP684-RGBBU	QT Brightek (QTB)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Вес	Пефер	0,136 "L x 0,136" W (3,45 мм х 3,45 мм)	1414 (3535 МЕТРИКА)	Красн, зelenenый, Сини (rgb)	1414	120 °	2,4- Красн, 3,2 -зelene, 3,2 В сини		42 LM/W RED, 67 LM/W GREEN, 13 LM/W Blue	25 ° С	630 nm -kracnый, 520 nmehelenый, 460 nmseniй	350 майксн, 350 мам, 350 мам Сини	350 майксн, 350 мам, 350 мам Сини	QT Brightek (QTB)
SPHRD1L3DH02C8S4HA	Samsung Semiconductor	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	LH351H	Пефер	0,138 "L x 0,138" W (3,50 мм х 3,50 мк)	1414 (3535 МЕТРИКА)	Красн	3535	120 °	2.15	4 ° C/W.	-	25 ° С	630 nm (typ)	350 май	1A	Samsung Semiconductor, Inc.
SPHRD2L3DH00D5W4M0	Samsung Semiconductor	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	LH351H	Пефер	0,138 "L x 0,138" W (3,50 мм х 3,50 мк)	1414 (3535 МЕТРИКА)	Красн	3535	120 °	2,2 В.	-	-	25 ° С	660 nm (650 nmm ~ 670 nm)	350 май	1A	Samsung Semiconductor, Inc.
SPHRD3L3DH20C5W43B	Samsung Semiconductor	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	LH351H	Пефер	0,138 "L x 0,138" W (3,50 мм х 3,50 мк)	1414 (3535 МЕТРИКА)	Красн	3535	130 °	2.07	3 ° C/W.	-	25 ° С	660 nm (650 nmm ~ 670 nm)	700 май	1A	Samsung Semiconductor, Inc.
MP-2835-1100-FR	Устро -тельв	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	MP-2835 SADOWODSTVO	Пефер	0,110 "L x 0,138" W (2,80 мм x 3,50 мк)	1113 (2835 МЕТРИКА)	ДАЛЕКИХ КРАСНА	2835	120 °	1,9	20 ° C/W.	-	25 ° С	730 nm (typ)	60 май	500 май	Luminus Devices Inc.
ASM6-SG91-NQT0H	Broadcom	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	ASM6-SXXX-XXXXH	Пефер	0,136 "L x 0,136" W (3,45 мм х 3,45 мм)	3-SMD, neTLIDERSTVA	Зelenый	3-SMD	90 °	2,9 В.	6 ° C/W.	143 LM/W.	25 ° С	525 nm (515 ст.	350 май	1A	Broadcom Limited
ASM6-S390-ANQ0H	Broadcom	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	ASM6-SXXX-XXXXH	Пефер	0,136 "L x 0,136" W (3,45 мм х 3,45 мм)	3-SMD, neTLIDERSTVA	Красн	3-SMD	90 °	2.1	3 ° C/W.	-	25 ° С	735 nm (720 nmm ~ 745 nm)	350 май	700 май	Broadcom Limited
ASM6-SL91-NST0H	Broadcom	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	ASM6-SXXX-XXXXH	Пефер	0,136 "L x 0,136" W (3,45 мм х 3,45 мм)	3-SMD, neTLIDERSTVA	Королевский Сини	3-SMD	90 °	2,9 В.	3 ° C/W.	-	25 ° С	450 nm (440 nmm ~ 460 nm)	350 май	1A	Broadcom Limited
ASM6-SRD0-AHK0H	Broadcom	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	ASM6-SXXX-XXXXH	Пефер	0,136 "L x 0,136" W (3,45 мм х 3,45 мм)	3-SMD, neTLIDERSTVA	Красн	3-SMD	130 °	2,2 В.	4 ° C/W.	80 LM/W.	25 ° С	625 ст.	350 май	700 май	Broadcom Limited
HL3P-BB45-M00DD	Broadcom	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	*														Broadcom Limited
ASM6-SLD1-NST0H	Broadcom	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	ASM6-SXXX-XXXXH	Пефер	0,136 "L x 0,136" W (3,45 мм х 3,45 мм)	3-SMD, neTLIDERSTVA	Королевский Сини	3-SMD	130 °	2,9 В.	3 ° C/W.	-	25 ° С	450 nm (440 nmm ~ 460 nm)	350 май	1A	Broadcom Limited
ASM6-SLD2-NTV0H	Broadcom	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	ASM6-SXXX-XXXXH	Пефер	0,136 "L x 0,136" W (3,45 мм х 3,45 мм)	3-SMD, neTLIDERSTVA	Королевский Сини	3-SMD	130 °	2,9 В.	3 ° C/W.	-	25 ° С	450 nm (440 nmm ~ 460 nm)	350 май	1A	Broadcom Limited
ASM6-SD90-AQR0H	Broadcom	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	ASM6-SXXX-XXXXH	Пефер	0,136 "L x 0,136" W (3,45 мм х 3,45 мм)	3-SMD, neTLIDERSTVA	Красн	3-SMD	90 °	2.1	3 ° C/W.	-	25 ° С	655 nm (650 nmm ~ 670 nms)	350 май	700 май	Broadcom Limited
HL3P-NR45-J00DD	Broadcom	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	HL3P	Чereз dыru	-	Рриал	Красн	T-1	45 °	2в		-	-	627 nm	20 май	-	Broadcom Limited
SPHRD2L3DH01A844444B0	Samsung Semiconductor	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	LH351H	Пефер	0,138 "L x 0,138" W (3,50 мм х 3,50 мк)	1414 (3535 МЕТРИКА)	Красн	3535	120 °	1,9	-	-	25 ° С	730 nm (720 nmm ~ 740 nm)	350 май	1A	Samsung Semiconductor, Inc.
QBHP684-RGBCWBU	QT Brightek (QTB)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Вес	Пефер	0,136 "L x 0,136" W (3,45 мм х 3,45 мм)	1414 (3535 МЕТРИКА)	Красн, зelenый, Сини, Бёл (rgbw)	1414	120 °	2,4- Красн, 3,2 -зeLeneNый, 3,2 -на Сини, 3,2		42 LM/W RED, 67 LM/W GREEN, 13 LM/W Blue, 179 LM/W White	25 ° С	630 nm -kracnый, 520 nmehelenый, 460 nmseniй	350 майка, 350 май, 350 мам, 350 май	350 майка, 350 май, 350 мам, 350 май	QT Brightek (QTB)
MP-2835-1100-PG	Устро -тельв	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	MP-2835 SADOWODSTVO	Пефер	0,110 "L x 0,138" W (2,80 мм x 3,50 мк)	1113 (2835 МЕТРИКА)	Зelenый	2835	120 °	2,82 В.	22 ° C/W.	-	25 ° С	520 nm	60 май	240 май	Luminus Devices Inc.
SST-20-DR-B120H-X660	Устро -тельв	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	САДОВОД	Пефер	0,136 "L x 0,136" W (3,45 мм х 3,45 мм)	1414 (3535 МЕТРИКА)	Глубоких Красн	1414	120 °	2.15	1,3 ° С/масса	-	25 ° С	660 nm (640 nmm ~ 670 nm)	700 май	2A	Luminus Devices Inc.
MP-2835-1200-B	Устро -тельв	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	MP-2835 SADOWODSTVO	Пефер	0,110 "L x 0,138" W (2,80 мм x 3,50 мк)	1113 (2835 МЕТРИКА)	Сини	2835	120 °	2,8 В.	22 ° C/W.	-	25 ° С	460 nm (typ)	60 май	250 май	Luminus Devices Inc.
MP-2835-1100-DR	Устро -тельв	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	MP-2835 SADOWODSTVO	Пефер	0,110 "L x 0,138" W (2,80 мм x 3,50 мк)	1113 (2835 МЕТРИКА)	Глубоких Красн	2835	120 °	2в	20 ° C/W.	-	25 ° С	660 nm	60 май	200 май	Luminus Devices Inc.