+86 19168759373 info@chipsmt.ru

СОДЕЛА

Срэйват	Ибрагейн	Сознание	Проиджодель	ЦEnы (DOLLARR)	Колист	Вер (К.)	Raзmer (lxwxh)	В припании	Raзmer / yзmerenee	PakeT / KORPUES	ЦВ	На	Дисплэхтип	ТОК - ТЕСТР	Пейк	Millicandela Rating	Колистви Симиволов	Цipra/alypa -raзmer	Обжиг	Млн
		SC52-11Surkwa	Кинбранат		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	0,689 "H x 0,488" W x 0,276 "D (17,50 мм x 12,40 мм x 7,00 мм)	10-Dip (0,600 ", 15,24 ММ)	Красн	1,85	7-й смен	10 май	645 nm	110mcd	1	0,52 "(13,20 мм)	ОБИГИЯ КАТОД	Кинбранат
		HDSP-F301-GH000	Broadcom		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	HDSP-FXXX	0,508 "H x 0,385" W x 0,250 "D (12,90 мм x 9,79 мм x 6,36 мм)	10-DIP (0,300 ", 7,62 ММ)	ЖEltый	2,2 В.	7-й смен	20 май	583 nm	0,8 мкд	1	0,40 "(10,16 мм)	ОБИГИЯ АНОД	Broadcom Limited
		HDSP-F303-GH016	Broadcom		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	HDSP-FXXX	0,508 "H x 0,385" W x 0,250 "D (12,90 мм x 9,79 мм x 6,36 мм)	10-DIP (0,300 ", 7,62 ММ)	ЖEltый	2,2 В.	7-й смен	20 май	583 nm	0,8 мкд	1	0,40 "(10,16 мм)	ОБИГИЯ КАТОД	Broadcom Limited
		HDSP-5703-HI000	Broadcom		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	HDSP-570X	0,673 "H x 0,495" W x 0,315 "D (17,10 мм x 12,57 мм x 8,00 мм)	10-Dip (0,600 ", 15,24 ММ)	ЖEltый	2.1	7-й смен	20 май	583 nm	2,75 мкд	1	0,56 "(14,22 мм)	ОБИГИЯ КАТОД	Broadcom Limited
		HDSP-F303-GH000	Broadcom		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	HDSP-FXXX	0,508 "H x 0,385" W x 0,250 "D (12,90 мм x 9,79 мм x 6,36 мм)	10-DIP (0,300 ", 7,62 ММ)	ЖEltый	2,2 В.	7-й смен	20 май	583 nm	0,8 мкд	1	0,40 "(10,16 мм)	ОБИГИЯ КАТОД	Broadcom Limited
		HDSP-7401-GH000	Broadcom		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	HDSP-740X	0,500 "H x 0,300" W x 0,240 "D (12,70 мм x 7,62 мм x 6,09 мм)	10-DIP (0,200 ", 5,08 ММ)	ЖEltый	2в	7-й смен	20 май	591NM	2,2 мкд	1	0,30 "(7,62 ММ)	ОБИГИЯ АНОД	Broadcom Limited
		LAP-401MN	ROHM Semiconductor		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	Ne	0,512 "H x 0,378" W x 0,276 "D (13,00 мм x 9,60 мм x 7,00 мм)	10-DIP (0,400 ", 10,16 ММ)	Зelenый	1,9	7-й смен	10 май	572NM	100 мкд	1	0,40 "(10,16 мм)	ОБИГИЯ КАТОД	ROHM Semiconductor
		LAP-301DB	ROHM Semiconductor		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	Л	0,433 "H x 0,276" W x 0,197 "D (11,00 мм x 7,00 мм x 5,00 мм)	10-DIP (0,300 ", 7,62 ММ)	Апельсин	1,9	7-й смен	10 май	605 nm	250mcd	1	0,32 "(8,00 мм)	ОБИГИЯ АНОД	ROHM Semiconductor
		LF-3011VA	ROHM Semiconductor		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	А	0,433 "H x 0,268" W x 0,197 "D (11,00 мм x 6,80 мм x 5,00 мм)	10-SMD, кргло	Красн	2в	7-й смен	10 май	650 nm	10 мкд	1	0,32 "(8,00 мм)	ОБИГИЯ АНОД	ROHM Semiconductor
		LAP-601ML	ROHM Semiconductor		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	Л	0,748 "H x 0,492" W x 0,315 "D (19,00 мм x 12,50 мм x 8,00 мм)	10-Dip (0,600 ", 15,24 ММ)	Зelenый	1,9	7-й смен	10 май	572NM	100 мкд	1	0,57 "(14,60 мм)	ОБИГИЯ КАТОД	ROHM Semiconductor
		SA52-11Surkwa	Кинбранат		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	0,689 "H x 0,488" W x 0,285 "D (17,50 мм x 12,40 мс x 7,25 мм)	10-Dip (0,600 ", 15,24 ММ)	Красн	1,85	7-й смен	10 май	645 nm	110mcd	1	0,52 "(13,20 мм)	ОБИГИЯ АНОД	Кинбранат
		LBP-602MA2	ROHM Semiconductor		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	A2	0,748 "H x 0,984" W x 0,315 "D (19,00 мм x 25,00 мм x 8,00 мм)	18-Dip (0,600 ", 15,24 ММ)	Зelenый	1,9	7-й смен	10 май	572NM	100 мкд	2	0,56 "(14,30 мм)	ОБИГИЯ АНОД	ROHM Semiconductor
		LAP-601DL	ROHM Semiconductor		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	Л	0,748 "H x 0,492" W x 0,315 "D (19,00 мм x 12,50 мм x 8,00 мм)	10-Dip (0,600 ", 15,24 ММ)	Апельсин	1,9	7-й смен	10 май	605 nm	250mcd	1	0,57 "(14,60 мм)	ОБИГИЯ КАТОД	ROHM Semiconductor
		LAP-301VL	ROHM Semiconductor		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	Л	0,433 "H x 0,276" W x 0,197 "D (11,00 мм x 7,00 мм x 5,00 мм)	10-DIP (0,300 ", 7,62 ММ)	Красн	1,9	7-й смен	10 май	650 nm	36 мкд	1	0,32 "(8,00 мм)	ОБИГИЯ КАТОД	ROHM Semiconductor
		LAP-401VD	ROHM Semiconductor		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	ДУМОВ	0,512 "H x 0,378" W x 0,276 "D (13,00 мм x 9,60 мм x 7,00 мм)	10-DIP (0,400 ", 10,16 ММ)	Красн	1,9	7-й смен	10 май	650 nm	36 мкд	1	0,40 "(10,16 мм)	ОБИГИЯ АНОД	ROHM Semiconductor
		LF-3011MK	ROHM Semiconductor		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	K	0,433 "H x 0,268" W x 0,197 "D (11,00 мм x 6,80 мм x 5,00 мм)	10-SMD, кргло	Зelenый	2.1	7-й смен	10 май	563 nm	10 мкд	1	0,32 "(8,00 мм)	ОБИГИЯ КАТОД	ROHM Semiconductor
		LAP-601VB	ROHM Semiconductor		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	Л	0,748 "H x 0,492" W x 0,315 "D (19,00 мм x 12,50 мм x 8,00 мм)	10-Dip (0,600 ", 15,24 ММ)	Красн	1,9	7-й смен	10 май	650 nm	36 мкд	1	0,57 "(14,60 мм)	ОБИГИЯ АНОД	ROHM Semiconductor
		PSC08-11Surkwa	Кинбранат		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	1 091 "H x 0,787" W x 0,335 "D (27,70 мс x 20,00 мм x 8,50 мм)	18-Dip (0,600 ", 15,24 ММ)	Красн	1,85	16-	10 май	645 nm	71mcd	1	0,80 "(20,32 ММ)	ОБИГИЯ КАТОД	Кинбранат
		PDA54-11Surkwa	Кинбранат		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	0,835 "H x 0,992" W x 0,307 "D (21,20 мм x 25,20 мм x 7,80 мм)	18-Dip (0,600 ", 15,24 ММ)	Красн	1,85	14.	10 май	645 nm	68 мкд	2	0,53 "(13,50 мм)	ОБИГИЯ АНОД	Кинбранат
		PSA23-11Surkwa	Кинбранат		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	2750 "H x 1 882" W x 0,394 "D (69,84 мм x 47,80 м. X 10,00 мм)	20-DIP (2366 ", 60,10 ММ)	Красн	1,85 В, 3,7 В.	16-	10 май, 20 мая	645 nm	95MCD	1	2.24 "(56,80 мм)	ОБИГИЯ АНОД	Кинбранат
		SC23-11Surkwa	Кинбранат		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	2756 "H x 1890" W x 0,482 "D (70,00 мм x 48,00 мм x 12,25 мм)	10-DIP (2366 ", 60,10 ММ)	Красн	3,7 В, 7,4 В.	7-й смен	10 май	645 nm	440MCD	1	2.24 "(56,90 мм)	ОБИГИЯ КАТОД	Кинбранат
		SA43-11Surkwa	Кинбранат		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	0,748 "H x 0,496" W x 0,310 "D (19,00 мм x 12,60 мм x 7,87 мм)	14-Dip (0,300 ", 7,62 мм), 11 проводников	Красн	1,85	7-й смен	10 май	630 nm	100 мкд	1	0,43 "(10,92 мм)	ОБИГИЯ АНОД	Кинбранат
		CC56-12Surkwa	Кинбранат		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	0,748 "H x 1,980" W x 0,329 "D (19,00 мм x 50,30 мм x 8,35 мм)	12-Dip (0,600 ", 15,24 ММ)	Красн	1,85	7-й смен	10 май	645 nm	72 мкд	4	0,56 "(14,20 мм)	ОБИГИЯ КАТОД	Кинбранат
		PSA05-11Surkwa	Кинбранат		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	0,984 "H x 0,630" W x 0,374 "D (25,00 мм x 16,00 мм x 9,50 мм)	18-Dip (0,500 ", 12,70 ММ)	Красн	1,85	16-	10 май	645 nm	110mcd	1	0,50 "(12,70 мм)	ОБИГИЯ АНОД	Кинбранат
		PSC12-11Surkwa	Кинбранат		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	1,575 "H x 1,083" W x 0,453 "D (40,00 мм x 27,50 мм x 11,50 мм)	18-Dip (0,800 ", 20,32 ММ)	Красн	1,85 В, 3,7 В.	16-	10 май	645 nm	63 мкд	1	1,20 "(30,48 ММ)	ОБИГИЯ КАТОД	Кинбранат
		PSA08-12Surkwa	Кинбранат		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	1 091 "H x 0,787" W x 0,335 "D (27,70 мс x 20,00 мм x 8,50 мм)	18-Dip (0,600 ", 15,24 ММ)	Красн	1,85	16-	10 май	645 nm	71mcd	1	0,80 "(20,32 ММ)	ОБИГИЯ АНОД	Кинбранат
		PDC54-12Surkwa	Кинбранат		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	0,835 "H x 0,992" W x 0,307 "D (21,20 мм x 25,20 мм x 7,80 мм)	18-Dip (0,600 ", 15,24 ММ)	Красн	1,85	14.	10 май	645 nm	68 мкд	2	0,53 "(13,50 мм)	ОБИГИЯ АНОД	Кинбранат
		PDC54-11Surkwa	Кинбранат		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	0,835 "H x 0,992" W x 0,307 "D (21,20 мм x 25,20 мм x 7,80 мм)	18-Dip (0,600 ", 15,24 ММ)	Красн	1,95	14.	20 май	645 nm	68 мкд	2	0,54 "(13,80 мм)	ОБИГИЯ КАТОД	Кинбранат
		PSA08-11Surkwa	Кинбранат		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	1 091 "H x 0,787" W x 0,335 "D (27,70 мс x 20,00 мм x 8,50 мм)	18-Dip (0,600 ", 15,24 ММ)	Красн	1,85	16-	10 май	645 nm	71mcd	1	0,80 "(20,32 ММ)	ОБИГИЯ АНОД	Кинбранат
		PSA39-21Surkwa	Кинбранат		RFQ МИН: 1 Mult: 1	0	0x0x0	-	0,820 "H x 0,390" W x 0,380 "D (20,83 мм x 9,91 мм x 9,65 мм)	16-Dip (0,295 ", 7,50 мм)	Красн	1,85	14.	10 май	645 nm	36 мкд	1	0,39 "(9,91 мм)	ОБИГИЯ АНОД	Кинбранат

| <
<
1
2
3
4
5
6
7
8
9
>
> |

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.