Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактДатчики изображения(1677)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Подкатегория | Источники питания | Скорость передачи данных | Особенности монтажа | Высота тела | Длина или диаметр тела | Ширина тела | Жилье | Выходной диапазон | Размер пикселя | Динамический диапазон | Горизонтальное количество пикселей | Спектральный отклик (нм) | Кадров в секунду | Активный массив пикселей | Оптический формат | Мастер-часы | Частота кадров |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| НОИП1SE1300A-QDI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП с процессором | ПИТОН | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-noip3se1300aqdi-datasheets-2815.pdf | 48-LCC | Без свинца | 20 недель | 48 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЕ СТАВНИ, РОЛЬСТАВНИ | Нет | 1,8 В~3,3 В | ПЗС-датчики изображения | 3,3 В | 4,8 мкмx4,8 мкм | 60 дБ | 43 | 1280 х 1024 В | 1/2 дюйма | 360 МГц | 210 кадров в секунду | |||||||||||||||||
| КАИ-02050-FBA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai02050abafdae-datasheets-3084.pdf | 67-БКПГА | Без свинца | 9 недель | 67 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН; ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 33,02 мм | 20,07 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 68 | 1600 В х 1200 В | 2/3 дюйма | ||||||||||||||||||||
| КАИ-1020-ABB-JP-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/rochesterelectronicsllc-kai1020abbjpba-datasheets-9929.pdf | 68-БПГА | Без свинца | 9 недель | 68 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 12 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР | Нет | 14,5 В~15,5 В | 15 В | 40 Мбит/с | 27,94 мм | 27,94 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 60 дБ | 30 | 1000Г х 1000В | |||||||||||||||||||
| КАИ-2020-ААА-CR-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-kai2020aaacfba-datasheets-1023.pdf | Модуль 32-CDIP | 15,5 В | Без свинца | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 35 | 1600 В х 1200 В | ||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1ФН2000А-QDI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП с процессором | ПИТОН | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-noip1fn2000alti-datasheets-2823.pdf | 84-ЛЦК | 3,6 В | Без свинца | 20 недель | 84 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 день назад) | да | 1,8 В~3,3 В | 4,5 мкмx4,5 мкм | 230 | 1920Г х 1200В | ||||||||||||||||||||||||
| КАИ-2093-АБА-СК-БА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai2093abackba-datasheets-1102.pdf | Модуль 32-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | АКТИВНО, НЕ ЗАПИСЫВАЕТСЯ (последнее обновление: 3 месяца назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 14 УФ/ЭЛЕКТРОН | Нет | 14,5 В~15,5 В | 40 Мбит/с | 4,42 мм | 33,02 мм | 20,32 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 60 дБ | 300-1000 | 15 | 1920 Г х 1080 В | ||||||||||||||||||
| НОИП2СН1300А-QDI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП с процессором | ПИТОН | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-noip3se1300aqdi-datasheets-2815.pdf | 48-LCC | Без свинца | 20 недель | 48 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 дня назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЕ СТАВНИ, РОЛЬСТАВНИ | Нет | 1,8 В~3,3 В | ПЗС-датчики изображения | 3,3 В | 72 Мбит/с | 4,8 мкмx4,8 мкм | 60 дБ | 43 | 1280 х 1024 В | 1/2 дюйма | 72 МГц | |||||||||||||||||
| КАИ-2001-CBA-CD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai2001abacdae-datasheets-3013.pdf | Модуль 32-CDIP | 15,5 В | Без свинца | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 15 | 1600 В х 1200 В | |||||||||||||||||||||||||||
| НОИП2SE1300A-QDI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП с процессором | ПИТОН | Поверхностный монтаж | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-noip3se1300aqdi-datasheets-2815.pdf | 48-LCC | Без свинца | 20 недель | 48 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЕ СТАВНИ, РОЛЬСТАВНИ | Нет | 1,8 В~3,3 В | ПЗС-датчики изображения | 3,3 В | 72 Мбит/с | 4,8 мкмx4,8 мкм | 60 дБ | 43 | 1280 х 1024 В | 1/2 дюйма | 72 МГц | |||||||||||||||||
| КАИ-4011-АБА-CR-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai4011aaacrae-datasheets-3143.pdf | Модуль 34-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 40 Мбит/с | 4,95 мм | 35,56 мм | 25,4 мм | КЕРАМИКА | 7,4 мкмx7,4 мкм | 60 дБ | 16 | 2048Г х 2048В | |||||||||||||||||||
| КАИ-4021-CBA-CR-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai4021abacrba-datasheets-1130.pdf | Модуль 34-CDIP | 15,5 В | Без свинца | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 16 | 2048Г х 2048В | |||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-2001-ААА-CR-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai2001abacdae-datasheets-3013.pdf | Модуль 32-CDIP | 15,5 В | Без свинца | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 15 | 1600 В х 1200 В | ||||||||||||||||||||||||||
| НОИВ1SE016KA-GDI | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°C~85°C, ТиДжей | Поднос | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-noiv1se016kagdi-datasheets-1221.pdf | 355-БСПГА, Окно | Без свинца | 23 недели | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | 1,8 В~3,3 В | 4,5 мкмx4,5 мкм | 80 | 4096Г х 3072В | ||||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-4011-АБА-CD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai4011aaacrae-datasheets-3143.pdf | Модуль 34-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 40 Мбит/с | 4,95 мм | 35,56 мм | 25,4 мм | КЕРАМИКА | 7,4 мкмx7,4 мкм | 60 дБ | 16 | 2048Г х 2048В | |||||||||||||||||||
| КАИ-4021-АБА-CR-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai4021abacrba-datasheets-1130.pdf | Модуль 34-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 31 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 40 Мбит/с | 4,95 мм | 35,56 мм | 25,4 мм | КЕРАМИКА | 7,4 мкмx7,4 мкм | 60 дБ | 16 | 2048Г х 2048В | ||||||||||||||||||
| КАИ-16070-CXA-JD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai16070aaajpb1-datasheets-2913.pdf | 71-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 71 | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 2 | 4864Г х 3232В | ||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-04050-FBA-JB-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai04050fbajbx2t-datasheets-3112.pdf | 67-БКПГА | Без свинца | 9 недель | 67 | АКТИВНО (Последнее обновление: 3 месяца назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 33,02 мм | 20,07 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 32 | 2336Г х 1752В | 1 дюйм | ||||||||||||||||||||
| КАИ-04050-ААА-JP-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai04050fbajbx2t-datasheets-3112.pdf | 67-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 67 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ВЫХОДНАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 15 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 32 | 2336Г х 1752В | 1 дюйм | ||||||||||||||||||||
| КАИ-16050-FXA-JD-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai16050axajdb2-datasheets-0939.pdf | 71-БКПГА | Без свинца | 9 недель | 71 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | 15 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 45,34 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 4964 | 2 | 4896Г х 3264В | ||||||||||||||||||||
| КАИ-2001-АБА-CD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai2001abacdae-datasheets-3013.pdf | Модуль 32-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 14 УФ/ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР | Нет | 14,5 В~15,5 В | 40 Мбит/с | 3,56 мм | 33,02 мм | 20,32 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 60 дБ | 15 | 1600 В х 1200 В | |||||||||||||||||||
| KAI-08051-QBA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai08051aaajpba-datasheets-0776.pdf | 67-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 67 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 16 | 3296Г х 2472В | |||||||||||||||||||||||||
| КАИ-2093-АБА-CB-B1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai2093aaacpae-datasheets-3048.pdf | Модуль 32-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 14 УФ/ЭЛЕКТРОН | Нет | 14,5 В~15,5 В | 40 Мбит/с | 4,42 мм | 33,02 мм | 20,32 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 60 дБ | 300-1000 | 15 | 1920 Г х 1080 В | ||||||||||||||||||
| КАИ-01150-АБА-ФД-БА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Поверхностный монтаж | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai01150abafdae-datasheets-3095.pdf | 64-BCQFN | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 64 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 2,94 мм | 18,29 мм | 18,29 мм | КЕРАМИКА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 138 | 1280 Г х 720 В | 1/2 дюйма | |||||||||||||||||||
| КАИ-0340-ABB-CP-AA-ОДИНОЧНЫЙ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rochesterelectronicsllc-kai0340abbcpaadual-datasheets-5137.pdf | Модуль 22-CDIP | 15,25 В | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 30 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР. | Нет | 14,75 В~15,25 В | 5,15 мм | 15,87 мм | 12,45 мм | КЕРАМИКА | 7,4 мкмx7,4 мкм | 69 дБ | 640 | 110 | 640Г х 480В | 1/3 дюйма | |||||||||||||||||
| КАИ-1020-ABB-JB-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai1020abbjbba-datasheets-0984.pdf | 68-БПГА | Без свинца | 9 недель | 68 | АКТИВНО (Последнее обновление: 3 месяца назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 30 | 1000Г х 1000В | |||||||||||||||||||||||||
| КАИ-1020-ABB-FD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Поверхностный монтаж | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/rochesterelectronicsllc-kai1020abbjpba-datasheets-9929.pdf | 64-BCQFN | Без свинца | 9 недель | 64 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 12 УФ/ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР | Нет | 14,5 В~15,5 В | 40 Мбит/с | 2,92 мм | 18,6 мм | 18,29 мм | 500мВ | 7,4 мкмx7,4 мкм | 58 дБ | 30 | 1000Г х 1000В | ||||||||||||||||||
| КАИ-1020-ABB-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/rochesterelectronicsllc-kai1020abbjpba-datasheets-9929.pdf | 68-БПГА | Без свинца | 9 недель | 68 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 5 дней назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 12 УФ/ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР | Нет | 14,5 В~15,5 В | 40 Мбит/с | 3,42 мм | 27,94 мм | 27,94 мм | 500мВ | 7,4 мкмx7,4 мкм | 58 дБ | 30 | 1000Г х 1000В | ||||||||||||||||||
| KAI-02150-ABA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai02150qbafdae-datasheets-3175.pdf | 67-БКПГА | 33,02 мм | 3,34 мм | 20,07 мм | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 67 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | ВЫХОДНАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 1920 год | 64 | 1200Г х 1080В | 2/3 дюйма | ||||||||||||||||||
| KAI-08051-FBA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-kai08051aaajpba-datasheets-0776.pdf | 67-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 67 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 16 | 3296Г х 2472В | |||||||||||||||||||||||||
| КАИ-1020-CBA-FD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Поверхностный монтаж | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/rochesterelectronicsllc-kai1020abbjpba-datasheets-9929.pdf | 64-BCQFN | Без свинца | 64 | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 30 | 1000Г х 1000В |
