Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТранзисторные оптические датчики(1354)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Напряжение - номинальное | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Метод измерения | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Максимальный выходной ток | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Максимальный ток во включенном состоянии | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Расстояние внедрения | Размер зазора | Конфигурация вывода | Обратное напряжение проба | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Длина волны | Темный ток-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ширина слота-ном. | Номинальный ток коллектора в состоянии включения |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| H22A6 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/onsemiconductor-h22a5-datasheets-0994.pdf | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 1,7 В | Без свинца | 4 | 150 мВт | 8 мкс, 50 мкс | 1 | 60 мА | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 6В | 55В | 55В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H21A5 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/onsemiconductor-h21a4-datasheets-1000.pdf | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 1,7 В | Без свинца | 4 | 150 мВт | 8 мкс, 50 мкс | 1 | 50 мА | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 6В | 55В | 55В | 20 мА | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МОК70П1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/onsemiconductor-moc70p3f132-datasheets-7020.pdf | 30В | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 50 мА | Без свинца | 4 | 2 | 150 мВт | 20 мкс, 80 мкс | 1 | 50 мА | 1,8 В | 0,200 (5,08 мм) | Фототранзистор | 6В | 30В | 30В | 20 мА | 50 мА | 30В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 36 юаней | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 2001 г. | /files/onsemiconductor-cny36-datasheets-1075.pdf | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 5 мкс, 5 мкс | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 60 мА | 30В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVE11233 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 5В | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-qve11233-datasheets-1080.pdf | 5В | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | 20 мА | 1,7 В | Без свинца | 1,53 г | Нет СВХК | 4 | Олово | Нет | 1 | 100мВт | 30В | 50 мА | 20 мА | 0,150 (3,81 мм) | Фототранзистор | 5В | 30В | 30В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNA1311K | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/panasonicelectroniccomComponents-cna1311k-datasheets-1084.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | неизвестный | 1 | 50 мкс, 50 мкс | 1,2 В | 0,05А | 0,0006А | 50 мкс | 0,039 (1 мм) | 1 мм | Фототранзистор | 35В | 20 мА | 50 мА | 100нА | 1 мм | 0,05 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H22B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-h22b1-datasheets-0823.pdf | 30В | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 60 мА | 1,7 В | Без свинца | 4 | 150 мВт | 7 мкс, 45 мкс | 1 | 30В | 50 мА | 1,7 В | 0,118 (3 мм) | Фотодарлингтон | 6В | 30В | 30В | 40 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| БПИ-3С1-05 | Американская компания по производству яркой оптоэлектроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/americanbrightoptoelectronicscorporation-bpi3c105-datasheets-1094.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 5 недель | да | 1 | 20 мкс | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | 0,05А | 0,551 (14 мм) | НПН — открытый коллектор | 50 мА | 100нА | 30В | 40 мА | 6 мм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H22A3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/onsemiconductor-h22a1-datasheets-0851.pdf | 30В | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 60 мА | 1,7 В | Без свинца | 4 | 150 мВт | 8 мкс, 50 мкс | 1 | 60 мА | 1,7 В | 8 мкс | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 6В | 30В | 30В | 5,5 мА | 60 мА | 30В | 5,5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H21A2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/onsemiconductor-h21a1-datasheets-0798.pdf | 30В | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 60 мА | 1,7 В | Без свинца | 48 недель | 4 | 150 мВт | 8 мкс, 150 мкс | 1 | 30В | 50 мА | 1,7 В | 8 мкс | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 6В | 30В | 30В | 20 мА | 50 мА | 30В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1109 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, внешнее крепление | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 5 (48 часов) | Припой | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1109-datasheets-0975.pdf | 4-СМД | Пересечение объекта | 6 мм | 5мА | 5,15 мм | 4 мм | Без свинца | 15 недель | Неизвестный | 4 | да | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 75мВт | 1 | 75мВт | 10 мкс, 10 мкс | 85°С | 20 мА | 20 В | 25 мА | 1,1 В | 5мА | 10 мкс | 10 мкс | 10 мкс | 10 мкс | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 5В | 20 В | 20 В | 100 мВ | 20 В | 20 мА | 5В | 900 нм | 3 мм | 0,15 мА | ||||||||||||||||||||||||
| QVA11233 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КВА | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/onsemiconductor-qva11134-datasheets-0807.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | ТРАНЗИСТОРНЫЙ ВЫХОД ЩЕЛЕВОЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H22B6 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-h22b6-datasheets-1117.pdf | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 7 мкс, 45 мкс | 0,118 (3 мм) | Фотодарлингтон | 50 мА | 55В | 40 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H22B5 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-h22b6-datasheets-1117.pdf | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 7 мкс, 45 мкс | 0,118 (3 мм) | Фотодарлингтон | 50 мА | 55В | 40 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H21B5 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-h21b5-datasheets-0944.pdf | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 7 мкс, 45 мкс | 0,118 (3 мм) | Фотодарлингтон | 50 мА | 55В | 40 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1131 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, внешнее крепление | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1131-datasheets-0906.pdf | 20 В | 6-СМД | Пересечение объекта | 5 мм | 5мА | 4 мм | 4 мм | Без свинца | 17 недель | Неизвестный | 6 | да | Нет | 2 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 75мВт | 1 | 75мВт | 10 мкс, 10 мкс | 2 | 20 В | 20 мА | 25 мА | 1,1 В | Фототранзистор | 10 мкс | 10 мкс | 0,079 (2 мм) | 2 НПН | 5В | 20 В | 20 В | 20 В | 20 мА | 5В | 940 нм | 2 мм | 0,15 мА | ||||||||||||||||||||||||||
| H21B4 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-h21b5-datasheets-0944.pdf | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 7 мкс, 45 мкс | 0,118 (3 мм) | Фотодарлингтон | 50 мА | 55В | 40 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| УФН3-70Б413 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | УФ | Крепление на шасси | 5°С~55°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 250 мкс | 0,118 (3 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H21B6 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/onsemiconductor-h21b5-datasheets-0944.pdf | 5В | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 60 мА | 1,7 В | Без свинца | 4 | 150 мВт | 7 мкс, 45 мкс | 1 | 55В | 50 мА | 1,7 В | 0,118 (3 мм) | Фотодарлингтон | 6В | 55В | 55В | 40 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1096-W1 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Проволока | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1096-datasheets-0225.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 25 мм | 10,2 мм | 6 мм | Без свинца | 12 недель | Неизвестный | 4 | ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ | 1 | 100мВт | 1 | 4 мкс, 4 мкс | 20 мА | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс | 4 мкс | 0,134 (3,4 мм) | Фототранзистор | 30В | 30В | 20 мА | 4В | 940 нм | 200нА | 3,4 мм | 0,5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVE00832 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | 1,4 В | Без свинца | 4 | 150 мВт | 4 мкс, 4 мкс | 1 | 60 мА | 4 мкс | 4 мкс | 0,197 (5 мм) | Фототранзистор | 6В | 30В | 30В | 20 мА | 940 нм | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ819 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb819-datasheets-0984.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 1,7 В | 4 | 100мВт | 1 | 50 мА | 1260 (32 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 50 мА | 30В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 28 юаней | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 2001 г. | /files/onsemiconductor-cny28-datasheets-0989.pdf | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 5 мкс, 5 мкс | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H22A5 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 1997 год | /files/onsemiconductor-h22a5-datasheets-0994.pdf | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 8 мкс, 50 мкс | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 60 мА | 55В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H21A4 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/onsemiconductor-h21a4-datasheets-1000.pdf | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 1,7 В | Без свинца | 4 | 150 мВт | 8 мкс, 50 мкс | 1 | 50 мА | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 6В | 55В | 55В | 20 мА | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SM3B | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~60°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesm3b-datasheets-1006.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | неизвестный | 1 | 180 мкс, 60 мкс | 0,015А | 0,118 (3 мм) | Фотодарлингтон | 24В | 20 мА | 15 мА | 250 нА | 20 мА | 3 мм | 1,5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNZ1021 | Электронные компоненты Panasonic | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/panasonicelectroniccomComponents-cnz1021-datasheets-1013.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Содержит свинец | неизвестный | 1 | 5 мкс, 5 мкс | 1,25 В | 0,05А | 0,015А | 5 мкс | 0,118 (3 мм) | 3 мм | Фототранзистор | 30В | 20 мА | 50 мА | 200нА | 3 мм | 0,5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SK3W-B | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~60°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesk3wb-datasheets-0874.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 4 | неизвестный | 1 | 180 мкс, 60 мкс | 2В | 0,015А | 70 мкс | 0,118 (3 мм) | Фотодарлингтон | 24В | 20 мА | 15 мА | 250 нА | 3 мм | 1,5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H22B3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2002 г. | /files/onsemiconductor-h22b1-datasheets-0823.pdf | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 7 мкс, 45 мкс | 0,118 (3 мм) | Фотодарлингтон | 50 мА | 30В | 40 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1108 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Печатная плата, внешнее крепление | Поверхностный монтаж | -30°К~85°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Припой | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx1108-datasheets-0881.pdf | 4-СМД | Пересечение объекта | 5 мм | 5мА | 4 мм | 4 мм | Без свинца | 4 недели | Неизвестный | 4 | да | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1 | 75мВт | 10 мкс, 10 мкс | 20 мА | 20 В | 25 мА | 1,1 В | 10 мкс | 10 мкс | 10 мкс | 10 мкс | 0,079 (2 мм) | Фототранзистор | 5В | 20 В | 20 В | 400мВ | 20 В | 20 мА | 5В | 900 нм | 2 мм | 0,15 мА |
