Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТранзисторные оптические датчики(1354)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Метод измерения | Входной ток | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Сенсорный экран | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямой ток-макс. | Время подъема | Расстояние внедрения | Размер зазора | Конфигурация вывода | Обратное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Длина волны | Темный ток-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ширина слота-ном. | Номинальный ток коллектора в состоянии включения |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WF120-40B416 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 4724 (120 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVA11134 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | КВА | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 2011 г. | /files/onsemiconductor-qva11134-datasheets-0807.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF30-95B416 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 1181 (30 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF120-95B410 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 4724 (120 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF50-60B410 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 1969 (50 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF50-40B416 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 1969 (50 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF120-60B416 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 4724 (120 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF50-95B416 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 1969 (50 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF80-40B416 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 3150 (80 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF80-95B416 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 3150 (80 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF30-60B416 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 1181 (30 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF15-95B410 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 0,591 (15 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ870Т51ТХ | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb870t51tx-datasheets-0773.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 25 недель | 4 | Инфракрасный (ИК) | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30В | 30 мА | 50 мА | 30В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| УФН3-70Н415 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | УФ | Крепление на шасси | 5°С~55°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 250 мкс | 0,118 (3 мм) | НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF80-60B416 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 3150 (80 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF15-95B416 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 0,591 (15 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF15-40B410 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 0,591 (15 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF80-40B410 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 3150 (80 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF30-40B416 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 1181 (30 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H21A2 | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/rochesterelectronicsllc-h21a5-datasheets-9408.pdf | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 8 мкс, 150 мкс | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF225-B4150 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 1 мс | 8858 (225 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H21A1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие, фланец | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/onsemiconductor-h21a1-datasheets-0798.pdf | 30В | Прорезные штыри для ПК | Пересечение объекта | 60 мА | 1,7 В | Без свинца | Нет СВХК | 4 | 1 | 150 мВт | 8 мкс, 150 мкс | 1 | 30В | 50 мА | 8 мкс | 0,118 (3 мм) | Фототранзистор | 6В | 30В | 30В | 20 мА | 50 мА | 30В | 20 мА | ||||||||||||||||
| WF30-60B410 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 1181 (30 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QVB11334 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | QVB | Сквозное отверстие, фланец | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 1997 год | /files/onsemiconductor-qvb11334-datasheets-0804.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | Пересечение объекта | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 50 мА | 30В | 40 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WFM180-120P311 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФМ | Крепление на шасси | -10°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 125 мкс | 7087 (180 мм) | ПНП | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF2-60B410 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 0,079 (2 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ847TX | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb847tx-datasheets-0720.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 25 недель | 4 | 12 мкс, 12 мкс | Инфракрасный (ИК) | 0,100 (2,54 мм) | Фототранзистор | 30В | 50 мА | 30В | |||||||||||||||||||||||||||||
| РПИ-574 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/rohmsemiconductor-rpi574-datasheets-0757.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 4 | да | 1 | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 10 мкс, 10 мкс | 0,05А | 0,197 (5 мм) | 5 мм | Фототранзистор | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 800 нм | 500нА | 5 мм | 0,5 мА | |||||||||||||||||||||
| WFM180-120P321 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФМ | Крепление на шасси | -10°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 125 мкс | 7087 (180 мм) | ПНП | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF30-95B410 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 1181 (30 мм) | ПНП/НПН |
