Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТранзисторные оптические датчики(1354)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Метод измерения | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Максимальный выходной ток | Сенсорный экран | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Расстояние внедрения | Размер зазора | Конфигурация вывода | Обратное напряжение проба | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Длина волны | Темный ток-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ширина слота-ном. | Номинальный ток коллектора в состоянии включения |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ОПБ847TX | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb847tx-datasheets-0720.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 25 недель | 4 | 12 мкс, 12 мкс | Инфракрасный (ИК) | 0,100 (2,54 мм) | Фототранзистор | 30В | 50 мА | 30В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| РПИ-574 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/rohmsemiconductor-rpi574-datasheets-0757.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 4 | да | 1 | е2 | Олово/Медь (Sn/Cu) | 10 мкс, 10 мкс | 0,05А | 0,197 (5 мм) | 5 мм | Фототранзистор | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 800 нм | 500нА | 5 мм | 0,5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| WFM180-120P321 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФМ | Крепление на шасси | -10°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 125 мкс | 7087 (180 мм) | ПНП | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF30-95B410 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 1181 (30 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВФМ120-120Н311 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФМ | Крепление на шасси | -10°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 125 мкс | 4724 (120 мм) | НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF2-95B410 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 0,079 (2 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ821TX | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Не соответствует требованиям RoHS | 1997 год | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 25 недель | 100мВт | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 20 мкс | 20 мкс | 0,080 (2,03 мм) | Фототранзистор | 30В | 50В | 50 мА | 880 нм | 30В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF5-95B410 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 0,197 (5 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF5-40B410 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 0,197 (5 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF2-40B410 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 0,079 (2 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EAITRCA3 | Эверлайт Электроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/everlightelectronicscoltd-eaitrca3-datasheets-0732.pdf | Модуль, контакты ПК, тип слота | 15 недель | 8541.40.80.00 | ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ870Т51 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 24,61 мм | 20 мА | 10,8 мм | 6,35 мм | 12 недель | Нет СВХК | 4 | 100мВт | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30В | 50 мА | 1,3 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||
| WF5-60B416 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 0,197 (5 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF15-60B416 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 0,591 (15 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF5-40B416 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 0,197 (5 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF5-95B416 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 0,197 (5 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF5-60B410 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 0,197 (5 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ821Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb821s3z-datasheets-8249.pdf | 30В | Модуль, прорезной | Пересечение объекта | 15,24 мм | 20 мА | 8,89 мм | 6,35 мм | Без свинца | 8 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 100мВт | 100мВт | 1 | 500 мкА | 30В | 50 мА | 1,7 В | 0,080 (2,03 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 500 мкА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30В | 500 мкА | ||||||||||||||||||||||
| WF15-40B416 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 100 мкс | 0,591 (15 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЭ-Ш3-ДС | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Припой, сквозное отверстие | Припой | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesh3-datasheets-8392.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 10 недель | Неизвестный | 4 | да | ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 1 | 20 мА | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс | 4 мкс | 0,134 (3,4 мм) | Фототранзистор | 4В | 30В | 30В | 20 мА | 4В | 940 нм | 200нА | 3,4 мм | 0,1 мА | ||||||||||||||||||||||||||
| WFM180-120N321 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФМ | Крепление на шасси | -10°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 125 мкс | 7087 (180 мм) | НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЭ-Ш3-Д | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesh3-datasheets-8392.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 10 недель | Неизвестный | 4 | да | ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 20 мА | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс | 4 мкс | 0,134 (3,4 мм) | Фототранзистор | 30В | 30В | 20 мА | 4В | 940 нм | 200нА | 3,4 мм | 0,1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| WFM50-60N311 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФМ | Крепление на шасси | -10°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 125 мкс | 1969 (50 мм) | НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX977-C1 | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Крепление на раму, винт | Крепление на раму, винт М3. | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 2010 год | /files/omron-eesx977c1-datasheets-6935.pdf | Модуль, прорезной | Пересечение объекта | 2 недели | 4 мкс | 0,020 (0,5 мм) | 30В | 20 мА | 50 мА | 30В | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WF50-40B410 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФ | Крепление на шасси | -20°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 125 мкс | 1969 (50 мм) | ПНП/НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1080 | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Прикрепить | Масса | Непригодный | 85°С | -25°С | Соответствует RoHS | 1999 год | 17 недель | 4 | 100мВт | 50 мА | 4 мкс | 4 мкс | 5 мм | 30В | 20 мА | 940 нм | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| WFM180-120N311 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФМ | Крепление на шасси | -10°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 125 мкс | 7087 (180 мм) | НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ881L51Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | 100мВт | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ882Т51З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| E4T0-MSE-FA | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 20 недель |
