Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактТранзисторные оптические датчики(1354)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Метод измерения | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Дополнительная функция | Материал корпуса | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Сенсорный экран | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Время подъема | Осень (тип.) | Длина или диаметр тела | Расстояние внедрения | Конфигурация вывода | Обратное напряжение проба | Максимальное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Длина волны | Длина волны – пик | Темный ток | Темный ток-Макс. | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | Ширина слота-ном. | Номинальный ток коллектора в состоянии включения |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WFM30-40N311 | СИК, Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ВФМ | Крепление на шасси | -10°С~60°С ТА | Модуль, Разъем | Оптический флаг | 3 недели | 125 мкс | 1181 (30 мм) | НПН | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОА1881-013 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/honeywell-hoa1881013-datasheets-6900.pdf | 15 В | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 25,78 мм | 15,62 мм | 14 недель | 4 | Нейлон | Нет | 100мВт | 1 | 100мВт | 75 мкс | 1 | 50 мА | 1,6 В | 75 мкс | 75 мкс | 0,125 (3,18 мм) | Фотодарлингтон | 3В | 15 В | 1,1 В | 15 В | 30 мА | 50 мА | 250 нА | 15 В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||
| ОПБ865Т55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 12 недель | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ882Т55З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | НПН | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SV3-CS | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Припой, сквозное отверстие | Припой | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2001 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesv3b-datasheets-8263.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 10 недель | Неизвестный | 4 | да | ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс | 4 мкс | 0,134 (3,4 мм) | Фототранзистор | 30В | 30В | 20 мА | 4В | 940 нм | 200нА | 3,4 мм | 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ892Т55З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на корпусе, винт, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | НПН | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ380L55Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SJ8-B | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 1999 год | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesj8b-datasheets-0478.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 17 недель | 4 | да | неизвестный | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 50 мА | 4 мкс | 4 мкс | 0,315 (8 мм) | Фототранзистор | 30В | 30В | 20 мА | 940 нм | 200нА | 20 мА | 8 мм | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX1058-P1 | Omron Автоматизация и безопасность | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 14 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ876Н55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | Нет | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ880Т11З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ828С | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb829az-datasheets-8333.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 20 мА | 12 недель | Нет СВХК | 4 | 1 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 30В | 50 мА | 1,7 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 2В | 890 нм | 30В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ850-1З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Прикрепить | Оснастка | -20°К~75°К | Масса | 1 (без блокировки) | Свинцовый провод | 75°С | -20°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb850a-datasheets-8466.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Оптический флаг | 12 недель | 4 | 100мВт | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | Транзистор, резистор база-эмиттер | 24В | 24В | 20 мА | 50 мА | 940 нм | 24В | 20 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ380Н11З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | Без свинца | 12 недель | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ861Н55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на корпусе, сквозное отверстие | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 880 нм | 30В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ835Л11 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 12 недель | 4 | 100мВт | Инфракрасный (ИК) | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30В | 30 мА | 50 мА | 30В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SA107-P2 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Прикрепить | Оснастка | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesa107p2-datasheets-0513.pdf | Модуль, Разъем | Пересечение объекта | 50 мА | 8 мм | Без свинца | 13 недель | Нет СВХК | 3 | да | неизвестный | 1 | 100мВт | 8 мкс, 8 мкс | 20А | 50 мА | 1,2 В | 8 мкс | 8 мкс | 0,142 (3,6 мм) | Фототранзистор | 30В | 30В | 20 мА | 4В | 940 нм | 200нА | 3,6 мм | 0,5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ860Т11 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | 100мВт | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ380П51З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 18,47 мм | 10,8 мм | 6,35 мм | 12 недель | 4 | 100мВт | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30В | 30 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ365П55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | Без свинца | 12 недель | 4 | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ831W51Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~80°К | Масса | 1 (без блокировки) | 80°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb830l11-datasheets-7388.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | 100мВт | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 880 нм | 30В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ881Т51З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | НПН | 100мВт | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EE-SX138 | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesx138-datasheets-0362.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 7 недель | 4 | да | неизвестный | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 1 | 50 мА | 4 мкс | 4 мкс | 23,8 мм | 0,134 (3,4 мм) | Фототранзистор | 4В | 30В | 30В | 20 мА | 940 нм | 20 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ820С3 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2007 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb821s3z-datasheets-8249.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | Нет | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,080 (2,03 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 50 мА | 890 нм | 30В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТСЖ1883-501 | Решения Honeywell для датчиков и повышения производительности | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | Модуль, контакты ПК, тип слота | 10 недель | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ876Т55 | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Винт, сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | Нет | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 1,3 В | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ891П55З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2012 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | НПН | 100мВт | 1 | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ881L55Z | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на шасси | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 12 недель | 4 | 100мВт | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30В | 30 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЭ-СВ3-Г | Omron Electronics Inc-подразделение EMC | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~85°К | Масса | Непригодный | Соответствует RoHS | 2002 г. | /files/omronelectronicsincemcdiv-eesv3b-datasheets-8263.pdf | Монтаж на печатной плате | Пересечение объекта | Без свинца | 9 недель | Неизвестный | 4 | да | ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ | 1 | 100мВт | 4 мкс, 4 мкс | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс | 4 мкс | 0,134 (3,4 мм) | Фототранзистор | 30В | 30В | 20 мА | 4В | 850 нм | 200нА | 3,4 мм | 0,5 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ОПБ890П55З | ТТ Электроникс/Оптек Технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Неусиленный | Крепление на раму, винт | Крепление на шасси | -40°К~85°К | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/ttelectronicsoptektechnology-opb355t-datasheets-0514.pdf | Модуль предварительно смонтированный | Пересечение объекта | 20 мА | 12 недель | 4 | 100мВт | 1 | Инфракрасный (ИК) | 50 мА | 0,125 (3,18 мм) | Фототранзистор | 2В | 30В | 30В | 30В | 30 мА | 50 мА | 890 нм | 30В | 30 мА |
