Ampleon USA Inc.

Ampleon USA Inc. (1840)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цены (доллар) Количество Вес (кг) Размер (LXWXH) Статус частично Упаковка Уровень чувствительности влаги (MSL) Напряжение - оценка Частота Операционный режим Статус ROHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет / корпус Количество терминаций Время выполнения завода Код ECCN Достичь кода соответствия Код JESD-609 Терминальная отделка Справочный стандарт Поверхностное крепление Терминальная позиция Терминальная форма Пиковая температура отвоз (CEL) Базовый номер детали Время@Пиковой температуру (я) Количество элементов Прирост Код JESD-30 Пакет устройства поставщика Материал транзистора Конфигурация Случайный соединение Приложение транзистора Полярность/Тип канала DS Breakdown Trastage-Min Технология FET Питание - выход Текущий рейтинг (AMP) Ток - тест Дренажный ток-ток (ABS) (ID) Тип транзистора Напряжение - тест
BLF7G22LS-130,118 BLF7G22LS-130,118 Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) 65 В 2,11 ГГц ~ 2,17 ГГц Режим улучшения Не совместимый с ROHS 2010 год /files/ampleonusainc blf7g22ls130118-datasheets-6439.pdf SOT-502B 2 Ear99 неизвестный IEC-60134 ДА Двойной ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН BLF7G22 НЕ УКАЗАН 1 18,5db R-CDFP-F2 Кремний ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК Усилитель N-канал 65 В Металлический полупроводник 30 Вт 28а 950 мА 28а LDMOS 28 В
BLF1046,135 BLF1046,135 Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) 65 В 960 МГц 2013 /files/ampleonusainc blf1046135-datasheets-6578.pdf SOT467C 14 дБ 45 Вт 4.5a 300 мА LDMOS 26 В
BLF544,112 BLF544,112 Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поднос 1 (неограниченный) 65 В 960 МГц 1997 /files/ampleonusainc blf5444112-datasheets-6851.pdf SOT-171A 7 дБ 20 Вт 3.5a 40 мА N-канал 28 В
BLF888,112 BLF888,112 Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Трубка 1 (неограниченный) 104V 860 МГц Не совместимый с ROHS 2011 год /files/ampleonusainc blf888112-datasheets-7066.pdf SOT-979A BLF888 19db CDFM2 250 Вт 1.3a LDMOS (двойной), общий источник 50 В
BLA1011-200,112 BLA1011-200,112 Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поднос 1 (неограниченный) 75 В. 1,03 ГГц ~ 1,09 ГГц Не совместимый с ROHS 2009 /files/ampleonusainc-la1011200112-datasheets-7235.pdf SOT-502A BLA1011 13 дБ Ld 200 Вт 150 мА LDMOS 36 В
BLC9G20LS-160PVZ BLC9G20LS-160PVZ Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поднос 3 (168 часов) 65 В 1,805 ГГц ~ 2 ГГц /files/ampleonusainc blc9g20ls160pvz-datasheets-7668.pdf SOT1275-1 13 недель 20 дБ 38 Вт 1,4 мкА 860 мА LDMOS 28 В
BLL9G1214LS-600U BLL9G1214LS-600U Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать 1 (неограниченный) 65 В 1,2 ГГц ~ 1,4 ГГц ROHS3 соответствует /files/ampleonusainc bll9g1214l600u-datasheets-7713.pdf SOT-502B 13 недель 19db 600 Вт 5 мкА 400 мА LDMOS 32V
BLS9G2934LS-400U BLS9G2934LS-400U Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поднос 1 (неограниченный) 65 В 2,9 ГГц ~ 3,4 ГГц /files/ampleonusainc bls9g2934l400u-datasheets-7682.pdf SOT-502B 13 недель 12 дБ 400 Вт 4 мкА 400 мА LDMOS 32V
BLF8G27LS-150VU BLF8G27LS-150VU Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поднос 1 (неограниченный) 65 В 2,6 ГГц ~ 2,7 ГГц Режим улучшения ROHS3 соответствует 2011 год /files/ampleonusainc blf8g27ls150vu-datasheets-8056.pdf SOT-1244B 6 13 недель Ear99 неизвестный IEC-60134 ДА Двойной ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН BLF8G27 НЕ УКАЗАН 1 18 дБ R-CDFP-F6 Кремний ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК Усилитель N-канал 65 В Металлический полупроводник 45 Вт 1.3a LDMOS 28 В
BLF8G20LS-200V,112 BLF8G20LS-200V, 112 Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поднос 1 (неограниченный) 65 В 1,81 ГГц ~ 1,88 ГГц Режим улучшения ROHS COMPARINT 2010 год /files/ampleonusainc blf8g20ls200v112-datasheets-8220.pdf SOT-1120b 6 13 недель Ear99 IEC-60134 ДА Квадратный Неуказано НЕ УКАЗАН BLF8G20 НЕ УКАЗАН 1 17,5db R-CQFP-X6 Кремний ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК Усилитель N-канал 65 В Металлический полупроводник 55 Вт 1.6a LDMOS 28 В
BLC9G20LS-150PVZ BLC9G20LS-150PVZ Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поднос 3 (168 часов) 65 В ROHS3 соответствует SOT1275-3 13 недель 150 Вт LDMOS 28 В
BLL8H1214LS-500U BLL8H1214LS-500U Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поднос 1 (неограниченный) 100 В 1,2 ГГц ~ 1,4 ГГц ROHS3 соответствует 2011 год /files/ampleonusainc bll8h1214ls500u-datasheets-8577.pdf SOT539B 13 недель 17 дБ SOT539B 500 Вт 150 мА LDMOS (двойной), общий источник 50 В
934960263517 934960263517 Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать 3 (168 часов) ROHS3 соответствует 8 недель
BLF8G20LS-160VJ BLF8G20LS-160VJ Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) 65 В 1,81 ГГц ~ 1,88 ГГц ROHS3 соответствует 2010 год /files/ampleonusainc blf8g20ls160vj-datasheets-9203.pdf SOT-1239B 13 недель BLF8G20 20 дБ CDFM6 35,5 Вт 800 мА LDMOS 28 В
BLC9G20LS-150PVY BLC9G20LS-150PVY Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Лента и катушка (TR) 13 недель
BLP0427M9S20GZ BLP0427M9S20GZ Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65 В 400 МГц ~ 2,7 ГГц ROHS3 соответствует /files/ampleonusainc blp0427m9s20z-datasheets-9400.pdf SOT-1483-1 13 недель 19db 20 Вт 1,4 мкА 100 мА LDMOS 28 В
BLM8D1822S-50PBGY BLM8D1822S-50PBGY Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65 В 1,805 ГГц ~ 2,17 ГГц Не совместимый с ROHS /files/ampleonusainc blm8d1822s50pby-datasheets-8095.pdf SOT-1212-3 13 недель 26 дБ 16-HSOP 5 Вт 1,4 мкА 104ma LDMOS 28 В
BLP05H6700XRY BLP05H6700XRY Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 135V 600 МГц /files/ampleonusainc blp05h6700xrgy-datasheets-0093.pdf SOT-1138-2 13 недель 26 дБ 700 Вт 1,4 мкА 100 мА LDMOS 50 В
BLC9G20XS-550AVTZ BLC9G20XS-550AVTZ Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поднос 3 (168 часов) 65 В 1,81 ГГц ~ 1,88 ГГц ROHS3 соответствует 2010 год /files/ampleonusainc blc9g20xs550avtz-datasheets-0600.pdf SOT-1258-7 13 недель 15.4db 580 Вт 1.1a LDMOS (двойной), общий источник 28 В
BLF8G27LS-150GVJ BLF8G27LS-150GVJ Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) 65 В 2,6 ГГц ~ 2,7 ГГц Режим улучшения ROHS3 соответствует 2011 год /files/ampleonusainc blf8g27ls150vu-datasheets-8056.pdf SOT-1244C 6 13 недель Ear99 неизвестный IEC-60134 ДА Двойной Крыло Печата НЕ УКАЗАН BLF8G27 НЕ УКАЗАН 1 18 дБ R-CDSO-G6 Кремний ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК Усилитель N-канал 65 В Металлический полупроводник 45 Вт 1.3a LDMOS 28 В
BLF882U BLF882U Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поднос 1 (неограниченный) 104V 705 МГц Режим улучшения ROHS3 соответствует 2011 год /files/ampleonusainc blf882u-datasheets-1065.pdf SOT-502A 2 13 недель Ear99 неизвестный E4 ЗОЛОТО IEC-60134 ДА Двойной ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1 20,6db R-CDFM-F2 Кремний ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК Усилитель N-канал 104V Металлический полупроводник 200 Вт 100 мА LDMOS 50 В
CLF1G0035S-100PU CLF1G0035S-100PU Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поднос 1 (неограниченный) 150 В. 3 ГГц Режим истощения ROHS3 соответствует 2011 год /files/ampleonusainc-clf1g0035100pu-datasheets-1101.pdf SOT-1228B 4 13 недель Ear99 неизвестный IEC-60134 ДА Двойной ПЛОСКИЙ CLF1G0035 2 14 дБ R-CDFP-F4 Нитрид галлия Общий источник, 2 элемента ИСТОЧНИК Усилитель N-канал 150 В. Высокая электронная подвижность 100 Вт 100 мА Хемт 50 В
BLF7G21L-160P,118 BLF7G21L-160P, 118 Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) 65 В 1,93 ГГц ~ 1,99 ГГц Не совместимый с ROHS 2010 год /files/ampleonusainc blf7g21ls160p118-datasheets-1268.pdf SOT-1121A BLF7G21 18 дБ Ld 45 Вт 32,5А 1.08a LDMOS (двойной), общий источник 28 В
BLS6G2933P-200,117 BLS6G2933P-200,117 Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Трубка 1 (неограниченный) 60 В 2,9 ГГц ~ 3,3 ГГц 2008 /files/ampleonusainc bls6g2933p200117-datasheets-1340.pdf SOM038 11 дБ 215 Вт 66а 100 мА LDMOS 32V
BLL6G1214L-250,112 BLL6G1214L-2550,112 Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Трубка 1 (неограниченный) 89 В 1,2 ГГц ~ 1,4 ГГц Режим улучшения Не совместимый с ROHS 2011 год /files/ampleonusainc bll6g1214l250112-datasheets-1393.pdf SOT-502A 2 Ear99 неизвестный IEC-60134 ДА Двойной ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН НЕ УКАЗАН 1 15 дБ R-CDFM-F2 Кремний ОДИНОКИЙ ИСТОЧНИК Усилитель N-канал 91,5 В. Металлический полупроводник 250 Вт 150 мА 59а LDMOS 36 В
BLF2425M6LS180P,11 BLF2425M6LS180P, 11 Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поднос 1 (неограниченный) 65 В 2,45 ГГц Режим улучшения Не совместимый с ROHS 2011 год /files/ampleonusainc blf2425m6ls180p11-datasheets-1660.pdf SOT539B 4 13 недель Ear99 неизвестный IEC-60134 ДА ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН BLF2425 НЕ УКАЗАН 2 13.3db R-CDFP-F4 Кремний Общий источник, 2 элемента Усилитель N-канал 65 В Металлический полупроводник 180 Вт 10 мА LDMOS (двойной), общий источник 28 В
BLF8G27LS-100PJ BLF8G27LS-100PJ Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) 65 В 2,5 ГГц ~ 2,7 ГГц Режим улучшения Не совместимый с ROHS 2011 год /files/ampleonusainc blf8g27ls100pj-datasheets-1814.pdf SOT-1121B 4 Ear99 неизвестный IEC-60134 ДА ПЛОСКИЙ НЕ УКАЗАН BLF8G27 НЕ УКАЗАН 2 18 дБ R-CDFP-F4 Кремний Общий источник, 2 элемента Усилитель N-канал 65 В Металлический полупроводник 25 Вт 860 мА LDMOS (двойной), общий источник 28 В
BLM7G24S-30BGY BLM7G24S-30BGY Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 65 В 2,11 ГГц ~ 2,17 ГГц Не совместимый с ROHS 2011 год /files/ampleonusainc blm7g24s30bgy-datasheets-1945.pdf SOT-1212-2 Ear99 неизвестный 31,5db 1,6 Вт 75 мА LDMOS 28 В
BLC9G27LS-150AVZ BLC9G27LS-150AVZ Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Поднос 3 (168 часов) 65 В 2,5 ГГц ~ 2,69 ГГц Не совместимый с ROHS 2011 год /files/ampleonusainc blc9g27ls150avz-datasheets-2068.pdf SOT1275-1 15 дБ DFM6 150 Вт 400 мА LDMOS (двойной), общий источник 28 В
BLF6G27LS-40PHJ BLF6G27LS-40PHJ Ampleon USA Inc.
RFQ

Мин: 1

Mult: 1

скачать Лента и катушка (TR) 1 (неограниченный) 65 В 2,5 ГГц ~ 2,7 ГГц Не совместимый с ROHS 17,5db 450 мА LDMOS (двойной), общий источник 28 В

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.