| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Устанавливать | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Режим работы | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/кейс | Количество окончаний | Время выполнения заказа на заводе | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Достичь кода соответствия | Код HTS | Толерантность | Код JESD-609 | Терминал отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Количество контактов | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние мощности | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Среднеквадратичный ток (Irms) | Максимальный ток во включенном состоянии | Непрерывный ток стока (ID) | Напряжение от затвора до источника (Vgs) | Материал транзисторного элемента | Конфигурация | Соединение корпуса | Применение транзистора | Рассеиваемая мощность-Макс (Абс) | Напряжение стока к источнику (Vdss) | Технология полевых транзисторов | Ток утечки (макс.) | Мощность - Макс. | Рассеиваемая мощность-Макс. | Удерживать ток | Код JEDEC-95 | Опорное напряжение | Напряжение Тол-Макс | Рабочий тестовый ток | Тип диода | Динамический импеданс-макс. | Неповторяющийся Pk в рабочем состоянии | Удержание максимального тока | Повторяющееся пиковое обратное напряжение | Тип триггерного устройства | Напряжение – выключенное состояние | Макс. ток триггера затвора постоянного тока | Повторяющееся пиковое напряжение в выключенном состоянии | Текущее состояние включения (It (RMS)) (Макс.) | Источник стока при максимальном сопротивлении | Обратная связь Cap-Max (Crss) | Импеданс-Макс. | Напряжение пробоя стока к источнику | Напряжение — триггер ворот (Vgt) (макс.) | Ток — нереп. Скачок 50, 60 Гц (Itsm) | Ток — триггер ворот (Igt) (макс.) | Тип СКР | Напряжение во включенном состоянии (Втм) (макс.) | Текущее состояние – выключено (макс.) | Критическая скорость нарастания напряжения в выключенном состоянии-мин. | Среднеквадратичное значение тока во включенном состоянии, максимальный ток | Макс. напряжение триггера затвора постоянного тока | Тип триака | Тип полевого транзистора | Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | Напряжение – пробоя (В(BR)GSS) | Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | Сопротивление - RDS(Вкл.) | Ток – обратная утечка @ Vr | Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If | Напряжение - Стабилитрон (Ном) (Вз) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CS48-35М | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Шасси, Шпилька | Шасси, Крепление на шпильке | -40°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cs4835pb-datasheets-3354.pdf | ТО-208АА, ТО-48-3, Шпилька | нет | не_совместимо | 8541.30.00.80 | 35А | 100 мА | 600В | 35А | 1,5 В | 330 А при 100 Гц | 40 мА | Стандартное восстановление | 2,3 В | 20 мкА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CS220-16D | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cs22016b-datasheets-3525.pdf | ТО-220-3 | нет | 8541.30.00.80 | 3 | 16А | 20 мА | 400В | 16А | 1,5 В | 15 мА | Стандартное восстановление | 1,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CS220-16P | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cs22016b-datasheets-3525.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | EAR99 | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ОДИНОКИЙ | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Кремниевые управляемые выпрямители | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 16А | 16000А | ОДИНОКИЙ | АНОД | 20 мА | ТО-220АБ | 160 А | 40 мА | 1000В | СКР | 1кВ | 1000В | 16А | 1,5 В | 15 мА | Стандартное восстановление | 1,6 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP548-2N5116-CT | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Поднос | 1 (без ограничений) | /files/centralsemiconductorcorp-cp5482n5116ct-datasheets-2510.pdf | умереть | 0,6 В | P-канал | 25пФ при 15В | 4 В @ 1 МГц | 30 В | 25 мА при 1 МГц | 150Ом | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP206-2N4392-CM | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cp2062n4392ct-datasheets-2550.pdf | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ202-4BS-2 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~125°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq2024bs2-datasheets-2665.pdf | TO-202 Длинная вкладка | 3 | нет | EAR99 | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | 3 | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСИП-Т3 | 4А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 5мА | ТРИАК | 200В | 200В | 4А | 1,75 В | 9мА | Внутренний запуск | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ202-4B | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~125°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq2024d-datasheets-2668.pdf | TO-202 Длинная вкладка | 3 | нет | EAR99 | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 4А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 25 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 200В | 200В | 4А | 2,5 В | 50 мА | Внутренний запуск | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220-10N | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~110°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq22010n-datasheets-2781.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 10А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 25 мА | ТО-220АБ | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 800В | 800В | 10А | 1,5 В | 50 мА | Внутренний запуск | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220-6NS | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~110°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq2206ds-datasheets-2816.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 6А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 15 мА | ТО-220АБ | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 800В | 800В | 6А | 1,5 В | 5мА | Внутренний запуск | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220-6MS | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~110°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq2206ds-datasheets-2816.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 6А | Одинокий | ГЛАВНЫЙ ТЕРМИНАЛ 2 | 15 мА | ТО-220АБ | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 600В | 600В | 6А | 1,5 В | 5мА | Внутренний запуск | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220I-6MS | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~110°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq220i6bs-datasheets-2897.pdf | ТО-220-3 | нет | 8541.30.00.80 | 3 | 6А | Одинокий | 15 мА | 600В | 6А | 1,5 В | 10 мА | Внутренний запуск | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CQ220I-12N | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°C~110°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | Соответствует RoHS | 2016 год | /files/centralsemiconductorcorp-cq220i12b-datasheets-2836.pdf | ТО-220-3 | 3 | нет | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Симисторы | Не квалифицирован | Р-ПСФМ-Т3 | 12А | Одинокий | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 2,5 мА | 25 мА | 100 мА | 4-КВАДРАНТНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ УРОВЕНЬ СИМИСТОР | 800В | 800В | 12А | 1,5 В | 50 мА | 500 В/мкс | Внутренний запуск | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| КС3П-40М | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поставщик не определен | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-cs3p40pb-datasheets-3383.pdf | 3 | нет | не_совместимо | 8541.30.00.80 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | ВЕРХНИЙ | НАКОНЕЧНИК ДЛЯ ПАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 2 | 125°С | -40°С | НЕ УКАЗАН | 1 | Кремниевые управляемые выпрямители | Не квалифицирован | О-МУФМ-Д3 | 40000А | ОДИНОКИЙ | ИЗОЛИРОВАННЫЙ | 500 А | 150 мА | 600В | СКР | 80 мА | 600В | 40А | 1,5 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2Н5115 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°C~200°C ТДж | Поставщик не определен | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | /files/centralsemiconductorcorp-2n5115-datasheets-4451.pdf | ТО-206АА, ТО-18-3 Металлическая банка | 3 | нет | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 1 | Малый сигнал общего назначения на полевом транзисторе | Не квалифицирован | О-MBCY-W3 | КРЕМНИЙ | ОДИНОКИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | 0,5 Вт | СОЕДИНЕНИЕ | 500мВт | 100Ом | 7 пФ | P-канал | 25пФ при 15В | 3 В при 1 нА | 30 В | 15 мА при 15 В | 100Ом | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N5457 | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -65°C~150°C ТДж | Масса | 1 (без ограничений) | РЕЖИМ Истощения | Не соответствует требованиям RoHS | 2001 г. | /files/centralsemiconductorcorp-2n5457-datasheets-4892.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 3 | 8 недель | нет | EAR99 | НИЗКИЙ ШУМ | не_совместимо | 8541.21.00.95 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 310мВт | НИЖНИЙ | ПРОВОЛОКА | НЕ УКАЗАН | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 310мВт | 1 | Другие транзисторы | Не квалифицирован | O-PBCY-W3 | 10 мА | 25 В | КРЕМНИЙ | ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ | СОЕДИНЕНИЕ | 3 пФ | 25 В | N-канал | 7пФ при 15В | 500 мВ при 10 нА | 1 мА при 15 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPZDA12V TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmpzda15vtrpbfree-datasheets-5503.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 36 недель | ±5% | ДА | Диоды опорного напряжения | 1 пара общего анода | 350мВт | 0,35 Вт | 12 В | 5,4% | 5мА | стабилитрон | 25Ом | 250Ом | 100 нА при 8 В | 900 мВ при 10 мА | 12,05 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKZ5229B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkz5232bbk-datasheets-1559.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 независимых | 200мВт | 0,2 Вт | 4,3 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 22Ом | 22Ом | 5 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 4,3 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKZ5235B БК | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkz5232bbk-datasheets-1559.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 независимых | 200мВт | 0,2 Вт | 6,8 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 5Ом | 5Ом | 3 мкА при 5 В | 900 мВ при 10 мА | 6,8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKZ5235B ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkz5232bbk-datasheets-1559.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | 15 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 независимых | 200мВт | 0,2 Вт | 6,8 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 5Ом | 5Ом | 3 мкА при 5 В | 900 мВ при 10 мА | 6,8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKZ5261B ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkz5232bbk-datasheets-1559.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 независимых | 200мВт | 0,2 Вт | 47В | 5% | 2,7 мА | стабилитрон | 105Ом | 100 нА при 36 В | 900 мВ при 10 мА | 47В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMKZ5258B ТР | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°C~150°C ТДж | Лента и катушка (TR) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmkz5232bbk-datasheets-1559.pdf | 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363 | EAR99 | 8541.10.00.50 | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | 3 независимых | 200мВт | 0,2 Вт | 36В | 5% | 3,4 мА | стабилитрон | 70Ом | 70Ом | 100 нА при 27 В | 900 мВ при 10 мА | 36В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPZ5242B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpz5242btrpbfree-datasheets-6986.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 49 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 350мВт | 0,35 Вт | 12 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 30Ом | 30Ом | 1 мкА при 9,1 В | 900 мВ при 10 мА | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMOZ3L3 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmoz1l8trpbfree-datasheets-0037.pdf | СК-79, СОД-523 | 20 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 250мВт | 0,25 Вт | 3,3 В | 5% | 0,25 мА | стабилитрон | 1600Ом | 1,6 кОм | 5 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 3,3 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPZ5256B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpz5242btrpbfree-datasheets-6986.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 22 недели | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 350мВт | 0,35 Вт | 30 В | 5% | 4,2 мА | стабилитрон | 49Ом | 49Ом | 100 нА при 23 В | 900 мВ при 10 мА | 30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPZ5247B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | 0,45 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpz5242btrpbfree-datasheets-6986.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 22 недели | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 350мВт | 0,35 Вт | 17В | 5% | 7,4 мА | стабилитрон | 19Ом | 19Ом | 100 нА при 13 В | 900 мВ при 10 мА | 17В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMOZ3L0 TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmoz1l8trpbfree-datasheets-0037.pdf | СК-79, СОД-523 | 20 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 250мВт | 0,25 Вт | 3В | 5% | 0,25 мА | стабилитрон | 1600Ом | 1,6 кОм | 5 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMPZ5223B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | 0,46 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmpz5242btrpbfree-datasheets-6986.pdf | ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3 | 22 недели | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 350мВт | 0,35 Вт | 2,7 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 30Ом | 30Ом | 75 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 2,7 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMDZ5221B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~200°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | /files/centralsemiconductorcorp-cmdz5222btrpbfree-datasheets-8099.pdf | СК-76, СОД-323 | 16 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 500мВт | 0,25 Вт | 2,4 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 30Ом | 30Ом | 100 мкА при 1 В | 900 мВ при 10 мА | 2,4 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CMSZ5235B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Поверхностный монтаж | -65°К~150°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cmsz5258btrpbfree-datasheets-5010.pdf | СК-70, СОТ-323 | 20 недель | ±5% | ДА | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 275 МВт | 0,275 Вт | 6,8 В | 5% | 20 мА | стабилитрон | 5Ом | 5Ом | 3 мкА при 5 В | 900 мВ при 10 мА | 6,8 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CZ5364B TR PBFREE | Центральная полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | скачать | Сквозное отверстие | -65°К~200°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без ограничений) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/centralsemiconductorcorp-cz5342btrpbfree-datasheets-2325.pdf | ДО-201АА, ДО-27, Осевой | 50 недель | ±5% | НЕТ | 1 | Диоды опорного напряжения | ОДИНОКИЙ | 5 Вт | 5 Вт | 33В | 5% | 40 мА | стабилитрон | 10Ом | 10Ом | 500 нА при 25,1 В | 1,2 В при 1 А | 33В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.