Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактРешетка полупроводниковая корпорация (5206)
| Сравнивать | Изображение | Имя | Производитель | Цены (доллар) | Количество | Вес (кг) | Размер (LXWXH) | Статус частично | Ряд | Устанавливать | Монтажный тип | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности влаги (MSL) | Завершение | Технология | Частота | Эксплуатационный ток снабжения | Высота сидя (максимум) | Статус ROHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет / корпус | Длина | Ширина | Операционное напряжение питания | Свободно привести | Количество терминаций | Время выполнения завода | Достичь SVHC | Количество булавок | PBFREE CODE | Код ECCN | Дополнительная функция | Радиационное упрочнение | Максимальная частота | Достичь кода соответствия | HTS -код | Метод упаковки | Номинальный ток снабжения | JESD-609 Код | Терминальная отделка | Поверхностное крепление | Напряжение - поставка | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура отвоз (CEL) | Напряжение снабжения | Терминал | Базовый номер детали | Подсчет штифтов | Время@Пиковой температуру (я) | Подкатегория | Питания | Квалификационный статус | Код JESD-30 | Пакет устройства поставщика | Размер памяти | Номер в/вывода | Тип памяти | Размер оперативной памяти | Включить время задержки | Задержка распространения | Количество выходов | Количество входов | Тактовая частота | Организация | Количество макроэлементов | Выходная функция | Количество логических элементов/ячеек | Программируемый логический тип | Количество логических ячеек | Количество CLBS | Количество выделенных входов | Всего битов RAM | Количество лабораторий/CLBS | Комбинаторная задержка CLB-MAX |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LFE5UM5G-45F-8BG381I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ECP5-5G | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 381-FBGA | 8 недель | Ear99 | 8542.39.00.01 | 1,045 В ~ 1,155 В. | 260 | НЕ УКАЗАН | 203 | 44000 | Полевой программируемый массив ворот | 1990656 | 11000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2280C-3FTN256C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Махксо | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | SMD/SMT | CMOS | 420 МГц | 23ma | 1,55 мм | ROHS3 соответствует | 2007 | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf&product=latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3ftn256c-7537220 | 256-lbga | 17 мм | 17 мм | 3,3 В. | Свободно привести | 256 | 8 недель | Нет SVHC | 256 | да | Ear99 | Он также может работать при 2,5 В и 3,3 В | Нет | 8542.39.00.01 | E1 | Олово/серебро/медь (SN95.5AG4.0cu0.5) | 1,71 В ~ 3,465 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В. | 1 мм | LCMXO2280 | 256 | 40 | Полевые программируемые массивы ворот | 211 | Шрам | 5,1 нс | 5,1 нс | 211 | 1140 | Макроселл | 2280 | Flash Pld | 7 | 28262 | 285 | ||||||||||||||||||||||
| LFE5U-45F-6BG256I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ECP5 | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 256-LFBGA | 8 недель | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | 1,045 В ~ 1,155 В. | 197 | 44000 | Полевой программируемый массив ворот | 1990656 | 11000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE40UP3K-UWG30TR50 | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ICE40 Ultraplus ™ | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Вырезать ленту (CT) | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 2017 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemyonductorcorporation-ice40up3kuwg30tr50-datasheets-4677.pdf | 30-UFBGA, WLCSP | 8 недель | да | Ear99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В ~ 1,26 В. | 21 | 2800 | Полевой программируемый массив ворот | 1130496 | 350 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE5LP4K-CM3650 | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ICE40 Ultra ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice5lp4kcm36itr1k-datasheets-3488.pdf | 36-VFBGA | Свободно привести | 7 недель | 36 | Ear99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В ~ 1,26 В. | 26 | 10 КБ | 3520 | Полевой программируемый массив ворот | 81920 | 440 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ICE40LP8K-CM121TR | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ICE40 ™ LP | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | CMOS | 1 мм | ROHS3 соответствует | 2015 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice40hx8kcm225-datasheets-4039.pdf | 121-VFBGA | 5 мм | 5 мм | 121 | 8 недель | 121 | Ear99 | 8542.39.00.01 | Трэнд | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В. | 0,4 мм | ICE40LP8K | НЕ УКАЗАН | 93 | 16 КБ | 93 | 133 МГц | 7680 | Полевой программируемый массив ворот | 960 | 131072 | 960 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO1200C-5MN132C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Махксо | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 21ma | 1,35 мм | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 132-LFBGA, CSPBGA | 8 мм | 8 мм | 3,3 В. | Свободно привести | 132 | 8 недель | 132 | да | Ear99 | Он также может работать при 2,5 В и 3,3 В | Нет | 600 МГц | 8542.39.00.01 | 21ma | E1 | Олово/серебро/медь (SN96.5AG3.0cu0.5) | 1,71 В ~ 3,465 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В. | 0,5 мм | LCMXO1200 | 132 | 40 | Полевые программируемые массивы ворот | 101 | Шрам | 3,6 нс | 3,6 нс | 101 | 600 | Макроселл | 1200 | Flash Pld | 7 | 9421 | 150 | |||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-4300E-5MG324I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Machxo3 | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | ROHS3 соответствует | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 324-VFBGA | 10 мм | 10 мм | 324 | 8 недель | 324 | Ear99 | not_compliant | 8542.39.00.01 | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В. | 0,5 мм | LCMXO3L-4300 | НЕ УКАЗАН | 268 | 11,5 КБ | 4320 | Полевой программируемый массив ворот | 540 | 94208 | 540 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-9400E-5MG256C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Machxo3 | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 1 мм | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 256-VFBGA | 9 мм | 9 мм | 256 | 8 недель | Ear99 | 8542.39.00.01 | ДА | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В. | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | S-PBGA-B256 | 206 | 9400 | Полевой программируемый массив ворот | 442368 | 1175 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-2100C-6BG324I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Machxo3 | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | ROHS3 соответствует | 2015 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 324-LFBGA | 15 мм | 15 мм | Свободно привести | 324 | 8 недель | 324 | Ear99 | Также работает на номинальном поставке 3,3 В. | not_compliant | 8542.39.00.01 | 2,375 В ~ 3,465 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В. | 0,8 мм | LCMXO3L-2100 | НЕ УКАЗАН | 279 | 9,3 КБ | 2112 | Полевой программируемый массив ворот | 264 | 75776 | 264 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-2100C-5BG324C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Machxo3 | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | ROHS3 соответствует | 2015 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 324-LFBGA | 15 мм | 15 мм | Свободно привести | 324 | 8 недель | 324 | Ear99 | Также работает на номинальном поставке 3,3 В. | 8542.39.00.01 | 2,375 В ~ 3,465 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В. | 0,8 мм | НЕ УКАЗАН | 279 | 9,3 КБ | 2112 | Полевой программируемый массив ворот | 264 | 75776 | 264 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640C-4FTN256I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Махксо | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 17ma | 1,55 мм | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf | 256-lbga | 17 мм | 17 мм | 3,3 В. | Свободно привести | 256 | 8 недель | 256 | да | Ear99 | Он также может работать при 2,5 В и 3,3 В | 550 МГц | not_compliant | 8542.39.00.01 | 17ma | E1 | Олово/серебро/медь (SN95.5AG4.0cu0.5) | 1,71 В ~ 3,465 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,8 В. | 1 мм | LCMXO640 | 256 | 40 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 159 | Шрам | 0B. | 4,2 нс | 159 | 320 | Макроселл | 640 | Flash Pld | 640 | 7 | 80 | ||||||||||||||||||||||
| LFE5U-25F-7MG285I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ECP5 | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 285-TFBGA | 8 недель | 1,045 В ~ 1,155 В. | 285-CSFBGA (10x10) | 118 | 24000 | 1032192 | 6000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-4000HC-5QN84I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Machxo2 | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemyonductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 84-VFQFN Двойные ряды, открытая площадка | 8 недель | Ear99 | 8542.39.00.01 | 2,375 В ~ 3,465 В. | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 68 | 4320 | Полевой программируемый массив ворот | 94208 | 540 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5U-25F-8MG285I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ECP5 | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | 1,3 мм | ROHS3 соответствует | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 285-TFBGA | 10 мм | 10 мм | 285 | 8 недель | Ear99 | 8542.39.00.01 | ДА | 1,045 В ~ 1,155 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,1 В. | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | S-PBGA-B285 | 118 | 3000 CLBS | 24000 | Полевой программируемый массив ворот | 3000 | 1032192 | 6000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3D-4300HC-5SG72I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Machxo3d | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3d9400hc5bg400c-datasheets-8960.pdf | 72-qfn | 8 недель | 2,375 В ~ 3,465 В. | 58 | 4300 | Полевой программируемый массив ворот | 94208 | 538 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3D-4300ZC-2SG72I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Machxo3d | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3d9400hc5bg400c-datasheets-8960.pdf | 72-qfn | 8 недель | 2,375 В ~ 3,465 В. | 58 | 4300 | Полевой программируемый массив ворот | 94208 | 538 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-2100C-6BG324C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Machxo3 | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | 1,7 мм | ROHS3 соответствует | 2015 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 324-LFBGA | 15 мм | 15 мм | Свободно привести | 324 | 8 недель | 324 | Ear99 | Также работает на номинальном поставке 3,3 В. | 8542.39.00.01 | 2,375 В ~ 3,465 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 2,5 В. | 0,8 мм | НЕ УКАЗАН | 279 | 9,3 КБ | 2112 | Полевой программируемый массив ворот | 264 | 75776 | 264 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5UM-85F-6BG554C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ECP5 | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 554-FBGA | Свободно привести | 8 недель | Ear99 | 8542.39.00.01 | 1,045 В ~ 1,155 В. | НЕ УКАЗАН | НЕ УКАЗАН | 259 | 468 КБ | 84000 | Полевой программируемый массив ворот | 3833856 | 21000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO640C-3TN144C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Махксо | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | SMD/SMT | CMOS | 500 МГц | 17ma | 1,6 мм | ROHS3 соответствует | 2000 | /files/latticesemiconductorcorporation-lcmxo2280c3tn100i-datasheets-5882.pdf&product=latticesemiconductorcorporation-lcmxo640c3tn144c-7538717 | 144-LQFP | 20 мм | 20 мм | 3,3 В. | Свободно привести | 144 | 8 недель | Нет SVHC | 144 | да | Ear99 | Он также может работать при 2,5 В и 3,3 В | Нет | 8542.39.00.01 | E3 | Матовая олова (SN) | 1,71 В ~ 3,465 В. | Квадратный | Крыло Печата | 260 | 1,8 В. | 0,5 мм | LCMXO640 | 144 | 40 | Полевые программируемые массивы ворот | 113 | Шрам | 0B. | 4,9 нс | 4,9 нс | 113 | 320 | Макроселл | 640 | Flash Pld | 640 | 7 | 80 | |||||||||||||||||||||
| ICE40LP384-CM49TR1K | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ICE40 ™ LP | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | CMOS | 1 мм | ROHS3 соответствует | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice40hx8kcm225-datasheets-4039.pdf | 49-VFBGA | 3 мм | 3 мм | 49 | 8 недель | 49 | Ear99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В. | 0,4 мм | ICE40LP384 | НЕ УКАЗАН | 37 | 384 | Полевой программируемый массив ворот | 48 | 48 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3LF-1300E-5UWG36ITR | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Machxo3 | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 0,576 мм | ROHS3 соответствует | 2014 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 36-UFBGA, WLCSP | 2,541 мм | 2,487 мм | 36 | 8 недель | Ear99 | 8542.39.00.01 | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В. | 0,4 мм | НЕ УКАЗАН | R-PBGA-B36 | 28 | 8 КБ | 1280 | Полевой программируемый массив ворот | 160 | 65536 | 160 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO3L-640E-6MG121C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Machxo3 | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | 1 мм | ROHS3 соответствует | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lcmxo3l4300c6bg256c-datasheets-3989.pdf | 121-VFBGA | 6 мм | 6 мм | 121 | 8 недель | 121 | Ear99 | not_compliant | 8542.39.00.01 | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,2 В. | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | 100 | 8 КБ | 640 | Полевой программируемый массив ворот | 80 | 65536 | 80 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-256ZE-2UMG64C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Machxo2 | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 18 мкА | 1 мм | ROHS3 соответствует | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemyonductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 64-VFBGA | 4 мм | 4 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 64 | 8 недель | 64 | да | Ear99 | 125 МГц | not_compliant | 8542.39.00.01 | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 1,2 В. | 0,4 мм | LCMXO2-256 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 256b | 44 | ВСПЫШКА | 0B. | 45 | 128 | 256 | Полевой программируемый массив ворот | 256 | 32 | |||||||||||||||||||||||||||
| ICE5LP2K-SG48ITR50 | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ICE40 Ultra ™ | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-ice5lp4kcm36itr1k-datasheets-3488.pdf | 48-VFQFN открытая площадка | 7 недель | Ear99 | 1,14 В ~ 1,26 В. | 39 | 10 КБ | 2048 | Полевой программируемый массив ворот | 81920 | 256 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-640HC-6SG48C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Machxo2 | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemyonductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 48-VFQFN открытая площадка | 8 недель | Ear99 | 8542.39.00.01 | 2,375 В ~ 3,465 В. | 260 | НЕ УКАЗАН | 40 | 640 | Полевой программируемый массив ворот | 18432 | 80 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LCMXO2-256ZE-2MG132I | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | Machxo2 | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 100 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 18 мкА | 1,35 мм | ROHS3 соответствует | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemyonductorcorporation-lcmxo24000hesecevn-datasheets-4361.pdf | 132-LFBGA, CSPBGA | 8 мм | 8 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 132 | 8 недель | да | Ear99 | 125 МГц | 8542.39.00.01 | E1 | Олово/серебро/медь (sn/ag/cu) | 1,14 В ~ 1,26 В. | НИЖНИЙ | МЯЧ | 250 | 1,2 В. | 0,5 мм | LCMXO2-256 | 30 | Полевые программируемые массивы ворот | Не квалифицирован | 256b | 55 | 56 | 56 | 128 | 256 | Полевой программируемый массив ворот | 256 | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||
| LFE5UM-45F-7BG381C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | ECP5 | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | ROHS3 соответствует | 2016 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfe5u25f7bg256i-datasheets-3997.pdf | 381-FBGA | 8 недель | Ear99 | 8542.39.00.01 | 1,045 В ~ 1,155 В. | 260 | НЕ УКАЗАН | 203 | 243 КБ | 44000 | Полевой программируемый массив ворот | 1990656 | 11000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LAE3-17EA-6MG328E | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | La-Ecp3 | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | -40 ° C ~ 125 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | 49,4 мА | ROHS3 соответствует | 2013 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lae317ea6mg328e-datasheets-7603.pdf | 328-LFBGA, CSBGA | 1,2 В. | Свободно привести | 8 недель | 328 | Ear99 | 375 МГц | 8542.39.00.01 | 1,14 В ~ 1,26 В. | LAE3-17EA | 92 КБ | 116 | 87,5 КБ | 17000 | Полевой программируемый массив ворот | 716800 | 2125 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LFXP2-5E-7QN208C | Решетка полупроводниковая корпорация | Мин: 1 Mult: 1 | скачать | XP2 | Поверхностное крепление | Поверхностное крепление | 0 ° C ~ 85 ° C TJ | Поднос | 3 (168 часов) | CMOS | 4,1 мм | ROHS3 соответствует | 2000 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/latticesemiconductorcorporation-lfxp25e6tn144c-datasheets-5567.pdf | 208-BFQFP | 28 мм | 28 мм | 1,2 В. | Свободно привести | 208 | 8 недель | 208 | Ear99 | 8542.39.00.01 | E3 | Матовая олова (SN) | 1,14 В ~ 1,26 В. | Квадратный | Крыло Печата | 1,2 В. | 0,5 мм | LFXP2-5 | 208 | Полевые программируемые массивы ворот | 1.21.2/3.33.3V | Не квалифицирован | 22 КБ | 146 | 20,8 КБ | 146 | 435 МГц | 5000 | Полевой программируемый массив ворот | 169984 | 625 | 0,304 нс |
