MT8VDDT6464HY -335J1 - Модули памяти микрон технологии - Лучший агент электронных компонентов - ICGNT

MT8VDDT6464HY-335J1

DRAM Module DDR SDRAM 512MBYTE 200SODIMM


  • Проиджоделх: МИКРОН ТЕХАНОЛОГИЙ
  • НЕТ: 533-MT8VDDT6464HY-335J1
  • Епаково: 200-sodimm
  • Theхniчeskaya opehy-fikaцian: pdf
  • ЗapaS: 6743
  • Описани: DRAM Module DDR SDRAM 512MBYTE 200SODIMM (К.)

Колиство:


  • Достопримечательность: Delivery
  • Оплата: payment

Вналишии

POHALUйSTA, OTPRARAHTER RFQ, Mы OTWETOTIM.

authentication (1) authentication (2) authentication (3) authentication (4) authentication (5) authentication (6) authentication (7) authentication (8) authentication (9)

Поку Ипрос

Транспорт

RukowodSTWOPOLHOWELELEL

Покупра

Весель
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в режиме rernogo vremenyni.

Плате

Дл -вуд -мг -мкринимайм. псевдод.

Rfq (зaproys nanaitatы)

RonkomeNyOtsemy -aproytth
Начиная с того, что я не знаю, что

Вес

1. (Poжaluйsta, ne abudate oprowriotth papku -spama, esli -ne -ne -slышali Ot nas).
2. Сообщите, что -то вроде.

Степ

ДОПОЛНИТЕЛЬНО 40 ДОЛЛОРОВ, НЕКОТОРСКА Naprimer (южnamana apaprika, braзilaipa, Индель
Otsnownoй gruз (dlipetwytata ≤0,5 к.

МЕСТОДОД

В.Е.

Срок.Постаски

Позвольт

FedEx International, 5-7 RABOSHIх DNEй.

Назнайджеский и 1 -го.transport

Спесеикаиии

Парметр
Управый Gneзdo
PakeT / KORPUES 200-sodimm
Колист 200
Опуликовано 2003
Статус Управо
Вернояж 3 (168 чASOW)
Колист 200
МАКСИМАЛЕН 70 ° С
Мин 0 ° С
Подкейгория Дрэм
Тела CMOS
Терминала Дон
Надо 2,5 В.
Терминал 0,6 ММ
Опресагионе 2,5 В.
Колист 8
ТЕМПЕРАТУРА Коммер
МАКСИМАЛНА 2,7 В.
МИНАПРЕЗА 2,3 В.
Raзmerpmayti 512 мБ
Скороп 333mt/s
ТИП ПАМАТИ DDR SDRAM
ТАКТОВА 167 мг
Поступил 3,24 мая
ШIrIna шinыdannnых 64b
Органихая 64mx64
Вес 3-шТат
Шirina pamayti 64
В.С. 0,04а
Плотпеф 4294967296 БИТ
МАКСИМАЛАНА 333 мг
Ruemap 0,7 м
ТИП Обших
Rradiaцyonnoe wyproчneneenee Не
Статус Ройс Rohs3

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.