TC58CYG2S0HRAIG

Память микросхемы 8 мм мм

Производитель: Киоксиа Америка, Инк.
НЕТ: 822-TC58CYG2S0HRAIG
Упаковка: 8-WDFN Открытая площадка
Техническая спецификация:
Запас: 463
Описание: Память микросхемы 8 мм (кг)

Количество:

Доставка:
Оплата:

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос на предложение, мы ответим немедленно.

Имя контактного лица

Деловая электронная почта

Название компании

Страна

Количество

Покупка и запрос

Транспорт

Руководство пользователя

Покупка

Вы можете сделать ссылку на заказ без регистрации в ICGNT.
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в режиме реального времени.

Платежные средства

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, включая PayPal, кредитную карту и банковский перевод.

Запрос цен (запрос котировок)

Пожалуйста, запросите расценки, чтобы получить последние цены и наличие запчастей.
Наш отдел продаж отвечает на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.

ВАЖНОЕ ПРИМЕЧАНИЕ

1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в свой почтовый ящик. (Пожалуйста, не забудьте проверить магнит со спамом, если вы не получили от нас известия).
2. Поскольку запасы и цены могут в некоторой степени меняться, менеджер по продажам повторно подтвердит заказ и сообщит вам, если появятся какие-либо обновления.

Стоимость доставки

Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторых странах цена увеличивается до 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т.д.)
Базовый груз (для упаковки ≤0,5 кг или соответствующего объема) зависит от часового пояса и страны.

Способность доставки

В настоящее время наша продукция доставляется через DHL, FedEx, SF и UPS.

Срок поставки

После отправки товара расчетное время доставки зависит от способа доставки:

FedEx International, 5-7 рабочих дней.

Ниже приводится время логистики некоторых стран. transport

СПЕЦИФИКАЦИИ

Параметры
Режим работы	СИНХРОННЫЙ
Тактовая частота	104 МГц
Формат памяти	ВСПЫШКА
Интерфейс памяти	СПИ
Организация	4GX1
Ширина памяти	1
Плотность памяти	4294967296 бит
Параллельный/последовательный	СЕРИАЛ
Программирование напряжения	1,8 В
Высота сидя (макс.)	0,8 мм
Длина	8 мм
Ширина	6 мм
Статус RoHS	Соответствует RoHS
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	8-WDFN Открытая площадка
Поверхностный монтаж	ДА
Рабочая температура	-40°К~85°К
Упаковка	Поднос
Статус детали	Последняя покупка
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Количество окончаний	8
Технология	ФЛЕШ-NAND (SLC)
Напряжение питания	1,7 В~1,95 В
Положение терминала	ДВОЙНОЙ
Количество функций	1
Терминал Питч	1,27 мм
Код JESD-30	Р-ПДСО-Н8
Напряжение питания-Макс (Vsup)	1,95 В
Минимальное напряжение питания (Vsup)	1,7 В
Размер	4Гб 512М х 8
Тип	Энергонезависимый

Обзор TC58CYG2S0HRAIG

Что касается типа памяти, то энергонезависимая память считается ее типом. Кроме того, память микросхем также доступна в лотке. В случае открытой панели 8-WDFN она встраивается в корпус. В данном устройстве используется чип памяти емкостью 4 ГБ 512 М x 8. В устройстве используется основной формат памяти, который называется флэш-памятью. Это устройство имеет расширенный диапазон рабочих температур от -40°C до 85°C, поэтому оно идеально подходит для широкого спектра применений. Он научился держать напряжение питания 1,7–1,95 В. Что касается способа монтажа, рекомендуется использовать поверхностный монтаж. На чипе подсажено 8 выводов. Деталь поддерживает минимум 1 функцию для обеспечения полноценного рабочего процесса. В памяти происходит вращение тактовой частоты в пределах 104МГц. Для изменения состояния некоторых массивов с энергонезависимой памятью необходимо напряжение программирования 1,8 В.