Rf -pereklючategeli (7404)

Сознание	Проиджодель	Колист	Raзmer (lxwxh)	Статус	ТИП	В припании	Управый	Rraboч -yemperatura	Упако	Вернояж	МАКСИМАЛЕН	Мин	Тела	ЧastoTA	ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER	Весарая (МАКСИМУМА)	Статус Ройс	Опуликовано	Техниль	PakeT / KORPUES	Делина	Вес	Шyrina	Опресагионе	Проспна	СОУДНО ПРИОН	Колист	Верна	МАССА	DOSTIчH SVHC	Колист	Имен	Статус жIзnennogogo цikla	PBFREE CODE	Ипер	КОД ECCN	Доленитейн Ая	Конец	Rradiaцyonnoe wyproчneneenee	МАКСИМАЛАНА	DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN	СОПРОТИВЛЕЙНКА	HTS -KOD	Колист	Изначальный	КОД JESD-609	ТЕРМИНАЛЕН	Пефер	МАКСИМАЛЕВАЯ	Napraheneee - posta	Терминала	Терминаланая	Пико -Аймперратара	Надо	Терминал	Я	Поседл	Телекоммуникации IC THIP	Rf -тип	PoSta	Posta	Колист. Каналов	Строителб	Rf/микроволновги	Взёдский максимум макс (CW)	Хarakternый -mpedans	Wremaping@pikovoйtemperaturu (я)	R.	Подкейгория	Питания	Кваликакахионн Статус	КОД JESD-30	ПАКЕТИВАЕТСЯ	-3db polosы propypuskanya	ЧSTOTATA	Колист	Сэма	Бросит Коунфигура	ТИП	В.	МООНТАНАНА	Otklючitath -map зaderжki	Порная	P1DB	Rraboч-aastota-maks	ЭksplyAtASHYOUNNAMPAYASTOTATA	Веса	Порция (деб)	VSWR	Силака	Накапливаться	Катахка/Типпитания	Весата	ЗapeShatыvanie	Я	Делина	ШIRINATA	Файнкхия	Вернее	ТИП	Токкккьхки (DC) -max	Я.	ТОПОЛОГЯ	Иолая	Ведь господство	Otklючitath wremary-maks	Верна	В.Р.	Iip3	1dbtoчca cжapeyaving
HMC536MS8G	Analog Devices Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА				-40 ° C ~ 85 ° C.	Полески	1 (neograniчennnый)			GaAs	6 Гер			В		/files/analogdevicesinc-105143hmc536ms8g-datasheets-7953.pdf	8-tssop, 8-mspop (0,118, ширина 3,00 мм).						СОДЕРИТС	8	8	139,989945 м		8		Проиджодво (posleDene obnowoneee: 2 nededeli -nanazhad)	не	50 ОМ	Ear99					not_compliant			1		E0	Олово/Свинен (SN/PB)	В дар	867 м							HMC536	8		О том, как				Компонент	Переграклейн	29.03dbm				Rp/микроволнофу	5в							SPDT				Пефер						0,7 ДБ	0,5 дБ														DC ~ 6 -ggц	Ох	32db				0,03 мкс	48dbm
HMC347A-SX	Analog Devices Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА				-55 ° C ~ 85 ° C.	Поднос	1 (neograniчennnый)							Rohs3		/files/analogdevicesinc-hmc347a-datasheets-5711.pdf	Умират							10	12					Проиодшо (posleDene obnowyonee: 4 месяца назад)	не	50 ОМ		Веса							1				В дар											Vsat				Компонент	Переграклейн	17 Дбм										20 Гер		SPDT				Пефер			29 Дбм			2,1 Дб															DC ~ 20 -ggц		40 дБ				0,1 мкс	45dbm	24 Дбм
HMC641ATCPZ-EP-PT	Analog Devices Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА				-55 ° C ~ 125 ° C.	Полески	3 (168 чASOW)							Rohs3		/files/analogdevicesinc-hmc641atcpzeppt-datasheets-0802.pdf	24-VFQFN PAD, CSP								8			24		Проиодшо (posledene obnowoneee: 3 мая.	не	50 ОМ		Веса																			HMC641	24		О том, как				Компонент	Переграклейн	16.99dbm										20 Гер		Sp4t							24 Дбм	20000 мг	100 мг	3 дБ															100 мкг ~ 20 герб	Pogloщaющiй	40 дБ					41dbm
ADRF5160BCPZ	Analog Devices Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА				-40 ° C ~ 105 ° C.	Полески	3 (168 чASOW)							Rohs3		/files/analogdevicesinc-adrf5160000valz-datasheets-1955.pdf	32-vfqfn otkrыtai-aip-ploщadka								8			32		Проиджодво (posleDene obnowoneee: 2 nededeli -nanazhad)	не	50 ОМ		CMOS SOWMESTIMы													4,5 В ~ 5,4 В.							32		О том, как				Компонент	Переграклейн	49,7dbm										4 Гер		SPDT							47 Дбм	4000 мг	700 мг	0,9 ДБ															700 мг ~ 4 -е.	Ох	35db					70dbm
HMC784AMS8GE	Analog Devices Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА				-40 ° C ~ 85 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)							Rohs3		/files/analogdevicesinc-hmc7844s8ge-datasheets-0810.pdf	8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм)						СОДЕРИТС		8			8		Проиджодво (posleDene obnowoneee: 2 nededeli -nanazhad)	не	50 ОМ		CMOS SOWMESTIMы									E3	Олово (sn)			5в						HMC784	8		Wimax / Wibro				Компонент	Переграклейн	39dbm										4 Гер		SPDT							41dbm	4000 мг		1,3 дБ															0 ГГ ~ 4 -е.	Ох	30 дБ					60 Дбм
MASL-011023	Macom Technology Solutions	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА				-55 ° C ~ 85 ° C.	МАССА	1 (neograniчennnый)							Rohs3	2013	/files/macomtechnologysolutions-masl011023001smb-datasheets-9862.pdf	32-lqfn otkrыtai-anploщadka															50 ОМ								8542.39.00.01										Nukahan						О том, как								Nukahan								3,5 -е		SPDT										0,85 ДБ															2,7 Гер	Ох	30 дБ
HMC347B-SX	Analog Devices Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА				-55 ° C ~ 85 ° C.		Neprigodnnый							Rohs3		/files/analogdevicesinc-hmc347b-datasheets-5083.pdf	Умират								12							50 ОМ																								Vsat																20 Гер		SPDT							25 Дбм			1,7 Дб															100 мкг ~ 20 герб	Pogloщaющiй	45 ДБ					41dbm
ADRF5132BCPZN	Analog Devices Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА				-40 ° C ~ 105 ° C TC		3 (168 чASOW)							Rohs3		/files/analogdevicesinc-adrf5132evalz-datasheets-8021.pdf	16-WFQFN PAD, CSP							16	8			16		Проиджодво (posleDene obnowoneee: 2 nededeli -nanazhad)	не	50 ОМ									1				В дар		4,5 В ~ 5,4 В.						ADRF5132	16		О том, как				Компонент	Переграклейн	43 Дбм					5в					5 Гер		SPDT				Пефер				5000 мг	700 мг	0,9 ДБ															700 мг ~ 5 герб	Ох	35db				0,55 мкс	62dbm
R570012000	Radiall USA, Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА				-40 ° C ~ 85 ° C.	МАССА	1 (neograniчennnый)				3 гер			ROHS COMPRINT		/files/radiall-r570012000-datasheets-2618.pdf	Модул				12				10 nedely							50 ОМ	Ear99	В.		Не			48ohm						Не		10,2 В ~ 13 В.									О том, как																		SPDT		Rpkoakcyalananavan -эstApeTA		Панжел						0,25 дБ (MMAKS)	0,25 ДБ	1.3	3000 м	Мгновенный	ТОК	56 ММ		Цikl (и) 2000000 года	101,6 ММ		Sp10t	15 мс	Pripoй/raзъem	0,25а	DC ~ 3GHZ		75 Дб (мин)
R570423000	Radiall USA, Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА				-40 ° C ~ 85 ° C.	МАССА	1 (neograniчennnый)				18 Гер			ROHS COMPRINT	2011 год		Модул, raзъemы sma				28				8							50 ОМ	Ear99	СМА		Не			275om						Не		24 В ~ 30 В.									О том, как																		SPDT		Rpkoakcyalananavan -эstApeTA		Панжел						0,35 дБ (MMAKS)	0,5 дБ	1.5	2856 м	Sawsafe	ТОК	55 ММ		10000000 цiklow (ы)	57,15 мм			10 мс	Pripoй/raзъem	0,102а	DC ~ 18 -й герб		60 Дб (мин)
HMC-C011	Analog Devices Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА				-55 ° C ~ 85 ° C.	МАССА	1 (neograniчennnый)							Rohs3		/files/analogdevicesinc-hmcc011-datasheets-0754.pdf	Модул, raзъemы sma				5в		СОДЕРИТС		13					Проиджодво (posleDene obnowyneee: 1 ноял	не	50 ОМ	Ear99	SMA-F			20 Гер						E4	ЗOlOTO (au) - c nekelewыm (ni) бараж			5в						HMC			О том, как				Коанксиалнь		26.99dbm												SPDT							23 Дбм			4 дБ															DC ~ 20 -ggц	Pogloщaющiй	35db					45dbm
SV133ds	L3 Narda-Miteq	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Xenithth		-54 ° C ~ 95 ° C.		1 (neograniчennnый)							ROHS COMPRINT		/files/l3nardamiteq-sv133ds-datasheets-0832.pdf	Модул, raзъemы sma								15																															О том, как																12 Гер		Sp3t										3,1 ДБ (МАКС)															2 Гер	Ох	50 Дб (мин)
HMC244AG16	Analog Devices Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА				-40 ° C ~ 85 ° C.	Полески	1 (neograniчennnый)				4 Гер		1,65 мм	Rohs3		/files/analogdevicesinc-ev1hmc244ag16-datasheets-4827.pdf	16-LQFP	5,84 мм		5,84 мм			СОДЕРИТС	16	13		НЕТ SVHC	16		Проиджодво (posleDene obnowoneee: 2 nededeli -nanazhad)	не	50 ОМ									1				В дар		5в	Квадран	Крхлоп	Nukahan	3В	0,76 ММ	HMC244	16	ТЕЛЕКОММУНИКАЙОНАНА	Рир								Nukahan										Sp4t							28 Дбм			1,2 дБ															0 ГГ ~ 4 -е.		28 ДБ					45dbm
ADG936BCP-R-REEL7	Rochester Electronics	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА				-40 ° C ~ 85 ° C.	Lenta и катахка (tr)	3 (168 чASOW)			CMOS			1 ММ	В		/files/rochesterelectronicsllc-adg936bcprreel-datasheets-0572.pdf	20-WFQFN PAD, CSP	4 мм		4 мм				20							не	50 ОМ									2		E0	Олейнн	В дар		1,65 В ~ 2,75	Квадран	NeT -lederStva	240	2,5 В.	0,5 мм		20		О том, как	2,75 В.	1,65 В.	1					30					S-XQCC-N20					2 x Spdt							16dbm (typ) p1db																			Ох		36 дБ	13ns	14ns		32dbm (typ)
R570013000	Radiall USA, Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА				-40 ° C ~ 85 ° C.	МАССА	1 (neograniчennnый)				3 гер			ROHS COMPRINT	2008		Модул				28											50 ОМ	Ear99	N -odioniteleh		Не			200om			67 мм х 22,9 мм х 48 мм			Не		24 В ~ 30 В.									О том, как																		SPDT		Rpkoakcyalananavan -эstApeTA		Панжел						0,25 дБ (MMAKS)	0,25 ДБ	1.25	3920 м	Sawsafe	ТОК	48 ММ	Прримнани	Цikl (и) 2000000 года	67 мм	22,9 мм		15 мс	Rrahem ypripoй	0,14а	DC ~ 3GHZ		75 Дб (мин)
ADG936BRUZ-R	Analog Devices Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C.	Трубка	1 (neograniчennnый)			CMOS	4 Гер			Rohs3		/files/analogdevicesinc-valadg936rebz-datasheets-1822.pdf	20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм)	6,6 ММ	1,05 мм	4,5 мм	2,75 В.	4 Гер	СОДЕРИТС	20	8		НЕТ SVHC	20	Парлель	Проиджодво (posleDene obnowyneee: 1 ноял	не	50 ОМ	Ear99		Оло						2		E3			2,75 мк	1,65 В ~ 2,75	Дон	Крхлоп	260	2,5 В.	0,65 мм	ADG936	20		О том, как		1,65 В.	1					30	2,75 мк			Н.Квалиирована			4 Гер	1 гер	2	2 x Spdt	SPDT		11 млн		10 млн		16 Дбм			0,9 ДБ	0,4 дБ														DC ~ 2 герба	Ох	36 дБ	36 дБ	13ns	14ns		32dbm
ADG901BCPZ-REEL7	Rochester Electronics	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА				-40 ° C ~ 85 ° C.	Lenta и катахка (tr)	3 (168 чASOW)							Rohs3		/files/rochesterelectronicsllc-adg904bcp500rl7-datasheets-3506.pdf	8-WFDFN PAD, CSP														в дар	50 ОМ						НЕИ					E3	МАГОВОЙ			1,65 В ~ 2,75									О том, как				Компонент	Переграклейн	17.99dbm										1 гер		Spst							17 Дбм	2500 мг		0,8 ДБ															DC ~ 2,5Gц	Pogloщaющiй	40 дБ					36 Дбм
ADG918BCP-REEL7	Rochester Electronics	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА				-40 ° C ~ 85 ° C.	Lenta и катахка (tr)	3 (168 чASOW)							В		/files/rochesterelectronicsllc-adg919bcp500rl7-datasheets-0463.pdf	8-WFDFN PAD, CSP														не												E0	Олейнн			1,65 В ~ 2,75									О том, как				Компонент	Переграклейн	17.99dbm	50 ОМ											SPDT						1,25 ДБ	17 Дбм	4000 мг																		Pogloщaющiй						36 Дбм
F2911NBGP	Renesas Electronics America	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА				-40 ° C ~ 105 ° C.	Полески	1 (neograniчennnый)									/files/renesaselectronicsamericainc-f2911evbi-datasheets-9271.pdf	8-vfdfn oTkrыTAIN-oploщadca								20							75ohm															2,7 В ~ 5,5 В.									Кох																1,2 -е		Spst										0,3 дБ															1 мг ~ 3,5 ггц							66dbm
CG2179M2	Cel (kalipornipa vonoStoчne llaboratoriтов)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА				-45 ° C ~ 85 ° C.	Полески	1 (neograniчennnый)							Rohs3		/files/cel-cg2179m2-datasheets-2594.pdf	6-SMD								7						в дар	50 ОМ		Веса													1,8 В ~ 5 В.													Компонент	Переграклейн	33,01dbm										3 гер		SPDT								3000 мг	50 мг	0,45 ДБ															50 мг ~ 3 ggц
ADG936BCP-REEL	Rochester Electronics	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА				-40 ° C ~ 85 ° C.	Lenta и катахка (tr)	3 (168 чASOW)			CMOS			1 ММ	В		/files/rochesterelectronicsllc-adg936bcprreel-datasheets-0572.pdf	20-WFQFN PAD, CSP	4 мм		4 мм				20							не	50 ОМ									2		E0	Олейнн	В дар		1,65 В ~ 2,75	Квадран	NeT -lederStva	240	2,5 В.	0,5 мм		20		О том, как	2,75 В.	1,65 В.	1					30					S-XQCC-N20					2 x Spdt							16dbm (typ) p1db																			Pogloщaющiй		36 дБ	13ns	14ns		32dbm (typ)
MA4AGSW5	Macom Technology Solutions	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА				-55 ° C ~ 125 ° C.	МАССА	1 (neograniчennnый)				50 мг	10 май		Rohs3	2010 ГОД	/files/macomtechnologysolutions-ma4agsw5-datasheets-0725.pdf	Умират								8											Не																				О том, как				Компонент		23.01DBM										50 -е		Sp5t										0,3 дБ	1,7 Дб														50 мкг ~ 50 г -л.	Ох	35db
ADG902BCP-500RL7	Rochester Electronics	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА				-40 ° C ~ 85 ° C.	Lenta и катахка (tr)	3 (168 чASOW)							В		/files/rochesterelectronicsllc-adg904bcp500rl7-datasheets-3506.pdf	8-WFDFN PAD, CSP														не	50 ОМ											E0	Олейнн			1,65 В ~ 2,75									О том, как				Компонент	Переграклейн	17.99dbm												Spst						1,25 ДБ	17dbm (typ) p1db	2500 мг																		Ох						36 Дбм (тип)
HMC550A	Analog Devices Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА				-40 ° C ~ 85 ° C.	Полески	1 (neograniчennnый)							В		/files/analogdevicesinc-109266hmc550a-datasheets-7766.pdf	SOT-23-6						СОДЕРИТС		8			6		Проиджодво (posleDene obnowyneee: 3 nedeli -nanazhad)	не	50 ОМ		CMOS SOWMESTIMы													3,3 В.						HMC550	6		Wimax / Wibro				Компонент	Переграклейн	34dbm										6 Гер		Spst							32dbm			0,7 ДБ															0 ГГ ~ 6 ГОГ	Ох	12 дБ					52dbm
HMC241AQS16E	Analog Devices Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА			Пефер	-40 ° C ~ 85 ° C.	МАССА	1 (neograniчennnый)							Rohs3		/files/analogdevicesinc-ev1hmc241aqs16-datasheets-6430.pdf	16-ssop (0,154, Ирина 3,90 мм)						СОДЕРИТС		20			16		Проиджодво (posleDene obnowoneee: 2 nededeli -nanazhad)	не	50 ОМ		CMOS -MESTIMы, ВСЕКА	Оло		3,5 -е						E3				5в						HMC241	16		Кох				Компонент	Переграклейн	28.51DBM										2,5 -е		Sp4t							29 Дбм	3500 мг		0,8 ДБ															0 ГГ ~ 3,5 Гер	Pogloщaющiй	36 дБ					48dbm
HMC641A-SX	Analog Devices Inc.	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА				-40 ° C ~ 85 ° C.	Поднос	1 (neograniчennnый)							Rohs3		/files/analogdevicesinc-hmc641asx-datasheets-0743.pdf	Умират						СОДЕРИТС		12					Pro	не	50 ОМ		Веса																			HMC641			Vsat				Компонент	Переграклейн	16.99dbm										8 Гер		Sp4t										2,1 Дб															0 ГГ ~ 18 ГОГ	Pogloщaющiй	38db					41dbm
MA8334-001	Macom Technology Solutions	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА		Cermachip ™		-65 ° C ~ 125 ° C.	Поднос	1 (neograniчennnый)	125 ° С	-65 ° С		10 мг	50 май		Rohs3	2011 год	/files/macomtechnologysolutions-ma8334001-datasheets-0673.pdf	844-001								10 nedely			3				50 ОМ				Не																				О том, как														844-001		450 мг		SPDT	SPDT									0,35 ДБ	0,35 ДБ														10 мг ~ 1 -е.	Ох	24 Дб (мин)
MA4SW310	Macom Technology Solutions	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Вес	HMIC ™		-65 ° C ~ 125 ° C.	МАССА	1 (neograniчennnый)				50 мг	20 май		Rohs3	2012	/files/macomtechnologysolutions-ma4sw110-datasheets-5883.pdf	Умират								14			4			в дар			Веса		Не																				О том, как				Компонент		30 Дбм										20 Гер		Sp3t											0,9 ДБ														50 мг ~ 20 герб	Ох	42db
ADG901BRM-REEL7	Rochester Electronics	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА				-40 ° C ~ 85 ° C.	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)							В		/files/rochesterelectronicsllc-adg904bcp500rl7-datasheets-3506.pdf	8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм)														не	50 ОМ						НЕИ					E0	Олейнн			1,65 В ~ 2,75									О том, как				Компонент	Переграклейн	17.99dbm										1 гер		Spst							17 Дбм	2500 мг		0,8 ДБ															DC ~ 2,5Gц	Pogloщaющiй	40 дБ					36 Дбм
ADG936BCP	Rochester Electronics	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА				-40 ° C ~ 85 ° C.	Поднос	3 (168 чASOW)			CMOS			1 ММ	В		/files/rochesterelectronicsllc-adg936bcprreel-datasheets-0572.pdf	20-WFQFN PAD, CSP	4 мм		4 мм				20							не	50 ОМ									2		E0	Олейнн	В дар		1,65 В ~ 2,75	Квадран	NeT -lederStva	240	2,5 В.	0,5 мм		20		О том, как	2,75 В.	1,65 В.	1					30					S-XQCC-N20					2 x Spdt							16dbm (typ) p1db																			Pogloщaющiй		36 дБ	13ns	14ns		32dbm (typ)

Rf -pereklючategeli (7404)

Скайп

Что -то

Электронная почта

Тел

В наличии