Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактИС радиочастотных приемопередатчиков(3306)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Чувствительность (дБм) | Тип потребительской микросхемы | Чувствительность | Скорость передачи данных (макс.) | Текущий - Получение | Размер | Количество битов | Ток – передача | Количество вариантов АЦП | Количество входов/выходов | Тип | Основная архитектура | Размер оперативной памяти | Ширина шины данных | Скорость | Размер бита | Имеет АЦП | Каналы DMA | ШИМ-каналы | Каналы ЦАП | Мощность — Выход | Сторожевой таймер | Количество таймеров/счетчиков | Количество программируемых входов/выходов | Ширина встроенной программы ПЗУ | Семейство процессоров | Количество GPIO | Семейство РФ/Стандарт | Последовательные интерфейсы | Модуляция | Протокол | GPIO | ПЗУ (слова) | Количество вариантов UART | ОЗУ (слова) | Совместимость с шиной | Граничное сканирование | Режим снижения энергопотребления | Формат | Интегрированный кэш | Количество внешних прерываний | Количество последовательных входов/выходов | ОЗУ (байты) | Размер оперативной памяти для чипа данных | Количество вариантов DMA |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ЭЗР32ХГ320Ф64Р55Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 142 МГц~1,05 ГГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-ezr32hg320f64r69gc0-datasheets-3597.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | совместимый | 8542.31.00.01 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | S-XQCC-N48 | -116 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 18 мА~108 мА | 25 | 32 | ДА | ДА | ДА | ДА | 10 дБм | 8 | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ГФСК, ГФСК, ГМСК, ООК | 25 | 65536 | 8192 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ330Ф64Р55Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-ezr32wg330f256r68gb0-datasheets-3229.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 8 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -116 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 38 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадио | 38 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ330Ф128Р55Г-Б0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32lg330f256r60gb0-datasheets-1589.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | Неизвестный | 64 | I2C, SPI, UART, USART, USB | да | 1,98 В~3,8 В | 260 | НЕ УКАЗАН | -116 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 41 | 32 КБ | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадио | 38 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32FG1V132F128GM32-C0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 16,5 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, ГФСК, ГМСК, ОКПСК | Флекс Геккон | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32FG1P132F64GM32-C0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1,85 В~3,8 В | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 19,5 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, ГФСК, ГМСК, ОКПСК | Флекс Геккон | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ230Ф64Р60Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | /files/siliconlabs-ezr32lg230f64r63gb0-datasheets-3172.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 8 недель | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3В | 0,5 мм | -129 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~22 мА | 41 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 41 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЦАМР21Е17А-МУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | СМАРТ™ ЗРК Р21 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microchiptechnology-atsamr21g18amu-datasheets-1609.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 32 | 12 недель | Нет СВХК | 32 | I2C, SPI, UART, USART, USB | да | Олово | е3 | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 0,5 мм | АЦАМР21Е | -99 дБм | 250 кбит/с | 11,3 мА~11,8 мА | 128 КБ флэш-памяти 16 КБ | 7,2 мА~13,8 мА | 16 | ВСПЫШКА | РУКА | 16 КБ | 32б | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 4 дБм | Да | 3 | 8 | КОРТЕКС-М0 | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, UART, USART, USB | О-QPSK | ДА | ФИКСИРОВАННАЯ ТОЧКА | ДА | 14 | 4 | 8 | 12 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| STM32WB55RCV7 | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | 3 (168 часов) | 2402 ГГц~2,48 ГГц | Соответствует RoHS | /files/stmicroelectronics-stm32wb55ccu6-datasheets-8299.pdf | 68-VFQFN Открытая колодка | 8 мм | 8 мм | 68 | 10 недель | совместимый | ДА | 1,71 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | НЕ УКАЗАН | 3В | 0,4 мм | НЕ УКАЗАН | -100 дБм | 2 Мбит/с | 4,5 мА~7,9 мА | 1 МБ флэш-памяти, 256 КБ SRAM | 5,2 мА~12,7 мА | 49 | 64 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 6 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, SPI, UART, USART, USB | ГФСК | Bluetooth v5.0, резьба, Zigbee® | 49 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1061-A-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1060agm-datasheets-9323.pdf | 36-WFQFN Открытая колодка | 8 недель | 36 | I2C, SPI, УАРТ | 1,8 В~3,6 В | -126 дБм | 1 Мбит/с | 10,7 мА~13,7 мА | 32 КБ флэш-памяти 4 КБ ОЗУ | 70 мА~85 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 4 КБ | 8б | 20 дБм | Да | 4 | 11 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ООК | 15 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY8C4128FNI-BL553T | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ПСОК® 4 | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,4 ГГц | 0,55 мм | Соответствует ROHS3 | /files/cypresssemiconductorcorp-cy8c4127lqibl473-datasheets-0797.pdf | 4,04 мм | 3,87 мм | 76 | 22 недели | ДА | 1,8 В~5,5 В | НИЖНИЙ | МЯЧ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,4 мм | НЕ УКАЗАН | Р-ПБГА-Б76 | -92 дБм | 8 Мбит/с | 16,4 мА~18,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 8 КБ ПЗУ 32 КБ SRAM | 16,5 мА~20 мА | 36 | 3 дБ | Bluetooth, общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | ГФСК | Bluetooth v4.2 | 36 | 32000 | И2С; СПИ; УАРТ | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32FG1P131F64GM32-C0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 169–915 МГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg1p131f256gm32c0-datasheets-0595.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 5 мм | 32 | 8 недель | да | совместимый | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N32 | -94 дБм | 1 Мбит/с | 8,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,2 мА | 20 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART, USART | 2ФСК, 4ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | Флекс Геккон | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG13P733F512GM48-ДР | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | EFR32™ Синий геккон | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 169–170 МГц 195–358 МГц 426–445 МГц 470–510 МГц 863–876 МГц 902–930 МГц 2,4–2,4835 ГГц | /files/siliconlabs-efr32bg13p532f512gm48c-datasheets-9516.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | 1,8 В~3,8 В | -103,3 дБм | 2 Мбит/с | 8,4 мА~14 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА~134,3 мА | 20 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, ИК-порт, UART, USART | 2-ФСК, 4-ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК, О-QPSK | Bluetooth версия 5.0 | 28 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC2530F64RHAT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 2,4 ГГц | Соответствует ROHS3 | 40-VFQFN Открытая колодка | 6 мм | 1 мм | 6 мм | Без свинца | 40 | 6 недель | 80,002354мг | Нет СВХК | 40 | 2-проводной, SPI, UART, USART | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 900 мкм | Золото | Нет | 1 | е4 | 2В~3,6В | КВАД | 260 | 3В | 0,5 мм | СС2530 | 40 | -97 дБм | 250 кбит/с | 20,5 мА~24,3 мА | 64 КБ флэш-памяти 8 КБ ОЗУ | 28,7 мА~33,5 мА | 8 | 21 | ВСПЫШКА | 8051 | 8 КБ | 8б | 4,5 дБм | Да | 4 | 802.15.4 | СПИ, ЮСАРТ | Зигби® | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4421-A1-FT1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТСАМР21Е16А-МФТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | СМАРТ™ ЗРК Р21 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/microchiptechnology-atsamr21g18amu-datasheets-1608.pdf | 32-VFQFN Открытая колодка | 5 мм | 32 | 12 недель | I2C, SPI, UART, USART, USB | да | Олово | е3 | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 0,5 мм | АЦАМР21Е | -99 дБм | 250 кбит/с | 11,3 мА~11,8 мА | 64 КБ флэш-памяти 8 КБ | 7,2 мА~13,8 мА | 16 | ВСПЫШКА | РУКА | 8 КБ | 32б | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 4 дБм | Да | 3 | 16 | 8 | КОРТЕКС-М0 | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, UART, USART, USB | О-QPSK | 8000 | ДА | ФИКСИРОВАННАЯ ТОЧКА | ДА | 14 | 4 | 8 | 12 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4421-A1-FTR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Только TxRx | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 315 МГц 434 МГц 868 МГц 915 МГц | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/siliconlabs-si4421a1ft-datasheets-9525.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3,8 В | 8 недель | 16 | Серебро, Олово | 2,2 В~3,8 В | -110 дБм | 256 кбит/с | 11 мА~13 мА | 15 мА~24 мА | 7 дБм | Общий ИСМ< 1 ГГц | СПИ | ФСК | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ВГ330Ф64Р55Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32РГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-ezr32wg330f256r68gb0-datasheets-3229.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | I2C, SPI, UART, USART, USB | 1,98 В~3,8 В | -116 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадио | 38 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32МГ1В132Ф256ГМ48-К0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32mg1p232f256gm32c0-datasheets-1746.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -99 дБм | 250 кбит/с | 8,7 мА | 256 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 8 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART | Зигби® | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32MG12P232F1024GM48-BR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Могучий геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32mg12p432f1024gl125b-datasheets-1951.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | да | совместимый | 1,8 В~3,8 В | -102 дБм | 2 Мбит/с | 8 мА~10,8 мА | 1024 КБ флэш-памяти 128 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 19 дБм | 802.15.4, Блютуз | I2C, I2S, SPI, UART | 2-ФСК, 4-ФСК, ДССС, ГМСК, О-КФСК | Bluetooth v4.0, резьба, Zigbee® | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC1110F16RHHT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 300–348 МГц 391–464 МГц 782–928 МГц | Соответствует ROHS3 | 36-VFQFN Открытая колодка | 6 мм | 1 мм | 6 мм | Содержит свинец | 36 | 8 недель | 105,687022мг | 36 | И2С, УАРТ, USB | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 900 мкм | Золото | Нет | е4 | 2В~3,6В | КВАД | 260 | 3В | СС1110 | -110 дБм | -112 дБм | 500 кбод | 16,2 мА~21,5 мА | 16 КБ флэш-памяти 2 КБ | 12 | 18 мА~36,2 мА | 21 | ВСПЫШКА | 8051 | 2 КБ | 27 МГц | 8 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 10 дБм | 5 | Общий ИСМ< 1 ГГц | И2С, УСАРТ | 2ФСК, АСК, ГФСК, МСК, ООК | 1 | 2048 | НЕТ | ДА | ФИКСИРОВАННАЯ ТОЧКА | ДА | 18 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ330Ф128Р55Г-С0 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-ezr32lg330f256r60gb0-datasheets-1589.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 9 мм | 64 | 8 недель | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,98 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3В | 0,5 мм | НЕ УКАЗАН | -116 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 38 | 48 МГц | 32 | ДА | ДА | ДА | 13 дБм | 802.15.4 | I2C, SPI, UART, USART, USB | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадио | 38 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЗР32ЛГ230Ф64Р60Г-Б0Р | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | ЭЗР32ЛГ | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 85°С | -40°С | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2003 г. | /files/siliconlabs-ezr32lg230f64r63gb0-datasheets-3172.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | I2C, SPI, УАРТ, УСАРТ | 1,98 В~3,8 В | 64-КФН (9х9) | -129 дБм | -129 дБм | 1 Мбит/с | 11,1 мА~13,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 32 КБ ОЗУ | 18 мА~88 мА | 13 дБм | 41 | 802.15.4 | I2C, SPI, УАРТ, УСАРТ | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ГМСК, МСК, ООК | ЭЗРадиоПро | 41 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32FG1V132F128GM48-C0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | 0,9 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2016 год | /files/siliconlabs-efr32fg1p132f256gm48c0-datasheets-9732.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | да | 8542.39.00.01 | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -99 дБм | 2 Мбит/с | 8,7 мА | 128 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,2 мА~126,7 мА | 16,5 дБм | I2C, I2S, SPI, UART | 2ФСК, 4ФСК, ГФСК, ГМСК, ОКПСК | Флекс Геккон | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32FG1V131F64GM48-C0R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Флекс Геккон | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 169–915 МГц | 0,9 мм | Соответствует RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg1p131f256gm32c0-datasheets-0595.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 7 мм | 48 | 8 недель | да | совместимый | 1 | ДА | 1,85 В~3,8 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 3,3 В | 0,5 мм | S-XQCC-N48 | -94 дБм | 1 Мбит/с | 8,7 мА | 64 КБ флэш-памяти 16 КБ ОЗУ | 8,2 мА | 16,5 дБм | 802.15.4 | I2C, I2S, SPI, UART | 2FSK, 4FSK, ASK, BPSK, DBPSK, DSSS, GFSK, GMSK, MSK, OOK, O-QPSK | Флекс Геккон | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EFR32BG12P132F1024GM48-CR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Синий геккон | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 2,4 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | /files/siliconlabs-efr32bg12p432f1024gm48c-datasheets-0020.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 8 недель | -95 дБм | 1 МБ флэш-памяти, 128 КБ ОЗУ | 0 дБм | Bluetooth | I2C, I2S, SPI, UART | Bluetooth версия 5.0 | 31 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI4421-A0-FT1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CC430F6127IRGCT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 300–348 МГц 389–464 МГц 779–928 МГц | Соответствует ROHS3 | /files/texasinstruments-cc430f6127irgcr-datasheets-9111.pdf | 64-VFQFN Открытая колодка | 9 мм | 1 мм | 9 мм | Без свинца | 64 | 6 недель | 64 | I2C, SPI, УАРТ | 256 КБ | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 880 мкм | Нет | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 2В~3,6В | КВАД | 260 | 2,2 В | 0,5 мм | CC430F6127 | 64 | -117 дБм | 500 кбод | 15 мА~18,5 мА | 32 КБ флэш-памяти 4 КБ | 15 мА~36 мА | РИСЦ | 4 КБ | 16б | 13 дБм | Да | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, ИК-порт, JTAG, SPI, UART | 2ФСК, 2ГФСК, АСК, МСК, ООК | 44 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭФР32ФГ13П233Ф512ГМ48-БР | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 169 МГц 315 МГц 433 МГц 490 МГц 868 МГц 915 МГц 2,4 ГГц | Не соответствует требованиям RoHS | /files/siliconlabs-efr32fg13p231f512gm48c-datasheets-9761.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 6 недель | 1,8 В~3,8 В | ПОТРЕБИТЕЛЬСКАЯ ЦЕПЬ | -102 дБм | 2 Мбит/с | 8,4 мА~11 мА | 512 КБ флэш-памяти 64 КБ ОЗУ | 8,5 мА~134,3 | 20 дБм | 802.15.4, общий ISM< 1 ГГц | I2C, УАРТ, УАРТ | 2-ФСК, 4-ФСК, АСК, БПСК, ДБПСК, ДССС, ГФСК, ГМСК, ООК, О-QPSK | 28 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АЦАМР21Г16А-МУ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | СМАРТ™ ЗРК Р21 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Поднос | 3 (168 часов) | КМОП | 2,4 ГГц | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/microchiptechnology-atsamr21g18amu-datasheets-1609.pdf | 48-VFQFN Открытая колодка | 7 мм | 48 | 12 недель | Нет СВХК | 48 | I2C, SPI, UART, USART, USB | да | Олово | е3 | 1,8 В~3,6 В | КВАД | НЕТ ЛИДЕСА | 0,5 мм | АЦАМР21Г | -99 дБм | 250 кбит/с | 11,3 мА~11,8 мА | 64 КБ флэш-памяти 8 КБ | 7,2 мА~13,8 мА | 28 | ВСПЫШКА | РУКА | 8 КБ | 32б | 32 | ДА | ДА | ДА | НЕТ | 4 дБм | Да | 3 | 8 | КОРТЕКС-М0 | Общий ISM > 1 ГГц | I2C, SPI, UART, USART, USB | О-QPSK | 8000 | ДА | ФИКСИРОВАННАЯ ТОЧКА | ДА | 15 | 5 | 8 | 12 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI1081-A-GMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Передача + MCU | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | 142 МГц~1,05 ГГц | Соответствует RoHS | 2000 г. | /files/siliconlabs-si1060agm-datasheets-9323.pdf | 36-WFQFN Открытая колодка | 8 недель | 36 | I2C, SPI, УАРТ | 1,8 В~3,6 В | -126 дБм | 1 Мбит/с | 10,7 мА~13,7 мА | 8 КБ флэш-памяти 768 байт ОЗУ | 70 мА~85 мА | ВСПЫШКА | 8051 | 768Б | 8б | 20 дБм | Да | 4 | 11 | Общий ИСМ< 1 ГГц | I2C, SPI, УАРТ | 4ФСК, 4ГФСК, ФСК, ГФСК, ООК | 15 |
