Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактДатжикивнаносовая (400)
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | В припании | Управый | МОНТАНАНГИП | Rraboч -yemperatura | Упако | Вернояж | Тела | ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | Метод | Делина | Вес | Шyrina | Опресагионе | Колист | Верна - | DOSTIчH SVHC | Колист | Имен | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | МАКСИМАЛНА | МИНАПРЕЗНАЯ | DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN | Н. | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Пефер | Napraheneee - posta | Аналогово | ТОГАНА | Вернее | Подкейгория | Питания | Резер | Колист | Втипа | Весата | Делина | ШIRINATA | ТИП | ДАТИСИКИ/ПРЕОБЕРА | Wshod | ТИП ДАТГИКА | Диапа |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI7020-A10-GM1R | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Digi-Reel® | 2 (1 годы) | CMOS | ROHS COMPRINT | 1997 | /files/siliconlabs-si7020a10gm1r-datasheets-0339.pdf | 6-wdfn otkrыtaiNaiN-o | 3,6 В. | 6 | 7 | I2c, Серриал | E4 | Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) | 1,9 В ~ 3,6 В. | ± 3% RH | 18 с | Drugiee -DaTSHIKI/PREOOBRASHOWETERI | 2/3,3 В. | 14 | I2c | 1,21 мм | 3 ММ | 3 ММ | Припанана | DATSHIKTMPERATURы, PEREKLючOLELA/цiprowoй vыхod, ceriйnый | 12B | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | |||||||||||||||||||
| HIH9131-000-001 | Rernevian honeywell sensing и продуктивные растворы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Humidicon ™, HIH-9000 | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 125 ° C. | Веса | 1 (neograniчennnый) | 750 мка | ROHS COMPRINT | 2013 | 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | EmcoStnый | 4,9 мм | 1 905 ММ | 3,9 мм | 3,3 В. | 7 | НЕТ SVHC | 8 | Spi, sererial | Не | 5,5 В. | 2,3 В. | 650 мка | 2,3 В ~ 5,5 В. | Аналеоз | ± 1,7% RH | 8 с | 1,75 б | SPI | 14b | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | ||||||||||||||||||
| SI7015-A10-GM1R | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Веса | 2 (1 годы) | 1998 | /files/siliconlabs-si7015a10fm1r-datasheets-0315.pdf | 24-VFQFN OTKRыTAIN ANPLOZADCA | 7 | В дар | 1,9 В ~ 3,6 В. | ± 4,5% RH | 18 с | 14 | I2c | 0,9 мм | 4 мм | 4 мм | Припанана | DATSHIKTMPERATURы, PEREKLючOLELA/цiprowoй vыхod, ceriйnый | 12B | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | ||||||||||||||||||||||||||||
| SI7015-A10-FMR | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | 0 ° C ~ 70 ° C. | Веса | 2 (1 годы) | 1998 | /files/siliconlabs-si7015a10fm1r-datasheets-0315.pdf | 24-VFQFN OTKRыTAIN ANPLOZADCA | 7 | НЕИ | В дар | 1,9 В ~ 3,6 В. | ± 4,5% RH | 18 с | 14 | I2c | 0,9 мм | 4 мм | 4 мм | Припанана | DATSHIKTMPERATURы, PEREKLючOLELA/цiprowoй vыхod, ceriйnый | 12B | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | |||||||||||||||||||||||||||
| SI7013-A10-GM1 | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Полески | 2 (1 годы) | ROHS COMPRINT | 1997 | /files/siliconlabs-si7013a10gm1r-datasheets-0256.pdf | 6-wdfn otkrыtaiNaiN-o | НЕИ | 10 | 3,6 В. | 1,9 | В дар | 1,9 В ~ 3,6 В. | ± 2% RH | 18 с | 1,75 б | 14 | I2c | 1,21 мм | 3 ММ | 3 ММ | Припанана | DATSHIKTMPERATURы, PEREKLючOLELA/цiprowoй vыхod, ceriйnый | 12B | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | |||||||||||||||||||||||
| SI7021-A10-IM1 | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -40 ° C ~ 125 ° C. | Полески | 2 (1 годы) | ROHS COMPRINT | 1997 | /files/siliconlabs-si7021a10gm1r-datasheets-0323.pdf | 6-wdfn otkrыtaiNaiN-o | НЕИ | 6 | В дар | 1,9 В ~ 3,6 В. | ± 2% RH | 18 с | 14 | I2c | 0,75 мм | 3 ММ | 3 ММ | Припанана | DATSHIKTMPERATURы, PEREKLючOLELA/цiprowoй vыхod, ceriйnый | 12B | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | ||||||||||||||||||||||||||
| SI7013-A10-IM1 | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -40 ° C ~ 125 ° C. | Полески | 2 (1 годы) | ROHS COMPRINT | 1997 | /files/siliconlabs-si7013a10gm1r-datasheets-0256.pdf | 6-wdfn otkrыtaiNaiN-o | НЕИ | 10 | В дар | 1,9 В ~ 3,6 В. | ± 2% RH | 18 с | 14 | I2c | 1,21 мм | 3 ММ | 3 ММ | Припанана | DATSHIKTMPERATURы, PEREKLючOLELA/цiprowoй vыхod, ceriйnый | 12B | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | ||||||||||||||||||||||||||
| SI7013-A10-IM | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -40 ° C ~ 125 ° C. | Трубка | 2 (1 годы) | ROHS COMPRINT | 1997 | /files/siliconlabs-si7013a10gm1r-datasheets-0256.pdf | 6-wdfn otkrыtaiNaiN-o | 7 | НЕИ | 10 | В дар | 1,9 В ~ 3,6 В. | ± 2% RH | 18 с | 14 | I2c | 0,75 мм | 3 ММ | 3 ММ | Припанана | DATSHIKTMPERATURы, PEREKLючOLELA/цiprowoй vыхod, ceriйnый | 12B | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | |||||||||||||||||||||||||
| SI7015-A10-GM1 | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | -40 ° C ~ 85 ° C. | Полески | 2 (1 годы) | ROHS COMPRINT | 1998 | /files/siliconlabs-si7015a10fm1r-datasheets-0315.pdf | 24-VFQFN OTKRыTAIN ANPLOZADCA | 7 | 3,6 В. | 1,9 | В дар | 1,9 В ~ 3,6 В. | ± 4,5% RH | 18 с | 1,75 б | 14 | I2c | 0,9 мм | 4 мм | 4 мм | Припанана | DATSHIKTMPERATURы, PEREKLючOLELA/цiprowoй vыхod, ceriйnый | 12B | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH | ||||||||||||||||||||||||
| HIH9130-000-001S | Rernevian honeywell sensing и продуктивные растворы | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Humidicon ™, HIH-9000 | Пефер | Пефер | -40 ° C ~ 125 ° C. | Полески | 1 (neograniчennnый) | 750 мка | ROHS COMPRINT | 2013 | /files/honeywellsensingandproductivitysolutions-hih9121021001-datasheets-0480.pdf | 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) | 4,9 мм | 1 905 ММ | 3,9 мм | 7 | 8 | 5,5 В. | 2,3 В. | 650 мка | 2,3 В ~ 5,5 В. | Аналеоз | ± 1,7% RH | 8 с | 1,75 б | SPI | 14b | Влайна, темперратара | 0 ~ 100% RH |
