Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактДатчики изображения(1677)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Установить | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Источники питания | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Особенности монтажа | Высота тела | Длина или диаметр тела | Ширина тела | Жилье | Выходной диапазон | Размер пикселя | Динамический диапазон | Горизонтальное количество пикселей | Кадров в секунду | Активный массив пикселей | Оптический формат | Мастер-часы | Чувствительность (В/лк.с) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| КАИ-01050-АБА-ФД-БА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Поверхностный монтаж | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai01050abajdba-datasheets-0318.pdf | 64-BCQFN | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 64 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 15 В | 2,94 мм | 18,29 мм | 18,29 мм | КЕРАМИКА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 120 | 1024Г х 1024В | 1/2 дюйма | ||||||||||||||||
| КАИ-0340-AAA-CF-AA-ОДИНОЧНЫЙ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rochesterelectronicsllc-kai0340abbcpaadual-datasheets-5137.pdf | Модуль 22-CDIP | 15,25 В | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 30 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР. | Нет | 14,75 В~15,25 В | 5,15 мм | 15,87 мм | 12,45 мм | КЕРАМИКА | 7,4 мкмx7,4 мкм | 69 дБ | 640 | 110 | 640Г х 480В | 1/3 дюйма | |||||||||||||||
| KAI-02050-ABA-JP-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/onsemiconductor-kai02050abafdae-datasheets-3084.pdf | 67-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 67 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 15 В | 33,02 мм | 20,07 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 68 | 1600 В х 1200 В | 2/3 дюйма | ||||||||||||||||
| КАИ-0340-CBA-CB-AA-DUAL | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/rochesterelectronicsllc-kai0340abbcpaadual-datasheets-5137.pdf | Модуль 22-CDIP | 15,25 В | Без свинца | да | Нет | 14,75 В~15,25 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 210 | 640Г х 480В | |||||||||||||||||||||||||
| КАИ-01150-QBA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/onsemiconductor-kai01150qbajdba-datasheets-0643.pdf | 67-БКПГА | Без свинца | 9 недель | 67 | АКТИВНО (Последнее обновление: 3 месяца назад) | да | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 138 | 1280 Г х 720 В | |||||||||||||||||||||||||
| КАИ-0340-CBA-CB-AA-ОДИНОЧНЫЙ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2004 г. | /files/rochesterelectronicsllc-kai0340abbcpaadual-datasheets-5137.pdf | Модуль 22-CDIP | 15,25 В | Без свинца | да | Нет | 14,75 В~15,25 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 110 | 640Г х 480В | |||||||||||||||||||||||||
| КАИ-04070-PBA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai04070pbajdba-datasheets-0648.pdf | 67-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 67 | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 8 | 2048Г х 2048В | ||||||||||||||||||||||||
| КАИ-0330-АБА-CB-AA-ОДИНОЧНЫЙ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | 40°С, ТиДжей | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai0330abacbaasingle-datasheets-0564.pdf | Модуль 20-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | Нет | 12 В~15,5 В | 9 мкмx9 мкм | 120 | 648Г х 484В | |||||||||||||||||||||||
| KAI-04070-ABA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/onsemiconductor-kai04070pbajdba-datasheets-0648.pdf | 67-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 67 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 15 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 8 | 2048Г х 2048В | 4/3 дюйма | ||||||||||||||||||||
| КАИ-04022-АБА-CR-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai04022fbacrae-datasheets-3119.pdf | Модуль 34-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 33 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 4,95 мм | 35,56 мм | 25,4 мм | КЕРАМИКА | 7,4 мкмx7,4 мкм | 72 дБ | 16 | 2048Г х 2048В | |||||||||||||||||
| КАИ-04022-АБА-CD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai04022fbacrae-datasheets-3119.pdf | Модуль 34-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 33 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 4,95 мм | 35,56 мм | 25,4 мм | КЕРАМИКА | 7,4 мкмx7,4 мкм | 72 дБ | 16 | 2048Г х 2048В | |||||||||||||||||
| КАИ-0373-АБА-CB-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -25°С~55°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai0373abacbba-datasheets-0581.pdf | Модуль 24-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 9 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 4,32 мм | 20,19 мм | КЕРАМИКА | 11,6 мкмx13,6 мкм | 60 дБ | 768 | 30 | 768 х 484 В | 2/3 дюйма | ||||||||||||||||
| КАИ-0340-AAA-CP-AA-DUAL | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rochesterelectronicsllc-kai0340abbcpaadual-datasheets-5137.pdf | Модуль 22-CDIP | 15,25 В | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 30 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР. | Нет | 14,75 В~15,25 В | 5,15 мм | 15,87 мм | 12,45 мм | КЕРАМИКА | 7,4 мкмx7,4 мкм | 69 дБ | 640 | 210 | 640Г х 480В | 1/3 дюйма | |||||||||||||||
| КАИ-0340-ABB-CP-AA-DUAL | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rochesterelectronicsllc-kai0340abbcpaadual-datasheets-5137.pdf | Модуль 22-CDIP | 15,25 В | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 30 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР. | Нет | 14,75 В~15,25 В | 5,15 мм | 15,87 мм | 12,45 мм | КЕРАМИКА | 7,4 мкмx7,4 мкм | 69 дБ | 640 | 210 | 640Г х 480В | 1/3 дюйма | |||||||||||||||
| КАИ-04022-ААА-CR-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai04022fbacrae-datasheets-3119.pdf | Модуль 34-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 33 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 4,95 мм | 35,56 мм | 25,4 мм | КЕРАМИКА | 7,4 мкмx7,4 мкм | 72 дБ | 16 | 2048Г х 2048В | |||||||||||||||||
| KAI-02170-ABA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai02170cbajdba-datasheets-0414.pdf | 67-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 67 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 8,7 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН НИЗКОЙ И 33 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН ВЫСОКОЙ; ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР; ДИНАМИЧЕСКИЙ ДИАПАЗОН, РАСШИРЕННЫЙ ЛИНЕЙНЫЙ 82,5 | Нет | 14,5 В~15,5 В | 15 В | 33,02 мм | 20,07 мм | 7,4 мкмx7,4 мкм | 70,2 дБ | 60 | 1920 Г х 1080 В | 1 дюйм | ||||||||||||||||
| КАИ-02170-PBA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai02170cbajdba-datasheets-0414.pdf | 67-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 67 | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 60 | 1920 Г х 1080 В | ||||||||||||||||||||||||
| КАИ-04022-CBA-CR-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai04022fbacrae-datasheets-3119.pdf | Модуль 34-CDIP | 15,5 В | Без свинца | да | Нет | 14,5 В~15,5 В | 7,4 мкмx7,4 мкм | 16 | 2048Г х 2048В | |||||||||||||||||||||||||
| КАИ-01150-ФБА-ФД-БА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/onsemiconductor-kai01150abafdae-datasheets-3095.pdf | 64-BCQFN | Без свинца | 9 недель | 64 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН; ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР | ДА | 14,5 В~15,5 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 2,94 мм | 18,29 мм | 18,29 мм | КЕРАМИКА | 5,5 мкмx5,5 мкм | 138 | 1280 Г х 720 В | 1/2 дюйма | |||||||||||||||||
| КАФ-0402-АБА-CP-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kaf0402aaacbae-datasheets-3108.pdf | Модуль 24-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 10 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 10 Мбит/с | КЕРАМИКА | 9 мкмx9 мкм | 76 дБ | 768 | 768 х 512 В | ||||||||||||||||||||
| CYIL1SM0300AA-QDC | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°С~70°С ТА | Поднос | 1 (без блокировки) | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | /files/onsemiconductor-cyil1sm0300aaqwc-datasheets-0014.pdf | 48-LCC | Без свинца | ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР | ДА | 2,5 В~3,3 В | 80 Мбит/с | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,55 мм | 14,22 мм | 14,22 мм | КЕРАМИКА | 9,9 мкмx9,9 мкм | 61 дБ | 640 | 250 | 640Г х 480В | 1/2 дюйма | 80 МГц | 17 В/лк.с | ||||||||||||||||
| КАИ-02050-FBA-JB-B2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/onsemiconductor-kai02050abafdae-datasheets-3084.pdf | 67-БКПГА | Без свинца | 9 недель | 67 | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН; ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР | НЕТ | 14,5 В~15,5 В | КРЕПЛЕНИЕ СКВОЗНОГО ОТВЕРСТИЯ | 33,02 мм | 20,07 мм | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 68 | 1600 В х 1200 В | 2/3 дюйма | ||||||||||||||||||
| КАФ-8300-AXC-CD-AA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -10°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/onsemiconductor-kaf8300axccbaa-datasheets-0343.pdf | Модуль 32-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 23 МИКРОВ/ЭЛЕКТРОН. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 28 Мбит/с | 4,42 мм | 29,21 мм | 20,32 мм | КЕРАМИКА | 5,4 мкмx5,4 мкм | 64,4 дБ | 3326 х 2504 В | |||||||||||||||||
| KAI-04050-ABA-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai04050fbajbx2t-datasheets-3112.pdf | 67-БКПГА | 33,02 мм | 3,35 мм | 20,07 мм | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 67 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | ВЫХОДНАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 15 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 32 | 2336 х 1752 В | 1 дюйм | |||||||||||||||
| КАИ-0340-ABB-CB-AA-DUAL | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/rochesterelectronicsllc-kai0340abbcpaadual-datasheets-5137.pdf | Модуль 22-CDIP | 15,25 В | Без свинца | 9 недель | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 30 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН, ЭЛЕКТРОННЫЙ ЗАТВОР. | Нет | 14,75 В~15,25 В | 5,15 мм | 15,87 мм | 12,45 мм | КЕРАМИКА | 7,4 мкмx7,4 мкм | 69 дБ | 640 | 210 | 640Г х 480В | 1/3 дюйма | |||||||||||||||
| КАИ-0373-АБА-ЦП-БА | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -25°С~55°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2014 год | /files/onsemiconductor-kai0373abacbba-datasheets-0581.pdf | Модуль 24-CDIP | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 9 УФ/ЭЛЕКТРОН | Нет | 14,5 В~15,5 В | 14 Мбит/с | 4,32 мм | 20,32 мм | 500мВ | 11,6 мкмx13,6 мкм | 60 дБ | 768 | 30 | 768 х 484 В | ||||||||||||||||
| КАИ-02150-AAA-JP-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/onsemiconductor-kai02150qbafdae-datasheets-3175.pdf | 67-БКПГА | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 67 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | ВЫХОДНАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 15 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 1920 год | 64 | 1200 Г х 1080 В | 2/3 дюйма | ||||||||||||||||||
| КАИ-02150-QBA-FD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | 2011 год | /files/onsemiconductor-kai02150qbafdae-datasheets-3175.pdf | 64-BCQFN | Без свинца | 9 недель | ПОСЛЕДНИЕ ОТПРАВКИ (Последнее обновление: 2 недели назад) | да | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 | 1200 Г х 1080 В | ||||||||||||||||||||||||||
| КАИ-02050-АБА-JD-BA | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | Сквозное отверстие | -50°С~70°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2011 год | /files/onsemiconductor-kai02050abajdba-datasheets-0466.pdf | 67-БКПГА | 33,02 мм | 3,34 мм | 20,07 мм | 15,5 В | Без свинца | 9 недель | 67 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 3 дня назад) | да | ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ОН ИМЕЕТ 34 МИКРОВОЛЬТ НА ЭЛЕКТРОН. | Нет | 14,5 В~15,5 В | 5,5 мкмx5,5 мкм | 64 дБ | 68 | 1600 В х 1200 В | 2/3 дюйма | ||||||||||||||||
| КАИ-04022-CBA-CD-BA | Рочестер Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ПЗС-ра | -50°С~70°С ТА | Масса | 6 (Время на этикетке) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-kai04022fbacrae-datasheets-3119.pdf | Модуль 34-CDIP | 14,5 В~15,5 В | 34-CDIP | 7,4 мкмx7,4 мкм | 16 | 2048Г х 2048В |
