Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактДатчики изображения(1677)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Скорость передачи данных | Тип выхода | Особенности монтажа | Высота тела | Длина или диаметр тела | Ширина тела | Тип завершения | Жилье | Тип датчиков/преобразователей | Тип выходного интерфейса | Рабочий ток-Макс. | Выходной диапазон | Размер пикселя | Динамический диапазон | Горизонтальное количество пикселей | Вертикальный пиксель | Кадров в секунду | Активный массив пикселей | Оптический формат | Мастер-часы | Частота кадров | Тип массива |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT9T031C12STC-DP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 14 недель | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ РАБОТАЮТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 3–3,60 В. | ДА | 3,6 В | 3В | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 2,25 мм | 14,22 мм | 14,22 мм | ПРИПАЙКА | КЕРАМИКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 27,8 мА | 0,30-3,30 В | 3,20x3,20 мкм | 61 дБ | 2048 | 1536 | 1/2 дюйма | 48 МГц | 12 кадров в секунду | РАМКА | |||||||||||||||||||||||||||
| MT9V127IA3XTC-DR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°К~105°К | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v127ia3xtcdr1-datasheets-5804.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,8 В 2,8 В | 5,6 мкмx5,6 мкм | 60 | 680 х 512 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0138AT3R00XUEA0-DRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ar0138at3r00xuea0drbr-datasheets-5777.pdf | 109-ЛФБГА | 20 недель | да | 4,2 мкмx4,2 мкм | 1288 х 968 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0134CSSC00SPCA0-DRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 4 (72 часа) | 70°С | -30°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ar0134cssc00suea0drbr-datasheets-5641.pdf | Без свинца | 18 недель | 48 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ РАБОТАЮТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,5-3,1В. | Золото | 1,95 В | 1,7 В | ЦИФРОВОЙ ТОК | 1,25 мм | 10 мм | 10 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | -22-22мА | 3,75 мкм | 64 дБ | 1280 | 960 | 1/3 дюйма | 50 МГц | 60 кадров в секунду | ОДИН РАМКА | |||||||||||||||||||||
| AR0135CS2M25SUEA0-TPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | Лента и катушка (TR) | Соответствует ROHS3 | 63-ЛБГА | 20 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОГОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ОТ 2,5 В ДО 3,1 В. | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,8 В~2,8 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,39 мм | 9 мм | 9 мм | 0,40-1,50 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 71,1 дБ | 60 | 1280 х 960 В | 1/3 дюйма | 50 МГц | 54 кадра в секунду | ||||||||||||||||||||||||||||
| AR0230ATSC00XUEA0-TPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ar0230atsc00xuea0dpbr-datasheets-5749.pdf | 80-БГА | 17 недель | 3 мкмx3 мкм | 30 | 1928Г х 1088В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0134CSSC00SUEA0-TPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 70°С | -30°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ar0134cssc00suea0drbr-datasheets-5641.pdf | Без свинца | 18 недель | 63 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ РАБОТАЮТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,5-3,1В. | Медь, Серебро, Олово | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,95 В | 1,7 В | ЦИФРОВОЙ ТОК | 1,4 мм | 9 мм | 9 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | -22-22мА | 3,75 мкм | 64 дБ | 1280 | 960 | 1/3 дюйма | 50 МГц | 60 кадров в секунду | ОДИН РАМКА | ||||||||||||||||||
| AR0143ATSC00XUEA0-DPBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Соответствует ROHS3 | 2018 год | 80-ЛФБГА | 39 недель | 3 мкмx3 мкм | 30 | 1344Г х 968В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9D131C12STC-DP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9d131c12stctp-datasheets-5653.pdf | Без свинца | 14 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9V022IA7ATC-DR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v022ia7atcdr-datasheets-5596.pdf | Без свинца | 16 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ АНАЛОГОВОГО ПИТАНИЯ 3–3,60 В, ТАКЖЕ ИМЕЕТ ДИНАМИЧЕСКИЙ ДИАПАЗОН 80–100 ДБ В РЕЖИМЕ ХИДЫ. | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 85°С | -40°С | 3,6 В | 3В | ЦИФРОВОЙ ТОК | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,3 мм | 9 мм | 9 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 60 мА | -9-9мА | 6x6 мкм | 54,4 дБ | 752 | 480 | 1/3 дюйма | 26,6 МГц | 60 кадров в секунду | РАМКА | |||||||||||||||||||
| AR0134CSSM00SPCA0-TPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 70°С | -30°С | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-ar0134cssc00suea0drbr-datasheets-5641.pdf | Без свинца | 18 недель | 48 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ РАБОТАЮТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,5-3,1В. | Золото | 1,95 В | 1,7 В | ЦИФРОВОЙ ТОК | 1,25 мм | 10 мм | 10 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | -22-22мА | 3,75 мкм | 64 дБ | 1280 | 960 | 1/3 дюйма | 50 МГц | 60 кадров в секунду | ОДИН РАМКА | ||||||||||||||||||||
| MT9V024IA7XTM-DP1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°C~105°C со снижением номинальных характеристик | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v024ia7xtmdp2-datasheets-4903.pdf | Без свинца | 17 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | АЭК-Q100; ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 3В~3,6В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 6 мкмx6 мкм | 60 | 752Г х 480В | 1/3 дюйма | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ9М034И12СТМ-ДПБР | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9m034i12stmdpbr-datasheets-5737.pdf | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0134CSSM00SPCA0-DPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/onsemiconductor-ar0134cssc00suea0drbr-datasheets-5641.pdf | Без свинца | 18 недель | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ РАБОТАЮТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,5-3,1В. | 70°С | -30°С | 1,95 В | 1,7 В | ЦИФРОВОЙ ТОК | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 60 мА | -22-22мА | 3,75 мкм | 64 дБ | 1280 | 960 | 1/3 дюйма | 50 МГц | 60 кадров в секунду | ОДИН РАМКА | |||||||||||||||||||||||||||
| AR0132AT6R00XPEA0-DRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ar0132at6c00xpea0dpbr-datasheets-4825.pdf | Без свинца | 17 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,5-3,1 В; ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 105°С | -40°С | 1,95 В | 1,7 В | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,4 мм | 9 мм | 9 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 130 мА | 0,40-1,50 В | 3,75 мкм | 115 дБ | 1280 | 960 | 1/3 дюйма | 50 МГц | 60 кадров в секунду | ЛИНЕЙНЫЙ | ||||||||||||||||||||
| MT9D131C12STC-DR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9d131c12stctp-datasheets-5653.pdf | Без свинца | 14 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0134CSSM00SUEA0-TPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 70°С | -30°С | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/onsemiconductor-ar0134cssc00suea0drbr-datasheets-5641.pdf | Без свинца | 18 недель | 63 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ РАБОТАЮТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,5-3,1В. | Медь, Серебро, Олово | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,95 В | 1,7 В | ЦИФРОВОЙ ТОК | 1,4 мм | 9 мм | 9 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | -22-22мА | 3,75 мкм | 64 дБ | 1280 | 960 | 1/3 дюйма | 50 МГц | 60 кадров в секунду | ОДИН РАМКА | ||||||||||||||||||
| AR0230ATSC00XUEA0-DRBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поднос | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/onsemiconductor-ar0230atsc00xuea0drbr-datasheets-5744.pdf | 80-ЛБГА | 17 недель | 80 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 3x3 мкм | 1928 год | 1088 | 1/2,7 дюйма | 30 кадров в секунду | ЛИНЕЙНЫЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9M001C12STM-DR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mt9m001c12stmdp-datasheets-5076.pdf | ПЛКК | 3,6 В | Без свинца | 15 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0134CSSM25SUEA0-TPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 70°С | -30°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-ar0134cssc00suea0drbr-datasheets-5641.pdf | Без свинца | 18 недель | 63 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ РАБОТАЮТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,5-3,1В. | Медь, Серебро, Олово | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,95 В | 1,7 В | ЦИФРОВОЙ ТОК | 1,4 мм | 9 мм | 9 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | -22-22мА | 3,75 мкм | 64 дБ | 1280 | 960 | 1/3 дюйма | 50 МГц | 60 кадров в секунду | ОДИН РАМКА | ||||||||||||||||||
| МТ9М034И12СТМ-ДРБР | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9m034i12stmdpbr-datasheets-5737.pdf | Без свинца | 14 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9V128IA3XTC-DP1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v128ia3xtcdr1-datasheets-5718.pdf | Без свинца | 16 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | 1,8 В 2,8 В | 5,6 мкмx5,6 мкм | 60 | 680 х 512 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ9М131С12СТЦ-ДП | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-mt9m131c12stctr-datasheets-5498.pdf | Без свинца | 14 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| НОИП1SE0480A-STI1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°К~85°К | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-noip1sf0480asti-datasheets-5585.pdf | 54-ВФБГА, КСПБГА | 14 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР; ОН ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НОМИНАЛЬНОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 3,3 В; ТАКЖЕ ЕСТЬ ГЛАВНАЯ ТАКТА 340 МГц (10-БИТ) И 272 МГц (8-БИТ), ЕСЛИ ФАПЧ НЕ ИСПОЛЬЗУЕТСЯ. | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 3,2 В~3,4 В | 68 Мбит/с | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 0,75 мм | 6,13 мм | 4,93 мм | 4,8 мкмx4,8 мкм | 59 дБ | 808 | 808Г х 608В | 1/3,6 дюйма | 68 МГц | 120 кадров в секунду | ||||||||||||||||||||||||||
| AR0230ATSC00XUEA0-DPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | /files/onsemiconductor-ar0230atsc00xuea0dpbr-datasheets-5749.pdf | 80-БГА | 17 недель | 3 мкмx3 мкм | 30 | 1928Г х 1088В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9V024IA7XTM-DR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -40°C~105°C со снижением номинальных характеристик | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-mt9v024ia7xtmdp2-datasheets-4903.pdf | Без свинца | 17 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | АЭК-Q100; ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 3В~3,6В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 6 мкмx6 мкм | 60 | 752Г х 480В | 1/3 дюйма | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT9M021IA3XTM-DRBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/onsemiconductor-mt9m021ia3xtmdpbr1-datasheets-5682.pdf | 17 недель | 1,8 В 2,8 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 60 | 1280 х 960 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AR0134CSSM25SPCA0-TPBR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 4 (72 часа) | 70°С | -30°С | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-ar0134cssc00suea0drbr-datasheets-5641.pdf | Без свинца | 18 недель | 48 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | ЭЛЕКТРОННЫЕ РОЛЬСТАВНИ, ТАКЖЕ РАБОТАЮТ ПРИ АНАЛОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,5-3,1В. | Золото | 1,95 В | 1,7 В | ЦИФРОВОЙ ТОК | 1,25 мм | 10 мм | 10 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | -22-22мА | 3,75 мкм | 64 дБ | 1280 | 960 | 1/3 дюйма | 50 МГц | 60 кадров в секунду | ОДИН РАМКА | ||||||||||||||||||||
| MT9V024IA7XTM-DR | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 105°С | -40°С | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-mt9v024ia7xtmtp-datasheets-5548.pdf | 3,3 В | Без свинца | 17 недель | 52 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР | Медь, Серебро, Олово | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 3,6 В | ЦИФРОВОЕ НАПРЯЖЕНИЕ | 1,3 мм | 9 мм | 9 мм | ПРИПАЙКА | ДАТЧИК ИЗОБРАЖЕНИЯ,CMOS | 2-ПРОВОДНОЙ ИНТЕРФЕЙС | 0,30-3В | 6x6 мкм | 100 дБ | 752 | 480 | 1/3 дюйма | 27 МГц | 60 кадров в секунду | РАМКА | |||||||||||||||||||
| MT9M021IA3XTC-DPBR1 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | КМОП | -30°К~70°К | 4 (72 часа) | Соответствует ROHS3 | 2017 год | /files/onsemiconductor-mt9m021ia3xtmdpbr1-datasheets-5682.pdf | Без свинца | 17 недель | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | ГЛОБАЛЬНЫЙ ЗАТВОР; ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ АНАЛОГОВОМ НАПРЯЖЕНИИ ОТ 2,5 В ДО 3,1 В. | ДА | 1,8 В 2,8 В | ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ | 1,35 мм | 9 мм | 9 мм | 0,40-1,50 В | 3,75 мкмx3,75 мкм | 64 дБ | 60 | 1280 х 960 В | 1/3 дюйма | 50 МГц |
