Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактНТЦ-термисторы(10964)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Ряд | Тип монтажа | Рабочая температура | Пакет/ключи | Толерантность к сопротивлению | B Допуск значений | Б25/85 | Б25/100 | Б25/50 | Б25/75 | Б0/50 | Производитель | Сопротивление в Омахе при 25°C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| НРБГ104J3435B2J | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НРБГ | Сквозное отверстие | -40°С ~ 300°С | Бусина, Стекло | ±5% | ±5% | 3435К | - | - | - | - | Eaton - Подразделение электроники | 10 тысяч | |||
| НРБЕ503J3470B1J | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НРБЭ | Свободное подвешивание | -40°С ~ 125°С | Шарик, Эпоксидная смола | ±5% | ±5% | - | - | 3470К | - | - | Eaton - Подразделение электроники | 5 тыс. | |||
| НМРР104J3435B2F | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НРМ | Свободное подвешивание | -40°С ~ 125°С | Шарик, Эпоксидная смола | ±5% | ±1% | 3435К | - | - | - | - | Eaton - Подразделение электроники | 10 тысяч | |||
| НДБГ205Ф4325Б2Ф | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НДБГ | Сквозное отверстие | -40°С ~ 250°С | Осевой | ±1% | ±1% | 4325К | - | - | - | - | Eaton - Подразделение электроники | 200 тыс. | |||
| НРЛ3234J4200B1J | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НРЛ | Свободное подвешивание | -40°С ~ 125°С | Шарик, Эпоксидная смола | ±5% | ±5% | - | - | 4200К | - | - | Eaton - Подразделение электроники | 23 тыс. | |||
| НРЛ2104J3435B2F | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НРЛ | Свободное подвешивание | -40°С ~ 125°С | Шарик, Эпоксидная смола | ±5% | ±1% | 3435К | - | - | - | - | Eaton - Подразделение электроники | 10 тысяч | |||
| НРМФ20324250B2F | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НРМ | Свободное подвешивание | -40°С ~ 125°С | Шарик, Эпоксидная смола | ±0,2% | ±1% | 4250К | - | - | - | - | Eaton - Подразделение электроники | 2 тыс. | |||
| NDBG104J3470B1F | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НДБГ | Сквозное отверстие | -40°С ~ 250°С | Осевой | ±5% | ±1% | - | - | 3470К | - | - | Eaton - Подразделение электроники | 10 тысяч | |||
| НРБЕ50323300B2J | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НРБЭ | Свободное подвешивание | -40°С ~ 125°С | Шарик, Эпоксидная смола | ±0,2% | ±5% | 3300К | - | - | - | - | Eaton - Подразделение электроники | 5 тыс. | |||
| НРЛ2233F3935B1F | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НРЛ | Свободное подвешивание | -40°С ~ 125°С | Шарик, Эпоксидная смола | ±1% | ±1% | - | - | 3935К | - | - | Eaton - Подразделение электроники | 2,3 тыс. | |||
| НРЛ3105F4150B1J | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НРЛ | Свободное подвешивание | -40°С ~ 125°С | Шарик, Эпоксидная смола | ±1% | ±5% | - | - | 4150К | - | - | Eaton - Подразделение электроники | 100 тыс. | |||
| НРМФ10423435B2J | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НРМ | Свободное подвешивание | -40°С ~ 125°С | Шарик, Эпоксидная смола | ±0,2% | ±5% | 3435К | - | - | - | - | Eaton - Подразделение электроники | 10 тысяч | |||
| НРЛ3154F4150B1J | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НРЛ | Свободное подвешивание | -40°С ~ 125°С | Шарик, Эпоксидная смола | ±1% | ±5% | - | - | 4150К | - | - | Eaton - Подразделение электроники | 15 тысяч | |||
| НРЛ2203F4250B2F | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НРЛ | Свободное подвешивание | -40°С ~ 125°С | Шарик, Эпоксидная смола | ±1% | ±1% | 4250К | - | - | - | - | Eaton - Подразделение электроники | 2 тыс. | |||
| НРМР104J3500B2J | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НРМ | Свободное подвешивание | -40°С ~ 125°С | Шарик, Эпоксидная смола | ±5% | ±5% | 3500К | - | - | - | - | Eaton - Подразделение электроники | 10 тысяч | |||
| НРБЕ203J4250B2F | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НРБЭ | Свободное подвешивание | -40°С ~ 125°С | Шарик, Эпоксидная смола | ±5% | ±1% | 4250К | - | - | - | - | Eaton - Подразделение электроники | 2 тыс. | |||
| НРЛ2105J3950B1F | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НРЛ | Свободное подвешивание | -40°С ~ 125°С | Шарик, Эпоксидная смола | ±5% | ±1% | - | - | 3950К | - | - | Eaton - Подразделение электроники | 100 тыс. | |||
| НМРР10424100B1F | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НРМ | Свободное подвешивание | -40°С ~ 125°С | Шарик, Эпоксидная смола | ±0,2% | ±1% | - | - | 4100К | - | - | Eaton - Подразделение электроники | 10 тысяч | |||
| НРБГ205F4325B2F | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НРБГ | Сквозное отверстие | -40°С ~ 300°С | Бусина, Стекло | ±1% | ±1% | 4325К | - | - | - | - | Eaton - Подразделение электроники | 200 тыс. | |||
| НРБЕ104F3500B2J | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НРБЭ | Свободное подвешивание | -40°С ~ 125°С | Шарик, Эпоксидная смола | ±1% | ±5% | 3500К | - | - | - | - | Eaton - Подразделение электроники | 10 тысяч | |||
| НМРР50323950B1F | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НРМ | Свободное подвешивание | -40°С ~ 125°С | Шарик, Эпоксидная смола | ±0,2% | ±1% | - | - | 3950К | - | - | Eaton - Подразделение электроники | 5 тыс. | |||
| НМРР50323470B1J | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НРМ | Свободное подвешивание | -40°С ~ 125°С | Шарик, Эпоксидная смола | ±0,2% | ±5% | - | - | 3470К | - | - | Eaton - Подразделение электроники | 5 тыс. | |||
| NDBG593F3820B2J | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НДБГ | Сквозное отверстие | -40°С ~ 250°С | Осевой | ±1% | ±5% | 3820К | - | - | - | - | Eaton - Подразделение электроники | 5,9 тыс. | |||
| НРМР35323435B2J | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НРМ | Свободное подвешивание | -40°С ~ 125°С | Шарик, Эпоксидная смола | ±0,2% | ±5% | 3435К | - | - | - | - | Eaton - Подразделение электроники | 3,5 тыс. | |||
| НРЛ2105F4200B1J | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НРЛ | Свободное подвешивание | -40°С ~ 125°С | Шарик, Эпоксидная смола | ±1% | ±5% | - | - | 4200К | - | - | Eaton - Подразделение электроники | 100 тыс. | |||
| НРМФ324F4550B2J | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НРМ | Свободное подвешивание | -40°С ~ 125°С | Шарик, Эпоксидная смола | ±1% | ±5% | 4550К | - | - | - | - | Eaton - Подразделение электроники | 32 тыс. | |||
| НРБЕ10524200B1F | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НРБЭ | Свободное подвешивание | -40°С ~ 125°С | Шарик, Эпоксидная смола | ±0,2% | ±1% | - | - | 4200К | - | - | Eaton - Подразделение электроники | 100 тыс. | |||
| НРБГ104J3470B1F | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НРБГ | Сквозное отверстие | -40°С ~ 300°С | Бусина, Стекло | ±5% | ±1% | - | - | 3470К | - | - | Eaton - Подразделение электроники | 10 тысяч | |||
| НРМФ105F4200B1J | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НРМ | Свободное подвешивание | -40°С ~ 125°С | Шарик, Эпоксидная смола | ±1% | ±5% | - | - | 4200К | - | - | Eaton - Подразделение электроники | 100 тыс. | |||
| НРМР105F4450B1F | Eaton - Подразделение электроники | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | НРМ | Свободное подвешивание | -40°С ~ 125°С | Шарик, Эпоксидная смола | ±1% | ±1% | - | - | 4450К | - | - | Eaton - Подразделение электроники | 100 тыс. |
